UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

En un punto determinado de esta resistencia. se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”. ST4 : Disparador asimétrico de GE. que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. el UJT. denominados base 1(B1) y base2 (B2). se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal. el PUT y el DIAC. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos.7 a 10 KΩ. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. esta limitada por la disipación del UJT. el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada.UTN REG. en dos terminales. denominado “emisor” (E). ___________ VBB = √ RBB. cuyo valor varia desde 4. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales. VDmax. El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1). Guarnaschelli 3 . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

cuyo valor es aproximadamente de 0. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente. la tensión de disparo VE= VP. El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. La relación intrínseca toma un valor entre 0. La tensión VE. IP. haciendo que este tramo. La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). se debe mantener constante.56 volt a 25º C y disminuye en aprox. La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN. comprendida entre el diodo y la base 1(B1). En la aplicación. dado que la tensión VC= VBB . pero como varia con la temperatura. VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV. Guarnaschelli 4 . donde nuevamente comienza aumentar. En esta situación. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). La VBB.R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. debido la valor de VD. Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC). aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. el valor de R1 retoma su valor original. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva .”. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2. Si al dispositivo.UTN REG.45 y 0. VV. R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece. VBB + VD. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. = η. Cuando IE aumenta. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC. resulta entonces necesario compensar esta variación. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. 2 mv / ºC. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. para producir el disparo o sea VP. vale: VP = (R1/R1+R2).82.

RB1) / η quedando: RB2 = V D. Si hacemos: VD = η. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η. VCC . RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η.Vcc .Vcc . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.004%/ºC. entonces tanto VD como el termino η. VBB. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. RBB / (VCC. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η. RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0.η. lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D.Vcc.Vcc. η ) + (1-η. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η. VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior. (1) VBB= Vcc – RB2. Guarnaschelli 5 .008%/ºC y el de RB2 es de +0.η. RBB / (VCC. VCC . RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura.UTN REG.

En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω...CE . = RE .+ RB1. Por otra parte como Vp = η. VEsat. ln VCC / (VCC. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω. el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0. Cuando se llega al valor VE. Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP.VV ) / (VCC. para generar pulsos de disparo.CE .. se lo utiliza como oscilador de relajación.( R1. dado por la constante de descarga “de CE.Vcc reemplazando: T= RE . / (VCC. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura. parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga.= VV. rápidamente.VP ).η. ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos. Guarnaschelli 6 . ln VCC. RE.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1.UTN REG. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5.= VP. el emisor se bloquea. entonces reemplazando tenemos: T = RE . El capacitor. ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646.” el capacitor se descarga a través del emisor.Vcc ).C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC. El circuito trabaja de la siguiente forma.= VC. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE . ln ( VCC. (1 – e-t/R.63.CE. no son muy rigurosas. Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT. .CE . )“. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.CE . partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc.C). No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores. El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1.VP ). Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA.. conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. VC = (Vcc_VV). este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. (1 – e-T1/RE.

todo el circuito prácticamente esta con valor cero. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. es posible que no llegue a la tensión de disparo. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos. VGtmax > RB1 . Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase. con la misma tensión de disparo Vp. De esta forma cuando la tensión pase por cero. Si es muy chico.UTN REG. Guarnaschelli 7 . no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. para permitir que el circuito oscile.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. con respecto al cruce por cero de la tensión de red. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. Si es muy grande. permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener.

el potenciómetro RE. En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito. por medio de un potenciómetro RE. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático. se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE. Guarnaschelli 8 . en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE.UTN REG.

así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli 9 . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito. Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga.

con la variación de la resistencia del potenciómetro. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga. del UJT. De esta forma. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. por lo que no se entrega potencia a la carga. Cuando el transistor esta conduciendo. Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos. la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro. El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp.UTN REG. Guarnaschelli . consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. haciendo la corriente de base cero. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. controlando la corriente de base. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor.

con un mismo valor de constante de carga exponencial RE. tenemos dos curvas 1 y 2. que corresponden para distintos valores de producto RE. ahora en su carga exponencial. Guarnaschelli . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp. se logran modificando el valor de la tensión de pedestal. es rápido dado el valor bajo de “Rp.CE. El diodo bloquea una posible derivación de corriente. La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga.CE RE2. En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro.CE. se logra mejorar la linealidad de la función graficada.UTN REG. Para un determinado valor de este producto. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1. se logra con el control pedestal. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.CE”. cuando el capacitor supera la tensión pedestal. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Una mejora en la linealidad comentada. a través de RE. Los tiempos de disparo t1 y t2. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo).CE Este método. rampa cosenoidal.

tomada en la entrada del circuito de sincronización. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. después de su precarga (pedestal) es cosenoidal. debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal.CE RE2. 100 %Rp RE1.w.∫ Vmax/RE. Para lograr este tipo de rampa. con la diferencia que la tensión de carga del capacitor.sen wt.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp. De esta forma.dt como iE ≈ Vmax/RE. antes de ser recortada por el diodo zener. a través de un potenciómetro). Este tipo de control. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE. la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE.dt Vc = V1 + Vmax / RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. el circuito que carga al capacitor a través de RE.∫ iE.UTN REG.CE. es similar al caso anterior. Guarnaschelli . es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso.( 1 – cos wt ).

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Para el caso el circuito principal del convertidor. control y generación de los pulsos de disparo. Guarnaschelli . Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado. nos muestra en forma sencilla. con señal de referencia. se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. de valor conceptual. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. (Precarga del capacitor CE). formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Para alimentar el circuito de sincronización. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). D3 y D4. D2. la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. esta formado por el puente semicontrolado.

Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características.6. Guarnaschelli . RB1) / η = (0.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva). A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3. Iv = 4 mA . siempre que asegure el disparo del SCR.6) + (1-0. RB1 = VRB1 / IRB1= =.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2.7 a 1 volt. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible.∫0 (√2.220/RL. que es un valor aceptable.3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0.3 volt. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3. η = 0.7-0.2)=1.3 V / 3.∫0 (√2.220/RL). Sen wt dwt = (√2. = √(1/2Π). disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca). Sen wt dwt = (√2. Ip = 2µA. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB.220/RL) .1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef.6. Si tomamos 2.0. _ _ Π ITM = (1/2Π).220/RL.60 . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º. η ) + (1-η. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0. De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o.0.3).Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef.UTN REG. con una carga RL = 100 Ω. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ . Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D.6)/(20. Vv = 3 volt . ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. Para la mayoría de los UJT.4 volt (0. RBB / (VCC. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.6)/0. se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

vemos que el punto limite. el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. REmax y el capacitor CE. vuelva a bloquearse.Vv) / Iv = (20 V.I del UJT que presente resistencia positiva. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz.25 KΩ El valor REmin calculado. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.25 . una vez disparado. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz.UTN REG. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio. Para calcular RE min. cuando RE tiene su valor máximo. porque si ocurre esto . esta dado para IV y Vv . significa que RE no debe ser inferior a 4. Adoptamos RE min = 10 KΩ. Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. podemos calcular el capacitor.Vz.3 V) / 4 mA = 4.0.REmax = √ 4. dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin.25 KΩ para que el UJT. debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero. En la grafica.6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor. Previamente. Como vemos en la grafica. llegue a la tensión de disparo Vp del UJT. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación. es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V.η) / Ip = (20 – 20. 4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor. Guarnaschelli .

√2 = 220 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE. Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que.6 KΩ Adoptamos un valor de Rs.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0. de manera que su valor.20 V) / 25 mA = 11. debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo.UTN REG. Guarnaschelli .1 µF. Vz = 20 mA . La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga.√2 = 310 volt. 20 V =0.156 µF.1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA . lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V. Para que por el zener circule la corriente adoptada.4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W. = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia. Un valor de CE fácil de conseguir es de 0. junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo. debemos limitarla con la resistencia Hrs.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. prácticamente no influye sobre la tensión de zener. IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0..RE para η ≈0.

Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.5 mseg. RB2. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp. 800 y 1000 volt respectivamente. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg. remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo. RB1. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600..CE.UTN REG. 1N4006 o el 1N4007.1 µF. se determinan en forma similar al problema anterior. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior. 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005.0. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs. Como la carga del condensador es cosenoidal.w. entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.CE = 5KΩ. Guarnaschelli .( 1 – cos wt ).1 µF = 0.

W) = 1. amplificada. Para este caso. Vc =η. la señal de control realimentada. mediante un divisor resistivo. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm .UTN REG. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.6. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. compensada y adaptada al circuito. con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . cos 180º = -1 . nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. CE.Vz = 0. obtenida como señal de error. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. tiene un comportamiento similar al UJT. Guarnaschelli . La figura siguiente. 2) / ( Vz . η. A pesar de llamarse transistor.

Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento).VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado. el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo. sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando. para programar la relación intrínseca “η”. Se deberá agregar un divisor resistivo. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" . dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo. con el terminal “base2” del UJT. conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. de manera similar al UJT. Guarnaschelli . se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. estando el PUT en estado de bloqueo.UTN REG. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable.

C1). que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble. su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Rp) y su fuente de alimentación (D1. muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1. Guarnaschelli . sin compuerta. conectado en antiparalelo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. muestra la estructura interna. El dibujo siguiente.UTN REG. cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura.

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt).UTN REG. se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. por estar conectado a los terminales del TRIAC. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. obtenemos el otro. sen θmin θmin = arc.arc.W Seleccionando el valor de R o de C. para variar la potencia en la carga. cae la tensión del circuito de disparo. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad.W). se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta. Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R. VBO = Vm..θmin =Π. Guarnaschelli . debido a la carga residual del capacitor. activándolo.∫ Vm/R. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión. Para el semiciclo negativo. y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC.C. Despejando la constante de carga obtenemos: R.θmin =Π. Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO . tipo RC. este se dispara.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm.C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el capacitor se carga inversamente.Vm) / (VBO –vo).C. Conectando al TRIAC adecuadamente.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito.Vm) / ( R. respecto a la variación de la constante CR. = Π . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC. Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax. inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC.arc.UTN REG. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea.sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π . Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C. en la práctica tiene histéresis.C = (2.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R. Cuando este último se activa.

debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Por ello. en paralelo con el TRIAC. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. Para evitar estas interferencias. Esto es necesario tenerlo en cuenta. siendo la corriente de choque o inicial. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. cuando se prende la lámpara. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt. en el momento de la conducción. Guarnaschelli . prácticamente constante. 4) Otro aspecto a tener en cuenta. sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”. es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. anulando el efecto de histéresis. El valor de R y C necesarios. En este caso cuando la corriente se hace cero.UTN REG. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. muy alta. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt. que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual.

están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. Guarnaschelli . una aislamiento eléctrico. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. tiene un semiconductor “detector de luz”. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. Ambos circuitos. El circuito convertidor. asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento. entre ellos. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. como el caso de los rectificadores controlados. proporcionando. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. propiamente dicho. como por ejemplo un fototransistor. mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. esta sujeto por lo general. un fotodarlington o un fototiristor. entre 12 y 30 volt). (Para los circuitos de disparo de compuerta. HP23 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. entre 5 y 15 KV.UTN REG. de infrared Light-emitting diode )y en su salida .

Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad. Con un pulso relativamente largo. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. con aleaciones especiales como Hipersil. El inconveniente de este tipo de aislamiento. limitan las aplicaciones en alta frecuencia. Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el transformador se satura y la salida se distorsiona. Guarnaschelli . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. Permalloy o Ferrite.UTN REG. Estos tiempos de conmutación. y con baja frecuencia de conmutación. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios.

El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. El pulso positivo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. Cuando el pulso se retira de la base de Q1. en el flaco de subida y “negativo”. “positivo”.UTN REG. haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). El pulso negativo. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. La corriente. formada por C1R1. se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. son amplificados por el transistor bipolar Q1. haciéndolo pasar a la saturación. se generan pulsos cortos. Guarnaschelli . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Los pulsos de corriente generados por el PUT. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora. el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. Durante esta disminución transitoria. produce la conmutación de Q1. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. en el flanco de bajada.

Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso. esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3. Q1 nuevamente conduce corriente. el capacitor C1 se carga a través de R1. haciendo conducir a Q1. que polariza negativamente al diodo D1. Esto provoca el corte de Q1. las cargas son del tipo inductiva. La consecuencia de esto. por la acción del devanado auxiliar N3. generando otro pulso. al desaparecer la tensión negativa sobre D1. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”. (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica. por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). lo que da lugar en la salida de N3. repitiéndose el proceso. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.. Guarnaschelli .

B y C pueden combinarse. el diodo “Dg”. como por ejemplo. aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. se conectan normalmente. para los rectificadores controlados de silicio. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta. Sin embargo. protege la compuerta contra el voltaje negativo. el capacitor “Cg”. se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. como se observa en el circuito “D”.UTN REG. Guarnaschelli . para el caso de un SCR. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. como el SCR. se genera externamente. donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. Para el circuito (C). Para el circuito (B). SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. entre la compuerta y el cátodo. por medio de otro circuito. en este caso. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta. el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. mediante la tensión V1. para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado. utilizando un CI555. Para el circuito (A) de la figura anterior. se generaba el tren de pulsos. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND).

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