MEMORIAS RAM Y ROM

SISTEMAS DIGITALES UNPRG

DOCENTE : ING FRANK RODRIGUEZ CHIRINOS

MEMORIAS

A0...An (Bus de direcciones) D0...Di (Bus de Datos) CS (Chip Select) OE (Output Enable) R/W (Read/Write) VCC y GND (Alimentacin)

CARACTERSTICAS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS

Tiempo de Acceso
-Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operacin de lectura en la memoria y el instante en que se dispone de la primera informacin buscada. -En otras palabras es el tiempo requerido o necesitado para realizar cualquier operacin, sea lectura o escritura.

CARACTERSTICAS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS

Volatilidad
-Se dice que la informacin almacenada en una memoria es voltil siempre y cuando corra el riesgo de verse alterada en caso de que se produzca algn fallo de suministro de energa elctrica (memorias biestables). -No voltiles aquellas en las cuales la informacin, independientemente de que exista algn fallo en el fluido elctrico, permanece inalterada.

CARACTERSTICAS FUNDAMENTALES DE LAS MEMORIAS

Capacidad
-La capacidad de una memoria es el nmero de posiciones de un sistema, o dicho de otra manera, nmero de informaciones que puede contener una memoria. -La capacidad total de memoria ser un dato esencial para calibrar la potencia de un computador. La capacidad de la memoria se mide en mltiplos de byte (8 bits): kilobytes (1.024 bytes) y megabytes (1.024 kilobytes).

MEMORIAS

Capacidad de la Memoria. 1024 X 8 : Capacidad de 8192 bits. 1024 Numero de Palabras 8 Numero de Bits por palabra.

MEMORIAS
Mltiplos de 1K = 2 ^10 = 1024 Mltiplos de 1M 2 ^20 =1048.576. DIP 8k, 16k, 32k, 64k, 128k, o 8M, 16M, 32M, etc.

CLASIFICACION DE LAS MEMORIAS

RAM : Memorias de acceso aleatorio (Random Access Memories) ROM : Memorias de Solo Lectura (Read A Only Memories)

MEMORIAS RAM

Memorias de acceso aleatorio (Random Access Memories) Cualquier localidad de memoria puede ser accesada tan rpido como otra. Memorias temporales. (Dependiente de alimentacin).

TIPOS DE MEMORIA RAM

Dos grandes tipos de Memoria RAM:

- ESTATICAS (SRAM) - DINAMICAS (DRAM)

Ambas son temporales, Cada una de ellas posee ventajas y desventajas.

MEMORIAS ESTTICAS O SRAM.

Antigua y simple. La celda o unidad bsica de almacenamiento es el Flip Flop. FF transistores MOSFET La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a travs de las lneas laterales.

RAM ESTTICAS O SRAM.

Las celdas de memoria se agrupan en filas y columnas para conformar el arreglo bsico de la memoria. Cada una de las filas se habilita de forma simultnea para recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida.

RAM DINAMICA O DRAM.

DRAM (Dinamic Random Access Memory). Se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a las celdas a base de transistores

RAM DINAMICA O DRAM.

La operacin de la celda es similar a la de un interruptor. inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la informacin almacenada en las celdas. Necesita refresco. Circuitera Adicional.

COMPARACION ENTRE SRAM Y DRAM

Memoria Ventajas Desventajas

SRAM

La velocidad de acceso es alta. Para retener los datos solo necesita estar energizada. Son mas fciles de disear. Mayor densidad y capacidad. Menor costo por bit. Menor consumo de potencia.

Menor capacidad, debido a que cada celda de Almacenamiento requiere mas transistores. Mayor costo por bit. Mayor consumo de potencia

La

DRAM

velocidad de acceso es baja. Necesita recargar de la informacin. almacenada para retenerla. Diseo complejo.

APLICACIONES DE LAS MEMORIAS

Necesidad de almacenamiento en telfonos celulares, televisores, equipos de sonido ,equipos de video, etc. La memoria RAM es uno de los componentes ms importantes en un computador. - Se utilizan en sistemas interactuando con microprocesados, microcontroladores. - En los computadores se utiliza como memoria de Cache y memoria de vdeo.

APLICACIONES DE LAS MEMORIAS

SIMM y DIMM que contienen 8, 16, 32, 64 o 128 MB cada una.

MEMORIA SRAM - MCM6264C

Motorola desarrollada con tecnologa CMOS. 8K x 8. R/W 12 ns Potencia 100 mW

MEMORIA DRAM 4116

DRAM de 16K x 1 arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de los bits se ubican con una direccin de 14 bits.

MEMORIAS ROM

Memorias de solo lectura (Read Only Memory). Son dispositivos en los cuales el almacenamiento de los bits, permanecen aunque la energa de alimentacin se desconecte (almacenamiento constante). Podemos encontrar varios tipos de ROM, entre los que mencionamos: OTP, PROM, EPROM, EEPROM.

TIPOS DE MEMORIA ROM

OTP (One Time Programable). Es una memoria que viene grabada desde el fabricante. PROM (memoria inalterable programable): Un PROM es un chip de memoria en la cual usted puede salvar un programa. Pero una vez que se haya utilizado el PROM, usted no puede reusarlo para grabar algo ms. Los PROMS son permanentes.

TIPOS DE MEMORIA ROM

EPROM (memoria inalterable programable borrable): Es un tipo especial de ROM que puede ser borrado exponindolo a la luz ultravioleta.

EEPROM (elctricamente memoria inalterable programable borrable): Es un tipo especial de ROM que puede ser borrado y grabado ponindole niveles de voltaje adecuados en sus pines.

ARQUITECTURA DE MEMORIA ROM

APLICACIN:BIOS DE COMPUTADORES

Almacenamiento de cdigos de programas para el momento del arranque de dispositivos que utilizan microprocesadores. Los Computadores vienen con una memoria ROM, donde se encuentran alojados los programas del BIOS (Basic Input Output System).

APLICACIN: FUNCIONES MATEMTICAS Y GENERADORES DE SEALES

Existen memorias que almacenan funciones trigonomtricas y hallan el resultado con base en el valor binario introducido en el bus de direcciones.

MEMORIAS PROM - 74S473

Presenta un pin de alimentacin (pin 20) y un pin de tierra (pin 10). 20 pines tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits cada palabra.

MEMORIA EPROM - 27C16B

24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir 2KB. Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos con el mismo bus de datos.

MEMORIA FLASH - 27F256

La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la caracterstica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de programacin por byte es de 100 ms y el tiempo de retencin de la informacin es de aproximadamente 10 aos.

ASOCIACION DE MEMORIAS
AMPLIACION DE CAPACIDAD AMPLIACION DE ANCHO DE PALABRA

ASOCIACION DE MEMORIAS

AMPLIACION DE CAPACIDAD
1K * 8
A9
A8 I0 7 I0 6

M1
A10 A0 WE I0 0 A9

2K * 8
I0 7 I0 6

M3
A0 I0 7 I0 6 WE I0 0

1K * 8
A9 A8

M2
A0 WE I0 0

AMPLIACION DE CAPACIDAD
AMPLIACION DE LA CAPACIDAD(2K*8)
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 WE U1 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U2 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

ASOCIACION DE MEMORIAS

AMPLIACION DE ANCHO DE PALABRA

1K * 8
A9
A8 I0 7 I0 6

M1
A9 A0 WE I0 0 A8

1K * 16 M3
A0 I0 7 I0 6 WE

I0 15

I0 8
I0 7 I0 0

1K * 8
A9 A8

M2
A0 WE I0 0

AMPLIACION DE ANCHO DE PALABRA

BANCO DE MEMORIAS(4K*8)
BANCO DE MEMORIA DE 4K*8
U5 74LS139
A1a A0a Ea Q3a Q2a Q1a Q0a Q3b Q2b Q1b Q0b

A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

A1b A0b Eb

WE

U1 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U2 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U3 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U4 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

BANCO DE MEMORIAS(4K*16)
BANCO DE MEMORIA DE 4K*16
Q3a A1a Q2a A0a Q1a Ea Q0a Q3b A1b Q2b A0b Q1b Eb Q0b

U5 74LS139

A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

WE

U1 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U2 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U3 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U4 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U9 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U8 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U7 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

U6 1K RAM
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS WE IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0

IO15 IO14 IO13 IO12 IO11 IO10 IO9 IO8 IO7 IO6 IO5 IO4 IO3 IO2 IO1 IO0