AMPLIFICADORES DE RF DE

PEQUEA SEAL
DISEO USANDO PARMETROS Y y S
POLARIZACIN
REDES TPICAS DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA Y
SALIDA
ING. RAFAEL SOTELO
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
INTRODUCCIN
El presente trabajo aborda la problemtica del diseo de amplificadores de
radiofrecencia de pe!ea seal" dando n proceso sistemtico para lle#arlo
adelante.
Est basado en la si$iente biblio$raf%a" tanto desde el pnto de #ista te&rico como
de los ejemplos e im$enes !e se incl'en(
RF )IR)*IT +ESIGN , )-ris .o/ic0 , 1o/ard 2. Sams 3 )o." Inc. , 4567 ,
IS.N 89:;79746:697
<I)RO2A=E TRANSISTOR A<>LIFIERS" Anal'sis and +esi$n , Gillermo
Gon?le? , >rentice91all" Inc. , 456@ , IS.N 894A9B64:@:9;
AN74BA , RF Small Si$nal +esi$n *sin$ T/o9>ort >arameters , <otorola
Semicondctors
AN97:; , <atc-in$ Net/or0 +esi$n 2it- )ompter Soltions , <otorola
Semicondctors
Ing. Rafael Sotelo 2
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
POLARIZACIN
)omen?amos nestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecencia estdiando
s comportamiento en corriente contina. El lector podr pre$ntarse por !C lo
-acemos jstamente por el eDtremo opesto a las frecencias de interCs.
La respesta es !e la polari?aci&n de contina tiene n efecto importante sobre
el comportamiento en RF. Esto se debe a !e los parmetros relevantes en RF de
un transistor son muy dependientes de su polarizacin de continua" en particlar
de s corriente de colector.
Debemos conseguir una polarizacin estable frente a cambios de temperatura.
1a' dos caracter%sticas importantes !e tienen n efecto profndo sobre el pnto
de fncionamiento de contina del transistor( E=.E ' EF
Pretendemos minimizar los efectos de estos parmetros.
El #oltaje base emisor baja cando la temperatra sube 7"B m=GH). Recordamos
!e n transistor de silicio tiene =.EI8";= a 7BH).
=eamos el proceso( si =.E baja" se permite flir ms corriente de base" lo !e
prodce ms corriente de colector. .scaremos mCtodos para e#itar este
comportamiento por!e tal como dijimos deseamos mantener estable la corriente
de colector para mantener estables los parmetros del transistor an!e cambie la
temperatra.
En primer l$ar" #eamos el efecto del #oltaje de emisor" =E. J=er Fi$. 4K. El
descenso en =.E con la temperatra casar%a n amento en la corriente de
emisor" ' as% n amento en =E. Este amento en =E constit'e na
realimentaci&n ne$ati#a !e tiende a polari?ar en re#ersa la ni&n base emisor"
lo$rando n descenso en la corriente de colector.
TCn$ase en centa !e tampoco es deseable n =E demasiado alto 'a !e pede
casar pCrdida de potencia ' na seal de A) menor.
>ede a$re$arse n capacitor en paralelo con RE para anlar s comportamiento
en RF ' mejorando la $anancia de A).
)omo norma $eneral =e se pede ele$ir entre 7 ' @ =.
El se$ndo factor es la $anancia de corriente en contina del transistor" .
Se debe tener na polari?aci&n estable frente a los cambios de . Lstos peden
pro#enir de(
9 cambios en temperatra. >ede #ariar alrededor de 8"BM por H).
9 dispersi&n en fabricaci&n. =ariaci&n entre nidad ' nidad prodcida del mismo
modelo.
El cambio en la corriente de colector respecto de es(
Ing. Rafael Sotelo 3
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
Ecaci&n 4
+onde"
I)4I la corriente de colector en F I F4"
F4I el #alor menor de F
F7I el #alor ma'or de F
EFI F7 9 F4
R. I el paralelo entre R4 ' R7 Jen Fi$. 4K
REI la resistencia del emisor.
=emos !e para disminir la inflencia de debemos mantener pe!eo R.G RE.
+ebemos notar !e de esta forma se dismin'e adems la $anancia de corriente
del amplificador. A $randes ras$os" esa relaci&n debe ser menor de 48.
=eamos al$nos ejemplos de polari?aciones en transistores(
Ejemplo
Fi$ra 4. Red de polari?aci&n 4
4. Esco$er el pnto de operaci&n para el transistor.

I) I 48 mA" =) I 48=" =)) I 78 =" F I B8
7. Asmir n #alor para =E !e considere estabilidad de polari?aci&n.
=E I 7"B #olts.
A. Asmir IE N I) para transistores de alto beta.
@. )onociendo IE ' =E" se calcla RE.
Ing. Rafael Sotelo 4

,
_

,
_

E
B
C C
R
R
I I 1
2 1
1

Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal

RE I =E G IE
I 7.B G J48 D 48
9A
K
I 488 o-ms.
B. )onociendo =))" =) e I)" se calcla R)
R) I J=)) 9 =)K G I)
I J78 9 48K G 48 D 48
9A
I 4888 o-ms.
:. )onociendo I) ' F" se calcla I..
I.I I) G F
I 8" 7 mA.
;. )onociendo =E ' =.E" se calcla =...
=.. I =E O =.E
I 7.B O 8.;
I A.7 #olts.
6. Asma n #alor para I.." canto ms $rande mejor.
I.. I 4. B mA
5. )onociendo I.. ' =.." se calcla R4
R4 I =.. G I..
I A.7 G

4.B D 48
9A
o-ms
I 74AA o-ms
48. )onociendo =))" =.." I.. e I." se calcla R7.
R7 I J=)) 9 =..K G JI)) 9 I.K
I J78 9 A.7K G J4.; D 48
9A
K
I 5667 o-ms.
Ejemplo
Fi$ra 7. Red de polari?aci&n 7.
Ing. Rafael Sotelo 5
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
4. Esco$er el pnto de operaci&n para el transistor.
I) I 48 mA" =) I 48=" =)) I 78 =" F I B8
7. Asmir #alores para =.. e I.. para pro#eer na corriente constante" I..
=.. I 7 #olts.
I.. I 4 mA.
A. )onociendo I) ' F" se calcla I..
I. I I) G F
I 8.7 mA.
@. )onociendo =.." =.E I 8.; =" e I." se calcla RE.
R. I J=.. 9 =.EK G I.
IJ7 9 8.;K G J8.7 D 48
9A
K
I :B88 o-ms.
B. )onociendo =.. e I.." se calcla R4.
R4 I =.. G I..
I 7 G J4 D 48
9A
K
I 7888 o-ms
:. )onociendo =.." I.." I." ' =)" se calcla RF.
RF I J=) 9 =..K G JI.. O I.K
I J48 9 7K G J4.7 D 48
9A
K
I :::; o-ms
;. )onociendo =))" =)" I)" I." e I.." se calcla R).
Ing. Rafael Sotelo 6
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
R) I J=)) 9 =)K G JI) O I. O I..K
I J78 9 48K G J44.7 D 48
9A
K
I 65A o-ms
Ejemplo
Fi$ra A. Red de polari?aci&n A.
4. Esco$er el pnto de operaci&n para el transistor J=)" I)K.
I) I 48 mA" =) I 48=" =)) I 78 =" F I B8
7. )onociendo I) ' F" se calcla I..
I. I I) G F
I 8.7 mA.
A. )onociendo =)" =. I =.E I 8.; =" e I." se calcla RF
RF I J=) 9 =.K G I.
I J48 9 8.;K G J788 D 48
9:
K
I @:.B P
@. )onociendo I." I)" =)) ' =)" se calcla R).
R) I J=)) 9 =)K G JI. O I)K
I J78 9 48K G J48.7 D 48
9A
K
I 568 o-ms.
=eamos na red de polari?aci&n de +) activa(
Ing. Rafael Sotelo 7
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
Se sa n transistor bipolar pnp para estabili?ar la polari?aci&n del transistor de
RF. Los transistores de b'pass )4 ' )7 son t%picamente de 8"84 F. Las bobinas
de radiofrecencia JRF)K son t%picamente -ec-as con dos o tres #eltas de
alambre No. A: en n nQcleo de aire de 8.4 pl$adas.
Fnciona as%( Si I)7 tiende a crecer" la corriente IA amenta ' el #oltaje emisor a
base de R4 decrece. Esto -ace !e baje IE4" !e a s #e? decrece I)7 ' I.7. Esta
disminci&n prodce la estabilidad de polari?aci&n deseada.
La selecci&n del pnto de operaci&n para n transistor bipolar depende de la
aplicaci&n.
>ara aplicaciones de bajo rido ' baja potencia se recomienda el pnto A 'a !e
el transistor trabaja a #alores bajos de la corriente de colector.
>ara aplicaciones de bajo rido ' $anancias de potencia altas se recomienda el
pnto ..
>ara $ran potencia de salida" en operaci&n clase A" se recomienda el pnto ).
>ara potencia de salida alta ' mejor eficiencia" el transistor trabaja en clase A. o .
sando el pnto +.
En el FET" tenemos n caso similar. Nos basamos en la f&rmla
Ecaci&n 7
Ing. Rafael Sotelo 8
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
+onde" I+ es la corriente drain
I+SS es la corriente drain con =GSI8
=GS es el #oltaje $ate a sorce
=> es el #oltaje de pinc-9off
Ejemplo
Fi$ra @. Red de polari?aci&n @.
4. Esco$er el pnto de operaci&n para el transistor.
I+ I 48 mA" =+ I 48=" =)) I 78 =
7. )onociendo =))" =+" e I+" se calcla Rd.
Rd I J=)) 9 =+K G I+
I 48 = G 48 mA
I 4888 o-ms.
A. +eterminar => e I+SS desde la -oja de datos.
=> I 9: #olts.
I+SS I B mA.
@. )onociendo I+" I+SS" ' =>" se calcla =GS.
=GS I => J 4 9 S I+ G I+SS K
I 9: J 4 9 S 48D48
9A
G BD48
9A
K

I 7.@6 #olts.
B. Asmir n #alor para =S en el ran$o de 7 a A #olts.
Ing. Rafael Sotelo 9

,
_

p
GS
DSS D
V
V
I I 1
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
=S I 7.B #olts
:. )onociendo =S e I+" se calcla RS.
RS I =S G I+
I 7.B G 48 D 48
9A
I 7B8 o-ms.
;. )onociendo =S ' =GS" se calcla =G
=G I =GS O =S

I 7.@6 O 7.B

I @.56 #olts.
6. Asmir n #alor para R4 basado en las necesidades de resistencia de entrada
en +).
R4 I 778 P
5. )onociendo R4" =G" ' =))" se calcla R7.
R7 I TR4 J =)) 9 =GKU G =G
I T778 D 48
A
J78 9 @.56KU G @.56
I ::@ P
Ejemplo
Fi$ra B. Red de polari?aci&n B
4. Esco$er n pnto de operaci&n para el transistor.
Ing. Rafael Sotelo 1
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
I+ I 48 mA" =+ I 48=" =)) I 78 =
7. )onociendo =))" =+" e I+" se calcla R+.
R+ I J=)) 9 =+K G I+
I J78 9 48K G J48 D 48
9A
K
I 4888 o-ms
A. +eterminar =>" e I+SS sando la -oja de datos del transistor.
=> I 9 : #olts
I+SS I B mA
@. )onociendo I+" I+SS" ' =>" se calcla =GS.
=GS I => J 4 9 S I+ G I+SS K
I 9: J 49 S 48D48
9A
G BD48
9A
K
I 7.@6 #olts.
B. )onociendo IG I 8" =GS I =S" e I+" se calcla RS.
RS I =S G I+
I =GS G I+
I 7.@6 G J48 D 48
9A
K
I 7@6 o-ms
:. )omo IG I 8" RG pede ser ele$ido con n #alor alto , aproDimadamente 4
me$o-m.
En la si$iente fi$ra se mestran cinco redes de polari?aci&n t%picas para FETs.
Ing. Rafael Sotelo 11
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
La colmna V1o/W indica la polaridad de las fentes ' la secencia de aplicaci&n
de las mismas para pre#enir !e el FET se !eme en el encendido.
En las polari?aciones JdK ' JeK -a' na resistencia en el source" !e pro#ee
atomticamente protecci&n en transitorios. Tener en centa !e esta resistencia
pede de$radar la fi$ra de rido" ' el capacitor de b'pass en la fente ped
casar oscilaciones de baja frecencia.
Los capacitores de desacople a #eces son pestos en paralelo con n diodo ?ener
para otor$ar protecci&n adicional contra transitorios" polari?aci&n in#ersa '
sobre#oltajes.
En la si$iente fi$ra se obser#an distintos pntos de operaci&n para n FET"
cada no se selecciona se$Qn la aplicaci&n.
Ing. Rafael Sotelo 12
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
>ara aplicaciones de bajo rido" baja potencia se sa el pnto A. El FET actQa en
n #alor bajo de corriente.
>ara bajo rido ' $anancia de potencia ms alta" se recomienda ..
>ara potencia ms alta" an!e an sando clase A" pnto ).
>ara ma'or eficiencia" operando en clase A. o ." la corriente drain a source se
debe decrecer" pnto +.
En la si$iente fi$ra se mestra na red de polari?aci&n acti#a para n FET.
Ing. Rafael Sotelo 13
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
DISEO UTILIZANDO PARMETROS DE REDES DE DOS PUERTOS
+escribiremos n proceso sistemtico ' matemtico para el diseo de
amplificadores de RF de pe!ea seal. Es n procedimiento eDacto. Las posibles
fente de error en el diseo ser la incertidmbre de las medidas ' de la
dispersi&n en los parmetros de los transistores del mismo modelo.
*saremos resltados obtenidos en el trabajo de Lin#ill JVTransistors and Acti#e
)ircits.W" b' Lin#ill and Gibbons" <cGra/91ill" 45:4K" Stern JVStabilit' and >o/er
Gain of Tned Transistor Amplifiers.W .' Art-r >. Stern" >roc.IRE" <arc-" 45B; K '
otros.
El re!erimiento -abital es el de na $anancia espec%fica a na frecencia dada.
Otros objeti#os peden ser anc-o de banda" estabilidad" aislaci&n entrada9salida '
bajo rido.
Los circitos se peden cate$ori?ar como realimentaci&n Jnetrali?aci&n"
nilaterali?aci&n" o sin realimentaci&nK ' adaptaci&n en las terminales del transistor
Jadmitancias de circito adaptadas o no a las admitancias de entrada ' salida del
transistorK.
USANDO PARMETROS Y
*n factor m' importante en el diseo es la estabilidad potencial del transistor.
>ede calclarse por el factor de estabilidad de Lin#ill(
Ecaci&n A
+onde"
XXI la ma$nitd del prodcto entre corc-etes
'r I admitancia de transferencia re#ersa"
'f I admitancia de transferencia directa"
$4 I condctancia de entrada"
$8 I condctancia de salida
Re I la parte real del prodcto entre parCntesis.
)ando )Y4 el transistor es estable incondicionalmente. )ando )Z4 el transistor
es potencialmente inestable.
El factor ) es na preba de estabilidad bajo la condici&n de peor caso" es decir
con las terminales de entrada ' salida del transistor en circito abierto. Sin
realimentaci&n eDterna" n transistor estable incondicionalmente no oscilar con
nin$na combinaci&n de de fente ' car$a. >or el contrario" si es potencialmente
inestable" al$nas combinaciones de fente ' car$a prodcirn oscilaci&n.
Se debe tener en centa !e si ) es menor pero cercano a 4" cambios en la
polari?aci&n +) Jdebidos por ejemplo a la temperatraK peden casar !e pase a
Ing. Rafael Sotelo 14
( )
f r o i
f r
g g

C
R! 2

Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal

ser ma'or !e 4" tornndose potencialmente inestable. Recordemos !e los
parmetros [ estn especificados a n pnto de polari?aci&n determinado.
>or lo tanto" canto menor sea )" mejor es.
A pesar de !e el factor ) pede ser sado para determinar la estabilidad
potencial de n transistor" las condiciones de circito abierto en fente ' car$a no
son aplicables a n amplificador real. >or ello Stern defini& n factor de estabilidad
0 !e toma en centa admitancias finitas en fente ' car$a conectadas al
transistor.
Ecaci&n @
donde"
GS I La condctancia de la fente
GL I La condctancia de la car$a
E)*A)IONES GENERALES +E +ISE\O
GANAN)IA +E >OTEN)IA
La ecaci&n $eneral es(
" R!#
" R!#
2
2
! o
f r
i o !
!
f
"

"
"
G
+
+

+ic-a ecaci&n se aplica a circitos sin realimentaci&n. TambiCn pede ser sado
con circitos con realimentaci&n eDterna si son sados los parmetros [
compestos.
Se pede apreciar(
aK No tiene en centa pCrdidas en la red. No compta pCrdidas por desadaptaci&n
a la entrada ni a la salida del transistor.
bK La $anancia es independiente de la admitancia de la fente.
Si !isiCramos inclir los efectos de la adaptaci&n de la entrada en el clclo de
$anancia de potencia podr%amos contemplar el so de GT JGanancia de
ransductorK. Se la define como la potencia de salida en#iada a na car$a por el
transistor di#idida por la mDima potencia de entrada disponible desde la fente.
Ing. Rafael Sotelo 15
( ) ( )
( )
f r f r
! o S i

G g G g
#
R!
2
+
+ +

( )( )
2
2
4
r f ! o S i
f ! S
$
" "
G G
G
+ +

Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal

[L es la admitancia #ista por el transistor -acia la salida. Incl'e la red de
adaptaci&n ' la car$a.
Anlo$amente [S es la admitancia #ista por el transistor -acia la entrada.
+efinimos Ganancia !"ima Disponible J<AG por s si$la en in$lCsK como(
Ecaci&n :
Es la $anancia de potencia te&rica de n transistor con 'rI8 ' cando [L ' [S son
las conj$adas complejas de 'o e 'i.
'rI8 se debe a !e en condiciones normales 'r actQa como na realimentaci&n
ne$ati#a. Teniendo 'rI8 no -a' realimentaci&n ' por lo tanto la $anancia est al
mDimo.
En la prctica" no se pede obtener 'rI8 ' por lo tanto no se pede conse$ir na
$anancia como la <AG. >or ello la <AG es na fi$ra de mCrito.
Sin embar$o" se obtienen #alores cercanos a tra#Cs de la adaptacin conjugada
simultnea. >or lo !e este #alor se nos re#ela como Qtil.
TRANSISTOR ESTA.LE IN)ON+I)IONAL<ENTE
)ando el factor de estabilidad de Lin#ill es menor !e no nos ase$ra !e el
transistor es incondicionalmente estable. No #an a ocrrir oscilaciones para
nin$na combinaci&n de fente ' car$a !e sean tili?adas. As% !e la estabilidad
se elimina como n re!erimiento para el resto del diseo.
A<>LIFI)A+ORES SIN REALI<ENTA)I]N
)omo el transistor es incondicionalmente estable es l&$ico pensar en n
amplificador sin realimentaci&n debido a menos componentes ' n simple
procedimiento de sintoni?aci&n.
>ara obtener la mDima $anancia ele$imos [S e [L adaptados conj$adamente a
'i e 'o. Lo llamamos adaptacin conjugada simultnea.
Ecaci&n ;
Ecaci&n 6
Ing. Rafael Sotelo 16
o
f
gig

%AG
4
2

( ) [ ]
o
r f r f o i
S
g
g g
G
2
R! 2
2
2

( )
o
r f
i S
g

&' B
2
I$
+
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
Ecaci&n 5
Ecaci&n 48
Ecaci&n 44
+onde"
GS I la condctancia de la fente.
.S I la ssceptancia de la fente.
GL I la condctancia de la car$a.
.L I la ssceptancia de la car$a.
Im I la parte ima$inaria del prodcto entre parCntesis.
=eamos n ejemplo
Ejemplo 4.

*n transistor tiene los si$ientes parmetros [ a 488 <1?" con =)E I 48 #olts e I)
I B mA.
'4 I 6 O jB.; mm-os
'8 I 8.@ O j4.B mm-os
'f I B7 9 j78 mm-os
'r I 8.84 9 j8.4 mm-o
+isee n amplificador el cal pro#ea $anancia de potencia mDima entre na
fente de B89o-m ' na car$a de B89o-m a 488 <1?.
#olucin
>rimero" calclar la estabilidad Lin#ill tili?ando la ecaci&n A
) I ^'f'r^ G T7$4$8 9 Re J'f'rKU
Ing. Rafael Sotelo 17
( ) [ ]
1
2
2
2
R! 2
g
g g
G
r f r f o i
!

i
o S
g
g G

( )
i
r f
o !
g

&' B
2
I$
+
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal

I ^JB7 9 j78K J8.84 9 j8.4K^ G _ 7J6KJ8.@K 9 Re TJB7 9 j78KJ8.84 9 j8.4KU`
I B.B; G T:.@ 9 J94.@;KU
I 8.;4
)omo ) es menor !e 4" el dispositi#o es incondicionalmente estable" ' podemos
proceder con el diseo. Si ) -biera sido ma'or !e 4" sin embar$o" tendr%amos
!e -aber sido eDtremadamente catelosos al adaptar el transistor a la fente ' la
car$a 'a !e podr%a aparecer inestabilidad.
El <AG del transistor se compta con la Ecaci&n :(
<AG I ^'f^
7
G @$4$8
I ^B7 9 j78^
7
G T@J6KJ8.@KU
I 7@7.B
I 7A.6 d.
La $anancia real !e podemos lo$rar ser n poco menor !e esto debido a 'r ' a
pCrdidas en los componentes.
*tili?ando las ecaciones ; a 44" se calclan las admitancias de la fente ' la
car$a para adaptaci&n simltnea conj$ada.
>ara la fente" sando la Ecaci&n ;(
GS I S _T7$4$8 9 ReJ'f'rKU
7
9 ^'f'r^
7
` G 7$8
I S_T:.@ O 4.@;U
7
9 JB.B;K
7
` G 7J.@K
I :.5B mm-os
[" con la Ecaci&n 6(
.S I 9jbi O TIm J'f'rK G 7$oU
I jB.; 9 j T9B.A; G 7J.@KU
I j47.@4 mm-os
>or consi$iente" la admitancia de la fente !e el transistor debe a#era para
transferencia de potencia &ptima es :.5B 9 j47.@4 mm-os.
La admitancia de entrada real del transistor es el conj$ado de este nQmero" o
:.5B O j47.4 mm-os. >ara la car$a" tili?ando la Ecaci&n 48(
Ing. Rafael Sotelo 18
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
GL I JGS$8K G $4
I J:.5BKJ8.@K G 6
I 8.A@; mm-o
[" con la Ecaci&n 44(
.L I jb8 OTIm J'f'rK G 7$4U
I 9j4.B O T9B.A; G 7J6KU
I 9j4.6@ mm-os
+e este modo" para transferencia de potencia &ptima" la admitancia de la car$a
debe ser 8.A@; 9 j4.6@ mm-os. La admitancia de salida real del transistor es el
conj$ado de la admitancia de la car$a" o 8.A@; O j4.6@ mm-os.
El pr&Dimo paso es disear las redes de adaptaci&n de impedancias de entrada '
salida !e #a a transformar la fente ' car$a de B8 o-ms a la impedancia !e el
transistor le $star%a #er para transferencia de potencia &ptima. El diseo de la
adaptaci&n de la entrada se mestra en el primer bbaco de Smit- del ejemplo.
Este baco es normali?ado de modo !e el centro del mismo representa B8 o-ms
o 78 mm-os. >or lo tanto" el pnto" [S I :.5B 9 j47.@7 mm-os" est normali?ado
en(
[S I B8 J:.5B 9 j47.@4K mm-os
I 8.A@ 9 j8.:7 m-o
Esta admitancia normali?ada se mestra $raficada en dic-o baco.
N&tese !e s correspondiente impedancia pede ser le%da directamente desde el
baco como cS I 8.:5 O j4.7 o-ms. La red de la adaptaci&n de la entrada debe
transformar la impedancia de la fente de B8 o-m a la impedancia representada
por este pnto. )omo es sabido" eDisten nmerosas redes de adaptaci&n de
impedancia disponibles para resol#er el problema. A!% se eli$i& la red L de dos
elementos por simplicidad ' con#eniencia.
Arc A. I ) en serie I 9j4.A o-ms
Arc .) I L en paralelo I 9j4.4 m-os
El circito de salida es diseado ' $raficado en el se$ndo baco de Smit-.
[a !e los #alores de admitancia necesarios en el circito de salida son tan
pe!eos" este baco debi& ser normali?ado a 788 o-ms JBmm-osK. >or lo tanto"
la admitancia normali?ada en el baco es(
[L I 788 J8.A@; 9 j4.6@K mm-os
Ing. Rafael Sotelo 19
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I 8.8:5 9 j8.A:6 m-o
o"
cL I 8.@5B O j7.:7 o-ms
La car$a normali?ada de B8 o-m debe ser transformada a esta impedancia para
transferencia mDima de potencia. Ne#amente" los dos elementos de la red L
feron ele$idos para -acer la adaptaci&n.
Arc A. I ) en serie I 9j4.5 o-ms
Arc .) I L en paralelo I 9j8.65 m-o
Las redes de adaptaci&n de la entrada ' la salida se mestran en la Fi$ra 6. >ara
ma'or claridad" el circito de polari?aci&n no es mostrado.
Fi$ra 6.
)4 I 4 G deN
I 4 G T7f J488 D 48
:
K J4.AK JB8KU
I 7@.B pF
'"
L4 I N G d.
I B8 G T7f J488 D 48
:
K J4.4KU
I ;7 n1
+e forma similar" para la red de salida(
)7 I 4 G T7f J488 D 48
:
K J4.5K J788KU
I @.46 pF
'"
Ing. Rafael Sotelo 2
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
L7 I 788 G T7f J488 D 48
:
K J8.65KU
I AB6 n1
El circito final" incl'endo la red de polari?aci&n" pede aparecer como se
mestra en la Fi$ra 5. Los condensadores de 8.4gF son n b'9pass para la RF
de 488 <1?.
Fi$ra 5
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Ing. Rafael Sotelo 22
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Ing. Rafael Sotelo 23
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
Ejemplo 7
Encontrar la $anancia del circito !e fe diseado en el Ejemplo 4. No tomar en
centa pCrdidas en los componentes.

#olucin.
La $anancia de transdctor para el amplificador se determina sstit'endo los
#alores dados en el Ejemplo 4 en la Ecaci&n B.
GTI @J:.5BKJ8.A@;K ^B7 9 j78^
7
G
_^J6 O jB.; O :.5B 9 j47.@4KJ8.@ O j4.B O 8.A@; 9 j4.6@K 9 JB7 9 j78KJ8.84 9 j8.4K^
7
`
I 755@A G T^6.66 9 j48.4 O4.@; O jB.A;^
7
U
I 7A4. 7
I 7A.:@ d.
EL A<>LIFI)A+OR *NILATERALIcA+O
La nilaterali?aci&n consiste en el empleo de na red eDterna de realimentaci&n [f
para oponerse a 'r. [f I9'r. As% la admitancia de transferencia9re#ersa 'rc se -ace
cero.
En $eneral se tili?a para con#ertir n transistor potencialmente inestable en
estable incondicionalmente.
>ero tambiCn pede ser bscado por otros aspectos interesantes como la
aislaci&n entre la entrada ' la salida.
Admitancia de entada caso nilaterali?ado(
[INI'iO'r
Admitancia de salida caso nilaterali?ado(
[O*TI'oO'r
Ganancia de potencia caso nilaterali?ado(
G>*I^'f9'r^
7
.GLG^[LO'oO'r^
7
$i
Ganancia de potencia caso nilaterali?ado con [L adaptado conj$adamente con
[O*T(
G*I^'f9'r^
7
G@J$iO$rKJ$oO$fK
Ganancia de transdctor caso nilaterali?ado(
GT*I@GSGL^'f9'r^
7
G^J[SO'iO'rK J[LO'oO'rK^
7
Ing. Rafael Sotelo 24
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
Estas ecaciones se -an dado en tCrminos de los parmetros ' del transistor" no
de los de la red de realimentaci&n ni de los compestos.
=emos !e [IN es completamente independiente de [L e [O*T independiente de [S.
Esto si$nifica !e en n amplificador de mQltiples etapas nilaterali?ados" el -ec-o
de sintoni?ar na etapa no afectar la sinton%a de las otras.
NE*TRALIcA)I]N
Es similar a nilaterali?aci&n. Se sa na realimentaci&n para redcir 'r pero no
lle$a a cancelarlo. T%picamente cancela la parte ima$inaria. .fI9br.
En mc-os transistores $rYYbr por lo !e la netrali?aci&n sir#e en la prctica para
eliminar 'r. [ es ms fcil de conse$ir !e la nilaterali?aci&n.
=eamos circitos de netrali?aci&n(
Fi$ra 48. )ircitos de netrali?aci&n.
(A) Para yr =+jb. (B) Para yr = jb.
EL TRANSISTOR >OTEN)IAL<ENTE INESTA.LE
Tenemos tres maneras de tratarlo(
4K .scar otro pnto de polari?aci&n.
7K Realimentaci&n( *nilaterali?ar o netrali?ar el transistor.
AK Ele$ir na combinaci&n de admitancias de fente ' car$a !e pro#ean
estabilidad.
4K )omo los parmetros [ J' los SK del transistor son dependientes de la
polari?aci&n" cambios en Csta ocasionarn n fncionamiento distinto del transistor
en RF. +e esta forma se pede conse$ir fcilmente la estabilidad.
Se debe ser cidadoso recordando !e cambios en la temperatra peden afectar
la polari?aci&n.
Ing. Rafael Sotelo 25
Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
7K La nilaterali?aci&n ' la netrali?aci&n feron disctidas anteriormente.
AK>ro#iene del -ec-o !e el factor de Stern es dependiente de GS ' GL '
-aciCndolas los sficientemente $randes se consi$e n circito estable ms all
del $rado de inestabilidad potencial del transistor.
>ara conse$ir n circito estable con n transistor potencialmente inestable
podemos -acer el si$iente proceso.
Se selecciona n #alor para el factor de estabilidad P.
>odemos ele$ir(
a.9 GS adaptada ' GL desadaptada
b.9 GL adaptada ' GS desadaptada
c.9 GS ' GL desadaptadas
*na #e? ele$idas GS ' GL el resto del diseo si$e por el procedimiento 'a #isto
para el amplificador sin realimentaci&n.
EDiste n mCtodo ms sistemtico para determinar las admitancias car$a ' fente
para circitos !e eDi$en mDima $anancia de potencia por $rado de estabilidad
del circito. Stern anali?& este problema ' desarroll& ecaciones para calclar la
condctancia ' ssceptancia de [S ' de [L para mDima $anancia de potencia
para n factor de estabilidad particlar. Son las ecaciones !e si$en.
( ) [ ]
( ) [ ]
( )
( ) [ ]
( )
( ) [ ]
o
f r f r
o o !
!
i
f r f r
o i S
S
o
i
o
f r f r
!
i
o
i
f r f r
S
'
(
) g G
B
'
(
) g G
B
g
g
g
(
G
g
g
g
(
G

+
+

+
+

R!
R!
2
R!
2
R!
+onde"
( )( ) ( ) ( ) ( )
( )
( )
f r
f r
o ! o ! o ! i S
%
!
% ! (
g G % ! ( ' B g G ' B
)
R!
2

+
+ + + + + +

Ing. Rafael Sotelo 26

Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
+efiniendo + como el denominador en la ecaci&n !e define GT(
( ) [ ]
( )
2 2
2 4
2
2
2
4
* A % ! ( *)
) % % ! ( )
D + + +
+ +
+
+onde"
( )
( )% I$
%
2
f r
*
%
% ! (
A

'"
c8I el menor #alor de c !e reslta en el menor m%nimo de +" calclado a partir de
i$alar a cero la si$iente eDpresi&n(
( ) [ ] ( ) % ! ( * ) % % ! ( )
d)
dD
+ + + + 2 2
3
El clclo de [S ' de [L sando las ecaciones anteriores es tedioso para -acerlo
frecentemente. Sin embar$o" se peden tili?ar ciertos atajos(
AK )bL)*LO S]LO +E GS [ +E GL. Si para .L se eli$e el #alor ,bo" la [L
resltante estar m' cerca de la [L de mDima $anancia. El [IN del
transistor pede ser calclado a partir de [L sando
' .S pede ser tomada como i$al a ,ImJ[INK.
Esto permite ob#iar la parte ms compleja del clclo de
Stern J.S ' .LK obteniendo na solci&n m' cercana. Adems el circito
pede ser reali?ado con elementos ajstables creando as% en la prctica la
posibilidad de obtener #alores para .S ' .L !e den la mDima potencia.
.K +esadaptar GS a $i ' GL a $o por n mismo ratio condce a na solci&n
#erdadera de Stern para GS ' GL.
A partir de las ecaciones anteriores obtenemos
i
S
o
!
g
G
g
G

Si n ratio de desadaptaci&n" R" se define as%

i
S
o
!
g
G
g
G
R
R se pede calclar para cal!ier factor de estabilidad sando la ecaci&n(
Ing. Rafael Sotelo 27
! o
f r
i I*
"

"
+

Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
( )
( )
1
1
]
1

+
+
o i
r f r f
g g

( R
2
R!
1
2
Obteniendo R se despejan GS ' GL. .S ' .L se peden obtener de la misma
manera !e en el mCtodo JAK.
Este se$ndo mCtodo pede ser #entajoso si se !ieren las admitancias de fente
' car$a ' $anancias de potencia para mc-os #alores de P diferentes. *na #e?
determinado R para n P particlar" R para cal!ier otro P se calcla as%(
( )
( )
2
1
2
2
2
1
1
1
(
(
R
R

+
+

)K +iseo por comptadora. 1o' en d%a es m' fcil reali?ar clclos
pro$ramados en comptadora" lo nos da solciones eDactas a la solci&n
de Stern.
SENSITI=I+A+
Sal#o en el caso del amplificador nilaterali?ado" [IN es fnci&n de la admitancia
de car$a. )al!ier cambio de sintoni?aci&n en la salida casar cambios en [IN"
lo !e pede ser molesto. >or eso pede ser interesante calclar cnto #ar%a [IN
con cambios en [L. +efinimos entonces la sensiti#idad

&
i
i
o
! o i
i
! o
!
#e

g
g
"
#

g
"
"
+
+

+

donde"
( )
( )

&'( )*&
+,-
& # #e

g g

#
&
r f
o i
r f
+

Ing. Rafael Sotelo 28