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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

Teora de bandas de energa en los cristales

Materia y tomos

Nmeros cunticos
n n

n : nmero cuntico principal (capa) l : momento angular orbital (forma de la rbita) ml : magntico orbital (orientacin de la rbita) ms: Espin (sentido de giro)

Principio de exclusin de Pauli

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Teora de bandas de energa en los cristales

Materia y tomos

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Teora de bandas de energa en los cristales

Materia y tomos

E3 E2 E1

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Teora de bandas de energa en los cristales

Estructura de bandas del estado slido

Ec E3 E2 Ev E1

Los Los niveles niveles de de energa energa en en los los tomos tomos forman forman bandas de energa en los cristales bandas de energa en los cristales

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Teora de bandas de energa en los cristales

Clasificacin de la materia desde el punto de vista de su comportamiento elctrico

E Ecc E Ec c E Ev v E E v v E E1 1

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Teora de bandas de energa en los cristales

Aislante

Conductor muy malo de la electricidad

n n n

Banda de valencia llena Muy separadas Banda de conduccin vaca Banda prohibida no tiene estados cunticos

Requiere gran cantidad de suministro de energa para conducir

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Teora de bandas de energa en los cristales

Semiconductor

Conductor mediano de la electricidad

n n n

Banda de valencia llena a 0K Banda de conduccin vaca Banda prohibida no tiene estados cunticos
Ge: Si:
EG (T ) = 0,785 2,23 10 4 T E G (T ) = 1,21 3,6 10 4 T

Ancho de la banda prohibida

EG (T ) = EGO kT

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Teora de bandas de energa en los cristales

Estructura de bandas de un semiconductor Aislante

Estados cunticos vacos

Semiconductor

Electrn libre

Estados cunticos ocupados

Electrn ligado

Hueco

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Teora de bandas de energa en los cristales

Metal

Buen conductor de la electricidad

n n

Banda de valencia Banda de conduccin

se solapan

No existe banda prohibida

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Teora de bandas de energa en los cristales

Estructura cristalina de metales y semiconductores

Cristal.
Sistema espacial de tomos o molculas (iones) construido por la repeticin sistemtica en las tres direcciones del espacio de alguna unidad estructural fundamental .

Estructura cristalina
Est caracterizada por la energa potencial que es funcin peridica del espacio y su valor en cualquier punto es la contribucin de todos los tomos que la componen.

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Teora de bandas de energa en los cristales

Estructura cristalina de metales y semiconductores

Nmero de tomos en un cristal

A d N= Pa

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Teora de bandas de energa en los cristales

Ejercicio 1. En ocasiones es necesario conocer la densidad de tomos que tiene la red cristalina de un metal o semiconductor, bien para calcular la densidad electrnica, la energa del nivel de Fermi, etc. y no se dispone del dato. Pero mediante el nmero de Avogadro y el peso atmico y la densidad o peso especfico del elemento, podremos calcularlo. Calcular la concentracin atmica de los elementos que figuran en la tabla.
DATOS Elemento Peso atmico (g/mol) Carbono (C) Silicio (Si) Germanio (Ge) Estao (Sn) 12,01 28,1 72,6 118,69 (g /cm ) 3,51 2,33 5,32 7,3
3

INCOGNITAS Densidad Nde Avogadro (molculas/ mol) 6,023E+23 6,023E+23 6,023E+23 6,023E+23 (tomos/cm )
3

Concentracin

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CONDUCCION EN METALES
Campo de energa potencial en un metal tomo aislado

Dos tomo contiguos

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CONDUCCION EN METALES
Campo de energa potencial en un metal

Electrn emitido

Barrera Barrera de de energa energa potencial potencial

Electrn libre

Red de tomos
Electrn ligado
Pozo de energa potencial

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CONDUCCION EN METALES
Gas de electrones
n n

Movimientos errticos Colisiones inelsticas

Prdidas de energa Cambio de direccin (igual probabilidad)

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CONDUCCION EN METALES
Gas de electrones n Recorrido libre medio n Corriente media NULA n Aplicacin de un campo elctrico w Aumento indefinido de la velocidad de los electrones, si no fuera por las colisiones con los iones

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CONDUCCION EN METALES
Aplicacin de un campo elctrico
n

Velocidad de arrastre Densidad de corriente Conductividad

v = E J = v

= = q n

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CONDUCCION EN METALES
Ejercicio 2. Calcular las caractersticas de conduccin de un metal que se indican de acuerdo con los datos que se aportan.
DATOS Elemento Dimetro ( c m ) Resistencia especfica ( o h m i o / c m ) Corriente (A) Peso atmico ( g / m o l ) Densidad (g /cm ) Electrones de valencia Nde Avogadro ( m o l c u l a s / m o l )
3

INCOGNITAS
C o b r e ( C u ) Densidad de corriente ( A / c m 0,103 Velocidad de arrastre ( c m / s ) 2 , 1 4 E - 0 4 Campo elctrico ( V / c m ) 1,50 Movilidad (cm /V.s) 63,54 Conductividad ( o h m i o x c m ) 8,92 1 6,023E+23
-1 2 2

1,80E+02 1,331E-02 3,210E-04 4,15E+01 5,61E+05

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CONDUCCION EN METALES
Ejercicio 3. Es correcta esta expresin de la conductividad elctrica de un metal?

n q2 t = m
siendo n la concentracin electrnica, q la carga del electrn, t el tiempo y m la masa del electrn.

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CONDUCCION EN METALES
Distribucin en energa de los electrones libres en un metal
n

Funcin de distribucin de energa o densidad de electrones por unidad de energa

E = f (E ) N (E )
n

Densidad de estados cunticos por unidad de energa

N (E ) = E 2
n

Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac

f (E )

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CONDUCCION EN METALES
Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac n Probabilidad de que un estado cuntico de energa E est ocupado por un electrn, tambin especifica la fraccin de todos los estados de energa E ocupados en condiciones de equilibrio trmico

f (E ) =

1 1+ e
E EF KT

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CONDUCCION EN METALES
Ejercicio 4. Demostrar que la probabilidad de que est ocupado un estado cuntico de nivel de energa E por encima del nivel de Fermi es la misma que la de estar vaco un estado de nivel de energa E por debajo del de Fermi. Calcular la probabilidad de encontrar electrones en los niveles de energa 0,1 eV por encima y por debajo del nivel de energa de Fermi, a las temperaturas de 0K, 150K, 300K y 1500K.

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CONDUCCION EN METALES
Densidad electrnica en un metal. n Representa el nmero de electrones libres por unidad de volumen con energas comprendidas entre dos valores dados. n Expresin:

nE = E dE
E2 E1

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CONDUCCION EN METALES
Ejercicio 5. Calcular la densidad electrnica en el tungsteno metlico cuyos electrones tengan energas comprendidas entre 8,6 y 8,7 eV a las temperaturas de 0K y 2.000K.

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN METALES
Funcin de distribucin de energa completamente degenerada
La probabilidad de encontrar un estado cuntico ocupado de energa superior a E F , en el cero grados absoluto, es NULA

E> EF f (E)= 0 E= 0 T= 0K E< EF f (E)= 1 E= E 1/2

Todos los niveles cunticos de energa inferiores a E F, en el cero grados absoluto, estn OCUPADOS

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN METALES
Ejemplo. Funcin de distribucin de energa de los electrones en el tungsteno metlico.
E = E
E = 1 2 E
1 2

1 2

El efecto de la temperatura es dar ms energa El efecto de la temperatura es dar ms energa al que ms tiene; prcticamente no perturba a al que ms tiene; prcticamente no perturba a los electrones con energas ms bajas los electrones con energas ms bajas

La Lacaracterstica caractersticams msimportante importanteque quepodemos podemosdestacar destacares esque quela la funcin de distribucin vara muy ligeramente con la temperatura. funcin de distribucin vara muy ligeramente con la temperatura.

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CONDUCCION EN METALES
Funcin de distribucin de energa completamente degenerada

Energa Energa de de Fermi Fermi

Concentracin Concentracin electrnica electrnica

3n EF = 2

2 3

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CONDUCCION EN METALES
Ejercicio 6. La energa del nivel de Fermi, energa caracterstica de un cristal, se calcula recurriendo a la funcin de distribucin de energa completamente degenerada, ya que sta nos da la totalidad de electrones libres que hay en el cristal, cuyas energas estarn comprendidas entre cero y la de Fermi . Con los DATOS que se dan calcular las INCGNITAS.
DATOS
Elemento (cristal) Peso atmico (g/mol) Densidad (g/cm
3

INCOGNITAS
Cobre (Cu) Concentracin electrnica (e/m
3

8,46E+28 7,02

63,54 Energa del nivel de Fermi (eV) 8,92 1 6,023E+23 6,82E+27

Electrones de valencia N de Avogadro (molculas/mol) Gamma (m

-3 -3/2

. eV

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CONDUCCION EN METALES
Ejercicio 7. Demostrar que la energa media de los electrones de un metal en el cero absoluto es 3EF/5.

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN METALES
Resumen de conceptos
n n

Los electrones libres en un metal, incluso en el cero absoluto de temperatura (0K), poseen energa, correspondiente al estado cuntico que ocupan. Todos los metales poseen un nivel energtico caracterstico, nivel de energa de Fermi (EF) , que determina la probabilidad de que un electrn est ocupando un estado cuntico de energa E determinado, segn exige el Principio de Incertidumbre.
w La probabilidad de que un electrn ocupe este nivel es de . w En el cero absoluto de temperatura (0K) todos los estados cunticos de un metal

por debajo del nivel de Fermi estn ocupados y por encima de este nivel estn todos vacos. w La temperatura favorece a los electrones ms rpidos (con mayor energa) y los lleva a ocupar estados cunticos por encima del nivel de Fermi. De todas formas, la temperatura no afecta a la mayora de los electrones libres cuyos estados cunticos estn por debajo del nivel de Fermi (Principio inorgnico de seleccin natural) w La probabilidad de que un estado cuntico a determinada distancia por encima del nivel de Fermi est ocupado es la misma de que un estado cuntico por debajo y a la misma distancia anterior del nivel de Fermi est vaco. Por tanto, las probabilidades de que ambos estados estn ocupados son complementarias.

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN METALES
Funcin trabajo de un metal n Mnima energa que deba comunicarse al electrn ms rpido en el cero absoluto de temperatura, para que pueda escapar del metal, superando la barrera de potencial n EW = E B- E F

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CONDUCCION EN METALES
Potencial de contacto n La diferencia de tensin que se genera entre dos puntos muy prximos de los extremos de dos metales unidos mediante una superficie de contacto n Condicin de equilibrio: E 12= E W2- E W1 1 + V12 2 _