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Osc Il Adores 2123
Osc Il Adores 2123
CONTENIDO RESUMIDO: 1- Introduccin 2- Osciladores 3- Mezcladores. 4- Lazos enganchados en fase (PLL). 5- Amplificadores de pequea seal para RF. 6- Filtros pasa-banda basados en resonadores piezoelctricos. 7- Amplificadores de potencia para RF. 8- Demoduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK). 9- Demoduladores de ngulo (FM, FSK y PM). 10- Moduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK). 11- Moduladores de ngulo (PM, FM, FSK y PSK). 12- Tipos y estructuras de receptores de RF. 13- Tipos y estructuras de transmisores de RF. 14- Transceptores para radiocomunicaciones
ATE-UO EC osc 00
2. Osciladores
Osciladores con elementos discretos
de Baja Frecuencia (RC) de Alta Frecuencia y Colpitts Tipos de Frecuencia Variable (LC) Hartley Osciladores Otros (Clapp, ...) de Alta Frecuencia y Frecuencia Fija (a cristal) Colpitts Hartley Pierce Otros (Clapp, ...)
ATE-UO EC osc 01
xe(s)
Entrada
xer(s)
G(s)
Planta
xs(s) Salida
xr(s)
H(s)
Red de realimentacin
Observaciones:
xe: magnitud de entrada xer: magnitud de error xr: magnitud realimentada xs: seal de salida xx: magnitudes que pueden ser de distinto tipo G(s): funcin de transferencia de la planta H(s): funcin de transferencia de la red de realimentacin
ATE-UO EC osc 02
xe(s) Entrada
xer(s)
G(s)
Planta
xs(s) Salida
xr(s)
H(s)
Red de realimentacin
G(s)
Casos particulares
xe(s) Entrada
G(s)
Planta
xs(s) Salida
xs(s)
= xe(s) 1 + G(s)H(s)
G(s)
H(s)
Red de realimentacin
Realimentacin negativa 1 + G(s)H(s) > 1 Alta ganancia de lazo xs(s)/xe(s) = 1/H(s) Realimentacin positiva 1 + G(s)H(s) < 1
Oscilacin 1 + G(s)H(s) = 0
Situacin indeseada en servosistemas Situacin deseada en osciladores
ATE-UO EC osc 04
Caso de oscilacin
xs(s) = xe(s) 1 + G(s)H(s) G(s)
xe(s) Entrada
G(s)
Planta
xs(s) Salida
H(s)
Red de realimentacin
G(s)
Planta
xs(s) Salida
H(s)
Red de realimentacin
-1
G(jwosc)
Planta
Salida
xe(jwosc)
Entrada
G(jwosc)
Planta Salida
H(jwosc)
xe(jwosc)G(jwosc)H(jwosc)
Red de realimentacin
ATE-UO EC osc 06
Salida
xe(jwosc)G(jwosc)H(jwosc)
H(jwosc)
Red de realimentacin
Si |xe(jwosc)G(jwosc)H(jwosc)| > |xe(jwosc)| (es decir, |G(jwosc)H(jwosc)| > 1) cuando el desfase es 180, entonces podemos hacer que la salida del lazo de realimentacin haga las funciones de la magnitud de entrada.
G(jwosc)
Planta Salida
H(jwosc)
Red de realimentacin
ATE-UO EC osc 07
G(jwosc)
Planta Salida
H(jwosc)
Red de realimentacin
G(jwosc)
Planta Salida
H(jwosc)
Red de realimentacin
Salida
xe(jwosc)G(jwosc)H(jwosc)
H(jwosc)
Red de realimentacin
G(jwosc)
Planta Salida
H(jwosc)
Red de realimentacin
ATE-UO EC osc 10
G(jwosc)
Planta
Salida
H(jwosc)
Red de realimentacin
Para que empiece la oscilacin: Tiene que existir una wosc a la que se se cumpla G(jwosc)H(jwosc) = 180 A esa wosc tiene que cumplirse |G(jwosc)H(jwosc)| > 1
|G(jw)H(jw)| [dB]
80
40 0
-40
Oscilar
G(jwosc)
Planta
1
Salida
102
104
106
G(jw)H(jw) []
0 -60 -120 -180 -240 1
H(jwosc)
Red de realimentacin
wosc
102
104
106
ATE-UO EC osc 12
|G(jw)H(jw)| [dB]
80
|G(jw)H(jw)| [dB]
80 40 0 -40 No oscilar
40
0 -40
G(jw)H(jw) []
0 -60 -120 -180 -240 1
G(jw)H(jw) []
0 -60 -120
wosc
102 104 106
ATE-UO EC osc 13
-180 -240
wosc
1
102 104 106
Oscilador
A(jw)
Salida
Amplificador
G(jw)
Planta
Salida
H(jw)
Red de realimentacin
(jw)
Red pasiva
Existencia de wosc tal que G(jwosc)H(jwosc) = 180 A wosc se cumple |G(jwosc)H(jwosc)| > 1 |G(jwosc)H(jwosc)| = 1
ATE-UO EC osc 14
Cuando ya oscila:
|A(jwosc)(jwosc)| = 1
Tipos de Osciladores
BJT, JFET, MOSFET, Amp. Integrados, etc
A(jw)
Amplificador
Salida
(jw)
Red pasiva
RC en baja frecuencia. LC en alta frecuencia (y variable). Dispositivo piezoelctrico en alta frecuencia (y constante). Lneas de transmisin en muy alta frecuencia.
ATE-UO EC osc 15
+ vgs S
gvgs
Rs
FET
A(jw)
Amplificador
Salida
(jw)
Red pasiva
Z2 Z1 Z3
ATE-UO EC osc 16
+ vgs gvgs
S
ve -
Rs -
vs
Z2 + vsr Z3 Z1
+ ver
ATE-UO EC osc 17
+ ve -
+ vgs S
+ gvgs Rs vs
Rs vs = -g
Rs +
Z2 + vsr Z3 Z1 + ver
vsr =
Z3
Z2+Z3
ver
Por tanto:
vsr = -g
Rs +
Osciladores LC con tres elementos reactivos (IV) RsZ1Z3 vsr = -g ve De otra forma: Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3) Por tanto:
G
A = vsr/ve = -g
D
RsZ1Z3 Rs(Z1+Z2+Z3)+Z1(Z2+Z3)
Puesto que usamos slo bobinas y condensadores:
+ ve -
+ vgs S
+ gvgs Rs vs
Z2 + vsr Z3 Z1
+ ver -
A = -g
ATE-UO EC osc 19
-RsX1X3 jRs(X1+X2+X3)-X1(X2+X3)
-RsX1X3
Como:
reactivos no pueden ser iguales. Tiene que haber dos bobinas y un condensador o dos condensadores y una bobina. Queda:
A(jwosc)(jwosc) = -g
RsX3(wosc) X2(wosc)+X3(wosc)
ATE-UO EC osc 20
A(jwosc)(jwosc) = g
RsX3(wosc)
X1(wosc)
deben ser del mismo tipo (los dos elementos bobinas o los dos
condensadores).
Z2 Z1 Z3
Z2 Z1 Z3
Hartley
Z2 Z1 Z3
Colpitts
ATE-UO EC osc 21
g
X2= -1/wC2 X1=wL1
>1
X3=wL3
Hartley
X1= -1/wC1
Colpitts
RsC1 g >1 C3
ATE-UO EC osc 22
X1(wosc)+X2(wosc)+X3(wosc) = 0
X2= -1/wC2
X1=wL1
fosc =
X3=wL3
1
2p (L1+L3)C2
Hartley
X1= -1/wC1
fosc =
1 C1C3 2p L2 C1+C3
ATE-UO EC osc 23
Colpitts
Resumen Hartley
G + D
vgs
S
gvgs
Rs
RsL3 L1
>1
C2 L3
L1
fosc =
1
2p (L1+L3)C2
Colpitts
G +
vgs
S
gvgs Rs
L2 C3
C1
vgs
S
gvgs Rs
vs osc -
*
L2 C3
L2 C3
C1
C1
+ Vcc
LCH
+ Vcc
LCH CG D CD + vs osc -
D
G
D S
L2
S
CS
CS
C1 C3
ATE-UO EC osc 25
vgs
S
gvgs
Rs
-
vs osc
*
L2 C3
C1
L2 C3
C1
+ Vcc
LCH
+ Vcc
L2
CD G D S +
D
G
D S
C1 C3
vs osc -
ATE-UO EC osc 26
vgs
S
gvgs Rs
*
L2
+ vs osc -
L2 C3
C1
+ vs osc -
C1
C3
+ Vcc
G D S LCH
+ Vcc
G D S LCH CS + vs osc
L2
C3 C1
ATE-UO EC osc 27
vgs
S
gvgs
Rs
-
vs osc
+ Vcc
L1
C2 L3
L1
CD
C2
+ Vcc
LCH D S CS
D S
+ vs osc -
L3
CS
ATE-UO EC osc 28
vgs
S
gvgs
Rs
-
vs osc
+ Vcc
LCH CD1 +
C2 L3
L1
G
D S CD2 -
vs osc
+ Vcc
LCH
L3
CM
L1 C 2
D S
ATE-UO EC osc 29
vgs
S
gvgs
Rs
+ Vcc
CG G D S CS + vs osc -
C2 L3
L1
+ vs osc -
C2 L3
L1
+ Vcc
G D S LCH
CM
ATE-UO EC osc 30
+ vgs S
Condiciones de oscilacin:
gvgs
Rs
RsC1 g >1 C3
fosc =
2p
C1
C2 L2
C1C2C3 L2 C1C2+C1C3+C2C3
C3
+ Vcc
G
RG D S LCH R1 CS + vs osc
L2
C2
C3 C1
ATE-UO EC osc 32
ATE-UO EC osc 33
G
CS + vs osc
D S LCH R1 CS + vs osc
L2 C2
C3 C1
C2
L2
C3 C1
Condiciones de oscilacin:
(comn)
fosc = 2p
1 C1C2C3 L2 C1C2+C1C3+C2C3
1
C1C3 2p ( +C2)L2 C1+C3
ATE-UO EC osc 34
+ Vcc
G RG D S LCH R1 CS +
L2
C3 C21 C1
RCF + vCF -
vs osc
C22
C2
ATE-UO EC osc 35
ATE-UO EC osc 36
ATE-UO EC osc 37
Contacto metlico
Aspecto:
Cristal Cpsula
Terminales
ATE-UO EC osc 38
R1 L1 C1
R2 L2 C2
R3
L3 C3
CO
ATE-UO EC osc 39
R1 L1 C1
R2 L2 C2
R3 L3 C3
Z(f)
CO
50 Im(Z(f)) [kW]
Comportamiento inductivo
0 Comportamiento capacitivo
f1
ATE-UO EC osc 40
-50
f2
R = 20 W
C = 0,017 pF
L = 15 mH
CO = 3,5 pF
Z(f)
Im(Z) [MW]
200 Hz
-1 10,0236
10,024 f [MHz]
10,0244
ATE-UO EC osc 41
R = 20 W
L = 15 mH
C = 0,017 pF
CO = 3,5 pF
R L CO C
25 kHz
0
-600
10
10,01
10,02
10,03
ATE-UO EC osc 42
f [MHz]
L
Z(s) =
CO
siendo:
CS =
CCO C+CO
CP = C+CO
Anlisis senoidal: s = jw
1 LC
w2 =
1 LCS
Como CS < C, entonces: w2 > w1 Si w < w1, entonces tambin w < w2 y entonces:
Z(jw) = -j(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo. Si w1 < w < w2, entonces: Z(jw) = -j(cantidad negativa) > 0, es decir, comportamiento inductivo. Si w2 < w, entonces tambin w1 < w y entonces: Z(jw) = -j(cantidad positiva) < 0, es decir, comportamiento capacitivo.
Resumen:
w1 =
1 LC CS =
CCO C+CO
w2 =
1 LCS
Z(jw) = jX(w)
X(w)
Comp. inductivo
w1
Comportamiento capacitivo
w2
ATE-UO EC osc 45
ATE-UO EC osc 46
Osciladores a cristal
Se basan en el uso de una red de realimentacin que incluye un dispositivo piezoelctrico (tpicamente un cristal de cuarzo). Tipos: Basados en la sustitucin de una bobina por un cristal de cuarzo en un oscilador clsico (Colpitts, Clapp, Hartley, etc.) El cristal de cuarzo trabaja el su zona inductiva.
+ Vcc
D S LCH R1 CS + vs osc
L2 C2
C3 C1
C3 Xtal C1
ATE-UO EC osc 47
Osciladores basados en la sustitucin de una bobina por un cristal (II) + Vcc Condiciones de oscilacin:
G RG D S LCH R1
Cristal de 10 MHz
C3 C1
CS + vs osc
Xtal
RsC1 g >1 C3
XC1(wosc)+XC3(wosc)+XXtal(wosc) = 0
Grficamente:
-(XC1(w)+XC3(w)), XXtal(w) [W ]
L = 15 mH C = 0,017 pF
R = 20 W
CO = 3,5 pF
1000
500
C1 = C3 = 500pF
0 f [MHz] 10 10,002 10,004
ATE-UO EC osc 48
C C1C3 C1+C3
+ CO
w2 = w1
1+
C CO
ATE-UO EC osc 49
+ Vcc
wosc = w1 1+
C C1C3
RG
D S LCH R1 CS + vs osc
C1+C3
1500
+ CO + Cext
Cext Xtal
10 MHz
C3 C1
10pF 5pF
1000
500 0 9,999 10
C1 = C3 = 50pF
0pF
xXtal
fosc(Cext= 0pF) = 10.002,9622 kHz fosc(Cext= 5pF) = 10.002,5201 kHz fosc(Cext= 10pF) = 10.002,1929 kHz fosc(Cext= 15pF) = 10.001,9408 kHz
f [MHz]
ATE-UO EC osc 50
+ +
+ +
ve
- -
vgs
S
gvgs
Rs -
vs
ve
- S
vgs
gvgs
Rs -
vs
CO
vsr
-
R1
Xtal
ver
-
vsr
-
C
-
R1 ZXtal = jXxtal
RsR1
ver
En este caso:
A(jw)(jw) = -g
jXXtal + R1 + RS
ATE-UO EC osc 51
+ +
En oscilacin:
ve
- -
vgs
S
gvgs
Rs -
vs
jXxtal
+
vsr
-
R1
Xtal
ver
+
Rs
+ -
ve
-
gve
vs
R1
ATE-UO EC osc 52
Xtal
+ Vcc
G D S CS + LCH R1 vs osc Carga
L2
C3 C1
RL
CL
CL influye en la frecuencia de oscilacin y RL influye en la ganancia del transistor. Hay que conectar etapas que aslen al oscilador de la carga.
ATE-UO EC osc 53
+ Vcc
G D S CS CE LCH R1 R3 + vs osc RL R2
L2
C3 C1
CL
Carga
Etapa en colector comn para minimizar la influencia de la carga en el oscilador.
ATE-UO EC osc 54
C Re E Z2 Z1 Z3 ib
Estudio y resultados prcticamente idnticos al caso de transistores de efecto de campo. Z1 = jX1 Z2 = jX2 Z3 = jX3 -X3X1
queda:
A(jwosc)(jwosc) =
Como
para
que
debe
+ Vcc
R1 CB R3 CE1
X1(wosc)
cumplirse
que
X3(wosc)
>1
L2
C3 C1
LCH
CE2 R4 R2 vs osc
+ ATE-UO EC osc 56
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en el transistor (ejemplo con JFET) (I)
+ Vcc
G RG D1 C2 D S LCH
C3 C1
CS
+
L2
Resistencia de arranque
vs osc -
ATE-UO EC osc 57
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en el transistor (ejemplo con JFET) (II)
G RG D1
C2 L2
C3 C1
Circuito equivalente
S RS
ids
LCH
G RG D1
C2 L2
C3 C1
Thvenin
S RS
+ idsRS
ATE-UO EC osc 58
LCH
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en el transistor (ejemplo con JFET) (III)
Corriente despreciable (resistencia muy grande)
G RG D1
C2 L2
C3 C1
S RS
+ vSO
LCH
Luego: la corriente media por el diodo debe ser nula. Para ello, C3 debe cargarse de tal forma que no conduzca el diodo.
ATE-UO EC osc 59
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en el transistor (ejemplo con JFET) (IV)
RG
D1
+ vG -
C3
G +
C2
L2
vC3
S RS
C1 +
vC1
0 0
vC1
LCH
vSO
vC3 0 vG
nivel de cc
i = 0 (resonancia) vC1 vSO (ZLCH >> RS) vC3 = vC1C1/C3 + nivel de cc vG = vC1+ vC3
nivel de cc
ATE-UO EC osc 60
Circuitos para limitar automticamente la ganancia en el transistor (ejemplo con JFET) (V)
RG
D1
+ vG -
C3
G +
C2
L2
vC3
i=0
S RS
C1 +
vC1
LCH
vSO
0 vC3 0 vG
nivel de cc
nivel de cc
vC3 (=vGS) tiene un nivel de cc negativo proporcional al nivel de las seales que supone una polarizacin negativa de la puerta con respecto a la fuente que disminuye la ganancia al crecer el nivel de las seales
ATE-UO EC osc 61
Cermicos NP0
Mica
Styroflex.
ATE-UO EC osc 62
ATE-UO EC osc 63
Hartley
Alimentacin estabilizada
Colpitts
ATE-UO EC osc 65
ATE-UO EC osc 66
Parmetros caractersticas de los osciladores Margen de frecuencia. Estabilidad Mayor cuanto mayor es el factor de calidad Q de la
red de realimentacin.
Potencias (absoluta de salida sobre 50W ) y rendimientos (Potencia de seal / potencia de alimentacin). Nivel de armnicos y espurias potencias relativas de uno o
varios armnicos con relacin al fundamental.
Pulling o estabilidad frente a la carga uso de separadores. Pushing o estabilidad frente a la alimentacin uso de
estabilizadores de tensin (zeners, 78LXX, etc.).
Deriva con la temperatura Condensadores NP0, de mica, etc. Espectro de ruido Se debe fundamentalmente a ruido de fase.
ATE-UO EC osc 67