De la arena al silicio La fabricacin de un chip Historia ilustrada

Septiembre de 2009

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Arena / Lingote

Arena Con cerca de un 25% (masa), el silicio es, despus del oxgeno, el segundo elemento qumico ms frecuente en la corteza terrestre. La arena, especialmente el cuarzo, tiene altos porcentajes de silicio en forma de dixido de silicio (SiO2) y es el ingrediente bsico para la fabricacin de semiconductores.

Silicio derretido Escala: nivel de oblea (~300 mm). El silicio se purifica en mltiples etapas para finalmente alcanzar la calidad de fabricacin de semiconductor conocida como Silicio de Calidad Electrnica. El Silicio de Calidad Electrnica slo puede tener un tomo extrao para cada mil millones de tomos de silicio. En esta imagen se puede ver cmo se produce un gran cristal a partir del derretimiento del silicio purificado. El monocristal resultante se conoce como lingote.

Lingote de Silicio Monocristal Escala: nivel de oblea (~300 mm). Se produjo un lingote a partir del Silicio de Calidad Electrnica. Un lingote pesa cerca de 100 kilos y tiene una pureza de silicio del 99,9999%

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Lingote / Oblea

Corte del lingote Escala: nivel de oblea (~300 mm). Se corta el lingote en discos de silicio individuales llamados obleas (wafers).

Oblea Escala: nivel de oblea (~300 mm). Se pulen las obleas hasta eliminar todos sus defectos. La superficie queda lisa como la de un espejo. Intel compra de otras empresas esas obleas ya listas para la fabricacin. El proceso altamente avanzado de High-K/Metal gate de 45 nm de Intel usa obleas con un dimetro de 300 milmetros. Cuando Intel comenz a fabricar chips, la empresa imprima circuitos en obleas de 50 mm. Ahora la empresa usa obleas de 300 mm, lo que resulta en un menor costo por chip.

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Fotolitografa

Aplicacin de la capa fotoresistente Escala: nivel de oblea (~300 mm). El lquido (aqu, de color azul) que se derrama en la oblea mientras sta gira es un acabado fotoresistente similar al usado para la fotografa de pelculas. La oblea gira durante esta etapa para permitir una aplicacin muy fina y homognea de la capa fotorresistente.

Exposicin Escala: nivel de oblea (~300 mm). El acabado fotoresistente se expone a la luz ultravioleta (UV). La reaccin qumica activada por esta etapa del proceso es semejante a lo que le ocurre a la pelcula de una cmara en el momento en que se presiona el botn del obturador. El acabado fotoresistente expuesto a la luz UV se volver soluble. La exposicin se realiza usando fotomscaras, que actan como plantillas en esa etapa del proceso. Cuando se usan con una luz UV, las fotomscaras crean varios patrones de circuito en cada capa del microprocesador. Un lente (el del medio) reduce la imagen de la fotomscara. Por lo tanto, lo que se imprime en la oblea suele ser cuatro veces menor linealmente que el patrn de la fotomscara.

Exposicin Escala: nivel de transistor (~50-200 nm) Aunque generalmente se construyan centenas de microprocesadores en una nica oblea, de ahora en adelante esta historia ilustrada se concentrar apenas en una pequea pieza de un microprocesador: en un transistor o partes de un transistor. Un transistor acta como un conmutador, que controla el flujo de corriente elctrica en un chip de computadora. Los investigadores de Intel desarrollaron transistores tan pequeos que sera posible poner cerca de 30 millones de ellos en la cabeza de un alfiler.

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Ataque Qumico

Lavado de la capa fotoresistente Escala: nivel de transistor (~50-200 nm) Se disuelve completamente la capa fotoresistente por medio de un disolvente. Esto revela un patrn de la capa fotoresistente trazado por la fotomscara.

Ataque qumico Escala: nivel de transistor (~50-200 nm) La capa fotoresistente est protegiendo el material que no debe ser atacado. El material revelado se atacar con productos qumicos.

Eliminacin de la capa fotoresistente Escala: nivel de transistor (~50-200nm) Tras el ataque qumico, la capa fotoresistente se elimina, lo que deja visible la forma deseada.

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Implantacin de Iones

Aplicacin de la capa fotoresistente Escala: nivel de transistor (~50-200 nm). Se aplica y se expone la capa fotoresistente (de color azul) y la capa fotoresistente expuesta se lava antes de la prxima etapa. La capa fotoresistente proteger el material que no debe recibir la implantacin de iones.

Implantacin de iones Escala: nivel de transistor (~50-200 nm) Por medio de un proceso llamado implantacin de iones (una forma de un proceso llamado dopado), las reas expuestas de la oblea de silicio se bombardean con varias impurezas qumicas, llamadas iones. Los iones se implantan en la oblea de silicio para alterar el modo como el silicio conduce la electricidad en esas reas. Los iones se disparan sobre la superficie de la oblea a una velocidad muy alta. Un campo elctrico acelera los iones a una velocidad de ms de 300.000 km/ hn

Eliminacin de la capa fotoresistente Escala: nivel de transistor (~50-200 nm) Tras la implantacin de iones, la capa fotoresistente se eliminar y el material dopado (de color verde) ahora tiene tomos externos implantados (ntense las pequeas variaciones de color).

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Deposicin de Metal

Transistor listo Escala: nivel de transistor (~50-200 nm). Este transistor est casi listo. Se realizaron tres perforaciones en la capa de aislamiento (de color magenta) en la parte superior del transistor. Estas tres perforaciones se rellenarn con cobre, que har las conexiones con otros transistores.

Galvanizacin Escala: nivel de transistor (~50-200 nm). En esta etapa, la oblea se coloca en una solucin de sulfato de cobre. Los iones de cobre se depositan en el transistor por medio de un proceso llamado galvanizacin. Los iones de cobre viajan desde el polo positivo (nodo) al polo negativo (ctodo), que est representado por la oblea.

Despus de la Galvanizacin Escala: nivel de transistor (~50-200 nm). En la superficie de la oblea, los iones de cobre se depositan como una delgada capa de cobre.

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Capas de Metal

Pulido Escala: nivel de transistor (~50-200 nm). Se pule el exceso de material.

Capas de metal Escala: nivel de transistor (seis transistores combinados ~500 nm). Se crean mltiples capas de metal para la interconexin (como cables) entre los varios transistores. Los equipos de arquitectura y proyecto que desarrollan la funcionalidad de los respectivos procesadores determinan cmo esas conexiones necesitan cablearse (p.ej.: procesador Intel Core i). Aunque los chips de las computadoras parezcan extremadamente planos, pueden tener, en realidad, ms de 20 capas para formar un circuito complejo. Si observa la imagen ampliada de un chip, ver una red intrincada de lneas de circuitos y transistores que parecen un sistema futurista de carreteras en mltiples capas.

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Prueba de Clasificacin de Oblea / Corte

Prueba de una fraccin de la oblea Escala: nivel de pastilla (~10mm). Esta fraccin de una oblea lista est pasando por una primera prueba de funcionalidad. En esta etapa, los patrones de prueba se colocan en cada chip individualmente; luego se monitoriza la respuesta del chip y se compara con la respuesta correcta.

Corte de la oblea Escala: nivel de oblea (~300 mm). Se corta la oblea en pedazos, llamados pastillas (diez).

Descartado de las pastillas con fallos Escala: nivel de oblea (~300 mm) Las pastillas que presenten una respuesta correcta al patrn de prueba pasarn a la prxima etapa (empaquetado).

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Empaquetado

Pastilla individual Escala: nivel de pastilla (~10 mm). sta es una pastilla individual que se cort en la etapa anterior (corte). La pastilla mostrada corresponde al procesador Intel Core i7.

Empaquetado Escala: nivel de empaquetado (~20 mm). El sustrato, la pastilla y el disipador de calor se colocan juntos para formar un procesador completo. El sustrato verde forma la interfase elctrica y mecnica para que el procesador interacte con el resto del sistema de la computadora. El disipador de calor plateado es una interfase trmica en la que se colocar una solucin de enfriamiento. Eso dejar el procesador fro durante la operacin.

Procesador Escala: nivel de empaquetado (~20mm). Procesador completo (en este caso, un procesador Intel Core i7). Un microprocesador es el producto manufacturado ms complejo del planeta. En realidad, pasa por centenas de etapas, en los ambientes ms limpios del mundo (las fbricas de microprocesadores). En esta historia ilustrada se muestran apenas algunas de estas etapas.

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Prueba de Clasificacin / Procesador completo

Prueba de clase Escala: nivel de empaquetado (~20 mm). Durante esta prueba final, se probarn las caractersticas clave de los procesadores (por ejemplo, la disipacin de calor y la frecuencia mxima).

Agrupamiento Escala: nivel de empaquetado (~20 mm). Basndose en el resultado de la prueba de clasificacin, los procesadores con las mismas capacidades se colocan en las mismas bandejas de transporte.

Empaquetado al por menor Escala: nivel de empaquetado (~20 mm). Los procesadores fabricados y probados (una vez ms, el procesador mostrado es el Intel Core i7) se envan a fabricantes de sistemas en bandejas o a tiendas minoristas en una caja como la mostrada aqu.

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