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UNIVERSIDAD DE LAS PALMAS DE GRAN CANARIA

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros
Industriales
Tema 3
Dispositivos semiconductores de potencia
Sebastin Lpez
Roberto Sarmiento
4 - Ingeniero Industrial
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ULPGC
Electrnica Industrial - 4 ETSII
ndice
3.1. El diodo de potencia
3.2. Los transistores de potencia: BJ T, MOSFET e IGBT
3.3. El tiristor y sus derivados (TRIAC y GTO)
3.4. Proteccin trmica de dispositivos de potencia: uso de
disipadores
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3.1. El diodo de potencia
Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la
corriente en sentido contrario al de conduccin.
El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre
nodo y ctodo.
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3.1. El diodo de potencia
Caractersticas ms importantes del diodo
Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
Parmetros de encendido.
Parmetros de apagado
Influencia del trr en la conmutacin.
Potencias:
Potencia mxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
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3.1. El diodo de potencia
Modelos estticos
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3.1. El diodo de potencia
Caractersticas dinmicas:
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3.2. Los transistores de potencia
Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT
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Caractersticas dinmicas
3.2. Los transistores de potencia
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3.2. Los transistores de potencia
Existen bsicamente tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT
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3.2. Los transistores de potencia
rea de operacin segura en un BJ T de potencia
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3.3. El tiristor y sus derivados
Se denominan tiristores a todos aquellos componentes
semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se
basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN
Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el ms
empleado con mucha diferencia es el rectificador controlado de silicio
(SCR), por lo que suele aplicrsele el nombre genrico de tiristor
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3.3. El tiristor y sus derivados
Caractersticas estticas
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Caractersticas dinmicas
3.3. El tiristor y sus derivados
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Caractersticas dinmicas
3.3. El tiristor y sus derivados
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Caractersticas de control
3.3. El tiristor y sus derivados
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3.3. El tiristor y sus derivados
El TRIAC
El GTO
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Polaridad
V
max
I
max
f
max
Diodos SCR TRIAC GTO BJ T MOSFET IGBT
UNI UNI BI UNI UNI UNI UNI
10 kV 50 kV 800 V 3 kV 1,5 kV 1 kV 2 kV
5 kA 3 kA 20 A 2000 A 750 A 100 A 500 A
<1 kHz
*
<1 kHz <1 kHz 1 kHz 10 kHz 1 MHz 80 kHz
* Los diodos rpidos pueden trabajar hasta 100 kHz, pero
lgicamente no soportan tanta potencia.
Comparativa de dispositivos de potencia
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Comparativa de dispositivos de potencia
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T
h
y
r
i
s
t
o
r
IGBT
MOSFET
P
o
w
e
r

(
V
A
)
Switching Frequency (Hz)
IGCT
Tensin
Frecuencia
Corriente
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8.4. Proteccin trmica de dispositivos de potencia
Problema a solucionar
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8.4. Proteccin trmica de dispositivos de potencia
Modelo trmico
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