UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1). el UJT. se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos. Guarnaschelli 3 . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. en dos terminales. el PUT y el DIAC. el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada.7 a 10 KΩ. esta limitada por la disipación del UJT. ___________ VBB = √ RBB. En un punto determinado de esta resistencia. denominado “emisor” (E). Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales. cuyo valor varia desde 4. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal.UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. VDmax. ST4 : Disparador asimétrico de GE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. denominados base 1(B1) y base2 (B2).

El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. para producir el disparo o sea VP.”. dado que la tensión VC= VBB . VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. 2 mv / ºC. La relación intrínseca toma un valor entre 0. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). vale: VP = (R1/R1+R2). comprendida entre el diodo y la base 1(B1). VBB + VD. La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C.R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC. pero como varia con la temperatura. En esta situación. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. resulta entonces necesario compensar esta variación. = η. La tensión VE. Cuando IE aumenta. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. En la aplicación. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva . La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. IP. donde nuevamente comienza aumentar. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2. el valor de R1 retoma su valor original. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. Si al dispositivo.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC). La VBB. VV. haciendo que este tramo. se debe mantener constante. La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN. para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. Guarnaschelli 4 .56 volt a 25º C y disminuye en aprox. la tensión de disparo VE= VP. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). cuyo valor es aproximadamente de 0.UTN REG. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. debido la valor de VD.82. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.45 y 0. aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece.

entonces tanto VD como el termino η.UTN REG. RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior. VBB. η ) + (1-η.η.Vcc .008%/ºC y el de RB2 es de +0. Si hacemos: VD = η. RB1) / η quedando: RB2 = V D.Vcc. lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. VCC . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli 5 . RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0. η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η.Vcc.η. (1) VBB= Vcc – RB2. RBB / (VCC. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η. RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. RBB / (VCC. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η.Vcc .004%/ºC. VCC .

Vcc ). dado por la constante de descarga “de CE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.Vcc reemplazando: T= RE .. = RE . .C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC. (1 – e-T1/RE. Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP. Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT.+ RB1. el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0.. El capacitor.VP ).. (1 – e-t/R. no son muy rigurosas.= VC.C). No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores.CE . / (VCC.UTN REG.VP ). )“. Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA.” el capacitor se descarga a través del emisor. se lo utiliza como oscilador de relajación.η. ln VCC. VEsat. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5. RE. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE . La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω.63. El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1.( R1. ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura. ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos. Cuando se llega al valor VE. Guarnaschelli 6 .CE. partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE . ln ( VCC. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. VC = (Vcc_VV). este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C.. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.= VP. Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1.CE .CE . conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE. el emisor se bloquea. En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω. entonces reemplazando tenemos: T = RE . parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga.= VV. rápidamente.CE .VV ) / (VCC. El circuito trabaja de la siguiente forma. ln VCC / (VCC. Por otra parte como Vp = η. para generar pulsos de disparo.

En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. Si es muy chico.UTN REG. Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase. VGtmax > RB1 . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. De esta forma cuando la tensión pase por cero. Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. Guarnaschelli 7 . por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. todo el circuito prácticamente esta con valor cero. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. con la misma tensión de disparo Vp. es posible que no llegue a la tensión de disparo.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. con respecto al cruce por cero de la tensión de red. no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. Si es muy grande. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. para permitir que el circuito oscile.

UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. Guarnaschelli 8 . En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático. por medio de un potenciómetro RE. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE. debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE. el potenciómetro RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red.

Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga. Guarnaschelli 9 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito.

De esta forma. con la variación de la resistencia del potenciómetro. la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte.UTN REG. haciendo la corriente de base cero. El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima. por lo que no se entrega potencia a la carga. controlando la corriente de base. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp. Guarnaschelli . Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga. Cuando el transistor esta conduciendo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. del UJT. Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control.

se logran modificando el valor de la tensión de pedestal. tenemos dos curvas 1 y 2.CE RE2. con un mismo valor de constante de carga exponencial RE. se logra con el control pedestal. Una mejora en la linealidad comentada. El diodo bloquea una posible derivación de corriente. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo).CE.CE. que corresponden para distintos valores de producto RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se logra mejorar la linealidad de la función graficada. es rápido dado el valor bajo de “Rp.UTN REG. a través de RE. ahora en su carga exponencial. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp. Para un determinado valor de este producto. cuando el capacitor supera la tensión pedestal.CE Este método. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1. La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Los tiempos de disparo t1 y t2. Guarnaschelli . En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.CE”. rampa cosenoidal.

dt Vc = V1 + Vmax / RE. Para lograr este tipo de rampa. Guarnaschelli . 100 %Rp RE1.∫ Vmax/RE.dt como iE ≈ Vmax/RE. tomada en la entrada del circuito de sincronización. antes de ser recortada por el diodo zener. debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal. es similar al caso anterior. la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE.∫ iE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso. Este tipo de control.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE.( 1 – cos wt ).CE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. De esta forma. a través de un potenciómetro). con la diferencia que la tensión de carga del capacitor.w. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG.sen wt.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp. el circuito que carga al capacitor a través de RE.CE RE2. después de su precarga (pedestal) es cosenoidal.

UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. D2. con señal de referencia. de valor conceptual. control y generación de los pulsos de disparo. Guarnaschelli . con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. D3 y D4. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. Para el caso el circuito principal del convertidor. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. nos muestra en forma sencilla. Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. esta formado por el puente semicontrolado. Para alimentar el circuito de sincronización. (Precarga del capacitor CE). Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

_ _ Π ITM = (1/2Π).3).3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT. Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D.4 volt (0. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3. Si tomamos 2. RBB / (VCC. RB1) / η = (0.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0.7-0. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º. entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef.3 volt. disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca).6.UTN REG. ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. Sen wt dwt = (√2. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.2)=1. De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o. siempre que asegure el disparo del SCR. que es un valor aceptable.1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef. Se determina experimentalmente o por medio de graficas.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva).220/RL).∫0 (√2.∫0 (√2.220/RL. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB. Guarnaschelli . η = 0. Vv = 3 volt . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características. Para la mayoría de los UJT.7 a 1 volt. con una carga RL = 100 Ω.0.6. se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ. Ip = 2µA. η ) + (1-η.6) + (1-0. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0. RB1 = VRB1 / IRB1= =.220/RL. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible.3 V / 3. Iv = 4 mA .0. A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2.6)/(20. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ . = √(1/2Π).60 .6)/0.220/RL) . Sen wt dwt = (√2.

4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor.25 KΩ para que el UJT. vemos que el punto limite. debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero.25 . esta dado para IV y Vv .REmax = √ 4.0. Previamente. porque si ocurre esto . REmax y el capacitor CE. podemos calcular el capacitor. teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Adoptamos RE min = 10 KΩ.3 V) / 4 mA = 4. significa que RE no debe ser inferior a 4. es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V. vuelva a bloquearse. una vez disparado. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz. Guarnaschelli . el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Como vemos en la grafica. Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp. dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. llegue a la tensión de disparo Vp del UJT.Vz.I del UJT que presente resistencia positiva. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.Vv) / Iv = (20 V. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz. Para calcular RE min.η) / Ip = (20 – 20. cuando RE tiene su valor máximo.25 KΩ El valor REmin calculado. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación.UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin. En la grafica.6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor.

. debemos limitarla con la resistencia Hrs.UTN REG. será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. Para que por el zener circule la corriente adoptada. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.√2 = 220 . debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que. Un valor de CE fácil de conseguir es de 0. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE. Vz = 20 mA . junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga. La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. Guarnaschelli .RE para η ≈0. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0. En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo.4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W. lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V.20 V) / 25 mA = 11.1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA . IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. prácticamente no influye sobre la tensión de zener.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. de manera que su valor. 20 V =0.√2 = 310 volt.156 µF.1 µF. = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia.6 KΩ Adoptamos un valor de Rs.

Guarnaschelli . 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.( 1 – cos wt ). 800 y 1000 volt respectivamente. Como la carga del condensador es cosenoidal.w. remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.0. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600.5 mseg. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs.. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.UTN REG.CE = 5KΩ. se determinan en forma similar al problema anterior.1 µF = 0. Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp. control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior. entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.1 µF. RB1. 1N4006 o el 1N4007.CE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005. RB2.

Vc =η. obtenida como señal de error. amplificada.UTN REG.Vz = 0. compensada y adaptada al circuito. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. 2) / ( Vz . cos 180º = -1 . Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. η. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . CE. W) = 1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Para este caso. A pesar de llamarse transistor. La figura siguiente. nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. Guarnaschelli . la señal de control realimentada. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm .6. mediante un divisor resistivo.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa. su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. tiene un comportamiento similar al UJT. con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”.

UTN REG. sincronizado con la frecuencia de red. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. de manera similar al UJT. La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" . conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT. Guarnaschelli .Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. con el terminal “base2” del UJT. se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento). el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación. estando el PUT en estado de bloqueo. Sintetizando. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Se deberá agregar un divisor resistivo. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado. para programar la relación intrínseca “η”. dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo.

UTN REG. El dibujo siguiente. sin compuerta. su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli . que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales. conectado en antiparalelo. Rp) y su fuente de alimentación (D1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble. C1). muestra la estructura interna. cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

Guarnaschelli . control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt). se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

C = (2. activándolo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R.UTN REG.Vm) / ( R. en la práctica tiene histéresis..C.sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R. este se dispara.C. respecto a la variación de la constante CR. por estar conectado a los terminales del TRIAC. Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C. VBO = Vm. Conectando al TRIAC adecuadamente. sen θmin θmin = arc. Guarnaschelli . Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO .∫ Vm/R. y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC. Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC. Cuando este último se activa. = Π . para variar la potencia en la carga.θmin =Π. tipo RC. debido a la carga residual del capacitor. Para el semiciclo negativo.arc. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad.arc. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión.W).sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. obtenemos el otro. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.θmin =Π.W Seleccionando el valor de R o de C.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax. inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. cae la tensión del circuito de disparo. el capacitor se carga inversamente.Vm) / (VBO –vo).C.sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π . se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta. Despejando la constante de carga obtenemos: R.

que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”. debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. Guarnaschelli . 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial. 4) Otro aspecto a tener en cuenta. anulando el efecto de histéresis. muy alta.UTN REG. Esto es necesario tenerlo en cuenta. sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC. en paralelo con el TRIAC. Por ello. en el momento de la conducción. es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. En este caso cuando la corriente se hace cero. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. prácticamente constante. El valor de R y C necesarios. Para evitar estas interferencias. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). cuando se prende la lámpara. tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. siendo la corriente de choque o inicial. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

como el caso de los rectificadores controlados. mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo. esta sujeto por lo general. de infrared Light-emitting diode )y en su salida . De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor. están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. entre 5 y 15 KV. (Para los circuitos de disparo de compuerta. HP23 . El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. una aislamiento eléctrico. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. como por ejemplo un fototransistor. El circuito convertidor. entre ellos. trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. Guarnaschelli . uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG. un fotodarlington o un fototiristor. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. entre 12 y 30 volt). Ambos circuitos. propiamente dicho. tiene un semiconductor “detector de luz”. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. proporcionando.

Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2. Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Permalloy o Ferrite. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. El inconveniente de este tipo de aislamiento. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. Estos tiempos de conmutación. el transformador se satura y la salida se distorsiona. con aleaciones especiales como Hipersil. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. limitan las aplicaciones en alta frecuencia.UTN REG. opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. Con un pulso relativamente largo. y con baja frecuencia de conmutación.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. Guarnaschelli .

en el flanco de bajada. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor.UTN REG. lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. Guarnaschelli . haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). son amplificados por el transistor bipolar Q1. Los pulsos de corriente generados por el PUT. en el flaco de subida y “negativo”. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. produce la conmutación de Q1. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. haciéndolo pasar a la saturación. formada por C1R1. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. se generan pulsos cortos. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. La corriente. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Cuando el pulso se retira de la base de Q1. “positivo”. El pulso negativo. Durante esta disminución transitoria. El pulso positivo.

. pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. al desaparecer la tensión negativa sobre D1. generando otro pulso. La consecuencia de esto. haciendo conducir a Q1. Guarnaschelli . por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada. repitiéndose el proceso. Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. el capacitor C1 se carga a través de R1. (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica. El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos. Esto provoca el corte de Q1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Q1 nuevamente conduce corriente. que polariza negativamente al diodo D1. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3.UTN REG. por la acción del devanado auxiliar N3. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. las cargas son del tipo inductiva. lo que da lugar en la salida de N3.

aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. mediante la tensión V1. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. B y C pueden combinarse. se generaba el tren de pulsos. se genera externamente. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. para el caso de un SCR. Guarnaschelli . como se observa en el circuito “D”. por medio de otro circuito. protege la compuerta contra el voltaje negativo. para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado. Para el circuito (B). utilizando un CI555. Para el circuito (C). se conectan normalmente. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta. en este caso. para los rectificadores controlados de silicio. junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el diodo “Dg”. el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. el capacitor “Cg”. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. entre la compuerta y el cátodo. Para el circuito (A) de la figura anterior. donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. como el SCR. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. Sin embargo. como por ejemplo. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND).