Revista Digital Universitaria

10 de Julio 2005 Volumen 6 Nmero 7 ISSN: 1067-6079

LEY DE MOORE, NANOTECNOLOGA Y NANOCIENCIAS: SNTESIS Y MODIFICACIN DE NANOPARTCULAS MEDIANTE LA IMPLANTACIN DE IONES
Dr. Juan Carlos Cheang Wong Investigador Titular B. Instituto de Fsica, Universidad Nacional Autnoma de Mxico cheang@sica.unam.mx

Coordinacin de Publicaciones Digitales. DGSCA-UNAM Se autoriza la reproduccin total o parcial de este artculo, siempre y cuando se cite la fuente completa y su direccin electrnica.

Ley de Moore, nanotecnologa y nanociencias

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LEY DE MOORE, NANOTECNOLOGA Y NANOCIENCIAS: SNTESIS Y MODIFICACIN DE NANOPARTCULAS MEDIANTE LA IMPLANTACIN DE IONES
Resumen En este artculo resaltamos la importancia y el efecto que la nanotecnologa y en general las nanociencias tendrn en la vida diaria de todos nosotros debido a las potenciales aplicaciones tecnolgicas por venir. Como ejemplo presentamos la llamada ley de Moore, que constituye actualmente la motivacin principal de la industria microelectrnica y de semiconductores para encontrar mejores materiales y para desarrollar dispositivos electrnicos ms compactos, ms rpidos, ms eficientes y sobretodo ms baratos. Esta carrera tecnolgica nos lleva a la bsqueda de otros materiales con caractersticas novedosas, como son las nanopartculas metlicas que presentan propiedades pticas muy importantes. En este trabajo de investigacin sintetizamos nanopartculas metlicas de oro, plata o cobre por medio de la tcnica de implantacin de iones usando el acelerador Peletrn del Instituto de Fsica de la UNAM. Estudiamos la dependencia del dimetro y de la distribucin de tamaos de las nanopartculas con los parmetros de la implantacin (tipo de ion, energa, dosis de implantacin) y con los parmetros de los tratamientos trmicos posteriores (temperatura y atmsfera utilizada). Las muestras se caracterizaron por medio de la tcnica de absorcin ptica y de microscopa electrnica de transmisin. Los resultados indican que efectivamente obtenemos nanopartculas con dimetros del orden de 3 nm y que adems presentan facetas. Por otro lado, comparada con una atmsfera oxidante, la atmsfera reductora promueve la formacin de una mayor cantidad de nanopartculas de plata. Palabras clave: Nanotecnologa, Nanopartculas, Implantacin de iones, Propiedades pticas, Ley de Moore.

MOORES LAW, NANOTECHNOLOGY AND NANOSCIENCES: SYNTHESIS AND MODIFICATION OF NANOPARTICLES USING ION IMPLANTATION
Abstract No one can deny the impact of the nanotechnology revolution in our everyday life, even if some forthcoming technological applications seem unimaginable today. Moores Law, for example, has been the driving force behind the creation of increasingly complex, small and faster systems in the microelectronics and semiconductors industry. This technological race leads us to the search of materials with new properties, such as metallic nanoparticles exhibiting very interesting optical properties. At the UNAMs Instituto de Fsica, we prepare metallic nanoparticles by means of the ion implantation technique using a Pelletron accelerator. We study the dependence of the nanoparticle size on the experimental parameters related to the implantation (ion type, energy, implantation dose) and to the thermal treatments (temperature, atmosphere). The samples were characterized by optical absorption measurements and transmission electron microscopy. Keywords: Nanotechnology, Nanoparticles, Ion implantation, Optical properties, Moores law.

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INITRODUCCIN
Cada da es ms frecuente escuchar los trminos nanotecnologa, nanomateriales, nanoestructuras, etc., en conversaciones de la vida cotidiana, pero para la mayora de las personas aun es difcil imaginar estos trminos fuera del contexto cientfico o de la ciencia ficcin. Sin embargo, es innegable el impacto que el estudio de las nanociencias y los desarrollos nanotecnolgicos tendrn en los mbitos social, cultural, y econmico de nuestra vida diaria. Las nanociencias se pueden describir como aquellas que estudian estructuras u objetos con al menos una de sus dimensiones en la escala del nanmetro (nm). El prefijo nano viene del latn nanus, que significa muy pequeo o enano, y entonces un nanmetro corresponde a la millonsima parte de un milmetro. Para tener un punto de comparacin podemos decir que un cabello humano tiene 100000 nm de grueso, que el dimetro de una molcula de ADN es de 2.5 nm y que el dimetro de un tomo es de un tercio de nanmetro. El anlisis de dichas estructuras incluye la caracterizacin de sus propiedades (sean qumicas, mecnicas, electrnicas, pticas o magnticas), y el estudio de la interaccin que tienen con otras nanoestructuras, con ondas electromagnticas, con medios biolgicos, etctera. Por otro lado, la nanotecnologa correspondera a la capacidad tcnica para modificar y manipular la materia para poder desarrollar estructuras o dispositivos funcionales, con dimensiones inferiores a los 100 nm, para potenciales aplicaciones tecnolgicas [1,2]. Por ejemplo, una estructura tpica en los dispositivos producidos por la industria microelectrnica sera cientos de veces ms grande que una nanoestructura con dimensiones inferiores a unas pocas decenas de nanmetros. Actualmente, las estructuras ms pequeas que se han alcanzado en transistores para circuitos integrados hechos en laboratorios de investigacin van de los 10 a los 20 nanmetros, es decir, una dcima parte de las dimensiones que encontramos actualmente dentro de los circuitos integrados comerciales. As, el desarrollo de la industria de la microelectrnica hacia dispositivos ms pequeos, ms rpidos, ms eficientes y ms baratos ha sido impulsado desde hace 40 aos por la llamada Ley de Moore que describimos en la siguiente seccin. Por el momento basta decir que las nanociencias no son slo un paso ms hacia la miniaturizacin de los dispositivos actuales, sino un terreno cualitativamente nuevo, completamente dominado por la mecnica cuntica, donde lo pequeo puede ser esencialmente diferente. En efecto, la materia modificada a la nanoescala puede presentar propiedades o fenmenos intrnsecos de la escala atmica que son fundamentalmente diferentes de los que habitualmente observamos a mayor escala. Como lo describimos ms adelante en este artculo, en el Instituto de Fsica de la UNAM estamos trabajando desde 1996 en la sntesis y caracterizacin de nanopartculas metlicas en muestras de slice (SiO2) por medio de la tcnica de implantacin de iones, usando el acelerador Peletrn. Nuestro objetivo no solamente es lograr un mejor entendimiento de los mecanismos responsables de la formacin y de las propiedades pticas de estas nanopartculas, sino tambin producir materiales pticamente activos para potenciales aplicaciones tecnolgicas en la optoelectrnica. Los dispositivos optoelectrnicos son aquellos que combinan la ptica con la electrnica (por ejemplo, circuitos integrados hbridos que funcionaran con luz y electricidad) y su desarrollo nos permitira contribuir a que la ley de Moore siga siendo vlida por muchos aos ms.

LEY DE MOORE
En 1965, Gordon Moore (co-fundador en 1968 de la compaa Intel) afirm que el nmero de transistores por centmetro cuadrado en un circuito integrado se duplicaba cada ao y que la tendencia continuara durante las siguientes dos dcadas.
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http://www.revista.unam.mx/vol.6/num7/art65/int65.htm Ms tarde, en 1975, modific su propia afirmacin y predijo que el ritmo bajara, y que la densidad de transistores se duplicara aproximadamente cada 18 meses. Esta progresin de crecimiento exponencial de la densidad de transistores, o sea, el duplicar la capacidad de los microprocesadores cada ao y medio, es lo que se considera actualmente como la Ley de Moore. En abril de 2005 se cumplieron 40 aos de la ley de Moore y la industria de la microelectrnica estima que seguir siendo vlida al menos otros 20 aos. Para todos nosotros realmente es difcil imaginar la enorme cantidad de transistores que constituyen actualmente un circuito integrado o un microprocesador de computadora. En la Fig. 1 se muestra la evolucin en los circuitos integrados desde 1961 a la fecha, donde el microprocesador Itanium 2 de Intel est constituido por la inimaginable cantidad de 410 millones de transistores. La cantidad de transistores en un procesador de computadora se puede ver en la Fig. 2.
Microprocesador
4004 8008 8080 8086 286 Intel386 Intel Pentium Intel Pentium II Intel Pentium III Intel Pentium 4 Intel Itanium Intel Itanium Intel Itanium 2

Ao
1971 1972 1974 1978 1982 1985 1989 1993 1997 1999 2000 2002 2003

Cantidad de Transistores
2,250 2,500 5,000 29,000 120,000 275,000 1,180,000 3,100,000 7,500,000 24,000,000 42,000,000 220,000,000 410,000,000

En la Fig. 3 se puede corroborar que la prediccin del crecimiento exponencial en el nmero de transistores en los procesadores Intel se ha cumplido de acuerdo a la ley de Moore. Todo parece indicar que la ley de Moore pas de ser una profeca auto cumplida por la industria microelectrnica a una obligacin que los fabricantes de semiconductores deben de cumplir para poder vender sus productos a precios ms competitivos. As, si en 1954 el precio de un transistor era de casi 6 dlares, actualmente su precio es menor a una mil millonsima parte de un dlar, o sea, menor a un nanodlar. La supervivencia de la ley de Moore depender seguramente de los resultados de las investigaciones en el rea de las nanociencias, que llevarn a la industria de la alta tecnologa a otros caminos como la nanoelectrnica, la optoelectrnica e incluso, la bioelectrnica. Por lo tanto, todava nos quedan muchas cosas por ver en el futuro cercano, y la nica limitacin tal vez sea un dimensin de nivel fundamental, como lo es el tamao del tomo mismo. 4 -xx
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Sntesis y caracterizacin de nanopartculas metlicas

Podemos decir que los primeros nanotecnlogos, aun sin saberlo ellos mismos, fueron artesanos que hace ms de 1000 aos ya trabajaban el vidrio y el decorado de la cermica [3]. En efecto, usadas en vitrales y pinturas, las nanopartculas metlicas les confieren sus intensas y coloridas tonalidades, en las que nanopartculas de oro estn presentes en los vidrios de color rojo y nanopartculas de plata en los amarillos. Ms recientemente, las propiedades pticas de nanopartculas de diversos metales han provocado gran inters por su potencial uso como catalizadores, sensores, en dispositivos optoelectrnicos, etc. Su importancia creciente tambin se ilustra con su uso para diagnsticos mdicos y en productos farmacuticos diseados para atacar especficamente ciertas enfermedades o destruir tumores malignos. Como ya se dijo, las nanopartculas podran ser esenciales para el desarrollo de la optoelectrnica, o sea, la combinacin de la ptica con la electrnica para producir dispositivos que funcionen tanto con luz como con electricidad. As, tambin se est estudiando ampliamente la sntesis de nanopartculas metlicas y/o semiconductoras en diversos materiales, ya que las primeras presentan propiedades pticas no lineales muy importantes, y las segundas de fotoluminiscencia (capacidad que tienen para emitir luz cuando se les ilumina o cuando se les hace pasar una corriente elctrica). En ambos casos, las propiedades (en particular las pticas) que presentan estas partculas dependen fundamentalmente del tamao, la forma y la distribucin espacial de las nanopartcula en la muestra . Finalmente, el objetivo de nuestra investigacin es estudiar las nuevas propiedades que presentan estos materiales a la escala nanomtrica, su dependencia con el tamao y la forma, y la correlacin que guardan con los parmetros asociados con mtodos de preparacinde nanopartculas [4]. En este trabajo nos interesamos en sintetizar nanopartculas metlicas de oro, plata o cobre dentro de una matriz de SiO2, ya que stas presentan propiedades pticas muy interesantes con potenciales aplicaciones tecnolgicas en la optoelectrnica.

La tcnica que utilizamos es la implantacin de iones y para ello usamos el acelerador Peletrn del Instituto de Fsica. Como su nombre lo indica, el Peletrn es un equipo con el que podemos acelerar iones de prcticamente cualquier elemento de la tabla peridica a energas mayores a los 2 MeV (megaelectronvolts). 5-xx
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En la Fig. 6 explicamos brevemente cmo funciona el acelerador Peletrn. La implantacin de iones con energas muy altas nos permite introducir a la fuerza casi cualquier elemento al interior de la muestra a la que queremos modificar sus propiedades. De esta manera los iones, al ir atravesando la muestra, interactan con los tomos que la constituyen y se producen distintos fenmenos fsicos que modifican las propiedades.

Cmo funciona el acelerador Peletrn?

Una cadena formada por barras de metal (llamadas pellets) y plstico lleva carga elctrica de una fuente de alta tensin positiva a la terminal, situada en el centro del acelerador. Las fuentes de iones producen iones negativos (a partir de elementos slidos o gaseosos), que son atrados y acelerados por la terminal, dndoles una energa inicial que depende de la tensin en la terminal. En el centro de la terminal hay una nube de nitrgeno, que arranca electrones de los iones acelerados, convirtindolos entonces en iones positivos. stos son ahora empujados por la terminal, dndoles una segunda aceleracin y aumentando su energa. El electroimn selector desva los iones positivos hacia las lneas de experimentacin, seleccionando su carga, masa y energa.

La Fig. 7 nos indica esquemticamente cmo los iones quedan implantados a una cierta profundidad respecto a la superficie de la muestra y los defectos creados al atravesarla. Generalmente es necesario efectuar tratamientos trmicos para lograr la formacin de las nanopartculas a partir de los tomos implantados mediante la nucleacin y crecimiento de las mismas [5-7].

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Interaccin de la radiacin con la materia Al atravesar la materia, los iones pueden producir: excitacin, ionizacin de los tomos desplazamientos vacancias, tomos intersticiales desorden, defectos, daos estructurales, amorzacin precipitados, clusters En la muestra le pueden ocurrir: cambios en la composicin difusin de los componentes calentamiento tensiones, esfuerzos Los iones implantados dentro del material modican todo tipo de propiedades fsicas y qumicas: mecnicas (resistencia, dureza, etc) pticas, elctricas, electr-qumicas magnticas, superconductoras, etc.

Los parmetros experimentales de nuestros experimentos para producir nanopartculas metlicas en SiO2 son los siguientes [8,12]: * Usamos muestras de cuarzo (SiO2) de alta pureza. * Realizamos la implantacin de iones a temperatura ambiente: Tipo de ion: oro (Au), plata (Ag) o cobre (Cu). Energa: 2 MeV. Dosis: 11016 hasta 21017 iones/cm2 (cantidad de iones implantados). * Efectuamos tratamientos trmicos a las muestras despus de implantar: Temperaturas: 300C, 600C y 900C. Tiempo: 1 hora. Atmsferas utilizadas: - atmsfera reductora (50% N2+50% H2). - atmsfera oxidante (aire). Caracterizacin de las muestras: Absorcin ptica. Microscopa electrnica por transmisin.

Como ya dijimos, las propiedades pticas de las nanopartculas metlicas dependen de su tamao, forma y distribucin espacial dentro de la muestra [3]. Todos estos factores se pueden modificar al variar los parmetros experimentales de la implantacin (tipo de ion, dosis de implantacin, energa, corriente de haz) y de los tratamientos trmicos posteriores (temperatura, duracin y tipo de atmsfera utilizada). Nuestras investigaciones sistemticas nos han permitido lograr un mejor entendimiento de los mecanismos de crecimiento de las nanopartculas y un control de su tamao, forma y distribucin. Como ejemplo de los mtodos de caracterizacin utilizados para demostrar la formacin de nanopartculas en la muestra de cuarzo tenemos la absorcin ptica. Las nanopartculas metlicas absorben radiacin ptica a la longitud de onda correspondiente a la resonancia del plasmon de superficie. Este plasmon de superficie es una especie de huella digital que indica inequvocamente la existencia de nanopartculas en la muestra de cuarzo.

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http://www.revista.unam.mx/vol.6/num7/art65/int65.htm En el caso de nanopartculas de plata el pico del plasmon aparece a una longitud de onda alrededor de los 400 nm y su posicin exacta depende del dimetro, de la forma y de la distribucin de tamaos de las nanopartculas [6,9,12]. En la Fig. 8 se pueden observar los picos correspondientes al plasmon de superficie asociado a la presencia de nanopartculas. La intensidad de este plasmon de superficie aumenta con la dosis de Ag implantada, lo que significa que con una dosis mayor favorecemos la formacin de ms nanopartculas de plata. Un comportamiento similar ocurre al aumentar la temperatura de los tratamientos trmicos. Por otro lado, en el espectro de absorcin tambin podemos notar el efecto del tipo de atmsfera utilizada durante los recocidos. As, el plasmon de superficie es ms intenso, para una misma dosis de implantacin, cuando el tratamiento trmico se realiza en una atmsfera reductora. Esto significa que, comparada con la atmsfera oxidante, una atmsfera reductora promueve la formacin de una mayor cantidad de nanopartculas de plata. Otra tcnica de caracterizacin que nos permite corroborar la existencia de nanopartculas en nuestras muestras es la microscopa electrnica de transmisin de alta resolucin (HRTEM). En la Fig. 9 podemos observar que el tamao de las nanopartculas de plata es del orden de 2-3 nm de dimetro. Estos valores coinciden con los que calculamos a partir del ancho del pico del plasmon de superficie correspondiente. A partir de estudios ms detallados de las imgenes de HRTEM confirmamos adems que las nanopartculas presentan facetas. En conclusin, en el caso de nanopartculas metlicas hemos determinado correlaciones importantes entre los parmetros de implantacin y de tratamientos trmicos y su influencia en el dimetro y la distribucin de tamaos de las nanopartculas. Por otro lado, para nosotros no solamente es importante sintetizar nanopartculas con tamaos homogneos, sino que resulta esencial modificar en forma controlada su forma, ya que de sta dependen tambin sus propiedades. Recientemente hemos logrado modificar la forma de las nanopartculas metlicas, como lo demuestran los espectros de absorcin ptica. Todos estos resultados nos hacen pensar que en un futuro no muy lejano lograremos aplicar nuestras investigaciones de ciencia bsica hacia un desarrollo tecnolgico como son las guas de onda. Por todo lo que hemos discutido, es evidente que la nanotecnologa es una ciencia multi-disciplinaria, que involucra a la Biologa, la Qumica, la Ciencia de Materiales y la Ingeniera, con la Fsica como su eje fundamental. Nosotros, en el Instituto de Fsica de la UNAM, estamos desarrollando trabajos de gran calidad e inters cientfico, como la sntesis, caracterizacin y modificacin de nanopartculas metlicas y semiconductoras que, como ya lo dijimos, nos llevarn a potenciales aplicaciones tecnolgicas.

Para finalizar, podemos decir que sin lugar a dudas, la nanotecnologa ser la ciencia del siglo XXI y nos traer innumerables desarrollos en la industria electrnica y de la informacin, y en general en aplicaciones mdicas, industriales y medioambientales. La nanotecnologa no solamente est abriendo el camino a la prxima revolucin industrial, sino que el impacto social, cultural y econmico que tendr en nuestra vida diaria es apenas imaginable, ya que al igual que el automvil y la computadora, la nanotecnologa bien puede cambiar al mundo. 8 -xx

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