Introduccin La idea de realizar dispositivos semiconductores en una delgada capa de silicio, que sea mecnicamente soportado por una

sustrato aislante, ha permanecido durante varias dcadas. La primera descripcin de un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET por sus siglas en ingls (insulated-gate-field-effect-transistor), que ms tarde fue desarrollado hasta convertirse en los modernos transistores de efecto de campo metal-oxido-semiconductor MOSFET