UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

denominados base 1(B1) y base2 (B2). el PUT y el DIAC. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. En un punto determinado de esta resistencia. Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales. ___________ VBB = √ RBB. se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”.UTN REG. el UJT. esta limitada por la disipación del UJT. en dos terminales. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos. El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1). Guarnaschelli 3 .7 a 10 KΩ. denominado “emisor” (E). el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. VDmax. ST4 : Disparador asimétrico de GE. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. cuyo valor varia desde 4.

”.45 y 0. pero como varia con la temperatura. para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. se debe mantener constante. = η. dado que la tensión VC= VBB .UTN REG. El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. Guarnaschelli 4 . La VBB. 2 mv / ºC. cuyo valor es aproximadamente de 0. En esta situación. haciendo que este tramo. la tensión de disparo VE= VP. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). vale: VP = (R1/R1+R2). SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. para producir el disparo o sea VP. VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV.82. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva .56 volt a 25º C y disminuye en aprox. VBB + VD. Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC). R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. donde nuevamente comienza aumentar. En la aplicación. el valor de R1 retoma su valor original. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. VV. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). resulta entonces necesario compensar esta variación. comprendida entre el diodo y la base 1(B1). La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. IP. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. Cuando IE aumenta. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente.R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. La relación intrínseca toma un valor entre 0. Si al dispositivo. debido la valor de VD. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. La tensión VE. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT.

004%/ºC.Vcc. VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior.008%/ºC y el de RB2 es de +0.Vcc.UTN REG. Si hacemos: VD = η. RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. RBB / (VCC. RB1) / η quedando: RB2 = V D. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η. Guarnaschelli 5 . (1) VBB= Vcc – RB2. η ) + (1-η.Vcc . lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. VCC . RBB / (VCC.Vcc . RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η. VCC . IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η.η. RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. entonces tanto VD como el termino η.η. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η. η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η. VBB. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0.

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT. / (VCC. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.CE. parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga.= VP.CE .η. entonces reemplazando tenemos: T = RE . el emisor se bloquea. Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1. no son muy rigurosas. ln VCC. (1 – e-T1/RE. este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. . ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE. En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω. ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646.CE . Por otra parte como Vp = η. Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP. )“. para generar pulsos de disparo. partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc. Cuando se llega al valor VE. Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA.= VV. No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores.Vcc reemplazando: T= RE . ln ( VCC.UTN REG. el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0.( R1.= VC. VC = (Vcc_VV). Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5. ln VCC / (VCC. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω. dado por la constante de descarga “de CE.C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC. (1 – e-t/R.. Guarnaschelli 6 .63. El circuito trabaja de la siguiente forma. El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1.VP ).CE . El capacitor. = RE . se lo utiliza como oscilador de relajación. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE .C).VP )..” el capacitor se descarga a través del emisor.Vcc ).CE .+ RB1. RE.VV ) / (VCC.. conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE. rápidamente. VEsat..CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE .

el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. con respecto al cruce por cero de la tensión de red. permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. todo el circuito prácticamente esta con valor cero. De esta forma cuando la tensión pase por cero. es posible que no llegue a la tensión de disparo. Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. con la misma tensión de disparo Vp. para permitir que el circuito oscile.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. Si es muy grande. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red.UTN REG. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. Guarnaschelli 7 . VGtmax > RB1 . Si es muy chico.

En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red. debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE. el potenciómetro RE. se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. Guarnaschelli 8 . Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE. si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. por medio de un potenciómetro RE. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático.

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito. Guarnaschelli 9 .

por lo que no se entrega potencia a la carga. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte. con la variación de la resistencia del potenciómetro. haciendo la corriente de base cero. del UJT. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor. Guarnaschelli . El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima. controlando la corriente de base. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. De esta forma. Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos.UTN REG. Cuando el transistor esta conduciendo. consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control. la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro.

CE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Una mejora en la linealidad comentada. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG. Los tiempos de disparo t1 y t2. El diodo bloquea una posible derivación de corriente. Guarnaschelli . con un mismo valor de constante de carga exponencial RE. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo).CE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se logra con el control pedestal. cuando el capacitor supera la tensión pedestal. ahora en su carga exponencial. En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1. que corresponden para distintos valores de producto RE. rampa cosenoidal. es rápido dado el valor bajo de “Rp. a través de RE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp. Para un determinado valor de este producto.CE RE2. La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga. se logran modificando el valor de la tensión de pedestal.CE Este método. se logra mejorar la linealidad de la función graficada. tenemos dos curvas 1 y 2.CE”.

sen wt.∫ iE.dt Vc = V1 + Vmax / RE. con la diferencia que la tensión de carga del capacitor.w. De esta forma. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. antes de ser recortada por el diodo zener. tomada en la entrada del circuito de sincronización. 100 %Rp RE1. la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. después de su precarga (pedestal) es cosenoidal. Para lograr este tipo de rampa. el circuito que carga al capacitor a través de RE.CE RE2. debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal.∫ Vmax/RE. a través de un potenciómetro).( 1 – cos wt ). es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE.dt como iE ≈ Vmax/RE.CE. es similar al caso anterior. Este tipo de control. Guarnaschelli . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp.

D3 y D4. esta formado por el puente semicontrolado. Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. Para alimentar el circuito de sincronización. nos muestra en forma sencilla. (Precarga del capacitor CE). con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. control y generación de los pulsos de disparo. de valor conceptual. se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. con señal de referencia. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado. formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. D2. Guarnaschelli . Para el caso el circuito principal del convertidor.UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado).

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3.220/RL. Para la mayoría de los UJT. η = 0.2)=1. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características. se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ.3). que es un valor aceptable.3 volt. Sen wt dwt = (√2. ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. con una carga RL = 100 Ω. η ) + (1-η. Si tomamos 2.1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º. Sen wt dwt = (√2.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva).7-0. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3.7 a 1 volt.220/RL. RB1) / η = (0. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0.6)/(20.0. Ip = 2µA. Se determina experimentalmente o por medio de graficas.220/RL) .6. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.4 volt (0.∫0 (√2.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2.3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT. _ _ Π ITM = (1/2Π).∫0 (√2. RB1 = VRB1 / IRB1= =. Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ .3 V / 3. RBB / (VCC. entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef.6. siempre que asegure el disparo del SCR.6) + (1-0. Guarnaschelli . De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o.0. Vv = 3 volt .6)/0. disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca). = √(1/2Π).220/RL).60 . Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB. Iv = 4 mA .Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0.

0. una vez disparado. Para calcular RE min. Adoptamos RE min = 10 KΩ. teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. cuando RE tiene su valor máximo.6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor.3 V) / 4 mA = 4. Previamente. vuelva a bloquearse. Como vemos en la grafica. Guarnaschelli . debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. REmax y el capacitor CE. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz.25 KΩ para que el UJT. En la grafica.25 .REmax = √ 4. porque si ocurre esto . esta dado para IV y Vv . llegue a la tensión de disparo Vp del UJT. dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin. significa que RE no debe ser inferior a 4. podemos calcular el capacitor.UTN REG.Vz. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio.η) / Ip = (20 – 20. 4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor.I del UJT que presente resistencia positiva. el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp. es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V. vemos que el punto limite. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz.25 KΩ El valor REmin calculado.Vv) / Iv = (20 V. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado.

debemos limitarla con la resistencia Hrs. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener. lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.√2 = 310 volt. será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que. Para que por el zener circule la corriente adoptada. de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga. prácticamente no influye sobre la tensión de zener. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W.UTN REG. junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3. Vz = 20 mA . 20 V =0. de manera que su valor.20 V) / 25 mA = 11.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz .1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA .√2 = 220 .1 µF. Un valor de CE fácil de conseguir es de 0.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0..156 µF. En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo.6 KΩ Adoptamos un valor de Rs. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0. Guarnaschelli . = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia.RE para η ≈0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

CE.1 µF. Como la carga del condensador es cosenoidal.1 µF = 0. RB2.UTN REG. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp. 1N4006 o el 1N4007. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.0. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs. 800 y 1000 volt respectivamente.5 mseg. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo.( 1 – cos wt ).w. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.. control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior. 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg. entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE. Guarnaschelli .CE = 5KΩ. RB1. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. se determinan en forma similar al problema anterior. Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600.

UTN REG.Vz = 0. obtenida como señal de error. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”. Guarnaschelli . la señal de control realimentada. 2) / ( Vz . A pesar de llamarse transistor. cos 180º = -1 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Para este caso. tiene un comportamiento similar al UJT. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. mediante un divisor resistivo. Vc =η. η.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa. W) = 1. compensada y adaptada al circuito. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . CE.6. amplificada. La figura siguiente.

dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" .VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1.UTN REG. conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. sincronizado con la frecuencia de red. estando el PUT en estado de bloqueo. con el terminal “base2” del UJT. se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación. el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo. de manera similar al UJT. Sintetizando. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable. Se deberá agregar un divisor resistivo. para programar la relación intrínseca “η”. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT.

El dibujo siguiente. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble.UTN REG. cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. Guarnaschelli . muestra la estructura interna. que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales. Rp) y su fuente de alimentación (D1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura. conectado en antiparalelo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1. sin compuerta. C1). su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt).UTN REG. se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna. control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli .

respecto a la variación de la constante CR. Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO . Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC. sen θmin θmin = arc. cae la tensión del circuito de disparo.Vm) / ( R.arc.arc. Para el semiciclo negativo.θmin =Π.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R. por estar conectado a los terminales del TRIAC.C.C = (2. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito.. Despejando la constante de carga obtenemos: R.sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R.θmin =Π.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm.UTN REG. este se dispara.C. y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC. activándolo.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax. Guarnaschelli .W).Vm) / (VBO –vo). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC. Cuando este último se activa.C. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. debido a la carga residual del capacitor. VBO = Vm. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión. tipo RC. Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. para variar la potencia en la carga.W Seleccionando el valor de R o de C.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2. obtenemos el otro. en la práctica tiene histéresis. = Π .∫ Vm/R. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC. se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta. Conectando al TRIAC adecuadamente. el capacitor se carga inversamente.sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π . Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.

que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual. En este caso cuando la corriente se hace cero. El valor de R y C necesarios. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial. es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli . tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt. Esto es necesario tenerlo en cuenta. en paralelo con el TRIAC. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. Para evitar estas interferencias. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt. sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC. siendo la corriente de choque o inicial. en el momento de la conducción. anulando el efecto de histéresis. prácticamente constante. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. muy alta. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. cuando se prende la lámpara. se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación.UTN REG. Por ello. que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. 4) Otro aspecto a tener en cuenta. 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”.

propiamente dicho. una aislamiento eléctrico. entre ellos. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. un fotodarlington o un fototiristor. El circuito convertidor. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. esta sujeto por lo general. trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. Ambos circuitos. HP23 . proporcionando. (Para los circuitos de disparo de compuerta.UTN REG. tiene un semiconductor “detector de luz”. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. Guarnaschelli . como por ejemplo un fototransistor. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. de infrared Light-emitting diode )y en su salida . mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo. existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. como el caso de los rectificadores controlados. uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor. están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento. entre 12 y 30 volt). Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. entre 5 y 15 KV.

Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. y con baja frecuencia de conmutación. opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. limitan las aplicaciones en alta frecuencia. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. Con un pulso relativamente largo. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. con aleaciones especiales como Hipersil. El inconveniente de este tipo de aislamiento. Permalloy o Ferrite. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. Guarnaschelli . Estos tiempos de conmutación.UTN REG. Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el transformador se satura y la salida se distorsiona. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2.

haciéndolo pasar a la saturación. son amplificados por el transistor bipolar Q1. haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). Durante esta disminución transitoria. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. en el flanco de bajada. induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. El pulso positivo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. La corriente. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se generan pulsos cortos. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora. Guarnaschelli . El pulso negativo.UTN REG. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. produce la conmutación de Q1. en el flaco de subida y “negativo”. formada por C1R1. “positivo”. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. Los pulsos de corriente generados por el PUT. Cuando el pulso se retira de la base de Q1.

Esto provoca el corte de Q1. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). generando otro pulso. haciendo conducir a Q1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”. La consecuencia de esto. (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica. por la acción del devanado auxiliar N3.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. que polariza negativamente al diodo D1. el capacitor C1 se carga a través de R1. esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3. Guarnaschelli . El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos. Q1 nuevamente conduce corriente. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. lo que da lugar en la salida de N3. pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. al desaparecer la tensión negativa sobre D1. las cargas son del tipo inductiva. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.. repitiéndose el proceso.

donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. Sin embargo. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche. el diodo “Dg”. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. como el SCR. B y C pueden combinarse. aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. se generaba el tren de pulsos. el capacitor “Cg”. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. como por ejemplo. protege la compuerta contra el voltaje negativo. junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta. como se observa en el circuito “D”. para el caso de un SCR. entre la compuerta y el cátodo. se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado. Guarnaschelli . Para el circuito (C). SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND). ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. mediante la tensión V1. utilizando un CI555. se genera externamente. por medio de otro circuito. Para el circuito (B). se conectan normalmente. en este caso. Para el circuito (A) de la figura anterior. para los rectificadores controlados de silicio. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta.