18/06/2013

Fotorresistencias (LDRs) Principio de Funcionamiento: Las fotorresistencias (LDRs, Light Dependent Resistors, resistencias dependientes de la luz) son sensores resistivos basados en semiconductores empleados para la medida y deteccin de radiacin electromagntica. Esta constituido por un bloque de material semiconductor sobre el que puede incidir la radiacin y dos electrodos metlicos en los extremos.

Figura 1. (a) Estructura de una LDR fabricada con un material semiconductor fotosensible; (b) smbolo elctrico.

La conductividad en los semiconductores depende del numero de portadores de carga capaces de moverse. En el caso de la radiacin electromagntica, si un fotn de frecuencia v y energa Ep (Ep= h. v, donde h es la constante de Planck) incide sobre un electrn, puede ocurrir que la energa absorbida por este sea superior a la energa de la banda prohibida EG. La energa necesaria para llevar a cabo este proceso obliga a que Ep>Eg. Eg es una constante que depende del tipo de semiconductor g < hc/Eg Siendo c la velocidad de la luz en el vacio. Esta expresin establece una longitud de onda mxima.

Ejercicio: Calcule la mxima longitud de onda que permite la transicin de electrones en un material semiconductor como el CdS, donde Eg= 2,4eV y en CdSe con Eg= 1,8eV 1eV=1,602x10-19 J h=6,626x10-34 Js c=3x108 m/s g < hc/Eg g < 517nm El CdS detecta longitudes de onda mas cortas que 517nm El CdSe se obtiene g < 689nm

La sensibilidad del material de la LDR se puede definir como el numero de electrones generados por un fotn y se calcula como:

s=Vn n/d
Donde d es la distancia entre los electrodos, V es la tensin aplicada, n es la movilidad de los electrones y n es el tiempo de vida del electrn antes de que se recombine. Ejercicio: Calcule la sensibilidad de un material fotorresistivo al que se aplica la tensin de 1V conociendo que: n= 290cm2/Vs, n=10-3s, d=0,1mm Respuesta: s=2900, la sensibilidad puede ser muy alta, un simple foton puede liberar 2900 electrones para la conduccion.

Tipos y Construccin Consiste en una fina capa semiconductora dispuesta sobre un sustrato cermico o plstico, la pelcula semiconductora describe una pista en zig-zag con contactos metlicos en los extremos. Materiales: Sulfuro de cadmio (CdS) Seleniuro de cadmio (CdSe) Caractersticas: Respuesta relativamente lenta (50ms) Tensin mxima 600V Cada compuesto presenta un espectro de deteccin caracterstico.

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Donde L es la iluminacin (en lux), es una constante que depende del material, RL y Ro son las resistencias a los niveles de luz L y Lo respectivamente.

Figura 2. LDR con una pista en zig-zag de ,material resistivo Modelo de la LDR La relacin entre la resistencia de la LDR y la iluminacin L se muestra a partir de:

L RL = R0 0 L

Figura 3 Relacin resistencia-iluminacin en un LDR. La diferencia entre la resistencia con niveles altos de luz y en la oscuridad es muy alta (la relacin es mayor de 10.000) y la sensibilidad para bajos niveles de iluminacin es muy acusada.

Parmetro Ro Tensin mxima Potencia mxima Tiempo de respuesta

Valores tpicos 2K-200K @ 10lux 0,7-1,5 100V-150V 50mW-1W >10ms a varios s.

Acondicionamiento:

Tabla 1. valores tpicos de los parmetros de las LDRs. Aplicaciones: - La medida de luz (fotometra) - Deteccin de cambios de luz.
vo =

R L R + Ro o L

R=

1 RL +1 C
V 2 1 L c 4

S( LC ) =

V < 2 TR

Recomendaciones: Los dispositivos tengan alta resistencia para niveles de iluminacin intensos, y baja resistencia para niveles dbiles.

Ejercicio: Se desea controlar mediante una LDR una lmpara, de forma que se encienda cundo la luz ambiente descienda por debajo de los 20 lux. La lmpara esta gobernada por un actuador que deber recibir una seal superior a 3V para proceder a su encendido. Se proporcionan como datos de la LDR: Ro=10000@10lux y =1.

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L RL = R0 0 L

R20= 10000(10/20)= 5000 Utilizar un amplificador inversor con V1=-1 y la LDR en la rama de realimentacin.

La resistencia de entrada R necesaria para que a la salida se obtenga 3V a partir de R20 es : Vo= -Vin (R2/R1) 3=-(R20/R)(-1) R=1,6K