Transparencias SRD

p ag.
1
UNIVERSIDAD DE GRANADA
INGENIERO DE TELECOMUNICACI
ON
SISTEMAS DE
RADIOCOMUNICACI

ON
Angel de la Torre Vega

Dpto. Teora de la Se nal, Telem atica y Comunicaciones
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ON -

Angel de la Torre - TSTC - UGR p ag. 2
ORGANIZACI

ON DE LA ASIGNATURA
ORGANIZACI

ON DE LA ASIGNATURA

Angel de la Torre - TSTC - UGR Organizaci on de la asignatura p ag. 3
Asignatura: SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI
ON (SRD)
Titulaci on: Ingeniero de Telecomunicaci on
Tipo de asignatura: Troncal de 4
o
curso, 2
o
cuatrimestre
Carga lectiva: Teora: 4.5 cr ed. (45 horas). Pr acticas: 1.5 cr ed. (15 horas)
Profesor:

Angel de la Torre Vega
Dpto: Teora de la Se nal, Telem atica y Comunicaciones
Ubicaci on: E.T.S.I.I.T., planta 2, despacho 22
Evaluaci on Teora: Examen nal de teora y problemas
Evaluaci on Pr acticas: Trabajo en laboratorio y memoria de pr acticas (examen)
Material: http://www.ugr.es/atv
Horario:
Teora: Aula 1.1
Martes de 9 a 10
Mi ercoles de 10 a 11
Jueves de 10 a 11
Pr acticas: Laboratorio 2.5
Jueves de 16 a 18
(semanas alternas)
CONTENIDOS

TEOR
IA:
Tema 1: Introducci on a los sistemas de radiocomunicaci on
Tema 2: Componentes pasivos en radiofrecuencia
Tema 3: Circuitos resonantes y adaptaci on de impedancias
Tema 4: Amplicadores sintonizados en radiofrecuencia
Tema 5: Osciladores
Tema 6: Redes PLL y sintetizadores de frecuencia
Tema 7: Mezcladores
Tema 8: Circuitos y sistemas para modulaci on lineal y angular
Tema 9: Receptores para AM, FM y PM
Tema 10: Amplicadores de potencia
PR
ACTICAS:
Pr actica 1: Osciladores
Pr actica 2: PLLs integrados
Pr actica 3: Mezcladores integrados
Pr actica 4: Transmisi on AM/FM
RELACI

ON CON OTRAS ASIGNATURAS

Plan de estudios: BOE 21 de Enero de 2004
Materia troncal: Radiaci on y radiocomunicaci on
Asignatura troncal 1: Sistemas de radiocomunicaci on
Asignatura troncal 2: Propagaci on y antenas
Asignaturas relacionadas:
Asignatura tipo curso cuat.
An alisis de circuitos troncal 1 1
Dispositivos electr onicos (I y II) troncales 1 y 2 2 y 1
Electr onica anal ogica troncal 2 1c
Comunicaciones troncal 3 1
Dise no y receptores de radio optativa 3 2
Dise no de circuitos y sistemas electr onicos troncal 4 1
Antenas y propagaci on troncal 4 2
Transmisi on por soporte fsico troncal 4 2
Circuitos integrados para comunicaciones optativa 4 2
Radionavegaci on y radiolocalizaci on optativa 5? ??
Circuitos de radiofrecuencia y microondas optativa 5? ??
BIBLIOGRAF
IA RECOMENDADA

H.L. Krauss, C.W. Bostian, F.H. Raab: Solid State Radio Engineering. John Wi-
ley & Sons, 1980.
H.L. Krauss, C.W. Bostian, F.H. Raab: Estado S olido en Ingeniera de Radiocomuni-
caci on. Limusa, 1984.
D.O. Pederson, K. Mayaram: Analog Integrated Circuits for Communication. Kluwer
Academic Publishers, 1991.
D. Roddy, J. Coolen: Electronic Communications. Prentice Hall, 1984.
P. Young: Electronic Communication Techniques. Macmillan Publishing Group, 1994.
M. Sierra-P erez, J. Garca de la Calle, J. Riera Sals, F. Garca Mu niz: Electr onica de
Comunicaciones. Servicio de Publicaciones de la ETSIT, Universidad Polit ecnica de
Madrid, 1994.
U. Rhode, T. Bycher: Communication Receivers. MacGraw-Hill, 1996.
A.B. Carlson, B.P. Crilly, J.C. Rutledge: Communication Systems: an Introduction to
Signal and Noise in Electrical Communications. McGraw-Hill, 2002.
B.P. Lathi: Modern digital and analog communication systems. Holt, Rinehart and
Winston, Inc. 1989.
J.G. Proakis, M. Salehi: Communication System Engineering. Prentice-Hall, 2002.
M. Fa undez Zanuy: Sistemas de comunicaciones. Marcombo. 2001.

Tema 1:
INTRODUCCI

ON A LOS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI

ON
Tema 1: INTRODUCCI

ON A LOS

Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci on p ag. 2
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI

ON
1.1.- Objetivos de la asignatura
1.2.- Sistemas de comunicaci on
1.3.- Modulaci on
1.4.- Sistemas de radiocomunicaci on
1.5.- Caractersticas y elementos del emisor
1.6.- Caractersticas y elementos del receptor
1.1.- OBJETIVOS DE LA ASIGNATURA

Estudio de los sistemas electr onicos usados en radiocomunicaci on:
An alisis y dise no de los sistemas electr onicos
Transmisores
Receptores
Subsistemas y conexi on
No veremos an alisis ni dise no de antenas
No veremos propagaci on de ondas electromagn eticas
Descriptores (plan de estudios):
Sistemas de radiocomunicaci on: clases y caractersticas
Electr onica de comunicaciones
Elementos y subsistemas para emisi on y recepci on
1.2.- SISTEMAS DE COMUNICACI

ON

Origen: genera el mensaje (audio, vdeo,...).
Transductor de entrada: convierte el mensaje de entrada en se nal el ectrica (se nal en
banda-base).
Transmisor: adapta la se nal para transmisi on por el canal (conversi on A/D, modu-
laci on, pre- enfasis, etc.).
Canal: medio transmisi on (radioel ectrico o fsico), con atenuaci on, distorsi on y ruido.
Receptor: deshace las operaciones efectuadas por el transmisor.
Transductor de salida: proporciona el mensaje en su forma original (audio, vdeo,...).

EFECTOS DEL CANAL:
Distorsi on lineal: Provocada por la caracterstica de ltro del canal:
Aten ua las distintas componentes de frecuencia.
Desfasa las distintas componentes de frecuencia.
Distorsi on no lineal: Si la atenuaci on depende de la amplitud de la se nal.
Ruido: Se nal aleatoria e impredecible a nadida a la se nal transmitida:
Externo: m aquinas el ectricas, iluminaci on, tormentas, etc.
Interno: movimiento de electrones, difusi on y recombinaci on de portadores, etc.
RELACI
ON SE
NAL - RUIDO (SNR):

SNR: Relaci on entre la potencia de la se nal y la potencia del ruido.
La SNR disminuye a lo largo del canal:
Cada vez m as potencia de ruido.
Cada vez menos potencia de se nal (por atenuaci on).
SNR de la se nal transmitida y SNR de la se nal en banda base.
1.3.- MODULACI

ON

Transmisi on de informaci on:
Informaci on a transmitir: voz, m usica, im agenes, texto, vdeo, datos procedentes de
instrumentos de medida...
Informaci on representada mediante se nales el ectricas (transducci on).
Forma de onda de las se nales el ectricas puede ser compleja, as como la relaci on con la
informaci on que representan.
Las se nales tienen un ancho de banda especco:
Voz calidad telef onica: de 350 Hz a 3500 Hz
Audio HiFi: de 20 Hz a 20 kHz
Vdeo: 6 MHz
Problemas de la radiotransmisi on en banda base:
Ecacia de radiaci on: f = 1kHz =
c
f
= 300km antenas > 30 km!!!
Distorsi on lineal del canal
Por un canal s olo puede transmitirse una se nal
SOLUCI
ON: MODULACI
ON

Transformamos la se nal para adaptarla al canal (y hacer m as ecaz la transmisi on).
La modulaci on desplaza la frecuencia de las se nales.
Ventajas:
Transmisi on m as eciente
Menor efecto de distorsi on lineal
Dependiendo de t ecnica de modulaci on, mayor robustez al ruido
Posibilidad de transmitir varias se nales simult aneamente
Ejemplo: radiodifusi on FM
Banda de audio: 50 Hz - 15 kHz.
Se modulan deniendo canales de 150 kHz de ancho de banda.
Separaci on entre canales: 200 kHz.
Rango FM de radiodifusi on: 88 MHz - 108 MHz.
Ventajas:
Antenas ecientes: para 100 MHz = 3 m (antena de 75 cm).
La distorsi on lineal afecta menos (f/f = 1,5 10
3
).
El ruido afecta menos (intercambio SNR - ancho de banda).
Transmisi on simult anea de varios canales (multiplexaci on por divisi on de frecuen-
cia). Entre 88 MHz y 108 MHz caben 100 canales.
1.4.- SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI

ON

Estudio de sistemas de radiocomunicaci on
Sistemas electr onicos para transmitir se nales el ectricas por radio:
An alisis y dise no de transmisores.
An alisis y dise no de receptores.
La transmisi on por radio requiere modulaci on:
Se nal de alta frecuencia: portadora
Se nal de baja frecuencia a transmitir: modulante
La modulaci on consiste en modicar alg un par ametro de la portadora, de acuerdo
con el valor instant aneo de la modulante:
Modulaci on de amplitud (AM): se modica la amplitud de la portadora
Modulaci on de frecuencia (FM): se modica la frecuencia de la portadora
Modulaci on de fase (PM): se modica la fase de la portadora
La recepci on de se nales de radio requiere demodulaci on:
Obtener la se nal modulante a partir de la se nal modulada
Seleccionar canales
Evitar interferencias
MODULACI
ON AM Y FM:

DIAGRAMA DE BLOQUES DE TRANSMISOR DE RF:

DIAGRAMA DE BLOQUES DE RECEPTORES DE RF:

Receptor de galena
Receptor sintonizado
EL RECEPTOR SUPERHETERODINO:

Problema del receptor cuando se transmiten varias se nales:
Es necesario hacer ltrados selectivos para recibir un canal sin interferencias de los
canales adyacentes
El ltrado debe modicarse para cambiar de canal
Es difcil dise nar ltros muy selectivos y sintonizables
Soluci on: el receptor superheterodino
Filtrado sintonizable (no muy selectivo) en RF
Conversi on a frecuencia intermedia (sintonizable)
Filtrado muy selectivo (ltro jo) en frecuencia intermedia
Detecci on en frecuencia intermedia
De este modo, se puede aplicar un ltro muy selectivo a cualquier canal
Como ventaja adicional, la amplicaci on se hace en distintas frecuencias (RF, IF, BB)
lo que permite distribuir la ganancia y evitar inestabilidades (oscilaciones)
DIAGRAMA DE BLOQUES DEL RECEPTOR SUPERHETERODINO:

ELIMINACI
ON DE LA FRECUENCIA IMAGEN:

Para desplazar la se nal modulada de RF (f
C
) a IF (f
IF
), debemos multiplicar por una
portadora local de frecuencia f
LO
= f
C
+f
IF
(o bien de frecuencia f
LO
= f
C
f
IF
).
El oscilador local desplaza a IF tanto la frecuencia f
LO
f
IF
como f
LO
+ f
IF
.
La frecuencia f
C
+2f
IF
= f
LO
+f
IF
(o bien la frecuencia f
C
2f
IF
= f
LO
f
IF
)
se denomina frecuencia imagen, y se traslada, junto con la frecuencia de inter es, a la
frecuencia intermedia, produciendo interferencias.
El ltrado en RF es necesario para evitar que se solapen en IF las se nales correspondi-
entes al canal sintonizado y su frecuencia imagen.
La selectividad requerida en el ltro depende de la frecuencia intermedia (debe ser m as
selectivo cuanto menor es f
IF
)
INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:

INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:

RECEPTOR SUPERHETERODINO DE DOBLE CONVERSI
ON:

Si por los requerimientos del dise no es necesaria una frecuencia intermedia baja (para
tener m as selectividad) y una gran selectividad en RF, se puede realizar una doble con-
versi on:
1.5.- CARACTER
ISTICAS Y ELEMENTOS DEL EMISOR


CARACTER
ISTICAS DEL EMISOR

Frecuencia de emisi on f
C
:
Condiciona el dise no del emisor
Depende del tipo de transmisi on, del canal, etc.
Est a regulada por organismos: CCIR (Comit e Consultivo Internacional de Radioco-
municaciones), ITU (Uni on Internacional de Telecomunicaciones), IFRB (Interna-
tional Frequency Registration Board), etc.
La frecuencia real se desva de la nominal debido a derivas (por temperatura, tensi on
de alimentaci on, envejecimiento del equipo, etc.). La deriva f se mide en Hz o bien
se mide el cociente f/f
C
en partes por mill on.
Tipo de modulaci on y ancho de banda:
Estas caractersticas est an ligadas.
El tipo de modulaci on depende de la se nal a transmitir, calidad requerida, compleji-
dad de los equipos, alcance requerido, ancho de banda disponible, etc.
El ancho de banda depende del tipo de modulaci on y las caractersticas de la se nal a
transmitir.

Potencia de emisi on: condiciona el alcance. Est a limitada por las interferencias que
pueden producir.
Emisiones espurias: es una emisi on no deseada dentro o fuera de la banda util. Se deben
a comportamientos no lineales, sobremodulaci on, oscilaciones par asitas, arm onicos, in-
termodulaci on, etc.
ELEMENTOS DEL EMISOR
Oscilador: Genera la portadora, de frecuencia y amplitud jas y estables.
Modulador: Modica alguna caracterstica de la portadora de acuerdo con el valor de la
se nal a transmitir.
Amplicador de potencia: Eleva la potencia de la se nal para lograr una transmisi on
eciente.
Redes de acoplo: Adaptan impedancias para conseguir m axima transferencia de poten-
cia (de especial importancia entre el amplicador de potencia y la antena).
Multiplicadores de frecuencia: Permiten obtener osciladores de la frecuencia deseada a
partir de osciladores estables de baja frecuencia.
Circuitos de protecci on de la etapa de potencia: Evitan que se queme la etapa de poten-
cia por variaciones en la impedancia de carga de la antena.
1.6.- CARACTER
ISTICAS Y ELEMENTOS DEL RECEPTOR


CARACTER
ISTICAS DEL RECEPTOR

Sensibilidad:
Es la capacidad de extraer la se nal util de la se nal recibida.
La sensibilidad se dene como el nivel de entrada (en microvoltios) necesario para
conseguir una determinada relaci on se nal-ruido a la salida (usualmente 20 dB).
Condiciona, por tanto, el alcance y la potencia del transmisor necesarios para es-
tablecer la comunicaci on.
Selectividad: Capacidad para separar la se nal util de una se nal no deseada pr oxima en
frecuencia (canales adyacentes).
Fidelidad: Mide la calidad de la se nal proporcionada por el emisor (la SNR asociada a
la distorsi on entre la se nal de entrada del emisor y la se nal de salida del receptor).

ELEMENTOS DEL RECEPTOR
Amplicador de radiofrecuencia: Amplica la se nal captada por la antena.
Demodulador: Extrae la informaci on que lleva la portadora. Pueden ser coherentes o no
coherentes.
Redes de acoplo: Para m axima transferencia de potencia.
Control autom atico de ganancia (AGC): Posibilita la recepci on independientemente del
nivel de la se nal recibida.
Control autom atico de frecuencia: posibilita la recepci on independientemente de derivas
en el emisor.
Silenciador (squelch): suprime la salida del amplicador de BB en ausencia de se nal,
para evitar amplicar ruido (amplicado, adem as, por el AGC).

Tema 2:
COMPONENTES PASIVOS
EN RADIOFRECUENCIA
Tema 2: COMPONENTES PASIVOS EN

Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p ag. 2
RADIOFRECUENCIA
2.1.- Introducci on
2.2.- Impedancia y admitancia complejas
2.3.- Resistencia y autoinducci on de un hilo
2.4.- Modelo de resistencia en RF
2.5.- Modelo de condensador en RF
2.6.- Modelo de bobina en RF
2.7.- Ruido t ermico en componentes pasivos
2.1.- INTRODUCCI

ON

El comportamiento ideal de los componentes pasivos es:
Resistencia: Z
R
= R
Capacidad: Z
C
=
1
jC
=
1
Cs
Autoinducci on: Z
L
= jL = Ls
Sin embargo, en radiofrecuencias el comportamiento puede diferir mucho del ideal de-
bido a elementos par asitos.
Estos efectos son despreciables a bajas frecuencias, pero no en RF.
Algunos de los efectos dependen de c omo est a construido el componente.
Dependiendo del rango de frecuencias debemos elegir los componentes adecuados y
tomar ciertas precauciones.
En este tema analizamos el comportamiento de los componentes pasivos en RF (re-
sistencias, condensadores y bobinas y sus modelos equivalentes).
2.2.- IMPEDANCIA Y ADMITANCIA COMPLEJAS

Componentes lineales: la ecuaci on integro-diferencial que relaciona i(t) y v(t) es lineal:
Resistencia: i(t) =
v(t)
R
v(t) = R i(t) (ley de Ohm)
Capacidad: C =
Q
V
v(t) =
1
C
_
i(t) dt
Autoinducci on: v(t) = L
di(t)
dt
Las ecuaciones diferenciales lineales se analizan c omodamente en el dominio de Laplace
(o en el dominio de Fourier):
Resistencia: V = RI
Capacidad: V =
1
Cs
I =
1
jC
I
Autoinducci on: V = LsI = jLI

Cuando trabajamos a una frecuencia ja, se puede usar una representaci on fasorial para
describir el comportamiento de los circuitos y resulta util trabajar con impedancias o
admitancias complejas:
Z
V
I
Y
I
V
Z
R
= R Y
R
=
1
R
Z
C
=
1
jC
=
1
Cs
Y
C
= jC = Cs
Z
L
= jL = Ls Y
L
=
1
jL
=
1
Ls
Cuando tenemos una red de elementos R, L y C, aplicando t ecnicas de an alisis de cir-
cuitos podemos calcular la impedancia o la admitancia, que en general ser an complejas.
En el lmite f la capacidad se comporta como un cortocircuito y la autoinducci on
como un circuito abierto. C altas: se usan para acoplar en RF; Laltas: se usan para aislar
en RF (RFC, choques de radiofrecuencia)
RESISTENCIA, REACTANCIA, CONDUCTANCIA, SUSCEPTANCIA

Partes real e imaginaria de la impedancia:
Z = R + jX R = Re(Z) X = Im(Z)
La parte real de la impedancia se denomina resistencia (R)
La parte imaginaria de la impedancia se denomina reactancia (X)
Partes real e imaginaria de la admitancia:
Y = G+ jB G = Re(Y ) B = Im(Y )
La parte real de la admitancia se denomina conductancia (G)
La parte imaginaria de la admitancia se denomina susceptancia (B)

Cuidado con las operaciones con n umeros complejos:
G = Re(Y ) = Re
_
1
Z
_
,=
1
Re(Z)
=
1
R
(esto sera v alido s olo cuando se anula la parte reactiva)
Y =
1
Z
=
1
R + jX
=
R jX
(R + jX)(R jX)
=
R jX
R
2
+ X
2
G =
R
R
2
+ X
2
B =
X
R
2
+ X
2
Z =
1
Y
=
1
G+ jB
=
GjB
(G+ jB)(GjB)
=
GjB
G
2
+ B
2
R =
G
G
2
+ B
2
X =
B
G
2
+ B
2
2.3.- RESISTENCIA Y AUTOINDUCCI

ON DE UN HILO

RESISTENCIA DE UN HILO CONDUCTOR:
R =
l
A
: resistividad (m
2
/m)
l: longitud (m)
A: secci on (m
2
)
EFECTO SKIN:

El campo EM inducido es mayor en el n ucleo del conductor que en la zona exterior
El campo EM se opone al ujo de corriente
Como consecuencia, la densidad de corriente no es uniforme en el conductor:
Es mayor en la piel
Es menor en el n ucleo
A altas frecuencias, la corriente se concentra en la zona m as externa del conductor, y
esto incrementa la resistencia del hilo
R =
l
(r
2
2
r
2
1
)
El incremento de la resistencia depende, adem as, de la frecuencia

El decaimiento de la densidad de corriente desde el exterior hacia el centro es aproxi-
madamente exponencial: J J
0
exp(x/x
0
)
x
0
es la profundidad del efecto skin (o skin depth)
Para el cobre, a 60 Hz, x
0
= 8,5 mm
Para el cobre, a 1 MHz, x
0
=70 m
x
0
depende del material y de la frecuencia
Modelo de resistencia de hilo:
A bajas frecuencias:
R =
l
r
2
A altas frecuencias:
R =
l
f
2r
La resistencia se incrementa (por efecto skin) con
f de acuerdo con la constante

que depende del material
El efecto skin se puede reducir usando hilo de Litzendraht (formado por varios hilos
aislados y entrelazados)
AUTOINDUCCI
ON DE UN HILO CONDUCTOR:

El campo EM que crean los conductores da lugar a una autoinducci on
Autoinducci on de un hilo conductor dada por:
L(nH) = 4,6 l(cm) log
10
_
4 l
d
0,75
_
l es la longitud del hilo
d es el di ametro del hilo
Por ejemplo: Un hilo de 5 cm de longitud y 0.7 mm de di ametro presenta una autoin-
ducci on L=56 nH
A bajas frecuencias, el efecto es despreciable (Z = R + jL)
A altas frecuencias, puede ser muy importante
En general, en circuitos de RF es aconsejable reducir todo lo posible distancias entre
componentes
2.4.- MODELO DE RESISTENCIA EN RF

El modelo de resistencia en RF incluye:
R: el valor de la resistencia
L: una autoinducci on debida a los contactos
C: una capacidad debida al tiempo de relajaci on (depende del material del que est e hecha
la resistencia)
Impedancia del modelo:
Z =
RLCs
2
+ Ls + R
RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo a frecuencias muy bajas; puede
presentar un comportamiento capacitivo en un rango de frecuencias (en funci on de los
valores de la resistencia y elementos par asitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento inductivo.


Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):
f
r
=
1
2
_
1
LC

1
R
2
C
2
Z(f
r
) =
L
RC
Si L > R
2
C no hay resonancia ni comportamiento capacitivo.
Valores tpicos de los elementos par asitos:
L: 10 nH, 15 nH
C: 1 pF
Tipos de resistencias:
Hilo enrollado: L muy alta; no recomendables por encima de 1 MHz
Carbon: C alta; no recomendables por encima de 10 MHz
Pelcula met alica: adecuada para RF
2.5.- MODELO DE CONDENSADOR EN RF

El modelo de condensador en RF incluye:
C: la capacidad del condensador
L: una autoinducci on debida a los contactos
R: una resistencia en paralelo con el condensador que modela las fugas en el diel ectrico,
de valor muy grande normalmente
R
s
: se puede incluir adem as una resistencia en serie, de valor peque no, que modela la
resistencia de los contactos
Z =
RLCs
2
+ Ls + R
RCs + 1
+ R
s
La impedancia presenta un comportamiento resistivo a frecuencias extremadamente ba-
jas; presenta un comportamiento capacitivo en un rango de frecuencias (en funci on de
los valores de la capacidad y elementos par asitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento inductivo.


Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):
f
r
=
1
2
_
1
LC

1
R
2
C
2
Z(f
r
) =
L
RC
+ R
s
R
s
Las caractersticas del diel ectrico condicionan las propiedades del condensador:
Fugas en el diel ectrico (resistencia paralelo)
Rango de frecuencias
Estabilidad t ermica
Rango de temperaturas
Rango de tensiones (directas e inversas) toleradas
Tipos de condensador:
Vidrio, cer amica
Papel, papel metalizado
Electroltico
Plastico, nylon, poliestireno, te on, etc.
2.6.- MODELO DE BOBINA EN RF

El modelo de bobina en RF incluye:
L: la autoinducci on de la bobina
R: una resistencia en serie que representa la resistencia ohmica de la bobina
C: una capacidad en paralelo que modela la capacidad entre las espiras de la bobina (las
espiras son conductores separados una cierta distancia y a distintos voltajes, por lo que
presentan un comportamiento capacitivo)
Z =
Ls + R
LCs
2
+ RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo (R) a frecuencias extremadamente
bajas; presenta un comportamiento inductivo en un rango de frecuencias (en funci on de
los valores de la bobina y elementos par asitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento capacitivo.

Frecuencia de resonancia:
f
r
=
1
2
1
LC

R
2
L
2
Z(f
r
) =
L
RC
AUTOINDUCCI
ON EN BOBINAS DE N
UCLEO DE AIRE:

L =
B
2
n
2
0,45B + A
R = 4n
B
D
2
C (n 1)
B
r
11,45 cosh
1
(S/D)
L: autoinducci on en nH
B: di ametro de las espiras en mm
A: longitud total de la bobina en mm
n: n umero de espiras
S: distancia entre espiras consecutivas
en mm
D: di ametro del hilo en mm
r
: constante diel ectrica
El factor de calidad Q se dene como el cociente entre las partes reactiva y resistiva:
Q = X/R
En una bobina:
Q =
X
L
R
=
L
R
El factor de calidad aumenta linealmente con , pero se ve reducido por el efecto skin,
y tambi en se ve limitado por la capacidad par asita
Para mejorar Q, se puede usar hilo m as grueso, separar las espiras, o bien aumentar la
permeabilidad magn etica utilizando un n ucleo (permite reducir el n umero de espiras)
AUTOINDUCCI
ON EN BOBINAS DE N
UCLEO MAGN
ETICO:

L
i
=
i
L
0
donde
i
es la permeabilidad magn etica relativa del n ucleo
Ventajas de usar n ucleo magn etico:
Bobina de menor tama no
Incremento de Q(la misma autoinducci on se consigue con menor n umero de espiras,
reduci endose R y C par asitas)
Posibilidad de ajustar L introduciendo o sacando el n ucleo
Inconvenientes de usar n ucleo magn etico:
P erdidas por hist eresis (resistencia en paralelo)

i
depende de la frecuencia (disminuye con esta)

i
depende de T

i
depende de la amplitud (puede llegar a saturarse) dando lugar a no-linealidades
2.7.- RUIDO T
ERMICO EN COMPONENTES PASIVOS


El ruido t ermico es debido al movimiento browniano de los electrones en un conductor
La mec anica estadstica cl asica (ley de equipartici on de Maxwell-Boltzmann) establece
que la potencia del ruido t ermico viene dada por:
P = kTB
donde:
P es la potencia en W
k es la constante de Boltzmann: k=1.3810
23
J/K
T es la temperatura absoluta en K
B es el ancho de banda para el que se mide el ruido
(esto es v alido para frecuencias hasta 10
13
Hz)
El ruido t ermico es blanco (espectro plano)
Voltaje cuadr atico medio debido al ruido t ermico en una resistencia:
V
2
n
= 4kTRB
La resistencia se comporta como un generador de ruido con una tensi on rms de salida
v
rms
=
_
V
2
n
y una resistencia serie R

Ejemplo: T=20
o
C (293 K); R=100 k; B=1 MHz
v
rms
= 40,3V
Para redes RLC:
V
2
n
= 4kT
_
B
Re(Z(f))df
El ruido t ermico:
Aumenta con el ancho de banda
Aumenta con la resistencia
Aumenta con la temperatura
C omo afecta esto? (qu e precauciones debemos tomar?)
Resistencias de valores bajos (incrementa el consumo)
Anchos de banda lo m as peque nos posibles
Temperatura lo m as baja posible (en caso extremo, refrigerar)
Extremar precauciones en los subsistemas que funcionan con niveles bajos de se nal
(amplicador RF del receptor, por ejemplo)

Tema 3:
CIRCUITOS RESONANTES Y
ADAPTACI

ON DE IMPEDANCIAS
Tema 3: CIRCUITOS RESONANTES Y

Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p ag. 2
ADAPTACI

ON DE IMPEDANCIAS
3.1.- Introducci on
3.2.- Circuito RLC serie
3.3.- Circuito RLC paralelo
3.4.- Circuito (RL)|C
3.5.- Circuito (RC)|L
3.6.- Transformaci on paralelo-serie
3.7.- Circuitos resonantes con derivaci on
3.8.- Transformadores
3.9.- M axima transferencia de potencia
3.10.- Cristales de cuarzo
3.11.- Filtros de onda ac ustica de supercie
3.1.- INTRODUCCI

ON

La impedancia o admitancia de una red con R, L y C es una funci on complicada de la
frecuencia:
Z(j) = R(j) + jX(j) Y (j) = G(j) + jB(j)
La impedancia, en general, presenta parte real (resistiva) e imaginaria (reactiva)
Para algunos circuitos, a alguna frecuencia se anula la parte imaginaria:
La condici on Im(Z(j
0
)) = 0 es la condici on de resonancia
La frecuencia f
0
que hace que se cumpla es la frecuencia de resonancia
Los circuitos para los que existe una o varias frecuencias de resonancia son llamados
circuitos resonantes
Los circuitos resonantes se usan mucho en comunicaciones:
Para separar se nales (ltrar)
Para transformar impedancias (para que haya acoplamiento de impedancias y m axi-
ma transferencia de potencia)

La resonancia ocurre a una frecuencia muy concreta f
0
Se denomina ancho de banda (B, en Hz) al rango de frecuencias para las que se
cumple aproximadamente la condici on de resonancia (es la anchura del pico o valle de
impedancia)
La selectividad de un circuito resonante se puede expresar en t erminos del ancho de
banda B o del factor de calidad Q
Las propiedades de los circuitos resonantes (B, Q, f
0
, Z(j
0
), transformaci on de
impedancias, etc.) son de gran importancia en radiocomunicaci on:
amplicadores de RF
osciladores
3.2.- CIRCUITO RLC SERIE

Impedancia:
Z(j) = R + j
_
L
1
C
_
Resonancia:
Im(Z(j
0
)) = 0
0
=
_
1
LC
f
0
=
1
2
_
1
LC
Impedancia en la frecuencia de resonancia:
Z(j
0
) = R

ANCHO DE BANDA B:

Ancho de banda B: se dene como el intervalo de frecuencias [f
1
, f
2
] tal que en f
1
y
en f
2
la parte reactiva es igual a la resistiva: X(j) = R
Esta denici on tambi en se denomina ancho de banda a mitad de potencia, porque
[Z(j
1
)[ = [Z(j
2
)[ =
2 Z(j
0
) =
2 R y la potencia disipada en R es la mitad

de la disipada en la frecuencia de resonancia
Puede demostrarse que (
2
1
) =
R
L
y por tanto
B =
1
2
R
L
demostraci on: Z(j) = R + j
_
L
1
C
_
1
L
1
1
C
= R LC
2
1
+ RC
1
1 = 0
1
=
RC
R
2
C
2
+ 4LC
2LC
2
L
1
2
C
= +R LC
2
2
RC
2
1 = 0
2
=
+RC
R
2
C
2
+ 4LC
2LC
1
=
RC
LC
=
R
L
B =
1
2
R
L
FACTOR DE CALIDAD Q:

Factor de calidad Q: se dene como:
Q
2 m axima energa instant anea almacenada
energa disipada en un periodo
Para el circuito RLC serie se verica:
Q =

0
L
R
=
1
0
CR
=
[X
L
[
R
=
[X
C
[
R
Puede verse que el factor de calidad es igual al cociente entre la frecuencia y el ancho
de banda:
Q =

0
L
R
=

0
1
=
f
0
B
En la frecuencia de resonancia, V
c
y V
L
toman valores de pico Q veces mayores que
V
R
C alculo del factor de calidad:

Para la frecuencia de resonancia
0
:
v(t) = V
0
sin(
0
t) i(t) =
V
0
R
sin(
0
t)
En la bobina:
v
L
(t) = L
d i(t)
dt
=
V
0
L
0
R
cos(
0
t)
p
L
(t) = i(t)v
L
(t) =
V
2
0
L
0
R
2
cos(
0
t) sin(
0
t) =
V
2
0
L
0
2R
2
sin(2
0
t)
E
maxL
=
_
/(2
0
)
0
p
L
(t)dt =
V
2
0
L
0
2R
2
_
1
2
0
cos(2
0
t)
_
/(2
0
)
0
=
V
2
0
L
2R
2
p
R
(t) =
V
2
0
R
sin
2
(
0
t) =
V
2
0
2R
(1 cos(2
0
t)) E
R
=
_
2/
0
0
p
R
(t)dt =
V
2
0
2R
2
0
Q =
2E
maxL
E
R
= 2
V
2
0
L
2R
2
2R
0
2V
2
0
=

0
L
R
En el condensador el c alculo es similar (en la frecuencia de resonancia,
0
L = 1/(
0
C)):
Q =
2E
maxC
E
R
=
1
0
CR
=

0
L
R
3.3.- CIRCUITO RLC PARALELO

Impedancia y admitancia:
Z(j) =
1
1
R
+
1
jL
+ jC
Y (j) =
1
R
+ j
_
C
1
L
_
Resonancia:
Im(Y (j
0
)) = 0
0
=
_
1
LC
f
0
=
1
2
_
1
LC
Y (j
0
) =
1
R
Z(j
0
) = R

Ancho de banda:
1
=
1
RC
B =
1
2
1
RC
Factor de calidad:
Q =

0
1
=
0
CR =
R
0
L
En resonancia, la corriente de pico que circula por el condensador y por la bobina es Q
veces la que circula por la resistencia
Circuito poco realista (por la resistencia serie de la bobina)


3.4.- CIRCUITO (RL)|C

Admitancia:
Y (j) =
1
R + jL
+ jC =
R
R
2
+
2
L
2
+ j
_
C
L
R
2
+
2
L
2
_
Resonancia:
Im(Y (j
0
)) = 0 C =
L
R
2
+
2
0
L
2

0
=
1
LC

R
2
L
2

Frecuencia de resonancia: f
0
=
1
2
_
1
LC

R
2
L
2
Z(j
0
) = R +

2
0
L
2
R
= R +
_
1
LC

R
2
L
2
_
L
2
R
=
L
RC
Observamos que la red transforma la impedancia: R
t
=
L
RC
El factor de calidad de la bobina en
0
es:
Q
t
=

0
L
R
La impedancia equivalente (en
0
) puede expresarse como:
R
t
= R +

2
0
L
2
R
= R + RQ
2
t
= R(Q
2
t
+ 1)
Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en una
resistencia R
t
que es (Q
2
t
+ 1) veces mayor
EJEMPLO:

Queremos transformar una impedancia de carga R de 50 en una impedancia de 1 k a la
frecuencia de 2 MHz.
0
= 2f
0
= 4 10
6
rad/s
Q
2
t
+ 1 =
R
t
R
= 20 Q
t
= 4,36
L =
RQ
t
0
= 17,3H
C =
Q
t
0
R
t
= 347 pF
o tambi en:
2
0
=
1
LC

R
2
L
2
C =
1
2
0
L+
R
2
L
= 347 pF
B
f
0
Q
t
= 458 kHz

POTENCIA SUMINISTRADA A LA CARGA:

Corriente por la rama RL:
I
R
=
V
0
R + j
0
L
[I
R
[ =
_
[I
R
[
2
=
_
I
R
I
R
=
V
2
0
(R + jL)(R j
L
)
=
=
V
0
_
R
2
+
2
0
L
2
=
V
0
R
_
1 + Q
2
t
=
V
0
R
t
_
Q
2
t
+ 1
Potencia suministrada a R:
P
R
= [I
R
[
2
R =
V
2
0
R
2
t
_
Q
2
t
+ 1
_
R =
V
2
0
R
t
La potencia suministrada a R es la misma que se suministrara a R
t
3.5.- CIRCUITO (RC)|L

Admitancia:
Y (j) =
1
jL
+
1
R + 1/(jC)
=
R
R
2
+ 1/(
2
C
2
)
+ j
_
1/(C)
R
2
+ 1/(
2
C
2
)
1
L
_
Resonancia:
Im(Y (j
0
)) = 0
1
L
=
1/C
R
2
+ 1/(
2
0
C
2
)

0
=
_
1
LC C
2
R
2

Frecuencia de resonancia: f
0
=
1
2
_
1
LCC
2
R
2
Y (j
0
) =
R
R
2
+ 1/(
2
0
C
2
)
=
R
R
2
+ L/C R
2
=
RC
L
Z(j
0
) =
L
RC
Observamos que la red transforma la impedancia: R
t
=
L
RC
El factor de calidad del condensador en
0
es:
Q
t
=
1
0
RC
La impedancia equivalente (en
0
) puede expresarse como:
R
t
= R +
1
2
0
C
2
R
= R
_
1 +
1
R
2
2
0
C
2
_
= R(Q
2
t
+ 1)
Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en una
resistencia R
t
que es (Q
2
t
+1) veces mayor (siempre y cuando la resistencia par asita de
la bobina se pueda despreciar, es decir, Q
L
> Q
t
)

EFECTO DE LA RESISTENCIA DE LA FUENTE:

A la frecuencia de resonancia, un circuito RL[[C o CR[[L presenta una impedancia
equivalente R
t
= R(Q
2
t
+ 1)
Si la fuente presenta una resistencia nita R
s
, la impedancia vista entre los extremos A
y B es R
/
t
= R
s
[[R
t
, y esto afecta al factor de calidad Q y al ancho de banda B:
Q
/
t
= Q
t
R
/
t
R
t
disminuye B
/
= B
R
t
R
/
t
aumenta
3.6.- TRANSFORMACI

ON PARALELO-SERIE

Z = R
s
+ jX
s
Q
s
=
X
s
R
s
Y =
1
R
p
+
1
jX
p
Q
p
=
R
p
X
p
Supongamos que queremos encontrar el circuito serie equivalente al circuito paralelo dado por R
p
y X
p
R
se
y X
se
equivalentes ser an las partes real e imaginaria de la impedancia del circuito:
Z =
1
Y
=
1
1
R
p
+
1
jX
p
=
X
2
p
R
p
+ jR
2
p
X
p
R
2
p
+ X
2
p
R
se
=
X
2
p
R
p
R
2
p
+ X
2
p
= R
p
1
Q
2
p
+ 1
X
se
=
R
2
p
X
p
R
2
p
+ X
2
p
= X
p
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
Q
se
=
X
se
R
se
=
X
p
Q
2
p
R
p
= Q
p

Z = R
s
+ jX
s
Q
s
=
X
s
R
s
Y =
1
R
p
+
1
jX
p
Q
p
=
R
p
X
p
Supongamos que queremos encontrar el circuito paralelo equivalente al circuito serie dado por R
s
y X
s
1/R
pe
y 1/X
pe
equivalentes ser an las partes real e imaginaria de la admitancia del circuito:
Y =
1
Z
=
1
R
s
+ jX
s
=
R
s
jX
s
R
2
s
+ X
2
s
R
pe
=
R
2
s
+ X
2
s
R
s
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
X
pe
=
R
2
s
+ X
2
s
X
s
= X
s
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
Q
pe
=
R
pe
X
pe
=
R
s
Q
2
s
X
s
= Q
s
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE:

Circuito paralelo equivalente a red serie:
Q
s
=
X
s
R
s
= Q
pe
Si Q 10:
R
pe
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
X
pe
= X
s
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
Si Q > 10:
R
pe
= R
s
Q
2
s
X
pe
= X
s
Circuito serie equivalente a red paralelo:
Q
p
=
R
p
X
p
= Q
se
Si Q 10:
R
se
= R
p
/ (Q
2
p
+ 1)
X
se
= X
p
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
Si Q > 10:
R
se
= R
p
/ Q
2
p
X
se
= X
p
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RC:

X
s
=
1
C
s
Q
s
=
1
C
s
R
s
Q
pe
= Q
s
Si Q 10:
R
pe
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
C
pe
= C
s
Q
2
s
Q
2
s
+ 1
Si Q > 10:
R
pe
= R
s
Q
2
s
C
pe
= C
s
X
p
=
1
C
p
Q
p
= C
s
R
s
Q
se
= Q
p
Si Q 10:
R
se
= R
p
/ (Q
2
p
+ 1)
C
se
= C
p
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
Si Q > 10:
R
se
= R
p
/ Q
2
p
C
se
= C
p
Ojo: la conversi on depende de la frecuencia (Q depende de )
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RL:

X
s
= L
s
Q
s
=
L
s
R
s
Q
pe
= Q
s
Si Q 10:
R
pe
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
L
pe
= L
s
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
Si Q > 10:
R
pe
= R
s
Q
2
s
L
pe
= L
s
X
p
= L
p
Q
p
=
R
p
L
p
Q
se
= Q
p
Si Q 10:
R
se
= R
p
/ (Q
2
p
+ 1)
L
se
= L
p
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
Si Q > 10:
R
se
= R
p
/ Q
2
p
L
se
= L
p
Ojo: la conversi on depende de la frecuencia (Q depende de )
EJEMPLO: L[[C CON RESISTENCIAS SERIE r
L
Y r
C

Q
L
=
L
r
L
Q
C
=
1
Cr
C
R
L
= r
L
(Q
2
L
+ 1) L
t
= L
Q
2
L
+ 1
Q
2
L
R
C
= r
c
(Q
2
C
+ 1) C
t
= C
Q
2
C
Q
2
C
+ 1
R
t
=
R
L
R
C
R
L
+ R
C
Q
t
=
R
t
L
t
= C
t
R
t
_
1
L
t
C
t
B
f
0
Q
t
EJEMPLO: Analizar la red RLC de la gura

_
1
LC
= 25,0M rad/s Q
L
=
L
r
L
= 40 Q
C
=
1
Cr
C
= 8
R
L
= r
L
Q
2
L
= 16k L
t
= L = 16H
R
C
= r
C
(Q
2
C
+ 1) = 3,25k C
t
= C
Q
2
c
Q
2
c
+ 1
= 98pF
_
1
L
t
C
t
= 25,25M rad/s f
0
= 4,02MHz
R
t
= 2,70k Q
t
=
R
t
0
L
t
= 6,68 B = 601kHz

3.7.- CIRCUITOS RESONANTES CON DERIVACI

ON

Circuitos RL[[C y RC[[L interesantes (transforman impedancias)
Sin embargo, una vez establecidos R, R
L
y
0
, los valores Q y B quedan jados
Sera conveniente a nadir un grado de libertad que permita tambi en establecer el ancho
de banda B (o el factor de calidad Q)
Soluci on: circuitos resonantes con derivaci on (o pinchados)
circuito con condensador pinchado (tapped capacitor)
circuito con bobina pinchada (tapped inductor)
Son circuitos m as exibles, pero tambi en m as complejos (an alisis exacto complicado)
Por otra parte, elegir valores exactos de L y C va a ser imposible (valores disponibles,
tolerancias, etc.)
Puesto que queremos controlar B, se supone que queremos dise nar circuitos de banda
estrecha (Q alto); si Q > 10 podemos usar expresiones aproximadas
CIRCUITO TAPPED CAPACITOR:

An alisis del circuito:
Conversi on paralelo-serie de C
2
y R
2
a C
se
y R
se
(factor de calidad Q
p
=
0
C
2
R
2
)
Agrupaci on de C
se
y C
1
en serie (C
/
)
Conversi on serie-paralelo de C
/
y R
se
a C
t
y R
t
t
=
0
C
t
R
t
)
Dise no de la red tapped capacitor: dados R
2
, R
t
, f
0
y B, hay que calcular L, C
1
y C
2
:
Q
t
=
f
0
B
C
t
=
Q
t
0
R
t
L =
1
2
0
C
t
C
/
=
Q
2
t
+ 1
Q
2
t
C
t
R
se
=
R
t
Q
2
t
+ 1
=
R
2
Q
2
p
+ 1
N
_
R
t
R
2
Q
p
=
_
Q
2
t
+ 1
N
2
1
C
2
=
Q
p
0
R
2
C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
C
1
=
C
se
C
/
C
se
C
/
EJEMPLO DE CIRCUITO TAPPED CAPACITOR:

Queremos dise nar un circuito que transforme una impedancia de 100 en 8100 a la frecuencia de 1.5
MHz, con un ancho de banda de 100 kHz
R
2
= 100 R
t
= 8100 f
0
= 1,5 10
6
Hz B = 10
5
Hz
L? C
1
? C
2
?
Dise no:
Q
t
=
f
0
B
= 15 C
t
= C
/
=
Q
t
0
R
t
= 196,5pF L =
1
2
0
C
t
= 57,3H
N =
_
R
t
R
2
= 9 Q
p
=
_
Q
2
t
N
2
1 = 1,333
C
2
=
Q
p
0
R
2
= 1,414nF C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
= 2,210nF C
1
=
C
se
C
t
C
se
C
t
= 215,7pF
Impedancia del circuito tapped capacitor del ejemplo

Impedancia del circuito tapped capacitor (detalle)

Dise no para Q
t
> 10 y Q
p
> 10:

Si Q
t
y Q
p
son grandes, se pueden hacer aproximaciones:
Q
t
=
f
0
B
C
t
=
Q
t
0
R
t
L =
1
2
0
C
t
N
_
R
t
R
2
C
/
=
Q
2
t
+ 1
Q
2
t
C
t
C
t
Q
p
=
_
Q
2
t
+ 1
N
2
1
Q
t
N
C
2
=
Q
p
0
R
2
Q
t
/N
0
R
t
/N
2
= NC
t
C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
C
2
C
1
C
2
C
t
C
2
C
t
N
N 1
C
t
Resumiendo: para Q
t
> 10 y Q
p
> 10:
Q
t
=
f
0
B
C
t
=
Q
t
0
R
t
L =
1
2
0
C
t
N
_
R
t
R
2
Q
p
Q
t
N
C
2
NC
t
C
1
N
N 1
C
t
CIRCUITO TAPPED INDUCTOR:

An alisis del circuito:
Conversi on paralelo-serie de L
2
y R
2
a L
se
y R
se
p
= R
2
/(
0
L
2
))
Agrupaci on de L
se
y L
1
en serie (L
/
)
Conversi on serie-paralelo de L
/
y R
se
a L
t
y R
t
t
= R
t
/(
0
L
/
))
Dise no de la red tapped inductor: dados R
2
, R
t
, f
0
y B, hay que calcular C, L
1
y L
2
:
Q
t
=
f
0
B
L
t
=
R
t
0
Q
t
C =
1
2
0
L
t
L
/
=
Q
2
t
Q
2
t
+ 1
L
t
R
se
=
R
t
Q
2
t
+ 1
=
R
2
Q
2
p
+ 1
N
_
R
t
R
2
Q
p
=
_
Q
2
t
+ 1
N
2
1
L
2
=
R
2
0
Q
p
L
se
=
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
L
2
L
1
= L
/
L
se
Si Q
p
> 10: Q
p
Q
t
/N L
2
L
t
/N L
1
L
t
(N 1)/N
EJEMPLO DE CIRCUITO TAPPED INDUCTOR:

Queremos dise nar un circuito que transforme una impedancia de 1 k en 10 k a la frecuencia de 10.7
MHz, con un ancho de banda de 200 kHz
R
2
= 1k R
t
= 10k f
0
= 10,7 10
6
Hz B = 2 10
5
Hz C? L
1
? L
2
?
Dise no:
Q
t
=
f
0
B
= 53,5 L
t
= L
/
=
R
t
0
Q
t
= 2,7802H C =
1
2
0
L
t
= 79,579pF N =
_
R
t
R
2
= 3,1623
Q
p
=
_
Q
2
t
N
2
1 = 16,888 L
2
=
R
2
0
Q
p
= 880,76nH
L
se
=
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
L
2
= 877,68nH L
1
= L
t
L
se
= 1,9025H
Dise no aproximado (Q
p
> 10):
Q
p
Q
t
N
= 16,918 > 10 L
2
L
t
N
= 879,17nH L
1
N 1
N
L
t
= 1,9010H
Impedancia del circuito tapped inductor del ejemplo

3.8.- TRANSFORMADORES

BOBINA SIMPLE EN TOROIDE DE FERRITA
Supongamos una bobina enrollada sobre un n ucleo de
ferrita toroidal, conectada a una fuente de corriente que
proporciona I
1
El ujo magn etico
1
inducido por I
1
es:
= KN
1
I
1
donde K es una constante que depende de las dimen-
siones y caractersticas de la bobina y N
1
el n umero de
vueltas
El ujo inducido da lugar a una diferencia de potencial V
1
(ley de Faraday):
V
1
= N
1
d
1
dt
Sustituyendo
1
por su valor, se obtiene la relaci on entre I
1
y V
1
para la bobina:
V
1
= KN
2
1
dI
1
dt
= L
1
dI
1
dt
donde podemos identicar el coeciente de autoinducci on:
L
1
= KN
2
1
TRANSFORMADOR CON SECUNDARIO ABIERTO

Supongamos una segunda bobina enrollada so-
bre el n ucleo de ferrita toroidal
El ujo magn etico
2
en el secundario es:
2
= k
1
donde k es el coeciente de acoplamiento entre
el primario y el secundario (0 < k < 1)
La diferencia de potencial V
2
debida al ujo
2
es:
V
2
= N
2
d
2
dt
= N
2
k
d
1
dt
= k
N
2
N
1
V
1
y deniendo la raz on de vueltas como n N
1
/N
2
, queda:
V
2
V
1
= k
N
2
N
1
=
k
n
La relaci on entre I
1
y V
2
viene dada por:
V
2
= k
N
2
N
1
V
1
= kKN
2
N
1
dI
1
dt
= M
dI
1
dt
donde hemos denido la inductancia mutua M como:
M kN
1
N
2
K = k
L
1
n
TENSIONES Y CORRIENTES EN PRIMARIO Y SECUNDARIO

En general, tanto I
1
como I
2
contribuyen a V
1
(a trav es de L
1
y M, respectivamente), y
tambi en a V
2
(a trav es de M y L
2
, respectivamente:
V
1
= L
1
dI
1
dt
+ M
dI
2
dt
V
2
= M
dI
1
dt
+ L
2
dI
2
dt
L
1
= KN
2
1
L
2
= kN
2
2
=
L
1
n
2
M = kN
1
N
2
K = k
_
L
1
L
2
= k
L
1
n
TRANSFORMADORIDEAL CONRESISTENCIAENEL SECUNDARIO

V
2
= I
2
R
2
M
dI
1
dt
+L
2
dI
2
dt
+R
2
I
2
= 0
Si Q es grande (podemos despreciar R
2
I
2
):
I
1
I
2
=
L
2
M
=
KN
2
2
kKN
1
N
2
=
1
kn
Transformaci on de tensiones y corrientes:
V
1
V
2
=
n
k
I
1
I
2
=
1
kn
Transformaci on de impedancias:
R
in
=
V
1
I
1
=
n
k
V
2
1
kn
I
2
= n
2
R
2
R
out
=
V
2
I
2
=
k
n
V
1
knI
1
=
R
s
n
2
MODELO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR

V
1
= L
1
dI
1
dt
+ M
dI
2
dt
V
2
= M
dI
1
dt
+ L
2
dI
2
dt
Impedancia del circuito:
Z
t
(j) =
(R
2
+ j(L
2
M))jM
R
2
+ j(L
2
M) + jM
+ j(L
1
M) =
(R
2
+ jL
2
)jM +
2
M
2
R
2
+ jL
2
+ jL
1
jM =
= jM +

2
M
2
R
2
+ jL
2
+ jL
1
jM =

2
M
2
R
2
+ jL
2
+ jL
1

Impedancia del modelo equivalente:
Z
t
(j) =

2
M
2
R
2
+ jL
2
+ jL
1
Si sustituimos M por M, L
2
por
2
L
2
y
R
2
por
2
R
2
, la impedancia no vara (para
cualquier valor de )
Para el particular que cumple:
2
L
2
M = 0
nos queda:
=
M
L
2
=
kL
1
/n
L
1
/n
2
= kn M =
M
2
L
2
= k
2
L
1
Conversi on paralelo a serie:

Q
p
=
R
p
k
2
L
1
=
n
2
R
2
L
1
R
se
= R
p
1
Q
2
p
+ 1
=
k
2
n
2
R
2
Q
2
p
+ 1
L
se
= L
1
k
2
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
L
t
= (1 k
2
)L
1
+ L
se
= L
1
Q
2
p
+ 1 k
2
Q
2
p
+ 1
Conversi on serie a paralelo:
Q
t
=
L
t
R
se
(Q
t
> 10) R
t
Q
2
t
R
se
Otras f ormulas ( utiles para dise no):
Q
t
=
L
t
R
se
=
L
1
(Q
2
p
+ 1 k
2
)/(Q
2
p
+ 1)
k
2
n
2
R
2
/(Q
2
p
+ 1)
=
L
1
(Q
2
p
+ 1 k)
k
2
n
2
L
1
Q
p
/n
2
=
Q
2
p
+ 1 k
Q
p
k
2
k
2
=
Q
2
p
+ 1
Q
p
Q
t
+ 1
Q
p
= Q
t
_
k
2
2
+
k
4
4
+
k
2
1
Q
2
t
_
k
2
2
Q
2
t
_
_
Q
2
t
+ 1 1
_
Q
p
_
Q
2
t
+ 1 1
Q
t
TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO

Si introducimos un condensador en el primario para sintonizar obtenemos un transfor-
mador monosintonizado
Proporciona adaptaci on de impedancias (R
2
a R
t
)
Permite ajustar la frecuencia de resonancia
0
A trav es de Q
t
permite ajustar el ancho de banda B
Gracias al transformador, proporciona aislamiento entre los circuitos primario y secun-
dario
Permite el cambio de polaridad (sentido de bobinado del primario y el secundario)
Consideraremos Q
t
> 10
DISE
NO DE TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO

Dadas las especicaciones f
0
, B, R
2
, R
t
se pide determinar C, L
1
, n y k
Sobra un grado de libertad (habr a que jar alg un par ametro de forma arbitraria)
Dise no: primero calculamos Q
t
, C y L
t
:
Q
t
=
f
0
B
C =
Q
t
R
t
0
L
t
=
1
2
0
C
Elegimos arbitrariamente k (entre k
min
y 1) o bien elegimos Q
p
(entre Q
pmin
y Q
t
)
Q
p
= Q
t
_
k
2
2
+
k
4
4
+
k
2
1
Q
2
t
_
k
2
=
Q
2
p
+ 1
Q
p
Q
t
+ 1
Obtenemos L
1
y n:
L
1
= L
t
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
+ 1 k
2
Q
p
=
n
2
R
2
0
L
1
n =
Q
p
0
L
1
R
2
El transformador especicado por L
1
, n y k o bien por L
1
, L
2
y M:
L
2
=
L
1
n
2
M = k
L
1
n
EJEMPLO DE DISE
NO

Dadas las especicaciones f
0
= 3,18 MHz, B = 159 kHz, R
2
= 50, R
t
= 2k se
pide determinar C, L
1
, n y k
Calculamos Q
t
, C y L
t
:
Q
t
=
f
0
B
= 20 C =
Q
t
R
t
0
= 500pF L
t
=
1
2
0
C
= 5H
Elegimos arbitrariamente Q
p
= 3 (entre Q
pmin
1 y Q
t
= 20) y calculamos k:
k =
Q
2
p
+ 1
Q
p
Q
t
+ 1
= 0,405
Obtenemos L
1
y n:
L
1
= L
t
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
+ 1 k
2
= 5,08H n =
Q
p
0
L
1
R
2
= 2,47
Calculamos L
2
y M:
L
2
=
L
1
n
2
= 0,833H M = k
L
1
n
= 0,833H
Impedancia del transformador monosintonizado del ejemplo

TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO

Problemas de los circuitos monosintonizados:
Banda de paso no plana
Curva de selectividad no adecuada:
-20 dB/dec a cada lado del pico
Soluciones:
Cascada de ltros
Filtros cer amicos o a cristal
Filtros de onda ac ustica de supercie
Transformador doblemente sintonizado
Condensador en el primario
Condensador en el secundario
Mejor ajuste de respuesta en frecuencia
Usado para ltro en IF
TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO

Suposiciones:
Primario y secundario id enticos:
R
s
= R
L
C
p
= C
s
L
p
= L
s
n = 1 M = kL
Q > 10; f
0
B
X
L
= L X
C
= 1/C
V = [R + j(X
L
X
C
)] I
1
jkX
L
I
2
0 = jkX
L
I
1
+ [R + j(X
L
X
C
)] I
2
I
1
= V
R + j(X
L
X
C
)
[R + j(X
L
X
C
)]
2
+ k
2
X
2
L
I
2
= V
X
L
[R + j(X
L
X
C
)]
2
+ k
2
X
2
L

Z
t
(j) =
V
I
1
= R + j(X
L
X
C
)
k
2
X
2
L
R + j(X
L
X
C
)
Z
t
(j) = R + j(X
L
X
C
) + k
2
X
2
L
R j(X
L
X
C
)
R
2
+ (X
L
X
C
)
2
Condici on de resonancia:
X
L
= X
C

0
=
_
1
LC
Impedancia a la frecuencia de resonancia:
Z
t
(j
0
) = R +
k
2
X
2
L
R
= R +

2
0
k
2
L
2
R
M axima transferencia de potencia R
/
L
= R:
2
0
k
2
L
2
R
= R k
c
=
R
0
L
=
1
Q
Acoplamiento crtico si k
c
= 1/Q

Si k k
c
la impedancia (m odulo) presenta un unico pico
Si k = k
c
(acoplamiento crtico) el pico presenta anchura m axima
Si k > k
c
aparecen dos picos (sobreacoplamiento)
Hay una cada de 40 dB/d ec a ambos lados (doblemente sintonizado)
Frecuencia de los picos (f
a
y f
b
) cuando hay sobreacoplamiento:
f
b
f
a
=
_
k
2
Q
2
1
f
0
Q
Rizado cuando hay sobreacoplamiento:
max([Z[)
Z(j
0
)
= 0,5
_
kQ
1
kQ
_
TRANSF. DOBLEM. SINTONIZADO: FUNCI
ON DE TRANSFERENCIA

R = 50; L = 16H; C = 125 pF; k
c
= 0,14; Q = 7,16; f
0
= 3,56 MHz
3.9.- M
AXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA


Supongamos una fuente de se nal, con R
s
, que debe transferir potencia a una carga R
L
Pretendemos que haya m axima transferencia de potencia
Potencia transferida a la carga:
P
L
= V
L
I =
V
s
R
L
R
s
+ R
L
V
s
R
s
+ R
L
= V
2
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
M axima transferencia de potencia:
P
L
R
L
= 0
P
L
R
L
= V
2
s
(R
s
+ R
L
) 2R
L
(R
s
+ R
L
)
3
= V
2
s
R
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
3
P
L
R
L
= 0 R
s
= R
L
La m axima transferencia de potencia a la carga se consigue cuando la resistencia de carga es igual a la
resistencia de la fuente
Potencia m axima transferida a la carga (R
L
= R
s
):
P
Lmax
= V
2
s
R
s
(R
s
+ R
s
)
2
=
V
2
s
4R
s
POTENCIA SUMINISTRADA POR LA FUENTE

M axima potencia que puede suministrar la fuente (fuente en cortocircuito):
P
0
=
V
2
s
R
s
Potencia transferida a la carga:
P
L
= V
2
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
=
V
2
s
R
s
R
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
= P
0
R
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
M axima transferencia de potencia (R
L
= R
s
):
P
Lmax
= P
0
R
s
R
s
(R
s
+ R
s
)
2
=
P
0
4
En condiciones de m axima transferencia de potencia, podemos transferir a la carga 1/4
de la potencia m axima de la fuente
POTENCIA TRANSFERIDA A LA CARGA

M
AXIMA TRANSF. DE POTENCIA: IMPEDANCIA COMPLEJA


Si la impedancia de la fuente y de la carga son complejas (Z
s
= R
s
+jX
s
; Z
L
= R
L
+jX
L
) la potencia
suministrada a la carga sera:
P
L
= [I
L
[
2
Re(Z
L
) =
V
s
Z
s
+ Z
L
V
s
Z
s
+ Z
L
R
L
=
V
2
s
R
L
((R
s
+ R
L
) + j(X
s
+ X
L
))((R
s
+ R
L
) j(X
s
+ X
L
))
P
L
=
V
2
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
+ (X
s
+ X
L
)
2
Condici on de m axima transferencia de potencia:
P
L
R
L
= 0
P
L
X
L
= 0
Derivadas parciales:
P
L
R
L
= V
2
s
R
2
s
R
2
L
+ (X
s
+ X
L
)
2
((R
s
+ R
L
)
2
+ (X
s
+ X
L
)
2
)
2
P
L
X
L
= V
2
s
R
L
X
s
+ X
L
((R
s
+ R
L
)
2
+ (X
s
+ X
L
)
2
)
2
Condici on de m axima transferencia de potencia:
P
L
/R
L
= 0
P
L
/Z
L
= 0
_

R
L
= R
s
X
L
= X
s
_
Z
L
= Z
s

Problema de transferencia de potencia con impedancia compleja:
Z
L
= Z
L
(j); Z
s
= Z
s
(j): dependencia con la frecuencia
Transferencia de potencia m axima unicamente a
0
Adaptaci on sin reexi on requiere que las impedancias Z
s
y Z
L
sean iguales (reec-
tionless match )
Adaptaci on con m axima transferencia de potencia requiere que las impedancias Z
s
y Z
L
sean complejas conjugadas (conjugate match)
La vericaci on simult anea de ambas condiciones es unicamente posible si Z
s
y Z
L
son reales (R
L
= R
s
)
En la pr actica, para conseguir m axima transferencia de potencia y evitar reexiones en
una banda amplia se aplica la condici on reectionless match y se procura que la parte
reactiva de la fuente sea lo menor posible
3.10.- CRISTALES DE CUARZO

El cuarzo (y otros cristales) tiene propiedades piezoel ectricas:
Una deformaci on mec anica produce desplazamientos de cargas y la aparici on de un
potencial el ectrico
La aplicaci on de un potencial el ectrico produce deformaciones
Si se aplica un voltaje senoidal, este da lugar a una deformaci on mec anica senoidal
(oscilaci on mec anica; onda ac ustica)
Existen frecuencias de resonancia:
Frecuencias a las que la impedancia presenta m aximos o mnimos
Frecuencia fundamental (f
0
) y sobretonos (3f
0
, 5f
0
, . . .)
Alrededor de cada frecuencia de resonancia el cristal se comporta como una red RLC
con:
Q alto (del orden de 10
5
)
Gran estabilidad t ermica (del orden de 0.1 ppm/K)
Rango de frecuencias: de 20 kHz a 50 MHz (hasta 300 MHz en sobretono)
Usados para osciladores, ltros en IF y ltros en SSB
CONSTRUCCI
ON DEL CRISTAL

Se corta una l amina de cuarzo con un determinado angulo con respecto al eje de simetra
del cristal y se metalizan las caras
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL CRISTAL DE CUARZO

Alrededor de cada frecuencia de resonancia, el
cristal se comporta como una red RLC con un
Q alto
El circuito equivalente incluye:
C
s
y L
s
asociadas a la resonancia del cristal
(dependen de las caractersticas el asticas del
cristal)
R
s
que representa las p erdidas (t ermicas)
del cristal (y modelan el factor de calidad
nito)
C
p
que representa la capacidad debida a las
metalizaciones
Z(j) =
1
(C
p
+ C
s
)s

L
s
C
s
s
2
+ R
s
C
s
s + 1
L
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s
2
+ R
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s + 1

Z(j) =
1
(C
p
+ C
s
)s

L
s
C
s
s
2
+ R
s
C
s
s + 1
L
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s
2
+ R
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s + 1
Alrededor de la frecuencia fundamental (o de los sobretonos) el cristal presenta dos frecuencias de reso-
nancia:
Cuando se minimiza el numerador (frecuencia de resonancia serie, f
s
): la impedancia toma un valor
mnimo
Cuando se minimiza el denominador (frecuencia de resonancia paralelo, f
p
): la impedancia toma un
valor m aximo
f
s
1
2
L
s
C
s
f
p
1
2
_
L
s
C
s
C
p
C
s
+C
p
= f
s
1 +
C
s
C
p
f = f
p
f
s
= f
s
_
1 +
C
s
C
p
1
_
Puesto que C
p
C
s
ambas frecuencias est an muy pr oximas
Las impedancias a las frecuencias de resonancia son:
Z(j
s
) R
s
Z(j
p
)
L
s
C
s
C
p
(C
p
+ C
s
)R
s
Comportamiento en frecuencia:
Para f < f
s
y f > f
p
comportamiento capacitivo
Entre f
s
y f
p
comportamiento inductivo
En f
s
y en f
p
comportamiento resistivo
Alrededor de las frecuencias de resonancia, transici on muy r apida de la fase (de /2 a /2 alrededor
de f
s
y de /2 a /2 alrededor de f
p
)
En la frecuencia fundamental se usan los modos de resonancia serie o paralelo
En sobretono, se suele utilizar resonancia serie
RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL CRISTAL

R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF;
f
s
= 2,9257 MHz; f
p
= 2,9284 MHz; f = 2,72 kHz; Q = 67173
SINTON
IA DEL CRISTAL

A nadiendo al cristal capacidades o autoinducciones en serie o en paralelo se pueden
modicar ligeramente las frecuencias de resonancia f
s
y f
p
Condensador en serie, de capacidad C
1
:
f
/
s
= f
s
1 +
C
s
C
p
+ C
1
f
/
p
f
p
R
/
s
= R
s
_
1 +
C
p
C
1
_
2
Condensador en paralelo, de capacidad C
1
:
f
/
s
f
s
f
/
p
f
s
1 +
C
s
C
p
+ C
1
La impedancia en la resonancia paralelo disminuye
Las bobinas en serie o en paralelo con el cristal alteran las caractersticas de la respues-
ta en frecuencia (presentar an comportamiento inductivo a altas frecuencias o a bajas
frecuencias, respectivamente) apareciendo nuevas resonancias
Las bobinas en paralelo incrementan f
p
(y no modican f
s
)
Las bobinas en serie reducen f
s
(y no modican f
p
)
SINTON
IA DEL CRISTAL CON CAPACIDADES


R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; C
1
= 20 pF
SINTON
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO


R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
paral
SINTON
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO


R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
paral
SINTON
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE


R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
serie
SINTON
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE


R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
serie
3.11.- FILTROS DE ONDA AC
USTICA DE SUPERFICIE

Los cristales de cuarzo basan el funcionamiento en el intercambio de energa entre la se nal el ectrica
suministrada y una vibraci on mec anica (onda ac ustica) que se propaga en el cristal
Las resonancias el ectricas son debidas a resonancias de la onda ac ustica
El cristal debe hacerse m as no para incrementar la frecuencia de resonancia:
c 3000m/s =
c
f
paraf
0
= 50MHz = 60m
Por ello, es difcil hacer cristales de cuarzo con f
0
de varias decenas de MHz
Soluci on para altas frecuencias: resonadores de onda ac ustica de supercie (SAW, Surface Acoustic
Wave)
Dispositivo: estructura resonante en la supercie de un cristal, constituida por un sustrato sobre el que se
depositan unos electrodos (con t ecnicas de circuitos integrados)
Sustrato de niobato de litio (Li Nb O
3
) o tantalato de litio (Li Ta O
3
)
La geometra y dimensiones de los electrodos determinan las resonancias y la respuesta en frecuencia
Se alcanzan frecuencias de resonancia de cientos de MHz
El dise no es complejo pero permite exibilidad en el dise no de la respuesta en frecuencia
Dispositivos compactos (del orden de )
ESTRUCTURA DE UN RESONADOR DE ONDA AC
USTICA SUPERFICIAL


Tema 4:
AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
EN RADIO FRECUENCIA
Tema 4: AMPLIFICADORES SINTONIZADOS EN RF

Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplicadores en RF p ag. 2
4.1.- Introducci on
4.2.- Transistores BJT y MOSFET (repaso)
4.3.- Amplicadores en peque na se nal
4.4.- Modelo en par ametros Y
4.5.- Estabilidad del amplicador
Criterio de Linvill C
Criterio de Stern K
Obtenci on de estabilidad
Realimentaci on
4.6.- Ganancia de potencia en amplicaci on
4.7.- Dise no con dispositivo incondicionalmente estable
Con realimentaci on
Sin realimentaci on
4.8.- Dise no con dispositivo potencialmente inestable
Estabilizaci on sin realimentaci on con G
S
jo
Estabilizaci on sin realimentaci on con G
S
y G
L
libres
4.9.- Dise no de etapa amplicadora sintonizada
Adaptaci on de impedancias y polarizaci on
Procedimiento de dise no
4.1.- INTRODUCCI

ON

En radiocomunicaciones se necesitan amplicadores sintonizados: (en transmisor y receptor)
Amplicadores sintonizados (Q grande), grandes ganancias
La estabilidad puede ser un problema: oscilaciones no deseables
Objetivo del tema: dise no y an alisis de amplicadores sintonizados en RF
4.2.- TRANSISTORES BJT Y MOSFET (repaso)

EL TRANSISTOR BJT:
BJT: Bipolar Junction Transistor
(transistor bipolar de uni on)
Regiones de operaci on:
Activa V
BE
> 0, V
BC
< 0 (en npn)
Saturaci on V
BE
> 0, V
BC
> 0 (en npn)
Corte V
BE
< 0, V
BC
< 0 (en npn)
Activa inversa: V
BE
< 0, V
BC
> 0 (en npn)
Comportamiento fsico del transistor:
Activa, saturaci on, corte, activa inversa
Uso del transistor BJT
En electr onica anal ogica: activa
En electr onica digital: corte y saturaci on

Comportamiento fsico: ecuaciones de Ebers Moll:
I
E
= I
ES
_
e
V
BE
/V
T
1
_
+
R
I
CS
_
e
V
BC
/V
T
1
_
I
C
=
F
I
ES
_
e
V
BE
/V
T
1
_
I
CS
_
e
V
BC
/V
T
1
_
donde V
T
= kT/q (V
T
25 mV a T ambiente)
En activa, V
BE
> 0 y V
BC
< 0
I
E
I
ES
e
V
BE
/V
T
I
C

F
I
ES
e
V
BE
/V
T
I
B
= I
E
I
C
=
_
1
F
1
_
I
C
=
I
C
F
=

F
1
F
En activa podemos describir el comportamiento con estas ecuaciones:
I
C
=
F
I
B
I
C
= I
S
e
V
BE
/V
T
donde I
S
y
F
son par ametros dependientes del dispositivo
En activa, la corriente de colector se controla mediante la tensi on base-emisor (o medi-
ante la corriente de base)

Operaci on en activa: I
C
depende de V
BE

Efecto Early (modulaci on de anchura de la base)
I
C
= I
S
e
V
BE
/V
T
_
1 +
V
CE
V
A
_
MODELO DE PEQUE
NA SE
NAL DEL BJT:


El modelo de peque na se nal se obtiene linealizando en torno al punto de polarizaci on
Modelo en par ametros (a partir de fsica del dispositivo)
r
bb
: resistencia distribuida de base (peque na)
r
: resistencia uni on CB polarizada en inverso (muy grande)

C
: capacidad de uni on CB polarizada en inverso (capacidad de transici on)

r
: relaci on entre v
be
e i
b
C
: capacidad de uni on BE polarizada en directo (capacidad de difusi on m as capacidad de transici on)

g
m
: transconductancia, relaci on entre v
be
e i
c
r
o
: relaci on entre v
ce
e i
c
(modela efecto Early)
1
r
o
=
I
C
V
CE
g
m
=
I
C
V
BE
1
r
=
I
B
V
BE

Los par ametros g
m
, r
y r
o
dependen del punto de polarizaci on:
g
m
=
I
0
C
V
T
r
=

g
m
r
o
=
V
A
I
0
C
La capacidad C
corresponde a la capacidad de transici on de una uni on pn polarizada en inversa:

C
=
C
0
_
1 +
V
CB
0
_
n
donde n depende del perl de dopado (C
del orden de 1 pF)

La capacidad C
incluye la capacidad de difusi on y la de transici on:

C
= C
d
+ C
je
=
F
g
m
+ 2C
je0
donde
F
es el tiempo de tr ansito de los portadores en la base (C
del orden de decenas de pF)

Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuen-
cia pero inuyen a alta frecuencia)
A partir de una cierta frecuencia, la ganancia en corriente disminuye:
[(f)[ =
f
T
f
siendo f
T
la frecuencia de transici on (para la que [[ = 1)
f
T
=
1
2
g
m
C
+ C
1
2
F
EL TRANSISTOR MOSFET:

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(transistor de efecto campo metal- oxido-semiconductor)
Dispositivo de 4 terminales:
Sustrato o cuerpo (Bulk o Body, B)
Puerta (Gate, G)
Fuente (Source, S)
Drenador (Drain, D)
Comportamiento fsico del transistor:
Si la tensi on V
GS
supera el umbral V
T
, se crea un canal con
portadores libres(por efecto campo)
Si la tensi on V
GD
supera el umbral V
T
, el canal llega hasta el
drenador
Cuando hay canal entre fuente y drenador, hay conducci on
ohmica (en triodo u ohmico)
Si no hay canal, no conduce (en corte)
Si V
GS
> V
T
, pero V
GD
< V
T
el canal no llega al drenador
y todos los portadores del canal llegan al drenador: (en satu-
raci on). La corriente de drenador controlada por V
GS
En electr onica anal ogica, se usa en saturaci on
Comportamiento an alogo al BJT con varias diferencias:
Dispositivo de puerta aislada
g
m
menor
Dependencia I
D
(V
GS
) distinta a I
C
(V
BE
)

Regiones de funcionamiento:
Saturaci on V
GS
> V
T
, V
GD
< V
T
(MOSFET de canal n)
Ohmica V
GS
> V
T
, V
GD
> V
T
(MOSFET de canal n)
Corte V
GS
< V
T
, V
GD
< V
T
(MOSFET de canal n)
En zona de comportamiento ohmico:
I
D
=

n
C
ox
W
L
_
(V
GS
V
T
)V
DS
V
2
DS
2
_

n
C
ox
W
L
(V
GS
V
T
)V
DS
En zona de saturaci on:
I
D
=

n
C
ox
W
2L
(V
GS
V
T
)
2
= I
D0
_
1
V
GS
V
T
_
2
siendo I
D0

n
C
ox
W
2L
V
2
T
donde:

n
(o
p
) es la movilidad de los portadores (electrones/huecos en MOSFET de canal n/p)
C
ox
=
ox
/d
ox
es la capacidad del oxido
W es la anchura del canal
L es la longitud del canal
Efecto Body: la tensi on umbral V
T
depende de la tensi on sustrato-fuente (normalmente el sustrato es-
tar a cortocircuitado con la fuente o a la tensi on m as baja del circuito)

Operaci on en saturaci on: I
D
depende de V
GS

Efecto de modulaci on de longitud del canal (equivalente a efecto Early)
I
D
= I
D0
_
1
V
GS
V
T
_
2
(1 + V
DS
)
Tipos de MOSFET

En cuanto al tipo de canal:
De canal n (sustrato p, fuente y drenador n)
De canal p (sustrato n, fuente y drenador p)
En cuanto a la tensi on umbral:
Si para V
GS
= 0 hay canal, se llama MOSFET de deplexi on, de empobrecimiento, o de tipo on (ocurre
si V
T
< 0 en MOSFET de canal n, o si V
T
> 0 en MOSFET de canal p)
Si para V
GS
= 0 no hay canal, se llama MOSFET de realce, de acumulaci on, o de tipo off (ocurre si
V
T
> 0 en MOSFET de canal n, o si V
T
< 0 en MOSFET de canal p)
MOSFET de canal n de realce MOSFET de canal p de realce
MOSFET de canal n de deplexi on MOSFET de canal p de deplexi on
MODELO DE PEQUE
NA SE
NAL DEL MOSFET:


El modelo de peque na se nal se obtiene linealizando en torno al punto de polarizaci on
Para simplicar supondremos sustrato y fuente cortocircuitados (capacidades a sustrato
y g
mb
v
sb
se eliminan)
C
gs
: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)
C
gd
: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)
C
ds
: capacidad drenador-sustrato (que est a cortocircuitado con fuente)
g
m
: transconductancia, relaci on entre v
gs
e i
d
r
d
: relaci on entre v
ds
e i
d
(modela efecto modulaci on de longitud del canal)
g
m
=
I
D
V
GS
1
r
d
=
I
D
V
DS

I
D
= I
D0
_
1
V
GS
V
T
_
2
(1 + V
DS
)
g
m
=
I
D
V
GS
1
r
d
=
I
D
V
DS
Los par ametros g
m
y r
d
dependen del punto de polarizaci on:
g
m
=
2I
0
D
V
GS
V
T
r
d
=
1
I
0
D
La capacidad C
gs
corresponde a la capacidad de la estructura MOS en el canal (y es del orden de algunos
pF):
C
gs
=
2
3
WLC
ox
Las capacidades C
gd
y C
ds
son varias veces menores que C
gs
Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuen-
cia pero inuyen a alta frecuencia)
La frecuencia de transici on es:
f
T
=
1
2
g
m
C
gs
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON BJT:

emisor com un colector com un base com un
impedancia de entrada media alta baja
impedancia de salida alta baja muy alta
ganancia de corriente h
fe
h
fe
+ 1 1
ganancia de voltaje alta 1 alta
ganancia de potencia muy alta media alta
frecuencia de corte f
hfe
f
hfc
f
hfe
f
hfb
h
fe
f
hfe
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON MOSFET:

fuente com un drenador com un
impedancia de entrada muy alta muy alta
impedancia de salida media baja
ganancia de voltaje alta 1
frecuencia de corte g
m
/(2C
gs
) g
m
/(2C
ds
)
4.3.- AMPLIFICADORES EN PEQUE
NA SE
NAL

Amplicador en peque na se nal implica:
(1) Amplitudes sucientemente peque nas para que los dispositivos activos se puedan modelar mediante
modelos lineales
(2) El voltaje de salida es proporcional al voltaje de entrada
Cu al es el lmite dentro del cual puedo considerar que un BJT o un MOSFET operan en peque na se nal?
Estudio de linealidad en un amplicador EC sintonizado

Suposiciones:
Capacidades internas del transistor sucientemente peque nas a f
0
Capacidades de desacoplo sucientemente grandes a f
0
Despreciamos efecto Early
Resistencias de polarizaci on R
b1
y R
b2
sucientemente grandes
A la frecuencia de resonancia f
0
, impedancia de carga R
t
Ganancia en f
0
:
A
v
=
V
o
V
i
= g
m
R
t
Si aumentamos la amplitud de V
i
deja de tener comportamiento lineal y abandonamos
la zona de operaci on en peque na se nal:
Desplazamiento del punto de polarizaci on
Ganancia dependiente de la amplitud de la se nal de entrada
Aparici on de arm onicos

Supongamos entrada:
v
BE
= V
BE
+ V
i
cos(t)
La intensidad de colector viene dada por las ecuaciones de Ebers Moll:
I
C
= I
ES
exp(v
BE
/V
T
) = I
ES
exp(V
BE
/V
T
) exp(V
i
cos(t)/V
T
) = I
0
C
exp(x cos(t))
donde se ha denido x V
i
/V
T
La funci on exp(x cos(t)) es peri odica y por tanto admite un desarrollo en serie de Fourier:
exp(x cos(t)) = I
0
(x) + 2
n=1
I
n
(x) cos(nt)
siendo I
n
(x) las funciones de Bessel modicadas de primera especie
La intensidad de colector queda:
I
C
= I
0
C
_
I
0
(x) + 2
n=1
I
n
(x) cos(nt)
_
En peque na se nal (x 0):
lm
x0
I
0
(x) = 1 lm
x0
I
1
(x) = x/2 lm
x0
I
n
(x) =
x
n
n! 2
n
I
C
I
0
C
_
1 + x cos(t) +
x
2
4
cos(2t) + . . .
_
I
0
C
+
V
i
V
T
I
0
C
cos(t) = I
0
C
+ g
m
V
i
cos(t)
V
C
= V
0
C
g
m
R
t
V
i
cos(t) A
v
= g
m
R
t
An alisis en gran se nal: I
C
= I
0
C
(I
0
(x) + 2
I
n
(x) cos(nt))

El t ermino I
0
(x) produce un desplazamiento del punto de polarizaci on:
Para x = 0,5, I
C
se incrementa un 6.3 %; para x = 1, I
C
se incrementa un 26.6 %
El t ermino 2I
1
(x) hace que la ganancia dependa de la amplitud de la se nal de entrada:
Para x = 0,5, A
v
se incrementa un 3.2 %; para x = 1, A
v
se incrementa un 13.0 %
La ganancia dependiente de la amplitud da lugar a una distorsi on. La distorsi on tolerable determina el
lmite tolerable de amplitud de entrada (para V
i
= 25 mV, amplitudes incrementadas 1dB)
Los t erminos 2I
n
(x) con n 2 dan lugar a arm onicos de frecuencias n (ltrados)
An alisis en gran se nal para un MOSFET

I
D
= K(v
GS
V
T
)
2
v
GS
= V
GS
+ V
i
cos(t)
I
D
= K ((V
GS
V
T
) + V
i
cos(t))
2
I
D
= K(V
GS
V
T
)
2
+ KV
2
i
cos
2
(t) + 2K(V
GS
V
T
)V
i
cos(t)
I
D
= I
0
D
+
1
2
KV
2
i
+
1
2
KV
2
i
cos(2t) +
2I
0
D
(V
GS
V
T
)
V
i
cos(t)
I
D
= I
0
D
+
1
2
KV
2
i
+
1
2
KV
2
i
cos(2t) + g
m
V
i
cos(t)
Un valor grande de V
i
(comparado con (V
GS
V
T
)) tiene dos efectos:
Desplaza el punto de polarizaci on del MOSFET
Da lugar a la aparici on de un arm onico de frecuencia 2
Sin embargo, no afecta a la ganancia para la componente
En la pr actica, las no linealidades se hacen importantes para V
i
superiores a 400 mV
(en BJT para 25 mV)
4.4.- MODELO EN PAR
AMETROS Y

Modelos de peque na se nal:
Basados en la fsica del dispositivo:
Aplicables en un rango amplio de frecuencias
Valores jos en este rango de frecuencias
Adecuados para an alisis mediante ordenador
Modelo en par ametros Y (par ametros de admitancia)
Modelo de cuadripolo (dispositivo con entrada y salida)

Util para an alisis de estabilidad y ganancia

Util para an alisis de realimentaci on
Los par ametros toman valores complejos especcos para cada frecuencia
PAR
AMETROS DE ADMITANCIA DE UN CUADRIPOLO


Cualquier dispositivo lineal de dos puertos se puede describir mediante las ecuaciones:
I
1
= V
1
y
i
+ V
2
y
r
= V
1
Y
S
I
2
= V
1
y
f
+ V
2
y
o
= V
2
Y
L
donde Y
S
e Y
L
son las admitancias de la fuente y de la carga, respectivamente, y donde y
i
,
y
r
, y
f
e y
o
son los par ametros de admitancia en cortocircuito del dispositivo:
y
i
I
1
V
1
V
2
=0
y
r

I
1
V
2
V
1
=0
y
f

I
2
V
1
V
2
=0
y
o
I
2
V
2
V
1
=0
(admitancias de entrada, de transferencia inversa, de transferencia directa y de salida)

I
1
= V
1
y
i
+ V
2
y
r
= V
1
Y
S
I
2
= V
1
y
f
+ V
2
y
o
= V
2
Y
L
Ganancia de tensi on y corriente, y admitancias de entrada y salida (A
V
, A
I
, Y
1
e Y
2
):
A
V

V
2
V
1
=
y
f
y
o
+ Y
L
V
1
V
2
=
y
r
y
i
+ Y
S
A
I

I
2
I
1
=
y
f
Y
L
y
i
y
o
y
f
y
r
+ y
i
Y
L
Y
1
I
1
V
1
= y
i
y
r
y
f
y
o
+ Y
L
Y
2
I
2
V
2
= y
o
y
r
y
f
y
i
+ Y
S
Ejemplo de c alculo de par ametros Y

Par ametros de admitancias de la red:
y
i
=
I
1
V
1
V
2
=0
= Y
A
y
r
=
I
1
V
2
V
1
=0
= Y
A
y
f
=
I
2
V
1
V
2
=0
= Y
A
y
o
=
I
2
V
2
V
1
=0
= Y
A
+ Y
B
Ganancia de tensi on y corriente, y admitancias de entrada y salida
A
V
=
y
f
y
o
+ Y
L
=
Y
A
Y
A
+ Y
B
+ Y
L
A
I
=
y
f
Y
L
y
i
y
o
y
f
y
r
+ y
i
Y
L
=
Y
A
Y
L
Y
A
Y
B
+ Y
A
Y
L
Y
1
= y
i
y
r
y
f
y
o
+ Y
L
=
Y
A
(Y
B
+ Y
L
)
Y
A
+ Y
B
+ Y
L
Y
2
= y
o
y
r
y
f
y
i
+ Y
S
=
Y
A
Y
S
+ Y
B
Y
A
+ Y
B
Y
S
Y
A
+ Y
S
PAR
AMETROS Y DE UN MOSFET

y
i
=
I
1
V
1
V
2
=0
= jC
gs
+ jC
gd
y
r
=
I
1
V
2
V
1
=0
= jC
gd
y
f
=
I
2
V
1
V
2
=0
= g
m
jC
gd
y
o
=
I
2
V
2
V
1
=0
= g
o
+ jC
ds
+ jC
gd
PAR
AMETROS Y DE UN BJT SIN r

x

y
i
=
I
1
V
1
V
2
=0
= g
+ g
+ jC
+ jC
y
r
=
I
1
V
2
V
1
=0
= g
jC
y
f
=
I
2
V
1
V
2
=0
= g
m
g
jC
y
o
=
I
2
V
2
V
1
=0
= g
o
+ g
+ jC
PAR
AMETROS Y DE UN BJT CON r

x

y
i
=
I
1
V
1
V
2
=0
=
g
x
(g
+ g
+ jC
+ jC
)
g
x
+ g
+ g
+ jC
+ jC
y
r
=
I
1
V
2
V
1
=0
=
g
x
(g
+ jC
)
g
x
+ g
+ g
+ jC
+ jC
y
f
=
I
2
V
1
V
2
=0
=
g
x
(g
m
g
jC
)
g
x
+ g
+ g
+ jC
+ jC
y
o
=
I
2
V
2
V
1
=0
= g
o
+
(g
+ jC
)(g
m
+ g
x
+ g
+ jC
)
g
x
+ g
+ g
+ jC
+ jC
4.5.- ESTABILIDAD DEL AMPLIFICADOR


Circuito estable: libre de oscilaciones indeseables
Cualquier circuito es inestable si a la entrada recibe suciente se nal de la salida con la
fase adecuada
Acoplamiento entre salida y entrada:
A trav es de elementos internos: C
en BJT o C
gd
en MOSFET
A trav es de elementos externos (red de realimentaci on)
Objetivo del amplicador:
M axima ganancia de potencia
Estabilidad
Criterios de estabilidad:
Para dispositivos: Factor C de Linvill
Para circuitos: Factor K de Stern
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
)
C < 1 incondicionalmente estable
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
K > 1 circuito estable
FACTOR DE ESTABILIDAD C DE LINVILL

El factor de estabilidad C de Linvill se dene como:
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
)
Determina la estabilidad del dispositivo en el peor de los casos (con ambos puertos en
circuito abierto, es decir, Y
S
0 Y
L
0)
Si C < 1 el dispositivo es incondicionalmente estable (estable independientemente de
las admitancias de fuente y carga)
Si C > 1 el dispositivo es potencialmente inestable (puede ser inestable para determi-
nados valores de las admitancias de carga y fuente)
Algunos BJTs y MOSFETs son potencialmente inestables en algunas frecuencias de-
bido a C
y C
gd
Factor C de Linvill: ejemplo

Estudiar la estabilidad de un transistor 2N4957 a f = 200 MHz, con I
C
= 2 mA y
V
CE
= 10 V en emisor com un
Consultando gr acas podemos ver:
y
i
= (2,7 + j6,8)m y
f
= (53 j22)m
y
o
= (0,1 + j1,5)m y
r
= (0 j0,5)m
[y
f
[ = 57,4m [y
r
[ = 0,5m
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
)
=
57,4 0,5
0,54 + 11
= 2,49 > 1 potencialmente inestable
Obtenci on de par ametros de admitancia

FACTOR DE ESTABILIDAD K DE STERN

Al a nadir impedancias de fuente y carga nitas, la estabilidad tiende a mejorar
El factor de estabilidad K de Stern se dene como:
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
Si K > 1 el circuito es estable
Si K < 1 el circuito es potencialmente inestable
Cuanto mayor sean G
S
y G
L
, mejor es la estabilidad (aunque disminuye la ganancia)
Si K es pr oximo a 1, riesgo de inestabilidad por realimentaciones con elementos par asitos
Valores recomendados: 4 < K < 10
Factor K de Stern: ejemplo

C
= 2 mA y
V
CE
= 10 V en emisor com un, con R
S
= 50 y R
L
= 1k
y
i
= (2,7 + j6,8)m y
f
= (53 j22)m
y
o
= (0,1 + j1,5)m y
r
= (0 j0,5)m
G
S
= 20m G
L
= 1m
g
i
+ G
S
= 22,7m g
o
+ G
L
= 1,1m
y
f
y
r
= (11 j26,5)(m)
2
[y
f
y
r
[ = 28,7(m)
2
Re(y
f
y
r
) = 11(m)
2
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
=
2 22,7 1,1
28,7 11
= 2,82 > 1 circuito estable
ESTABILIDAD EN CIRCUITOS REALIMENTADOS

Si consideramos una red de realimentaci on externa, podemos aplicar los criterios de
Linvill y Stern a la red completa
Para el an alisis debemos considerar los par ametros de admitancia de la red completa:
y
ic
= y
it
+ y
if
y
rc
= y
rt
+ y
rf
y
fc
= y
ft
+ y
ff
y
oc
= y
ot
+ y
of
Estabilidad en circuitos realimentados: ejemplo

C
= 2 mA y
V
CE
= 10 V en emisor com un, con R
S
= 50 y R
L
= 1k al que se ha colocado una
capacidad C
x
= 3,25 pF entre colector y base
y
if
= y
of
= Y
x
= jC
x
= j4m
y
ff
= y
rf
= Y
x
= jC
x
= j4m

Par ametros del transistor:
y
it
= (2,7 + j6,8)m y
ft
= (53 j22)m
y
ot
= (0,1 + j1,5)m y
rt
= (0 j0,5)m
Par ametros del circuito realimentado:
y
ic
= (2,7 + j10,8)m y
fc
= (53 j26)m
y
oc
= (0,1 + j5,5)m y
rc
= (0 j4,5)m
Factores de Linvill y Stern:
G
S
= 20m G
L
= 1m
g
i
+ G
S
= 22,7m g
o
+ G
L
= 1,1m
y
f
y
r
= (117 j238,5)(m)
2
[y
f
y
r
[ = 265,6(m)
2
Re(y
f
y
r
) = 117(m)
2
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
)
=
256,6
2 2,7 0,1 + 117
= 2,26 > 1 potencialmente inestable
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
=
2 22,7 1,1
265,6 117
= 0,336 < 1 potencialmente inestable
ESTABILIZACI
ON DE UN AMPLIFICADOR

La inestabilidad del circuito es debida a la trayectoria de realimentaci on:
y
rc
= y
rt
+ y
rf
Interna: a trav es de y
rt
Externa: a trav es de y
rf
M etodos de estabilizaci on del circuito:
Unilateralizaci on: Elegir y
rf
que hace anula y
rc
Neutralizaci on: Si y
rt
es compleja (tiene parte real e imaginaria) es difcil encontrar
la red que hace que y
rc
se anule; si se hace y
rf
= jb
rt
siendo g
rt
b
rt
, queda
y
rc
= g
rt
sucientemente peque na como para garantizar estabilidad: amplicador
neutralizado
Disminuir las resistencias de carga y de fuente mejora la estabilidad (a costa de re-
ducir ganancia); se recomienda 4 < K < 10
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
)
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
Ejemplo de neutralizaci on:

L
n
y C
n
se eligen para anular b
rc
Queda: y
rc
= g
rt
4.6.- GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICACI

ON

Deniciones de ganancia de potencia:
Ganancia de potencia de operaci on:
G
P
=
P
o
P
i
Ganancia de transductor:
G
T
=
P
o
P
as
Ganancia disponible:
G
A
=
P
ao
P
as
M axima Ganancia Disponible MAG:
GANANCIA DE POTENCIA DE OPERACI
ON G
P

G
P
es la ganancia de potencia desde la entrada del amplicador hasta la carga:
G
P
=
P
o
P
i
=
potencia entregada a la carga
potencia en el puerto de entrada
=
[V
2
[
2
G
L
[V
1
[
2
G
1
Toma el valor:
G
P
=
[y
f
[
2
G
L
[Y
L
+ y
o
[
2
G
1
GANANCIA DE POTENCIA DEL TRANSDUCTOR G
T

G
T
es el cociente entre la potencia entregada a la carga y la potencia disponible en la
fuente:
G
T
=
P
o
P
as
=
potencia entregada a la carga
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplicador es optimo:
Y
S
= Y
1
Toma el valor:
G
T
=
4G
S
G
L
[y
f
[
2
[(y
i
+ Y
S
)(y
o
+ Y
L
) y
f
y
r
[
2
GANANCIA DE POTENCIA DISPONIBLE G
A

G
A
es la m axima ganancia que puede proporcionar el amplicador:
G
A
=
P
ao
P
as
=
potencia disponible en el puerto de salida
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplicador es optimo:
Y
S
= Y
1
Se asume que el acoplamiento entre el amplicador y la carga es optimo:
Y
L
= Y
2
Toma el valor:
G
A
=
[y
f
[
2
G
S
Re
_
(y
i
y
o
y
f
y
r
+ y
o
Y
S
)(y
i
+ Y
S
)
_
M
AXIMA GANANCIA DISPONIBLE MAG


MAG es la ganancia te orica del amplicador suponiendo y
r
= 0
En tal caso, se verica:
Y
1
= y
i
Y
2
= y
o
Se asume acoplamiento optimo en fuente y carga
MAG representa el lmite superior te orico de ganancia que puede obtenerse con el dis-
positivo activo
Su valor se obtiene de G
A
o de G
T
haciendo y
r
= 0, con Y
S
= y
i
, Y
L
= y
o
:
MAG =
[y
f
[
2
4g
i
g
o
GANANCIA DE POTENCIA Y DISE
NO DEL AMPLIFICADOR

MAG proporciona un lmite m aximo te orico (si y
r
= 0)
En general, y
r
,= 0 y la ganancia m axima de potencia G
A
se obtiene cuando hay
acoplamiento de admitancias de fuente y carga Y
S
= Y
1
; Y
L
= Y
2
Esta condici on es difcil de conseguir, ya que Y
1
depende de Y
L
, e Y
2
depende de Y
S
Cuando se consigue esta condici on, G
T
=G
A
; si no se consigue, G
T
< G
A
Objetivo del dise no: maximizar G
P
(ganancia de operaci on) o G
T
(ganancia del trans-
ductor) manteniendo la estabilidad
Si el dispositivo es incondicionalmente estable, se pueden buscar los valores Y
S
Y
L
que maximizan la ganancia G
T
(que hacen G
T
= G
A
)
Si el dispositivo es potencialmente inestable:
Realimentaci on para unilateralizar o neutralizar, y buscar entonces las admitancias
Y
S
Y
L
que maximizan G
T
(que hacen G
T
= G
A
)
O bien buscar las admitancias Y
S
Y
L
que maximizan G
T
para un factor de Stern
K adecuado
DISE
NO DEL AMPLIFICADOR

Dispositivo incondicionalmente estable (C < 1):
Con realimentaci on (unilateralizado): MAG
Sin realimentaci on: G
A
Dispositivo potencialmente inestable (C > 1):
Con realimentaci on:
Unilateralizado: MAG
Neutralizado con C < 1: G
A
Neutralizado con C > 1: G
T
t.q. K > 4
Sin realimentaci on con C > 1: G
T
t.q. K > 4
4.7.- DISE
NO CON DISPOSITIVO INCOND. ESTABLE


AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO (con realimentaci on)
La red de realimentaci on que proporciona unilateralizaci on estara formada por y
x
con
y
x
= y
rt
De este modo, como y
rf
= y
x
, queda y
rf
= y
rt
y por tanto y
rc
= 0
Los par ametros de la red completa seran:
y
ic
= y
it
+ y
rt
y
rc
= 0
y
fc
= y
ft
y
rt
y
oc
= y
ot
+ y
rt
Las admitancias de entrada y salida seran:
Y
1
= y
ic
y
rc
y
fc
y
oc
+ Y
L
= y
ic
= y
it
+ y
rt
Y
2
= y
oc
y
rc
y
fc
y
ic
+ Y
S
= y
oc
= y
ot
+ y
rt

Y
1
e Y
2
son independientes de Y
L
e Y
S
: la sintonizaci on de la red no afecta al acoplamien-
to de impedancias; util en dise no multietapa
Ganancia de potencia del transductor unilateralizado:
G
Tu
=
4G
S
G
L
[y
ft
y
rt
[
2
[(y
it
+ y
rt
+ Y
S
)(y
ot
+ y
rt
+ Y
L
)[
2
Si hay acoplamiento de impedancias de fuente y carga (Y
S
= Y
1
, Y
L
= Y
2
) estamos
en condiciones de m axima ganancia de potencia:
Y
S
= (y
it
+ y
rt
)
Y
L
= (y
ot
+ y
rt
)
G
Tumax
=
[y
fc
[
2
4g
ic
g
oc
=
[y
ft
y
rt
[
2
4(g
it
+ g
rt
)(g
ot
+ g
rt
)
= MAG
u
AMPLIFICADOR SIN REALIMENTACI
ON

Se deben elegir las admitancias de carga y fuente que maximicen la ganancia de poten-
cia:
Y
S
= Y
1
Y
L
= Y
2
donde:
Y
1
= y
i
y
r
y
f
y
o
+ Y
L
Y
2
= y
o
y
r
y
f
y
i
+ Y
S
Puesto que y
r
no se anula, Y
L
afecta a Y
1
, e Y
S
afecta a Y
2
, por lo que el c alculo de Y
L
e Y
S
no es inmediato
Se trata de determinar:
Y
S
= G
S
+ jB
S
Y
L
= G
L
+ jB
L
que maximicen G
T
:
G
T
=
4G
S
G
L
[y
f
[
2
[(y
i
+ Y
S
)(y
o
+ Y
L
) y
f
y
r
[
2

Y
S
, Y
L
se pueden obtener derivando G
T
con respecto a G
S
, B
S
, G
L
y B
L
e igualando
las derivadas a 0:
G
S
=
_
(2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
))
2
[y
f
y
r
[
2
2g
o
B
S
= b
i
+
Im(y
f
y
r
)
2g
o
G
L
=
_
(2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
))
2
[y
f
y
r
[
2
2g
i
=
G
S
g
o
g
i
B
L
= b
o
+
Im(y
f
y
r
)
2g
i
El valor de G
T
obtenido en estas condiciones es:
G
Tmax
=
[y
f
[
2
2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
) +
_
(2g
i
g
o
Re(y
f
y
r
))
2
[y
f
y
r
[
2
4.8.- DISE
NOCONDISPOSITIVOPOTENC. INESTABLE

Si realimentamos y conseguimos unilateralizar, la red realimentada es incondicional-
mente estable y se sigue el procedimiento visto para dispositivos unilateralizados
Si realimentamos y neutralizamos, haciendo el dispositivo incondicionalmente estable,
podemos aplicar el procedimiento anterior para hacer Y
S
= Y
1
, Y
L
= Y
2
Si la neutralizaci on no hace el dispositivo incondicionalmente estable o si no realimen-
tamos y es potencialmente inestable, debemos elegir las admitancias de carga y fuente
que hagan K sucientemente grande
ESTABILIZACI
ON SIN REALIMENTACI
ON CON G
S
FIJO
El criterio de Stern indica que podemos conseguir estabilidad sin realimentar haciendo
G
S
y G
L
sucientemente grandes
Usualmente, en RF G
S
debe jarse por consideraciones de ruido
Fijado G
S
y K (el factor de Stern deseado), G
L
se obtiene despejando en:
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
B
S
y B
L
se obtienen mediante un procedimiento iterativo

Pretendemos:
B
S
= B
1
= Im(Y
1
) B
L
= B
2
= Im(Y
2
)
donde:
Y
1
= y
i
y
r
y
f
y
o
+ Y
L
Y
2
= y
o
y
r
y
f
y
i
+ Y
S
Procedimiento iterativo:
1. Inicializamos: B
L
= b
o
2. A partir de Y
L
calculamos Y
1
y obtenemos B
S
3. A partir de Y
S
calculamos Y
2
y obtenemos B
L
4. Iteramos (2) y (3) hasta convergencia
5. Una vez obtenidos Y
S
e Y
L
se puede calcular la ganancia del transductor G
T
ESTABILIZACI
ON SIN REALIMENTACI
ON CON G
S
Y G
L
LIBRES

Si G
S
y G
L
se pueden elegir sin restricciones, podemos establecerlos para que maxim-
icen G
T
para un valor dado de K:
G
S
=
K([y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
))g
i
2g
o
g
i
G
L
=
K([y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
))g
o
2g
i
g
o
Y los valores de B
S
y B
L
se obtendran mediante el proceso iterativo anterior
4.9.- DISE
NO DE AMPLIFICADOR SINTONIZADO

ADAPTACI
ON DE IMPEDANCIAS Y POLARIZACI
ON
A partir de un dispositivo activo sabemos calcular los valores Y
S
e Y
L
que proporcionan
la ganancia y estabilidad adecuados
Necesitamos adaptar las impedancias de fuente y carga reales a estos valores
Necesitamos sintonizar (establecer frecuencia de resonancia y ancho de banda)
Redes de adaptaci on de impedancias (tapped inductor o tapped capacitor)
Considerar las susceptancias (B
1
y B
2
) en la red de adaptaci on de impedancias
Necesitamos polarizar el transistor
Redes de polarizaci on (condensadores de desacoplo, RFCs)
Ejemplo:


C
1a
, C
2a
, L
a
transforman R
g
en R
S
, sintonizan y compensan B
1
C
1b
, C
2b
, L
b
transforman R
o
en R
L
, sintonizan y compensan B
2
R
B1
y R
B2
polarizan el transistor (jan la tensi on de base en DC)
RFC son choques de radio frecuencia para aislar la base en peque na se nal
R
E
polariza el transistor (ja la corriente de colector en DC)
C
E
pone a tierra el emisor en peque na se nal
En DC, el colector est a a V
CC
debido a la bobina L
2
Conviene poner un blindaje a tierra entre los conductores de colector y base para evitar
capacidades par asitas
La capacidad C
F
pone V
CC
a tierra en peque na se nal
Si es necesario, se puede a nadir circuito de unilateralizaci on o neutralizaci on
PROCEDIMIENTO DE DISE
NO

1. Se elige el transistor adecuado teniendo en cuenta los requerimientos de ganancia, fre-
cuencia, gura de ruido, etc.
2. Se determinan los par ametros de admitancias del transistor a la frecuencia de trabajo
3. Se determina la estabilidad del dispositivo (factor de estabilidad C de Linvill), y del cir-
cuito (factor de estabilidad K de Stern) considerando los distintos casos (realimentaci on
para unilateralizaci on o neutralizaci on, etc.) y se determinan las admitancias Y
S
e Y
L
de carga y de fuente adecuadas
4. Se determinan las impedancias de la fuente de se nal R
g
y de la carga R
o
(usualmente
50 )
5. Se dise nan las redes de adaptaci on de impedancias
Transformaci on de impedancias, teniendo en cuenta las susceptancias G
1
y G
2
de
entrada y salida del amplicador
Frecuencia de trabajo y ancho de banda
Usualmente redes tapped capacitor o tapped inductor

Tema 5:
OSCILADORES SENOIDALES
Tema 5: OSCILADORES SENOIDALES

Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p ag. 2
5.1.- Introducci on
5.2.- Caractersticas de los osciladores
5.3.- Condiciones de oscilaci on
5.4.- Tipos de osciladores:
Elemento resonador
Elemento activo
Red de realimentaci on
5.5.- Dise no de osciladores
5.6.- Osciladores LC
An alisis de un oscilador Colpitts
Dise no de un oscilador Colpitts
Oscilador Colpitts para baja resistencia de carga
Oscilador de Clapp
Oscilador de Hartley
5.7.- Osciladores controlados por tensi on (VCO)
5.8.- Osciladores a cristal de cuarzo
Oscilador de Pierce
Oscilador Colpitts a cristal
5.1.- INTRODUCCI

ON

En el tema anterior se estudi o la estabilidad de los amplicadores (que no oscilaran)
En este tema estudiamos los osciladores (sistemas inestables)
En radiocomunicaciones los osciladores se usan para desplazar frecuencias:
En el transmisor: para trasladar frecuencia de BB a RF
En el receptor: para trasladar frecuencia de RF a IF

Denici on de oscilador:
Sistema que proporciona una se nal peri odica sin necesidad de atacarlo con otra se nal
Sistema que proporciona una se nal de RF a partir de una fuente de alimentaci on DC
Se nal generada peri odica serie de arm onicos en el espectro:
Osciladores de onda senoidal (tema 5)
Osciladores de onda cuadrada (tema 6, con PLLs)
Osciladores controlados por tensi on (Voltage Controlled Oscillators, VCO):
Generaci on de FM
Arrastre en receptores de sintona variable
Detecci on de se nales moduladas: bucles de fase ja (Phase Locked Loops, PLL)
Elementos de un oscilador:
Red resonante
Elemento activo (elemento de resistencia negativa)
Red de acoplamiento (adaptaci on de impedancias, amplicador, etc.)
En este tema:
Osciladores senoidales y aplicaciones en radiocomunicaci on
Caractersticas; principios de funcionamiento; tipos de osciladores
Circuitos b asicos; VCOs; osciladores a cristal de cuarzo
5.2.- CARACTER
ISTICAS DE LOS OSCILADORES


Potencia (P
L
): potencia suministrada a la carga a la frecuencia de oscilaci on (se mide
con el analizador de espectros para no considerar arm onicos ni frecuencias espurias)
Rendimiento (): cociente entre la potencia suministrada a la carga y la potencia con-
sumida en DC:
=
P
L
P
DC
Nivel de arm onicos: cociente entre la potencia del mayor arm onico no deseado y la
potencia de la frecuencia fundamental (se mide con el analizador de espectros)
Nivel de arm onicos =
P
Amax
P
L
Frecuencia (f
0
): es la frecuencia fundamental de oscilaci on (se puede medir con anal-
izador de espectros, contador de frecuencia, u osciloscopio)
Sintona (f): margen de frecuencias que puede barrer un oscilador cuando se modi-
ca alguno de sus par ametros:
Mec anica (se modica un condensador o bobina variables)
Electr onica (se modica aplicando tensi on a un elemento de control, VCO)

Pulling: variaci on de la frecuencia con la impedancia de carga (depende de Q y del
acoplamiento con la carga)
f
0
R
L
Pushing: variaci on de la frecuencia con la tensi on de alimentaci on (depende de Qy del
elemento activo)
f
0
V
DC
Espectro de ruido alrededor de f
0
(ruido de amplitud, de frecuencia y de fase):
L(f
m
) =
N(f
m
)
P
0
(dBc)
f

Deriva de la frecuencia con la temperatura:

f
0
T
Si Q es bajo, depende del elemento activo
Si Q es alto, depende de la red de sintona
5.3.- CONDICIONES DE OSCILACI

ON

CRITERIOS DE OSCILACI
ON (equivalentes):
Circuito con red de realimentaci on oscilar a si la ganancia a la entrada es mayor que 1
con desfase nulo
Un amplicador oscilar a (es inestable) si el factor K de Stern es inferior a la unidad
Un circuito oscilar a si el determinante de las ecuaciones de an alisis de mallas o nudos
se anula (procedimiento matem atico para encontrar la condici on de oscilaci on y la fre-
cuencia de oscilaci on)
Un circuito puede oscilar si la parte activa tiene una resistencia negativa (condici on
necesaria pero no suciente: una impedancia de carga adecuada puede impedir las os-
cilaciones)
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL OSCILADOR

H(j) =
V
o
V
i
=
A(j)
1 + A(j)(j)
Condiciones de oscilaci on:
Salida sin entrada:
A(j)(j) = 1
A la entrada, ganancia unidad con desfase nulo (ganancia en lazo abierto igual a 1)
H(s) tiene un polo en el eje imaginario
H(s) tiene un polo en el semiplano real positivo: s = + j con > 0
Condici on de arranque y condici on de equilibrio de fases:
[ A(j)(j)[ 1 Arg[A(j)(j)] = 0
TRANSITORIO DE ARRANQUE

1. Al conectar alimentaci on oscilaciones nulas
2. Ruido t ermico: el ruido se amplica a la frecuencia de oscilaci on
3. Las oscilaciones crecen (exponencialmente)
4. Como el polo est a en el semiplano real positivo, las oscilaciones creceran indenidamente
5. El elemento activo entra en r egimen no lineal (se reduce la ganancia) alcanz andose una condici on esta-
cionaria de oscilaci on
6. En r egimen estacionario, ganancia en lazo abierto igual a la unidad
La condici on de arranque debe vericarse en un cierto ancho de banda
La condici on de equilibrio de fases determinar a la frecuencia de oscilaci on (que debe estar dentro del
ancho de banda para el que se cumple la condici on de arranque)
Condiciones de oscilaci on

Condici on de oscilaci on (ganancia en lazo abierto igual a 1):
A(j)(j) = 1 A(j)H(j) = 1
Condiciones de oscilaci on: ejemplo

Suponiendo A real, determinar condiciones de os-
cilaci on y frecuencia de oscilaci on.
Funci on de transferencia de la red de alimentaci on:
H(s) =
R
R + Ls +
1
Cs
=
RCs
1 + RCs + LCs
2
Condiciones de oscilaci on: ganancia en lazo abierto igual a 1
A(s)H(s) = A
RCs
1 + RCs + LCs
2
= 1
Condici on de equilibrio de fases:
Arg(A(s)H(s)) = 0
0
=
1
LC
Condici on de arranque:
A(j
0
)H(j
0
) = A 1
5.4.- TIPOS DE OSCILADORES

Elemento resonador
Elemento activo
ELEMENTO RESONADOR
Circuito Banda de
Resonante Q Estabilidad Frecuencia
RC < 10 Mala < 1 MHz
LC 50-200 Regular 100 kHz - 500 MHz
Cristal Cuarzo 10
4
-10
5
Muy buena 1-300 MHz
Para frecuencias superiores:
Cavidades resonantes, SAW (resonadores de onda ac ustica supercial)
Lneas de transmisi on resonantes
Multiplicadores
ELEMENTO ACTIVO

Dispositivos de resistencia negativa
Diodos t unel
Diodos Gunn
IMPATT
TRAPATT
Transistores BJT (EC, BC) o FET (FC)
Varios transistores (par acoplado por emisor)
Osciladores de resistencia negativa:
R =
v
i
> 0
r
n
=
v
i
Q
< 0
Ejemplo: oscilador con diodo t unel

R = r
n
[[R
T
=
[r
n
[R
T
[r
n
[ + R
T
CsV +
V
R
+
V
Ls
= 0
d
2
V
dt
2
+
1
RC
dV
dt
+
V
LC
= 0
d
2
V
dt
2
+ 2
dV
dt
+
2
0
V
1
2RC

0
LC
2
0
2
v(t) = e
t
(A
1
cos(
d
t) + A
2
sin(
d
t))
< 0 [r
n
[ < R
T
= 0 [r
n
[ = R
T
> 0 [r
n
[ > R
T

En condiciones estacionarias de oscilaci on:
Y
(1,2)
=
1
[r
n
[
+
1
R
T
+ Cs +
1
Ls
= 0
Parte real nula (condici on de arranque):
[r
n
[ = R
T
Parte imaginaria nula (condici on de equilibrio de fases):
j
0
C +
1
jL
= 0
0
=
1
LC
Ejemplo: oscilador de par acoplado por emisor

La caracterstica tensi on corriente presenta una resistencia negativa (tratamiento similar al
oscilador con diodo t unel)
RED DE REALIMENTACI
ON

Red RLC
Colpitts: red tapped capacitor
Hartley: red tapped inductor
Clapp: variante de tapped capacitor
Red con transformador
Sintonizado a la entrada
Sintonizado a la salida

Colpitts: red tapped capacitor
Hartley: red tapped inductor
Clapp: variante de tapped capacitor
Elementos del oscilador:

Ganancia en el lazo 1-2-3-4-1:
Carga
Dispositivo activo
Condiciones de oscilaci on:
Ganancia en lazo abierto 1
Desfase nulo
Frecuencia y estabilidad:
C
1
, C
2
, L, C
f
Tambi en transistor y carga
Arranque y oscilaci on esta-
cionaria
5.5.- DISE
NO DE OSCILADORES

An alisis exacto complicado:
Comportamiento estacionario siempre en zona de operaci on no lineal:
BJT: entra en corte o saturaci on
MOSFET: entra en corte o triodo
Alejado del punto de polarizaci on (no lineal aun no saliendo de activa/saturaci on)
Herramientas de an alisis basadas en linealidad:
F acil comprobar la estabilidad y arranque de oscilaciones
Puede ser difcil predecir la frecuencia de oscilaci on estacionaria
Difcil determinar el transitorio y comportamiento estacionario exactos (forma de
onda, nivel de arm onicos, frecuencia exacta, potencia, rendimiento, estabilidad)
A veces, el desplazamiento de fase depende del punto de polarizaci on
Dependencia de los elementos pasivos con la frecuencia:
Autoinducciones y capacidades par asitas en C y L
Oscilaciones en frecuencias no previstas:
Bajas: ruido motor
Altas: oscilaciones par asitas
Soluciones: condensadores de puenteo, anillos de ferrita
5.6.- OSCILADORES LC

AN
ALISIS DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:


r
c
R
p
R
t
= R
p
[[R
L
g
t
=
1
R
t
R
i
= R
e
+ r
e
g
i
=
1
R
i

I
s
= V
i
g
i
+ V
i
C
2
s + (V
i
V
o
)C
1
s
0 = V
i
g
i
+ (V
o
V
i
)C
1
s + V
o
_
C
0
s + C
f
s + g
t
+
1
L
t
s
_
En forma matricial:
_
I
s
0
_
=
_
g
i
+ (C
1
+ C
2
)s C
1
s
g
i
C
1
s g
t
+ (C
1
+ C
0
+ C
f
)s +
1
L
t
s
__
V
i
V
o
_
V
o
=

1,2
(s)
(s)
I
s
oscilaci on (s) = 0
(s) = g
i
g
t
+ g
i
(C
1
+ C
0
+ C
f
)s +
g
i
L
t
s
+ g
t
(C
1
+ C
2
)s+
+(C
1
+ C
2
)(C
1
+ C
0
+ C
f
)s
2
+
C
1
+ C
2
L
t
g
i
C
1
s C
2
1
s
2
= 0

Ordenando potencias en s:
g
i
+ (g
t
g
i
L
t
+ C
a
)s + (g
i
L
t
C
b
+ g
t
L
t
C
a
g
i
L
t
C
1
)s
2
+ (L
t
C
a
C
b
L
t
C
2
1
)s
3
= 0
C
a
C
1
+ C
2
C
b
C
1
+ C
0
+ C
f
Parte real: g
i
2
L
t
(g
i
C
b
+ g
t
C
a
g
i
C
1
) = 0
Parte imag: g
t
g
i
L
t
+ C
a
2
L
t
(C
a
C
b
C
2
1
) = 0
Despejando w
2
0
en la segunda ecuaci on queda:
2
0
=
g
t
g
i
+
C
a
L
t
C
a
C
b
C
2
1
2
0
=
1
L
t
(C
0
+ C
f
+
C
1
C
2
C
1
+C
2
)
+
1
R
t
R
i
(C
1
+ C
2
)(C
0
+ C
f
+
C
1
C
2
C
1
+C
2
)
Si L
t
R
t
R
i
(C
1
+ C
2
) se puede aproximar:
2
0

1
L
t
(C
0
+ C
f
+
C
1
C
2
C
1
+C
2
)
min
1
1 +
C
2
C
1
+
R
i
R
t
_
1 +
C
2
C
1
_
=
1
1 +
C
2
C
1
+
R
i
R
L
[[R
p
_
1 +
C
2
C
1
_
DISE
NO DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:


Dise nar un oscilador de Colpitts con una etapa base com un, que oscile a f
0
y proporcione una potencia P
L
a
una impedancia de carga R
L
:
R
0
= R
p
[[R
s
[[R
L
=
R
L
2
Recta de carga:
R
0
=
V
CBQ
I
CQ
Potencia suministrada a la carga:
P
L
=
1
2
P(R
0
) =
1
2
_
1
2
I
2
CQ
R
0
_
=
1
8
I
2
CQ
R
L
Rendimiento m aximo:
P
DC
= V
CBQ
I
CQ
= I
2
CQ
R
0
=
1
2
I
2
CQ
R
L
= 4P
L
25 %
Selecci on del transistor: potencia, tensi on, cor-
riente y f
T

Circuito tanque:
L
t
C
t
=
1
2
0
L
t
Q =
0
C
t
R
0
C
t
= C
0
+ C
f
+ C
s
R
0
=
R
L
2
R
L
= R
p
[[R
s
R
i
= R
e
+ r
e
r
e
=
V
T
I
CQ
Conversi on (C
s
,R
s
) a (C
1
,C
2
,R
i
):
Q
s
=
0
C
s
R
s
N =
_
R
s
R
i
Q
p
Q
s
N
Si Q
s
> 10 y Q
p
> 10:
C
1
=
NC
s
N 1
C
2
= NC
s
Si no, expresiones exactas:
Q
p
=
_
Q
2
s
+ 1
N
2
1 C
/
=
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
C
s
C
2
=
Q
p
0
R
i
C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
C
1
=
C
se
C
/
C
se
C
/
Dependencia con el transistor: R
e
r
e
C
s
C
0
C
f
0,1C
s
Polarizaci on: R
1
R
2
R
E
C
B
C
C
RFC
Ejemplo: dise no de un oscilador Colpitts BC

Dise nar un oscilador de Colpitts con una etapa base com un, que entregue una potencia de 15 mW a una carga
de 5 k y oscile a 10 MHz:
Caractersticas del transistor: f
T
> 20MHz P
max
> 60mW
Polarizaci on:
I
CQ
=
_
8
P
L
R
L
= 4,90mA V
CBQ
= I
CQ
R
0
= 12,25V
Factor de calidad mnimo 25; circuito tanque (R
0
= R
L
/2;
0
= 2f
0
):
C
t.min
=
Q
0
R
0
= 159pF L
t.max
=
1
2
0
C
t.min
= 1,59H L
t
= 1,2H C
t
=
1
2
0
L
t
= 211pF
Resistencia serie de la bobina de 1,2H: r
c
= 0,5; resistencia paralelo equivalente R
p
= 11,4 k
Determinaci on de R
i
= R
e
+ r
e
:
r
e
=
V
T
I
CQ
= 5,3 r
e
R
e
= 50 R
i
= 55,3
Determinaci on de R
s
:
R
0
= R
L
[[R
p
[[R
s
R
L
= R
p
[[R
s
R
s
=
1
1
R
L
1
R
p
= 8,92k

Determinaci on de C
s
(supongamos C
0
= 5 pF y C
f
variable de 2 a 20 pF):
C
t
= C
0
+ C
f
+ C
s
= 211pF C
s
= 200pF
Conversi on (C
s
,R
s
) a (C
1
,C
2
,R
i
):
Q
s
=
0
C
s
R
s
= 112,1 N =
_
R
s
R
i
= 12,7 Q
p
Q
s
N
= 8,8
Q
s
10 Q
p
10 C
1
=
NC
s
N 1
217pF C
2
= NC
s
= 2,54nF
Polarizaci on (V
CC
=15 V; V
CBQ
=12.25 V; V
BEQ
=0.7 V; 1):
V
CC
= V
CBQ
+ V
BEQ
+
I
CQ
(R
e
+ R
E
)
R
E

V
CC
V
CBQ
V
BEQ
I
CQ
R
e
= 368
Intensidad por R
1
y R
2
de 0,5 mA; V
BQ
= 2,75 V;
0
= 50:
R
2
=
2,75V
0,5mA
= 5,5k R
1
=
V
CBQ
0,5mA + I
CQ
/
0
= 20,5k
Condensadores de desacoplo y RFC:
C
C

1
0
R
L
= 3,2pF C
B

0
(R
1
[[R
2
)
=
3,7pF RFC
R
E
0
= 5,8H
sin embargo, como R
E
R
i
, en la pr actica RFC no es necesario

Condici on de arranque:
min
1
1 +
C
2
C
1
+
R
i
_
1 +
C
2
C
1
_
R
L
[[R
p
= 0,281
Si aumenta R
e
, aumenta
min
Potencia en DC:
P
DC
= V
CC
_
I
CQ
+
V
CC
V
BQ
R
1
_
P
DC
= 15V 5,5mA = 82,5mW
Rendimiento:
=
P
L
P
DC
=
15mW
82,5mW
= 18,2 %
DISE
NO DE UN OSCILADOR COLPITTS BC CON BAJA R

L
:

An alisis similar:
N =
R
s
R
i
[[R
L
R
s
= R
p
R
i
= R
L
Rendimiento m aximo:
max
= 12,5 %
Ejemplo: dise no de un oscilador Colpitts BC con baja R
L

Dise nar un oscilador de Colpitts con una etapa base com un, que entregue una potencia de 5 mW a una carga
de 50 y oscile a 10 MHz:
Caractersticas del transistor: f
T
> 20MHz P
max
> 40mW
Polarizaci on (supongamos bobina anterior, 1,2H, r
c
= 0,5, R
p
= 11,4 k):
P(R
0
) = 4P
L
P(R
0
) =
1
2
I
2
CQ
R
0
I
CQ
=
2P(R
0
)
R
0
=
4P(R
0
)
R
p
=
16P
L
R
p
= 2,65mA V
CBQ
= I
CQ
R
0
= 15, 08V
Circuito tanque:
L
t
= 1,2H C
t
=
1
2
0
L
t
= 211pF
Determinaci on de C
1
y C
2
para C
s
= 200 pF:
N =
R
p
R
i
[[R
L
=
_
2R
p
R
L
= 21,3 C
1
=
NC
s
N 1
= 209,8pF C
2
= NC
s
= 4,26nF
Determinaci on de R
e
= R
i
+ r
e
:
R
e
= R
i
r
e
= R
L
V
T
I
CQ
= 40,2
Alimentaci on y polarizaci on

OSCILADOR DE CLAPP:

OSCILADOR DE HARTLEY:

5.6.- OSCILADORES CONTROLADOS POR TENSI

ON

Voltage Controlled Oscillators (VCO)
Osciladores sintonizables electr onicamente:
Sintona autom atica
Generaci on de se nales FM
PLLs
Principales circuitos VCO:
Multivibrador:
Frecuencia baja
Margen de sintona amplio (10:1); Q bajo
Se nales cuadradas
Tpico en PLLs (tema siguiente)
Osciladores a varactor:
Sintona mediante diodo varactor o varicap (uni on PN en inversa)
Se usa en osciladores LC o de cavidad resonante
Margen de sintona menor; Q mayor
DIODO VARACTOR O VARICAP:

Funcionamiento:
Uni on PN abrupta polarizada en inverso
C depende de V
Resistencia serie baja (Q alto)
Capacidades tpicas: 5-500 pF
Curvas C(V ) poco lineales
Dise no y an alisis complejo:
No linealidad de C(V )
Dependencia de Q con la polarizaci on
Dependencia de Q y C(V ) con f
0
Margen: de capacidad 1:6; de sintona 1:2.5
Se usa en asociaci on con capacidades
Uso del varactor en un oscilador:

f
0
=
1
2
_
L
t
(C
t
+ C
v
(V
i
))
5.7.- OSCILADORES A CRISTAL DE CUARZO

Comportamiento alrededor de la frecuencia de resonancia
f
s
1
2
L
s
C
s
f
p
f
s
1 +
C
s
C
p
Z(j
s
) R
s
Z(j
p
)
L
s
C
s
C
p
(C
p
+ C
s
)R
s
Para f < f
s
y f > f
p
comportamiento capacitivo
Entre f
s
y f
p
comportamiento inductivo
En f
s
y en f
p
comportamiento resistivo
Alrededor de las frecuencias de resonancia, transici on
r apida de la fase:
de /2 a /2 alrededor de f
s
de /2 a /2 alrededor de f
p
Respuesta en frecuencia del cristal

R
s
= 15; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF;
f
s
= 2,9257 MHz; f
p
= 2,9284 MHz; f = 2,72 kHz; Q = 67173
OSCILADOR DE PIERCE

OSCILADOR COLPITTS A CRISTAL (1)

OSCILADOR COLPITTS A CRISTAL (2)

Ejemplo: oscilador Colpitts a cristal y con varactor

Dise no de oscilador Colpitts BC a 4 MHz, 5 mW a R
L
= 5 k, Q 5
An alisis y simulaci on con PSPICE

Medidas en laboratorio

Pulling y pushing (cristal entre base y tierra)

Uso del varactor

Sintona (con C
f
y con varactor)


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p ag.

Angel de la Torre Vega

NAL - RUIDO (SNR):

ISTICAS Y ELEMENTOS DEL EMISOR

ISTICAS DEL EMISOR

ISTICAS Y ELEMENTOS DEL RECEPTOR

ISTICAS DEL RECEPTOR

f de acuerdo con la constante

ERMICO EN COMPONENTES PASIVOS

2 R y la potencia disipada en R es la mitad

AXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA

AXIMA TRANSF. DE POTENCIA: IMPEDANCIA COMPLEJA

IA DEL CRISTAL CON CAPACIDADES

IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO

IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO

IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE

IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE

NAL DEL BJT:

: resistencia uni on CB polarizada en inverso (muy grande)

: capacidad de uni on CB polarizada en inverso (capacidad de transici on)

: capacidad de uni on BE polarizada en directo (capacidad de difusi on m as capacidad de transici on)

corresponde a la capacidad de transici on de una uni on pn polarizada en inversa:

del orden de 1 pF)

incluye la capacidad de difusi on y la de transici on:

del orden de decenas de pF)

NAL DEL MOSFET:

AMETROS DE ADMITANCIA DE UN CUADRIPOLO

AMETROS Y DE UN BJT SIN r

AMETROS Y DE UN BJT CON r

4.5.- ESTABILIDAD DEL AMPLIFICADOR

AXIMA GANANCIA DISPONIBLE MAG

NO CON DISPOSITIVO INCOND. ESTABLE

ISTICAS DE LOS OSCILADORES

Deriva de la frecuencia con la temperatura:

ALISIS DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:

NO DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:

NO DE UN OSCILADOR COLPITTS BC CON BAJA R

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