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NDICE MEMORIA
Resum ..................................................................................................... 5 Abstract ................................................................................................... 5 Agradecimientos........................................................................................ 6 Captulo 1: Introduccin ....................................................................... 7 1.1. 1.2. 1.3. 1.3.1. 1.4. 1.5. 2.1. 2.2. 2.2.1. 2.2.2. 2.2.3. 2.3. 2.3.1. 2.3.2. 2.4. 2.5. 2.6. 2.6.1. 2.6.2. 2.6.3. 2.6.4. 2.7. 2.7.1. 2.7.2. 2.7.3. 2.7.4. 2.7.5. Objetivo del proyecto .................................................................. 7 Antecedentes ............................................................................. 7 Emplazamiento .......................................................................... 8 Principales vas de acceso ......................................................... 9 Alcance ..................................................................................... 9 Especificaciones bsicas .............................................................. 9 Estudio de viabilidad (orogrfico elico) .................................... 10 Alternativas de diseo y evolucin del sistema .............................. 12 Alternativa 1. Sistema en serie ................................................ 13 Alternativa 2. Sistema con cargador en paralelo ......................... 14 Alternativa 3. Sistema de dos vas ........................................... 15 Solucin adoptada .................................................................... 15 Funcionamiento del sistema escogido ....................................... 16 Justificacin de la solucin adoptada ........................................ 17 Estudio de componentes susceptibles de ser empleados ................. 18 Bloque generador de tensin ...................................................... 23 Bloque de rectificacin de seal. Rectificador CA CC .................... 23 Alternativas de diseo ............................................................ 23 Solucin adoptada ................................................................. 25 Funcionamiento del rectificador ............................................... 25 Circuito de filtrado de seal de salida ....................................... 26 Bloque elevador de seal. Convertidor elevador ............................ 27 Alternativas de diseo y solucin adoptada ............................... 27 Funcionamiento del convertidor elevador .................................. 28 Convertidor elevador B1 ......................................................... 31 Convertidor elevador B2 ......................................................... 31 Control del convertidor elevador .............................................. 32
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Bloque de inversin de seal. Inversor CC - CA ............................. 34 Alternativas de diseo ............................................................ 35 Solucin escogida .................................................................. 36 Funcionamiento del inversor.................................................... 37 Circuito de filtrado LC ............................................................. 38 Circuito integrado para el control del inversor ............................ 39
2.8.6. Generacin de onda sinusoidal de referencia para el control PWM. Oscilador Puente de Wien .................................................................. 39 2.9. 2.9.1. 3.1. 3.1.1. 3.2. 3.2.1. 3.2.2. B1 3.2.3. 3.2.4. B2 3.3. 3.3.1. 3.4. 4.1. 4.2. 4.2.1. 4.2.2. 4.2.3. 4.2.4. 4.3. 4.4. 4.5. 4.6. 5.1. 5.2. Control del sistema ................................................................... 43 Modulacin de ancho de pulso. PWM ........................................ 43 Bloque de rectificacin de seal. Rectificador CA CC .................... 44 Circuito de filtrado LC ............................................................. 45 Bloque elevador de seal ........................................................... 47 convertidor elevador B1 ......................................................... 47 Consideraciones del circuito integrado SG3524 para el convertidor 49 convertidor elevador B2 ......................................................... 50 Consideraciones del circuito integrado SG3524 para el convertidor 52 Bloque de inversin de seal. Inversor CC CA ............................ 53 Circuito de filtrado LC ............................................................. 53 Oscilador puente de Wien .......................................................... 54 Sistema de rectificacin de seal. Rectificador (CA-CC) .................. 56 Sistema elevador de seal. Convertidores elevadores .................... 59 Convertidor elevador B1 calculado ........................................... 59 Convertidor elevador B1 escogido ............................................ 61 Convertidor elevador B2 calculado ........................................... 62 Convertidor elevador B2 escogido ............................................ 63 Sistema de inversin de seal. Inversor (CA-CC) .......................... 64 Circuito integrado SG3524 ......................................................... 65 Oscilador Puente de Wien .......................................................... 66 Sistema definitivo. Conjunto completo ......................................... 66 Referencias bibliogrficas........................................................... 70 Bibliografa de consulta ............................................................. 71
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Captulo 6: Presupuesto ..................................................................... 72 Captulo 7: Distribucin y planificacin del tiempo de ejecucin (Diagrama de GANTT) ........................................................................ 75 Captulo 8: Anexos.............................................................................. 77 Captulo 9: Conclusiones .................................................................... 78 9.1. 9.2. Conclusiones ............................................................................ 78 Futuro trabajo .......................................................................... 78
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RESUMEN
Estudio tcnico sobre un sistema de control y potencia para un aerogenerador. El estudio comprende el tratamiento de la seal generada por un aerogenerador trifsico. Esta seal ser rectificada y posteriormente se le someter a una elevacin inicial para alcanzar la tensin nominal de carga de un equipo de bateras (48 voltios). A la salida de las bateras ser nuevamente elevada para alcanzar la tensin optima para finalmente ser invertida y transformada a corriente alterna a un valor de 220 voltios.
RESUM
Estudi tcnic sobre un sistema de control i potencia per un aerogenerador. Lestudi compren el tractament de la senyal generada per un aerogenerador trifsic. Aquesta senyal ser rectificada i posteriorment se la sotmetr a una elevaci inicial per assolir la tensi nominal de la carrega dun equip de bateries (48 volts). A la sortida de les bateries ser novament elevada per assolir la tensi optima per finalment ser invertida i transformada a corrent altern a un valor de 220 volts.
ABSTRACT
Technical study on a system of control and power for a wind turbine. Study includes the processing of the signal generated by a wind phase. This signal is rectified and was subsequently subjected to an initial lift to reach the rated load voltage of a team of batteries (48 volts). A battery output will again be raised to reach the optimum voltage to finally be inverted and transformed to alternating current to a value of 220 volts.
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AGRADECIMIENTOS
Papa i mama aquest projecte lheu fet vosaltres tot i que jo he sigut el que lha redactat. Lheu fet vosaltres perqu heu sigut els que mheu donat la gran oportunitat destudiar, els que mheu donat la facilitat de fer-ho sense cap tipus dinconvenient, els que hem dieu mentre jo pugui donar-tho, estudia i no treballis, els que mheu educat i els que mho heu donat tot, per sobre tot, els que mheu donat la motivaci i forces per fer-ho. Sc all que vosaltres heu creat i per aquest motiu penso que aquest projecte aix com tota la carrera es feina vostra, jo tan sols he aportat el meu temps i els coneixements i formaci que ha aprs al llarg della. Us dono les GRCIES per tot, per com se la satisfacci que us causa que hagi acabat la carrera, crec que la millor manera dagrair-vos-ho es brindar-vos-la. Margarida em puc imaginar lo contenta que estars i com ms duna vegada dirs el meu tete es enginyer, aix em diu moltes coses. GRCIES per preguntar -me sempre com ho portava i per haver-me dit tantes vegades dna-li canya tete. GRCIES per fer-me el dinar quan estava dexmens i per estar sempre pendent de mi. Pulgui tu has sufrido in situ mi carrera los ltimos dos aos y en la distancia algn otro, y me has hecho sufrir con tus broncas constantes y tu insistencia, se que era por mi bien, por eso te doy las GRACIAS. GRACIAS por tu gran apoyo y tambin por encargarte de todo, el piso, la comida, la ropaEspero poder darte la recompensa que te has ganado.. Roger no se como te lo montas pero siempre me has valorado el trabajo realizado y lo mejor es que me has hecho creer que era bueno, viniendo de ti ciertas palabras tienen mas valor, aunque a veces no te creo porque veo tu intencin de hacer sentir bien al otro. Has empleado muchas horas regulacin, convertidores, PIC (creo que no olvidare nunca aquella telefnica noche) y como no en este proyecto (tampoco olvidare el primer esbozo en una servilleta en el rabo). Estoy en deuda contigo. GRACIAS Albert vas ser pacient, et vas sacrificar desprs de la teva jornada (ja se que hi habia dies que no et venia de gust per hi erats), vas regalar-me part del teu temps i em vas fer entendre els operacionals. El que vas fer val molt i aquestes coses no son fcils de pagar, per tant estic en deute amb tu. GRCIES. Olibron Tu me ayudaste en los origenes y eso lo agradezco muchisimo, tantas horas en la biblioteca GRCIAS Herminio Martinez no tenia oligacin de aceptar la tutoria de un proyecto y lo hizo, aunque fuera el proyecto de un elctrico. Me ha atendido fuera de horas de tutoria y adems ha sido cercano, cosa que se agradece en el trato profesor alumno. GRCIAS Al resto de personas GRCIAS Esto es el punto final a una larga espera
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CAPTULO 1: INTRODUCCIN
1.2. Antecedentes
La eleccin de este sistema de generacin de energa elctrica mediante energa elica se debe a distintos factores. El factor principal viene dado por la eleccin y peticin del cliente, pero independientemente se han realizado los estudios de viabilidad necesarios para validar el sistema y as proceder a su ejecucin. Inicialmente se ha realizado un sondeo en la zona para comprobar la existencia de instalaciones de este tipo de tecnologas y el resultado ha sido positivo. En los alrededores ms inmediatos se ha localizado un aerogenerador, instalado a unos 300 m. del punto de estudio. Se trata de un aerogenerador de 1.5 kW y debido a las caractersticas del terreno consigue un aprovechamiento ptimo del viento. A mayor distancia, entre 35 y 85 km, se pueden encontrar siete parques elicos con carcter comercial y con potencias del orden de 99 MW, 115 MW o 180 MW. La Comunidad Valenciana, y en concreto Castelln de la Plana, donde se encuentra la ubicacin de la futura instalacin, no es una de las comunidades de la pennsula con mayor historia y tradicin en instalaciones de energa elica
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como ocurre con Galicia, Navarra, Castilla la Mancha o Castilla Len, pero no por ello ha de considerarse una mala ubicacin. Muestra de ello son algunos de los datos que revela la Agencia Valenciana de la Energa, como por ejemplo que en el mes de noviembre de 2009 la produccin elica de Castelln fue un 11% superior a todo el consumo elctrico de la provincia. Adems, dicha comunidad lider en 2008 el incremento interanual de potencia elica en Espaa, ya que fue la autonoma con un mayor crecimiento porcentual de potencia elica.
1.3. Emplazamiento
Se trata de una casa rural ubicada en la provincia de Castelln de la Plana, concretamente a 41 km de la capital, entre las aldeas de Els Ibarsos y Els Rosildos, perteneciente al municipio de la Serra dEn Galceran. La Serra dEn Galceran es un municipio que cuenta con una poblacin de 1051 habitantes repartidos entre distintas aldeas. Entre ellas la ms cercana a la casa rural llamada Els Ibarsos cuenta con 356 habitantes. La superficie del trmino municipal es de 82 km2. El emplazamiento de la instalacin est situado en una pequea agrupacin con un total de seis de casas rurales llamado Masa La Volta, y se encuentra a 384 m. sobre el nivel del mar.
Figura 1. Vista area del emplazamiento de la casa rural. El acceso a la casa rural desde la salida de la carretera asfaltada se realizar, ya sea mediante vehculo o caminando, por un camino no pavimentado de 450 metros, doble sentido de circulacin, con tramos de pendientes pronunciadas, cambios de rasante bruscos y una amplitud mxima de 3 metros.
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1.4. Alcance
El mbito de aplicacin del proyecto se centrar en la parte de control y potencia de un aerogenerador. Con este sistema de generacin elctrica se alimentar algunas de las zonas de una casa rural. Por sus caractersticas no pretende ser el nico medio de alimentacin de la vivienda. Hay que tener en cuenta las limitaciones del sistema ya que el viento, que es la fuente que permite su puesta en marcha, no siempre es constante y con valores ptimos para la generacin.
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Figura 3. Vista area del terreno donde hay que realizar la instalacin. Tambin se han estudiado las velocidades del viento en la provincia de Castelln de la Plana y los resultados en 2009 segn el Instituto y diversificacin para el ahorro de energa [1] son unos valores medios anuales del orden de 5.0 5.5 m/s (metros / segundo).
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Figura 4. Representacin mediante escala de colores de los valores medios anuales de la velocidad del viento en la provincia de Castelln. De forma ms precisa se han analizado los valores mximos de febrero a mayo de 2010, recogidos en una estacin meteorolgica de la Agencia Estatal de Meteorologa (AEMET), situada en la poblacin de Atzeneta del Maestrazgo a 9.5 km de la ubicacin. Los datos revelan que durante el mes de febrero se superaron los 22.2 m/s, alcanzando incluso un da valores superiores a 25 m/s. En marzo de 2010 se superaron los 19.5 m/s. El mes de abril de 2010 se estuvo por debajo de los 19.5 m/s y el mes de mayo de 2010 se volvi a alcanzar los 22.2 m/s. Despus de analizar los datos de los estudios realizados as como los antecedentes en instalaciones elicas de la zona, se considera viable la instalacin desde el punto de vista tcnico.
Se han estudiado las tecnologas y configuraciones tpicas existentes en el mercado y se han adaptado a este proyecto. En la actualidad existen muchos fabricantes dedicados a este tipo de instalaciones y se han tomado como referencia. El uso de todas estas tecnologas ha permitido una evolucin constante de la configuracin de cada uno de los componentes y los bloques del sistema. Finalmente se ha conseguido un resultado ajustado y un concepto de
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generacin elctrica propio y personalizado aunque difiera de las configuraciones tpicas comercializadas. La electrnica de esta instalacin se encargar de transformar la tensin generada por el aerogenerador en una tensin apta para el consumo. A lo largo de la realizacin de este proyecto las alternativas de diseo, la configuracin del sistema y la de los bloques han variado para dar solucin a los distintos problemas que han ido apareciendo.
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Cargado de bateras: Este bloque se ha configurado de manera externa y paralela al resto. El diseo de sus componentes no son objeto de este proyecto: 1. Un cargador de bateras alimentado en corriente alterna. 2. Bateras. La distribucin de estos bloques puede verse en el siguiente diagrama:
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Elevacin de la seal: Bloque compuesto por un convertidor CC-CC elevador encargado de elevar la tensin a 230 voltios. Inversin de la seal (Paso de CC a CA): Bloque encargado de la transformacin de tensin de corriente continua a corriente alterna. Control y procesado de la seal: Un microprocesador se encarga del control del bloque de rectificacin, de elevacin y de los rels. El bloque de inversin se hace mediante control analgico con un oscilador. El sistema se representa a continuacin:
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se adecue a las necesidades, intentando que ste sea lo ms preciso y econmico posible, y aproveche la energa generada desde los valores ms bajos. Los bloques que componen el diseo final escogido como solucin es el siguiente: Generacin de tensin: El bloque de generacin esta compuesto de un generador elctrico trifsico que proporciona al sistema una tensin y frecuencia variable en funcin de la velocidad del viento. Rectificacin de la seal (Paso de CA a CC): Bloque encargado de la transformacin de la tensin de corriente alterna procedente del generador elctrico trifsico a corriente continua. Primera elevacin de la seal: Este bloque se encargar de elevar la tensin generada mediante un convertidor CC-CC elevador. Segunda elevacin de la seal: Bloque encargado de elevar la tensin de 48 voltios a 244 voltios (Ver apartado 2.7.4). Inversin de la seal (Paso de CC a CA): Bloque encargado de la transformacin de tensin de corriente continua a corriente alterna. Control y procesado de la seal: Un microprocesador se encargar del control de los rels del circuito directo y de cargado. A continuacin se puede ver un diagrama para una mejor visualizacin del sistema tomado como solucin adoptada:
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A continuacin del rectificador se disear un convertidor CC-CC elevador (B1). La funcin de este convertidor consiste en elevar la tensin generada por el generador desde 5 voltios (Ver apartado 2.7.3) hasta un valor de 48 voltios. A partir de este momento la corriente puede tomar dos vas: Circuito directo de consumo: En el caso que las bateras estn cargadas por completo, un rel (Rel 1) gobernado por un microprocesador permitir desviar la corriente a este circuito y conducirla a un segundo convertidor CCCC elevador (B2). Circuito de cargado de bateras: Un rel (Rel 2) gobernado por un microprocesador desviar la corriente a las bateras en el supuesto que no estn cargadas por completo. Un segundo rel (Rel 2) a la salida de las bateras permitir la conduccin de la corriente a un segundo convertidor CCCC elevador (B2). El microprocesador encargado de controlar los rels de conmutacin de circuito directo y de cargado de bateras, actuar sobre stos en funcin de una lectura tomada en las bateras para conocer la carga de la que disponen. El microprocesador ser el modelo PIC16F84 de la marca comercial Microchip. Se propone este mcroprocesador por sus caractersticas que son suficientes para la funcin que deber desempear y es un microprocesador econmico. Indistintamente de la va tomada (circuito directo o cargado de bateras) la corriente ser inyectada al convertidor elevador (B2), el cual se encargar de alimentar al inversor. Para ello la tensin de salida ser de 244 voltios como se ha comentado anteriormente. Finalmente la tensin de salida del convertidor (B2) ser transformada a corriente alterna mediante un inversor CC-CA. La tensin de salida ser de 220 voltios eficaces a una frecuencia de 50 hercios. Los sistemas de elevacin e inversin de la seal son bloques en lazo cerrado y sern controlados por un circuito integrado, el SG3524, encargado de gobernar los interruptores internos de stos. La frecuencia de trabajo de los bloques de elevacin e inversin de seal y sus componentes ser de 25000 hercios. Se ha escogido esta frecuencia ya que a partir de 20000 hercios no es audible para el ser humano, de esta forma se evitan ruidos molestos perceptibles a las personas. La principal repercusin de una frecuencia elevada es el aumento de las prdidas de conmutacin de los transistores involucrados en los bloques elevador e inversor. No obstante, se considera la opcin de incorporar un disipador con ventilacin forzada para reducir al mximo el aumento de temperatura del sistema. El dimensionado del sistema de ventilacin queda fuera del alcance de este proyecto.
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El bloque correspondiente al convertidor B1 que se encarga de una primera elevacin ha sido introducido en el diseo para ofrecer un mximo aprovechamiento de la energa. Gracias a este convertidor cualquier tensin generada dentro del rango de funcionamiento del convertidor elevador (Ver apartado 2.7.3) ser aprovechada para el cargado de las bateras, de no ser as las tensiones con valor inferior a la nominal de la bateras seran desaprovechadas. La regulacin de la tensin de carga de las bateras mediante el convertidor (B1) tambin contribuye al alargamiento de la vida de stas, hay que recordar que el cargador ha sido eliminado para abaratar costes. Si la tensin de entrada a las bateras no tuviera su valor nominal podran llegar incluso a destruirse debido a las reacciones qumicas que se producen en su interior. Otra medida tomada para el aprovechamiento de la energa es la utilizacin de los rels que permiten la conduccin por el circuito directo o de cargado. stos rels permiten conmutar a la va directa cuando las bateras estn cargadas y de esta manera se puede mantener intacta la carga almacenada cuando haya demanda de energa.
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A continuacin se detallan a grandes rasgos las caractersticas comportamiento en un circuito de cada uno de los principales dispositivos.
el
Diodo: Es un dispositivo unidireccional por lo que no puede circular corriente en sentido contrario al de conduccin. Se dice que est en conduccin o polarizado en directa cuando el sentido de la corriente es nodo-ctodo, y est bloqueado o polarizado en inversa cuando la tensin nodo-ctodo es negativa. En el supuesto ideal se comportar como un cortocircuito cuando conduzca y como un circuito abierto cuando est en bloqueo.
Figura 9. Smbolo y caracterstica esttica corriente-tensin del diodo. Rectificador controlado de silcico SCR (Tiristor): Es un dispositivo unidireccional. Entra en conduccin cuando la tensin nodo-ctodo es positiva y se le aplica una corriente en el terminal de control o puerta. Seguir en conduccin siempre que la corriente siga en sentido nodo-ctodo y est por encima de un valor mnimo, denominado nivel de mantenimiento, con lo que el paso a bloqueo depende del circuito y no del terminal de control.
Tiristor TRIAC (Triode of Alternating Current): Es un dispositivo bidireccional con lo que puede circular corriente en ambos sentidos, as que sus terminales se denominan nodo 1 y 2 (A1 y A2). Su comportamiento es como dos SCR en antiparalelo. Para que entre en conduccin puede tener una tensin A1-A2 positiva o negativa y aplicarle una corriente en su terminal de control tambin con signo indiferente. Estn limitados a potencias de 15 kW y frecuencias de 50-60 Hz.
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Figura 11. Smbolo y caracterstica esttica corriente-tensin del triac. Tiristor de bloqueo por puerta GTO (Gate Turn-Off): Es un dispositivo unidireccional. Entra en conduccin cuando la tensin nodo-ctodo es positiva y se le aplica una corriente positiva en el terminal de control, pero adems ofrecen la posibilidad de controlar el bloqueo aplicando una corriente negativa en el terminal de control. La corriente negativa debe ser elevada en comparacin con la positiva de activacin (aproximadamente un tercio de la corriente nodoctodo en estado de conduccin), con lo que el circuito encargado del disparo ser ms complejo. En contraposicin es ms rpido que los SCR.
Tiristor controlado por MOS (Metal-Oxide Semiconductor): Es un dispositivo unidireccional. Se compone de un SCR y dos MOSFET. Es funcionalmente equivalente al GTO, pero sin necesidad de una alta corriente para el bloqueo. Los cambios de estado se efectan mediante una tensin puertactodo adecuada, en lugar de una corriente de puerta, dicha tensin controla a los MOSFET y stos al SCR. Un MOSFET se encarga de la puesta en conduccin y el otro del bloqueo.
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Transistor bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Existen dos tipos de BJTs, NPN y PNP, en cada uno de ellos queda definida la direccin de la corriente. Constan de tres terminales llamados emisor, colector y base. Acta como amplificador de corriente, ofreciendo una corriente por el emisor, amplificada respecto a la introducida por la base. El factor de amplificacin es una caracterstica propia de cada BJT y se denomina beta (). El BJT tiene tres estados o zonas de trabajo: Zona de corte: No se le ofrece corriente al terminal base y el dispositivo no conduce, con lo que no hay circulacin entre los terminales emisor y colector. Zona activa: Se ofrece una corriente al terminal base y el BJT se comporta como un amplificador con unas caractersticas descritas anteriormente. La tensin colector-emisor disminuye debido a que hay conduccin (la unin colector-base queda polarizada a la inversa y la base-emisor en directa). En este momento, aunque se est por debajo de los lmites de tensin aceptados, el transistor puede destruirse debido a un calentamiento del mismo por un campo magntico; esto se conoce como ruptura secundaria. Zona de saturacin: Se ofrece una corriente suficientemente elevada para que la tensin colector-emisor sea casi nula, con lo que el comportamiento del BJT es casi la de un interruptor ideal. Ahora las dos uniones tienen polarizacin en directa. En general el BJT es de fcil control pero con un consumo de energa para ello mayor que los SCR. Destaca su baja cada de tensin en saturacin pero tiene una ganancia pequea para tensiones y corrientes grandes.
Transistor de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor): Este dispositivo tiene tres terminales llamados fuente, drenaje y puerta. Existen dos tipos, NPN y PNP. A diferencia de otros, especialmente del BJT, la corriente de salida no esta controlada por corriente de entrada sino por tensin. Para que circule corriente entre fuente y drenador hay que aplicar tensin en la puerta. Segn sea NPN o PNP, esta tensin puede ser positiva o negativa respectivamente. Tan slo es necesaria una pequea
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corriente en la puerta para cargar y descargar las capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de 1012 Ohms. Cuando la tensin de la puerta es igual a la del sustrato del transistor, ste se encuentra en estado de corte. Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, se dice que entra en saturacin, la corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. Este dispositivo es sensible a voltajes muy elevados o electricidad esttica ya que la capa de xido que tiene es muy delgada.
Transistor bipolar de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Es un dispositivo hbrido que combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs. Dispone de la facilidad de disparo del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de conduccin del BJT, con capacidad de conducir elevadas corrientes con poca cada de tensin. El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el BJT. Este dispositivo no tiene problemas de ruptura secundaria como los BJT. El IGBT es ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del IGBT es inferior a la del MOSFET.
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de
seal.
El bloque de rectificacin es la parte del circuito electrnico encargada de convertir la seal elctrica de corriente alterna a corriente continua. La seal de corriente alterna es la procedente del bloque generador con una tensin y una frecuencia variable en funcin de la velocidad de giro del rotor aunque el rango de trabajo del rectificador ser de 6,73 (Ver ecuacin 25) a 48 voltios. La salida del rectificador ser inyectada al convertidor B1.
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seal rectificada a la salida con menor rizado que la que se consigue con uno monofsico. El rectificador trifsico tiene una componente continua a su salida adems de unos armnicos de alta frecuencia y baja amplitud, de manera que mediante un filtro LC se puede conseguir una salida con poco rizado. Escoger un rectificador que tenga menor rizado de salida implica a su vez que el circuito de filtrado pueda ser menor, con lo que el tamao y el coste de todo el circuito disminuyen en comparacin al gran tamao de los filtros en los rectificadores monofsicos para potencias elevadas. Tipo de conexin de sus componentes. Segn sea la conexin y cantidad de los componentes en un rectificador, ste puede ser de media onda u onda completa. En un rectificador de media onda los diodos que componen el circuito se conectan en ctodo comn, y el nodo de cada diodo unido a cada una de las fases de alimentacin. De esta manera entra en conduccin el diodo que tenga en su nodo la tensin ms positiva de todas, mientras los dems diodos estarn polarizados en inversa. Al ser en cada instante de tiempo una fase diferente la que tenga mayor amplitud de seal positiva, en cada instante de tiempo conducir un diodo diferente. Debido a esto la seal de salida tendr un rizado del triple de la frecuencia de entrada con una amplitud del 50 por ciento de la tensin de pico de entrada. Para ofrecer una seal mejor, se opta por la otro tipo de diseo, el rectificador de onda completa. Este tipo de rectificador a diferencia del media onda, se encarga de rectificar la parte positiva y negativa de la seal de entrada, es decir, se consigue que durante todo el tiempo se conecte la mayor de las tres tensiones a uno de los terminales de la carga y al otro terminal la menor de las tensiones. De esta manera el rizado de la seal de salida es de una frecuencia seis veces mayor que la de entrada con una amplitud del 14 por ciento El inconveniente que tiene este rectificador frente al de media onda es que posee el doble de diodos pero el coste aadido es despreciable en este proyecto. Rectificadores controlados o no controlados. Los rectificadores controlados estn compuestos por tiristores o transistores a los cuales se les puede controlar el instante de disparo, mientras que los no controlados estn compuestos por diodos los cuales conmutan de forma natural en funcin de la seal de entrada. Gracias al control de disparo el valor medio de la salida del rectificador es ajustable, caracterstica que no es necesaria para la instalacin, con lo que el rectificador no controlado escogido es suficiente para las necesidades de sta. Gracias a que el rectificador no interruptores que lo componen, simplificar el circuito. En innecesariamente y por lo tanto coste. posee un circuito de control y disparo de los ya sean tiristores o transistores, se consigue caso contrario se hubiera complicado hubiera aumentado el tiempo de diseo y su
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Para realizar el estudio del rectificador se ha simulado el generador mediante fuentes de alimentacin conectadas en tringulo y desfasadas 120 grados simulando la conexin del estator del generador. La seal de salida del rectificador sin aplicar ningn filtro ser una seal compuesta por una componente continua y la suma de sus armnicos de 6,12orden
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Para disear el circuito de filtrado y minimizar el rizado de la seal del rectificador se ha fijado el valor de la amplitud del 6 armnico de la seal de salida no rectificada, intentndolo eliminar en la medida de lo posible. ste armnico es el ms cercano a la fundamental y por tanto el que ms perjudica y provoca mayor distorsin.
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La componente fundamental estar a una frecuencia de 50 hercios, mientras que el sexto armnico estar prximo a los 300 hercios. Mediante el circuito de filtrado se atenuar la seal de salida con una frecuencia de corte aproximadamente entre los dos, de manera que se atene en lo posible la distorsin provocada por la componente armnica, pero sin atenuar la fundamental. (Ver apartado 3.1.1)
elevador
de
seal.
Convertidor
El bloque elevador se encargar de aumentar la tensin de entrada a una de mayor valor a su salida. Este bloque se utilizar tanto a la salida del rectificador como a la entrada del inversor y se har mediante un circuito elevador conocido con el nombre procedente del ingls Boost, que trabajar en lazo cerrado. Lo definido en este apartado es vlido para los dos convertidores existentes en el sistema.
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Uno de los elementos que componen el convertidor elevador es un interruptor activo, el cual puede ser un transistor BJT, IGBT o MOSFET. Entre las distintas posibilidades finalmente se ha optado por el IGBT como interruptor activo del circuito. La eleccin del transistor no ha sido fcil ya que la zona de trabajo del convertidor permite la eleccin de un IGBT o un MOSFET. Si finalmente se ha escogido el IGBT es debido a que soporta mayores intensidades que un MOSFET, por lo tanto tendr menores prdidas por conduccin. El inconveniente que ofrece el IGBT es que el rango de frecuencias de trabajo es menor y por tanto tiene mayores prdidas por conmutacin. En cualquier caso para la frecuencia escogida en el sistema (25 kHz) el IGBT puede operar sin ningn problema. Adems el IGBT posee un fcil control mediante voltaje, con lo que el circuito de control de disparo se simplifica. Tambin se ha tenido en cuenta que el circuito soportar voltajes elevados y para el IGBT no es inconveniente.
Para conocer ms caractersticas sobre el transistor IGBT consultar el apartado 2.4. 2.7.2. Funcionamiento del convertidor elevador
Se trata de un circuito electrnico de potencia que transforma un voltaje de corriente continua en otro de nivel superior tambin de corriente continua. El circuito bsico consta de un transistor IGBT como interruptor activo (SB), un inductor (LB), un condensador (CB) y un interruptor pasivo (DB) o diodo, dispuestos tal y como muestra la siguiente figura:
Figura 19. Esquema del convertidor elevador Boost La tensin de entrada (Vin) es la procedente del rectificador o de las bateras de almacenamiento y para el estudio y simulacin del convertidor se ha sustituido por una fuente de corriente continua. El funcionamiento bsico de este convertidor consiste en aumentar la tensin de salida (Vout) respecto de la de entrada (Vin) en funcin del ciclo de trabajo del transistor (D, comprendido entre 0 y 1). A medida que aumenta el ciclo de trabajo la tensin de salida es mayor, tal y como se deduce de la siguiente ecuacin:
Vout
Vin 1 D
(1)
- 28 -
Con la conmutacin del transistor el circuito tiene dos estados de funcionamiento bien diferenciados, con el transistor en conduccin y sin conduccin.
Para realizar el siguiente estudio se ha considerado en estado estable y la tensin en el condensador constante as como la corriente de salida.
El inductor est directamente conectado a la tensin de entrada y solo se establece flujo de corriente a travs de l. Durante este intervalo se producir un almacenamiento de energa en el inductor y una variacin de corriente constante, lineal y creciente que puede verse representada en la figura 21c). Esta variacin de corriente en el inductor viene dada por la siguiente ecuacin:
i Lon
donde
Vin TON LB
(2)
TON
y (T) es el periodo:
T Vin Vout
(3)
1 f
(4)
siendo (f) la frecuencia de trabajo del transistor. En las siguientes representaciones pueden verse las diferentes tensiones y corrientes del circuito:
- 29 -
Figura 21. Tensiones y corrientes del circuito equivalente del convertidor en los dos estados del transistor. a)Tensin en el inductor. b)Tensin en bornes del transistor. c)Variacin de corriente en el inductor. d)Corriente que circula por el transistor. El diodo cuya conduccin depende nicamente del funcionamiento del circuito, esta inversamente polarizado durante el estado de conduccin del transistor (0 < t < TON). Esto puede verse en la siguiente figura, en la representacin a) se muestra el valor de la tensin en bornes del diodo, y en la c) que no circula corriente por l. Adems la tensin en el condensador suministra una corriente a la carga y mantiene el nivel de tensin Vout representado en la grafica d) y b) respectivamente de la siguiente figura:
Figura 22. Tensiones y corrientes del circuito equivalente del convertidor en los dos estados del transistor . a)Tensin en bornes del diodo. b)Tensin en bornes del condensador. c) Corriente que circula por el diodo. d)Corriente que circula por el condensador.
constante, de manera que la corriente varia linealmente cuando el transistor no conduce. Esta variacin de corriente en el inductor tiene que ser la misma que durante el intervalo de conduccin del transistor pero de signo contrario, y viene dada por la siguiente ecuacin:
i Loff
(Vin Vout ) (T LB
TON )
(5)
y se puede ver en la representacin c) de la figura 21 en el intervalo (TON < t <T), donde la pendiente de la corriente ahora es negativa, lo cual responde al fenmeno de que la energa en el inductor est disminuyendo. En este instante la tensin del inductor, que acta como generador, se suma a la tensin de entrada (Vin), con lo que la tensin de salida (Vout) ser superior que la de entrada y de igual polaridad. Esto se puede ver en el siguiente esquema equivalente que representa el instante (TON < t <T) donde el transistor no conduce:
- 31 -
La tensin de salida deseada es de 244 voltios, ya que el siguiente bloque a quien B2 alimenta requiere a su entrada una tensin con ese valor (ver ecuacin 78). La tensin de entrada (VIN) del convertidor B2 podr ser: Tensin procedente de la salida del elevador B1. Cuando el sistema est en funcionamiento directo la tensin de entrada del elevador B2 ser una tensin constante a 48 voltios entregados por el elevador B1. Tensin entregada por las bateras. Cuando el sistema est en posicin de carga, el elevador B2 tendr una tensin de entrada con un valor variable cercano a los 48 voltios de las bateras. Esta variacin ser debida a la descarga de las bateras, de manera que a medida que la carga sea inferior la tensin entregada por estas disminuir. Debido a esta variacin de la tensin de entrada del convertidor elevador el transistor IGBT tendr un ciclo de trabajo controlado por el circuito integrado SG3524 en funcin de la lectura de la tensin de salida del convertidor.
- 32 -
Figura 24. Diagrama de bloques funcional del circuito integrado SG3524 de Texas Instruments, extrado del datasheet del componente. Los componentes internos son: un regulador (reference regulator), un amplificador de error (error amplifier), un oscilador programable (oscillator), un/a control/direccin de pulso flip-flop (biestable T), dos transistores de paso no comprometidos (transistores con las salidas del 11 al 14), un comparador de ganancia alta (comparator), un limitador de corriente (amplificador con las entradas 4 y 5) y circuito de apagado (transistor con base shutdown).
- 33 -
Figura 25. Esquema de pines de conexin del circuito integrado SG3524 de Texas Instruments, extrado del datasheet del componente. El pin 1 (IN-) ser el encargado de recibir la seal de lectura tomada a la salida de los convertidores. Se aadir un divisor de tensin mediante dos resistencias para no daar el integrado (Ver apartados 3.2.2 y 3.2.4). Al pin 2 (IN+) se le introduce la tensin de referencia. Esta tensin ser una seal continua procedente de un convertidor CC-CC integrado o buck que a su vez estar alimentado por las bateras del sistema. El valor de sta tensin es VrefB1 para el convertidor B1 y VrefB2 para el convertidor B2 y se han calculado en los apartados 3.2.2 y 3.2.4. en base a que se ha tenido en cuenta que el circuito integrado tiene un rendimiento mximo del 90% segn dice el datasheet del fabricante. (Ver Anexos) El pin 3 (OSC OUT) se dejar sin conectar, ya que no es necesario para la instalacin y el datasheet del componente no indica ningn perjuicio al respecto. Los pines 4 (CURR LIM+), 5 (CURR LIM-), 8 (GND), 10 (SHUTDOWN), 11 (EMIT1) y 14 (EMIT2) irn conectados a una masa comn. Los pines 6 (RT) y 7 (CT) son pines de configuracin del integrado, es decir, a travs de estos pines y mediante una resistencia (RT) y un condensador (CT) se puede fijar la frecuencia de trabajo del oscilador. Para este diseo la frecuencia de trabajo del oscilador del SG3524 (fOSG) se ha fijado en 25 kHz que es la frecuencia de trabajo del resto de la instalacin. A partir de la siguiente ecuacin proporcionada por el fabricante del integrado se pueden hallar los valores de (RT) y (CT):
f OSG
1,30 RT CT
(6)
Donde RT se mide en k, CT en F y fOSG en kHz. El pin 9 (COMP) se conectar a una resistencia y condensador de descarga. Los pines 12 (COL1) y 13 (COL2) son la salida del integrado por donde se obtendr la seal deseada de control. En cualquier caso estos pines no irn conectados directamente a los transistores del inversor sino que el fabricante aconseja la insercin de un circuito pull-up. En este diseo, y por motivos de simulacin se ha realizado con un pull-down A travs del pin 15 (VCC) se alimentar el SG3524 a una tensin entre 8 y 40 voltios CC, tal y como especifica el datasheet.
- 34 -
La finalidad de este bloque es obtener a su salida una tensin de 220 voltios en corriente alterna con una frecuencia de 50 hercios apta para el uso domstico. La precisin de la seal obtenida esta nicamente supeditada al consumo en varias lneas independientes y aisladas de una casa rural, esta energa no ser entregada a la red elctrica. Para realizar esta operacin de inversin de la seal ofrecida por el convertidor elevador B2 a una seal de corriente alterna y poder ser consumida en la vivienda, se ha optado por un circuito inversor de puente completo compuesto por transistores IGBT.
+Vin t
+Vin t
-Vin
-Vin
a)
b)
Figura 26. Forma de onda de tensin en la carga del inversor de a) tipo Push-Pull y b) de puente completo con control de la conmutacin de los transistores. Los transistores en el tipo de inversor Push-Pull estn sometidos a una tensin dos veces superior la tensin de entrada, mientras que el inversor de puente completo somete a sus transistores a una tensin igual a la mxima de salida. Adems en un circuito real, teniendo en cuenta las oscilaciones que existen debido a las conmutaciones, los picos de tensin a los que se someteran los
- 35 -
transistores serian aun mayores a dos veces la tensin de entrada, con lo que estos transistores tienen mas probabilidad de sufrir daos. Una de las ventajas que posee el inversor tipo Push-Pull es el aislamiento galvnico gracias al transformador. Inversor de medio puente: Este tipo de inversor ofrece algunas mejoras para este bloque respecto al anterior Push-Pull como por ejemplo que no posee transformador, pero an se encuentra en desventaja frente al de puente completo que ha sido escogido como solucin. La tensin resultante en la carga de un inversor de medio puente es una onda cuadrada con su respectivo alto contenido armnico, y con el inconveniente que tiene tan slo la mitad de la amplitud que hay en la entrada, mientras que el inversor de puente completo ofrece una tensin a su salida de amplitud igual a la de la entrada, con lo que no hay reduccin de la misma. Dicho de otra manera, para un mismo valor de entrada el inversor de puente completo es capaz de entregar el doble de potencia que el de medio puente. El inversor de medio puente necesita tener una toma media en la seal de entrada y el de puente completo no, de manera que el circuito se simplifica. La tensin que soportan los doble que la amplitud de la entrada, as que referente condiciones que el de puente transistores en el inversor de medio puente es el seal de salida, es decir la misma que hay en la a esta particularidad se encuentra a igual de completo.
Para conocer ms caractersticas sobre el transistor IGBT consultar el apartado 2.4. 2.8.3. Funcionamiento del inversor
Como se ha comentado anteriormente el inversor es el encargado de convertir la seal elctrica procedente del convertidor elevador B2 de corriente continua a corriente alterna y para ello se ha escogido el inversor de puente completo que se muestra a continuacin:
Figura 27. Esquema del inversor de puente completo. Bsicamente el inversor est compuesto por cuatro transistores y cuatro diodos en antiparalelo con los transistores dispuestos los ocho componentes tal y como se representa en la Figura 27. Esta figura muestra unas etiquetas en la puerta de cada uno de los transistores, las cuales representan el control encargado de excitarlos (Ver apartado de control del inversor ). La funcin de los diodos es la de liberar la energa reactiva acumulada en la carga, en el caso que no sea puramente resistiva, durante los instantes en que conducen los transistores. La tensin de entrada (Vin) es la procedente del convertidor elevador B2 y para el estudio y simulacin del inversor se ha substituido por una fuente de corriente continua. El funcionamiento del circuito inversor consiste en una conmutacin de transistores por parejas, de lo que surgen cuatro instantes de conduccin: Instante 1: Los transistores T1 y T4 conducen (mientras T2 y T3 estn abiertos), el extremo a de la carga queda conectado al polo positivo de la seal de entrada y el extremo b al polo negativo. En este instante la tensin obtenida a la salida del inversor es del mismo valor que la entrada(Vin), representado en la figura 28 a). Instante 2: Los transistores T1 y T4 se bloquean y pasan a conducir los diodos D2 y D3. El extremo b de la carga tendr una tensin positiva y el extremo a negativa, y la carga se descargar a travs de los diodos D2 y D3 cediendo potencia reactiva, tal y como se puede ver en la figura 28 b) Instante 3: Los transistores T2 y T3 conducen (mientras T1 y T4 estn abiertos) y la tensin en la carga se invierte respecto al instante 1, el extremo
- 37 -
a de la carga queda conectado al polo negativo de la seal de entrada y el extremo b al polo positivo. En este instante la tensin obtenida a la salida del inversor es de un valor -Vin, representado en la figura 28 c). Instante 4: Los transistores T2 y T3 se bloquean y pasan a conducir los diodos D1 y D4. El extremo a de la carga tendr una tensin positiva y el extremo b negativa, y la carga se descargar a travs de los diodos D1 y D4 cediendo potencia reactiva, tal y como se puede ver en la representacin d) de la siguiente figura.
a)
b)
c) Figura 28. Circuito equivalente del inversor de puente completo durante los distintos instantes de conduccin de sus componentes. a) instante 1 (T1 y T4 cerrados). b) instante 2 (D2 y D3 en conduccin). c) instante 3 (T2 y T3 cerrados). d) instante 4 (D1 y D4 en conduccin)
d)
Con esta secuencia de conmutacin de manera continuada se consigue obtener una tensin de salida alterna con forma cuadrada y con una amplitud igual a la tensin de entrada (Vin). Para mejorar esta seal y eliminar armnicos, es decir que tenga una forma sinusoidal, se hace mediante el control de conmutacin y disparo de los transistores, y la colocacin de un filtro a la salida del inversor. En cuanto a la estabilidad, regulacin y control de la tensin y de la frecuencia se logra, a su vez, mediante el funcionamiento en bucle cerrado. El sistema de control de la conmutacin de los transistores se encargar a su vez de que se cumpla la secuencia descrita, de lo contrario se podra llegar a producir un cortocircuito de la tensin de entrada y los transistores se destruiran. Un ejemplo de secuencia incorrecta sera la conduccin simultnea de los transistores T1 y T2 o T3 y T4.
(25kHz) que aporta el sistema de control de los transistores que estar basado en una modulacin de ancho de pulso (PWM). Debido a la diferencia frecuencial existente entre la fundamental y sus armnicos, este tipo de filtrado se puede dimensionar fijando una frecuencia de corte a partir de la ecuacin:
1 LC
(7)
En este caso se har fijando la frecuencia de corte a 100 hercios. (Ver apartado 3.3.1)
2.8.6. Generacin de onda sinusoidal de referencia para el control PWM. Oscilador Puente de Wien
El circuito encargado de la modulacin de ancho de pulso, el SG3524, requiere una tensin de referencia (Vref) de carcter sinusoidal, a una frecuencia de 50 Hz, la frecuencia de salida del inversor CA-CC del sistema. Para conseguir esa tensin se ha realizado previamente un estudio comparativo de las posibilidades existentes y finalmente se ha optado por un oscilador de tipo RC conocido como Puente de Wien, basado en un puente originalmente desarrollado por el fsico alemn Max Wien en 1891.
- 39 -
la estabilidad de la frecuencia es mala debido a la disminucin del factor de calidad de los inductores. Un inconveniente que ofrecen los osciladores LC es el elevado tamao y peso de sus inductores, con lo que pierden practicidad. Algunos de los osciladores LC ms utilizados son el modelo Colpitts, Hartley, Seiler y Clapp entre otros. Sus aplicaciones son la generacin de frecuencia intermedia y de portadoras para la transmisin de radiofrecuencia. Otro tipo de oscilador son los de cristal de cuarzo. Estos son utilizados para frecuencias superiores a las necesidades de este proyecto, y aunque tienen una ventaja constructiva ya que no es necesario soldarlos sobre el circuito impreso, el envejecimiento de estos osciladores repercute en los alambres de armado y prdidas en la elasticidad del cristal. Por otro lado los osciladores de tipo RC utilizan resistencias y condensadores en su composicin. Son utilizados para frecuencias menores de 100 kHz con lo que no se usan los inductores. Un oscilador que basado en esta topologa es el oscilador de cambio de fase. Este tipo de oscilador es muy sencillo cuanto a diseo. El circuito bsico consta de un amplificador operacional con realimentacin negativa y tres etapas RC. Gracias a la disposicin de estas se consigue un desfase de 180 (cada etapa RC proporciona un desfase de 90), que es lo requerido por la condicin de oscilacin. El problema que ofrece este diseo viene dado por su inestabilidad de frecuencia y por tanto se suele descartar en instalaciones donde se requiera precisin frecuencial.
- 40 -
La estabilidad en frecuencia que tericamente se puede alcanzar est limitada slo por la ganancia finita del amplificador empleado y cabe destacar que este lmite es difcil de alcanzar en la prctica, debido a las bajsimas tolerancias requeridas en los elementos pasivos para lograrlo. El circuito bsico del Puente de Wien se muestra en la siguiente figura:
Figura 29. Circuito elctrico bsico de Puente de Wien. Este circuito se compone de cuatro resistencias, dos condensadores y un amplificador operacional en configuracin no inversora con una ganancia (Av) ajustable mediante los valores de R1 y R2 a partir de la siguiente ecuacin:
Av 1
R2 R1
(8)
V
y de la realimentacin positiva es:
Vref
R1 R1 R2
(9)
V
donde
Vref
ZP ZP ZS
(10)
ZP
R 1 j RC
(11)
ZS
1 j C
(12)
- 41 -
(13)
La red de realimentacin RC es lo que le da al circuito el carcter de oscilador, los valores de R y C son iguales en ambas redes y definen la frecuencia de oscilacin (fosc ) . Imponiendo que la parte imaginaria sea nula y cumpliendo con el criterio de Barkhausen resulta la frecuencia de oscilacin (fO):
f osc
1 2 RC
(6)
La amplitud de la seal generada se dimensiona mediante la ganancia del amplificador, cumpliendo con la ecuacin (X1) y teniendo en cuenta que para que el circuito empiece a oscilar la ganancia del amplificador ha de ser igual o superior a tres. El circuito ser mejorado con una red de compensacin de amplitud mediante dos diodos y un potencimetro (Rd) . De esta forma se conseguir que la seal de salida no se vuelva inestable y la amplitud de la onda se mantenga en el nivel deseado. Gracias al potencimetro se podr ajustar la salida de forma ms precisa. El circuito tendr la siguiente configuracin:
El amplificador operacional utilizado para realizar el oscilador ser el TL081. Se ha escogido este modelo porque posee unas caractersticas prximas al comportamiento ideal. Su ancho de banda es bueno y esta compensado internamente, siendo estable a todas las ganancias. Adems su impedancia de entrada es elevada frente a otros amplificadores operacionales.
- 42 -
La seal resultante de dicha comparacin ser la encargada de controlar los transistores del sistema.
- 43 -
de
seal.
Todos los clculos realizados en este apartado son considerando una tensin de entrada de 48 voltios. Se sabe que la tensin media de salida (VOUT) del rectificador sin contemplar la cada de tensin en los diodos ser:
VOUT '
V INpico
0,95 48
45,6V
(14)
De manera que la salida quedar atenuada respecto a la de entrada. Considerando la cada de tensin de los diodos que se ha fijado en 0,7 voltios por diodo y debido a la configuracin del rectificador y la conduccin por parejas, la cada de tensin total de los diodos en cada instante de conduccin ser de:
VD
1,4V
(15)
Con lo que el valor de la tensin media en la salida del rectificador ser de:
VOUT
45,6 1,4
44,2V
(16)
El factor de rizado (Fr) se ha fijado en 0,25% para obtener una tensin con el mnimo rizado:
Fr
siendo Vr el voltaje de rizado:
Vr VOUT max
- 44 -
0,0025
(17)
Vr VOUT max
VOUT min
(18)
Este factor de rizado supondr a la salida un rizado con una amplitud de:
Vr
0,0025 48
0,12V
(19)
Para la eleccin de los diodos es necesario saber la corriente que deben soportar, y esa corriente en valor eficaz es:
I Drms
1 3
I OUTrms
1 3
38,43
22,19 A
(20)
Donde IOUTrms es la corriente en valor eficaz de la carga o salida del rectificador que es aproximadamente igual a la corriente media de carga, ya que los trminos de alterna son pequeos:
I OUTrms
I OUT
VOUT R
44,2 1,15
38,43 A
(21)
V2 P
48 2 1,15 2000
(22)
PD
VD I OUTrms
(23)
Para asegurar el funcionamiento del sistema el rectificador debe ofrecer un valor medio de salida de 5 voltios, que es la tensin demandada por el siguiente bloque. Considerando una cada de tensin en los diodos de 1,4 voltios, la tensin VOUT resulta:
VOUT '
5 1,4 6,4V
(24)
Por lo tanto la tensin mnima de entrada requerida por el rectificador que asegura el funcionamiento del sistema ser:
VINpico
min
VOUT ' 3
6,4 0,95
6,73V
(25)
- 45 -
VOUT (t )
VINpico (1
2 cos 6 t ...) 35
(26)
Para minimizar el rizado de la seal se intentar eliminar el sexto armnico debido a que es el que ms afecta a la seal de salida mediante un filtro LC. A partir de la funcin de transferencia de un filtro LC se puede calcular el valor atenuado de cada uno de los armnicos (Vnrms atenuado) de la tensin de salida (VOUT):
Vnrms
donde:
atenuado
(n
1 Vnrms ) LC 1
2
(27X)
n 6
y:
(28)
2 f
2 50rad / s
(29)
y Vnrms es la amplitud en valor eficaz del sexto armnico antes de filtrar que se puede calcular a partir de la ecuacin (1x)
3 Vnrms
VINpico 2
2 35
0,95 48 2
2 35
2,62 1,85V 2
(30)
Fr
siendo Vr el voltaje de rizado:
Vr VOUT max
0,0025
(31)
Vr VOUT max
VOUT min
(32)
Vr
0,0025 48
0,12V
(33)
Como el armnico que ms afecta a la componente fundamental es el sexto se intentar fijar la amplitud mxima de ste una vez filtrado a 0,12V:
Vnrms
atenuado
0,12V
(34)
A partir de estos datos y mediante la ecuacin (27) se puede calcular el valor del producto LC:
- 46 -
0,12
1 1,85 (6 2 50) 2 LC 1
se
LC 4,62 10
valores
(35)
determinan
comerciales
de
470 F
(36) (37)
L 10mH
D 1
Vin Vout
5 48
0,8958
(38)
Por lo tanto el transistor conducir durante el 89,58 % del tiempo de un periodo, esto se ha definido como TON:
TON
T Vin Vout
(39)
T
Por lo tanto:
1 f
1 25000
0,00004 segundos
(40)
TON
T Vin Vout
0,00004
0,00004 5 48
0,0358 10 3 segundos
(41)
El valor mnimo que deber tener el inductor (LB1) para asegurar el correcto funcionamiento del convertidor se calcula a partir de la siguiente ecuacin:
LB1min
D(1 D) 2 RB1 2 f
- 47 -
(42)
donde RB1 es la carga que debe soportar el convertidor, en este caso tiene un valor de:
RB 1
Por lo tanto:
U2 P
(43)
LB1min
D(1 D) 2 RB1 2 f
0,224 H
(44)
I LB1
Vin (1 D) 2 RB1
5 (1 0,8958) 2 1,15
400,44 A
(45)
Durante el intervalo de conduccin del transistor, en el inductor se producir un almacenamiento de energa y una variacin de corriente constante, lineal y creciente con un valor de:
iLon
5 0,0358 10 0,224 10 6
799,11A
(46)
mientras que durante el intervalo de no conduccin del transistor la variacin de corriente ser:
i Loff
TON )
799,15 A
(47)
I max
I min
I LB1
I LB1
I Lon 2
I Lon 2
400,44
799,11 2
799,11 2
799,99 A
(48)
400,44
0,88 A
(49)
Los valores obtenidos en las corrientes (45), (48), y (49) son muy elevados pero estn fundamentados en el gran potencial del sistema. Estas corrientes, a su vez, son las que deber soportar el transistor, con lo que son de utilidad tambin para realizar la eleccin de dicho componente. Viendo el rango de corrientes que debern soportar, se contempla la posibilidad de montar diversos transistores en paralelo para reducir la corriente de paso por cada uno de ellos. La capacidad del condensador viene definida por la ecuacin:
- 48 -
C B1
R B1
D f Fr
(50)
donde el factor de rizado de la tensin de salida se a fijado al 0,25% ya que est seal deber poder cargar las bateras del sistema, con lo que se requiere una seal con un mnimo rizado:
Fr
Vr VOUT max
0,0025
(51)
Este factor de rizado supondr a la salida un rizado con una amplitud de:
Vr
0,0025 48
0,12V
(52)
Por lo tanto el valor mnimo del condensador (CB1) para asegurar un funcionamiento correcto y un rizado del 0,25% es el siguiente:
C B1
RB1
D f ( Fr )
(53)
del
circuito
integrado
SG3524
para
el
Para no daar el circuito integrado hay que considerar un divisor de tensin. Considerando VrefB1 la tensin de referencia para el circuito integrado y VlecturaB1 la tensin leda a la salida del convertidor elevador, el divisor se calcula a partir de:
VrefB1
VlecturaB1
R2 R1 R2
(54)
Se ha considerado que la tensin VlecturaB1 pueda alcanzar el valor de 60 voltios como caso extremo(debido a la insercin de un diodo zener, ve apartado4.2.2), pero el valor mximo normalizado ser de 48 voltios (VOUT de B2) y el valor
- 49 -
mximo de entrada de referencia del SG3524 es de 5 voltios, con lo que VrefB1 tendr un valor de:
5 VrefB1
60 48
VrefB1
4V
(55)
48
1000 R1 1000
R1
11000
(56)
D 1
Vin Vout
48 244
0,8033
(57)
Por lo tanto el transistor conducir durante el 80,33 % del tiempo de un periodo, esto se ha definido como TON:
TON
T Vin Vout
(58)
T
Por lo tanto:
1 f
1 25000
0,00004 segundos
(59)
TON
T Vin Vout
0,00004
0,00004 48 244
0,0321 10 3 segundos
(60)
El valor mnimo que deber tener el inductor (LB2) para asegurar el correcto funcionamiento del convertidor se calcula a partir de la siguiente ecuacin:
LB 2 min
D(1 D) 2 RB 2 2 f
(61)
donde RB2 es la carga que debe soportar el convertidor, en este caso tiene un valor de:
- 50 -
RB 2
Por lo tanto:
U2 P
244 2 2000
29,76
(62)
LB 2 min
D(1 D) 2 RB 2 2 f
(63)
I LB 2
Vin (1 D ) 2 RB 2
48 (1 0,8033) 2 29,76
41,68 A
(64)
Durante el intervalo de conduccin del transistor, en el inductor se producir un almacenamiento de energa y una variacin de corriente constante, lineal y creciente con un valor de:
iLon
48 0,0321 10 18,49 10 6
83,33 A
(65)
mientras que durante el intervalo de no conduccin del transistor la variacin de corriente ser:
i Loff
TON )
83,34 A (66)
I max I min
I LB 2 I LB 2
I Lon 2 I Lon 2
41,69
83,33 2 83,33 2
83,35 A
(67)
41,69
0,02 A
(68)
Los valores obtenidos en las corrientes (64), (67), y (68) son muy elevados, aunque menores que en el convertidor B1, pero estn fundamentados en el gran potencial del sistema. Estas corrientes, a su vez, son las que deber soportar el transistor, con lo que son de utilidad tambin para realizar la eleccin de dicho componente. Viendo el rango de corrientes que debern soportar, se contempla la posibilidad de montar diversos transistores en paralelo para reducir la corriente de paso por cada uno de ellos. La capacidad de condensador viene definida por la ecuacin:
CB 2
RB 2
D f Fr
(69)
- 51 -
Fr
Vr VOUT max
0,0025
(70)
Este factor de rizado supondr a la salida un rizado con una amplitud de:
Vr
0,0025 244
0,61V
(71)
Por lo tanto el valor mnimo del condensador (CB2) para asegurar un funcionamiento correcto y un rizado del 0,25% es el siguiente:
CB2
RB 2
D f Fr
del
0,432mF
SG3524 para
(72)
el
Para no daar el circuito integrado hay que considerar un divisor de tensin. Considerando VrefB2 la tensin de referencia para el circuito integrado y VlecturaB2 la tensin leda a la salida del convertidor elevador, el divisor se calcula a partir de:
VrefB2
VlecturaB2
R2 R1 R2
(73)
Se ha considerado que la tensin VlecturaB2 pueda alcanzar el valor de 300 voltios como caso extremo (debido a la insercin de un diodo zener, ve apartado 4.2.4)., pero el valor mximo normalizado ser de 244 voltios (VOUT de B2) y el valor mximo de entrada de referencia del SG3524 es de 5 voltios, con lo que V refB2 tendr un valor de:
5 VrefB1
300 244
VrefB2
4,06V
(74)
4,06 244
1000 R1 1000
R1
59098
(75)
- 52 -
VOUTrms
2 2 VIN dt T 0
VIN
(76)
La tensin instantnea del valor de salida del inversor en series de Fourier es:
VOUT (t )
n
(77)
Para n=1 se obtiene el valor de la tensin eficaz de la componente fundamental desarrollada en la siguiente ecuacin.
VOUT 1rms (t )
4V IN 2
0,90V IN
(78)
Se ha tenido en cuenta que al seleccionar como tensin de salida nicamente esta componente, se reduce la amplitud de la salida. Con lo que para mantener una tensin en valor eficaz de 220 voltios a la salida se ha tenido que subir la tensin de entrada (VIN):
220
0,90 VIN
VIN
244V
(79)
Para calcular la distorsin armnica total (THD) de forma exacta necesitamos conocer la tensin aportada por todos los armnicos:
THD
Si:
1 VOUT 1rms
2 VOUTn n 3, 5, 7...
1 VOUT 1rms
(80)
VOUTrms VIN
entonces:
244V
(81)
THD
1 VOUT 1rms
1 244 2 219,16
219,16 2
48,43%
(82)
Para conseguir mejorar la distorsin armnica total se ha aadido un filtro LC paso bajo dimensionado a partir de la siguiente ecuacin:
1 LC
(7)
Tomando una frecuencia de corte de 100 hercios para eliminar la distorsin provocada por los armnicos y a su vez no reducir la amplitud de la fundamental y:
2 f
entonces la ecuacin (7) resulta:
(83)
LC 2,53 10
A partir del resultado obtenido condensador e inductor a: se
(84)
determinan
valores
comerciales
de
250 F
(85) (86)
L 10mH
50
1 2 RC
(87)
RC
3,18 10
(88)
C 100nF
la R resulta:
(89)
31,8k
(90)
El valor de amplitud deseado a la salida del oscilador es de 4,5 voltios, esta amplitud ser regulada por la ganancia del operacional. Inicialmente, para el arranque del oscilador se ha definido una ganancia 5 a partir de la ecuacin (8) y fijando el valor de R1 en:
- 54 -
R1
con lo que R2 tendr un valor de:
10k
(91)
R2
40k
(92)
Cuando el circuito haya empezado a oscilar la ganancia fijada en 5 se reducir a un valor cercano a 3 (vest) para mantener la estabilidad y la amplitud de la onda al nivel deseado.
Av est
Req R1
(93)
Req
el valor de Rd resulta:
R2 Rd R2 Rd
(94)
Rd
40,2k
(89)
- 55 -
Los circuitos que aparecen en la memoria de clculo han sido simulados con el programa de simulacin electrnica PSIM v6.0 de los que se han obtenido unos valores de simulacin.
de
seal.
Los valores obtenidos mediante los clculos para el inductor y el condensador del rectificador CC-CC son:
470 F
L 10mH
En la simulacin se ha considerado la cada de tensin de los diodos que se ha fijado en:
VD
1,4V
- 56 -
El resultado obtenido en la simulacin de la tensin de salida (VOUT) frente a la seal trifsica de entrada (VIN), representada como VIN1, VIN2 y VIN3 tiene el siguiente aspecto:
La tensin de salida (VOUT) queda estabilizada en 0,053 segundos. Se confirman los datos obtenidos en el clculo con un valor medio de tensin de salida (VOUT) en la simulacin de 44,43 voltios. Esta tensin de salida (VOUT) tiene un rizado de amplitud 0,23 voltios que equivale al 0,48%. Este valor dobla prcticamente lo fijado en los clculos (0,25%), pero se acepta como vlido ya que el valor en amplitud es lo suficientemente pequeo como para no perturbar el comportamiento del bloque que esta seal debe alimentar. A continuacin se puede ver una representacin ampliada de la tensin (VOUT) para visualizar el rizado con mayor facilidad:
- 57 -
Figura 36. Intensidad que circula por el diodo (ID) del rectificador (CACC).
El valor eficaz obtenido en el clculo ha sido de 22,19 A y en la simulacin 22,11 A, de manera que la simulacin es vlida. La corriente eficaz en la carga ha resultado mediante clculo un valor 38,43 A y en la simulacin 37,81 A. A continuacin se muestra esta corriente:
Figura 37. Intensidad que circula por la carga del rectificador (CA-CC).
- 58 -
Tambin se ha representado la tensin de salida del rectificador con el valor mnimo de pico en la entrada del mismo. Con una entrada de 6,73 voltios de pico, ha sido capaz de rectificar la seal a un valor medio de salida de 4,99 voltios:
Figura 38. Tensin de salida (VOUT) con las tensiones minimas de entrada (VIN1),(VIN2) y (VIN3) del rectificador (CA-CC) que aseguran el funcionamiento del sistema. El resultado de la simulacin de todo el bloque es correcto y por lo tanto se vlida el diseo del mismo.
LB1 min
C B1
0,224 10 6 H
12,46 10 3 F
- 59 -
Y el resultado de la tensin de salida (VOUT) con una tensin de entrada (VIN) ideal de 5 voltios ha sido el siguiente:
La seal de salida (VOUT) tiene un valor medio de 47,92 voltios una vez transcurrido el transitorio y un pequeo rizado que se muestra a continuacin:
- 60 -
El resultado obtenido no coincide exactamente con lo solicitado en los clculos. Esto es debido a prdidas no contempladas. Adems se dispara un pico de tensin durante el transitorio y esto puede causar daos en el circuito con lo que ste ha sido modificado para reducir el valor del pico.
La modificacin adoptada para reducir el pico de tensin ha sido un diodo zener en paralelo con la carga, con una tensin de corte de 60 voltios: Este diodo recorta el pico de tensin a un mximo de 60 voltios (ver planos). El valor de la corriente en el inductor (ILB1) mediante la simulacin ha sido de
- 61 -
801,33 amperios: Figura 42. Corriente que circula por el inductor (ILB1) del convertidor
B1 con valores obtenidos en el clculo.
LB 2 min
CB2
19,53 10 6 H
0,273 10 3 F
Y el resultado de la tensin de salida (VOUT) con una tensin de entrada (VIN) ideal de 48 voltios ha sido el siguiente:
- 62 -
La seal de salida (VOUT) tiene un valor medio de 243,94 voltios una vez transcurrido el transitorio y un pequeo rizado que se muestra a continuacin:
La amplitud del rizado es de 2,07 voltios, es decir el 0,85%. En este caso el resultado es algo mayor de tres veces lo fijado en los clculos. De todos modos se valida el resultado porque el siguiente bloque que reciba esta tensin acepta este rango debido a su construccin. El circuito ha sido modificado para reducir el pico de tensin del transitorio.
- 63 -
Figura 46. Corriente que circula por el inductor (ILB2) del convertidor
B2 con valores obtenidos en el clculo simuladas con PSIM.
- 64 -
La tensin de salida tiene aspecto sinusoidal con un valor eficaz de 224,01 voltios. La frecuencia de la tensin de salida tiene un valor de 49.96 Hz en regimen permanente, quedando estabilizada a 0.1 sec
- 65 -
Figura 49. Tensin de salida del oscilador puente de Wien(VOUT osc) y de entrada (VIN) del convertidor B2 con valores obtenidos en el clculo simuladas con PSIM
- 66 -
Figura 52. Tensin de salida del bloque inversor con todo el sistema
junto simulado con PSIM
- 67 -
El valor obtenido es una tensin de 228,53 voltios en valor eficaz a una frecuencia de 49,87 hercios. El sistema queda validado por completo con resultados satisfactorios.
- 68 -
CAPTULO 5: BIBLIOGRAFA
Agencia Estatal de Meterologia (AEMET). http://www.aemet.es/ (accedido 30 de abril, 2010) Centro Nacional de Energias Renovables eolica/prediccion-tiempo-castellon-plana.asp
Figura 2. urvas de nivel del terreno donde hay que realizar la instalacin. Obtenida en http://www.earthtools.org/ (accedido 15 de mayo, 2010) Figura 3. Vista area del terreno donde hay que realizar la instalacin. Obtenida mediante programa Google Earth. http://earth.google.es/index.html (accedido 15 de mayo, 2010) Figura 4. Representacin mediante escala de colores de los valores medios anuales de la velocidad del viento en la provincia de Castelln. Obtenido en Instituto para la divesificacin y ahorro de la energia. http://atlaseolico.idae.es/index.php?pag=descarga_mapas (accedido 18 de mayo, 2010) Figura 5 y 6. Elaboracin propia mediante microsof office word. Figuras 7, 9 y 14. Aguilar, J. Universidad de Jan. Departamento de Ingenieria Electronica y Automatica. http://voltio.ujaen.es/jaguilar/temarioEP/ (accedido 30 de abril, 2010) Figuras 8, 11 y 13. Hart, Daniel W. y Barrado Bautista, Andres, ed. 2001. Electronica de potencia. Madrid: Prentice Hall. Figuras 10 y 12. Universitat de Valencia. Ingenieria Tecnica de Telecomunicacin (Sistemas Electronicos). http://www.uv.es/emaset/iep00/temario.htm (accedido 30 de abril, 2010) Portal de Xtiva. Publicacin de 10 de noviembre de 2009. http://www.aemet.es/es/portada (accedido 2 de mayo, 2010) (accedido 7 de mayo, 2010)
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Electronicos).
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CAPTULO 6: PRESUPUESTO
Descripcin Ultra fast recovery 60A Inductor 0.01H 50A Condensador electroltico 470uF 63V Placa prototipo para circuito impreso
Bloque Elevador Boost 1 Cantidad Identificador 1 SG3524 1 R 1 R 1 R 1 R 1 C 1 CB1 1 DB1 1 LB1 1 ZB1 1 TB1 1 IR2110 1 R 2 C 1 Proto
Descripcin Precio unitario () Controlador modulacin 0,97 Resistencia 1/4W 50k 0,1 Resistencia 1/4W 4k7 0,1 Resistencia 1/4W 1k 0,1 Resistencia 1/4W 11K 0,1 Condensador 1nF 16V 0,15 Condensador electroltico 12000uF 63V 18 Diode standard recovery 40-85A 5,93 Inductor 0.25H 0 Diodo zener 60V 5W 0,6 IGBT 400V 6 Driver IGBT 4,2 Resistencia 1/4W 0,1 Condensador 100nF 16V 0,1 Placa prototipo para circuito impreso 4 Subtotal
Precio total () 0,97 0,1 0,1 0,1 0,1 0,15 18 5,93 0 0,6 6 4,2 0,1 0,2 4 40,55
- 72 -
Bloque Elevador Boost 2 Cantidad Identificador 1 SG3524 1 R 1 R 1 R 1 R 1 C 1 CB2 1 DB2 1 LB2 1 ZB2 1 IRG4PC40SPBF 1 IR2110 1 R 2 C 1 Proto
Descripcin Controlador modulacin Resistencia 1/4W 50k Resistencia 1/4W 4k7 Resistencia 1/4W 1k Resistencia 1/4W 79K Condensador 1nF 16V Condensador electroltico 470uF 400V Diode standard recovery 40-85A Inductor 25uH Diodo zener 300V 50W IGBT 600V 60A Driver IGBT Resistencia 1/4W Condensador 100nF 16V Placa prototipo para circuito impreso
Precio unitario () 0,97 0,1 0,1 0,1 0,1 0,15 9 5,93 0 1 4,4 4,2 0,1 0,1 4 Subtotal
Precio total () 0,97 0,1 0,1 0,1 0,1 0,15 9 5,93 0 1 4,4 4,2 0,1 0,2 4 30,35
Descripcin Controlador modulacin Amplificador operacional Resistencia 1/4W 40k Resistencia 1/4W 40200 Resistencia 1/4W 10k Resistencia 1/4W 32K Condensador 0,1uF Diodo 1N4148 IGBT 600V 60A Driver IGBT Resistencia 1/4W Condensador 100nF 16V Condensador 220uF 400V Inductor 0.01H Placa prototipo para circuito impreso
Precio unitario () 0,97 0,58 0,1 0,1 0,1 0,1 0,3 0,08 4,4 4,2 0,1 0,1 9 0 4 Subtotal Subtotal materiales IVA 18% TOTAL
Precio total () 0,97 0,58 0,1 0,1 0,1 0,2 0,6 0,16 17,6 8,4 0,4 0,2 9 0 4 42,41
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Precio total () 525,00 980,00 665,00 525,00 2695,00 2695,00 485,1 3180,10
TOTAL
4112,63
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CAPTULO 8: ANEXOS
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CAPTULO 9: CONCLUSIONES
9.1. Conclusiones
Este proyecto ha supuesto una puesta en prctica de muchas de las tecnologas actuales. El campo de diversas especialidades ha provocado el tener que documentarse en todas ellas con el beneficio que ello supone. Desde estudios meteorolgicos, hasta electrnica de potencia, pasando por varias especialidades mas. La posibilidad de simulacin mediante programas informticos ha permitido el diseo y dimensionado de este sistema as como su evaluacin. Finalmente el resultado es validado, ya que los valores obtenidos son plenamente satisfactorios. La seal resultante es apta para el consumo.
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