UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales.UTN REG. denominados base 1(B1) y base2 (B2). que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. En un punto determinado de esta resistencia. VDmax. cuyo valor varia desde 4. esta limitada por la disipación del UJT. el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada. ___________ VBB = √ RBB. se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”. El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1). ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. en dos terminales. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el UJT. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos. el PUT y el DIAC. denominado “emisor” (E). ST4 : Disparador asimétrico de GE.7 a 10 KΩ. Guarnaschelli 3 .

Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC). para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn.R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. En esta situación. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC. el valor de R1 retoma su valor original. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva . vale: VP = (R1/R1+R2). = η.82. La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. La VBB. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). 2 mv / ºC. El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. IP. cuyo valor es aproximadamente de 0. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. Guarnaschelli 4 . pero como varia con la temperatura. donde nuevamente comienza aumentar. para producir el disparo o sea VP. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. La tensión VE. La relación intrínseca toma un valor entre 0. VV. la tensión de disparo VE= VP. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN.56 volt a 25º C y disminuye en aprox.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. VBB + VD.UTN REG. En la aplicación. R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece. aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. Si al dispositivo. dado que la tensión VC= VBB . Cuando IE aumenta. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2. comprendida entre el diodo y la base 1(B1).”. se debe mantener constante.45 y 0. debido la valor de VD. haciendo que este tramo. resulta entonces necesario compensar esta variación. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente.

RBB / (VCC. lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. RB1) / η quedando: RB2 = V D. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0.008%/ºC y el de RB2 es de +0. entonces tanto VD como el termino η.Vcc . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Si hacemos: VD = η.Vcc .η. Guarnaschelli 5 .Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η.η.Vcc. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η. RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. η ) + (1-η. RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura.UTN REG.004%/ºC. VBB. (1) VBB= Vcc – RB2. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η. η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η. VCC . VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior. RBB / (VCC. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η. VCC .

ln VCC. Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT. El capacitor. Guarnaschelli 6 . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1. En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω. Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA.= VV. parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga. Por otra parte como Vp = η..Vcc ). para generar pulsos de disparo.. el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0. Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP. partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc. Cuando se llega al valor VE.= VP.CE ..= VC.( R1.CE.” el capacitor se descarga a través del emisor. dado por la constante de descarga “de CE. No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω. VC = (Vcc_VV).Vcc reemplazando: T= RE . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5. = RE . no son muy rigurosas. rápidamente. el emisor se bloquea. VEsat. RE.+ RB1. .CE .VV ) / (VCC. (1 – e-T1/RE. conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE.CE . ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646. )“. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE . ln VCC / (VCC.VP ). El circuito trabaja de la siguiente forma.63.η. ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos.UTN REG. / (VCC.. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE . entonces reemplazando tenemos: T = RE . (1 – e-t/R.VP ). se lo utiliza como oscilador de relajación. ln ( VCC.CE . El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1.C).

Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase. todo el circuito prácticamente esta con valor cero. De esta forma cuando la tensión pase por cero. para permitir que el circuito oscile. Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse.UTN REG. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Si es muy chico. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos. VGtmax > RB1 . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. con respecto al cruce por cero de la tensión de red. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Si es muy grande. el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. es posible que no llegue a la tensión de disparo. con la misma tensión de disparo Vp. permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. Guarnaschelli 7 . Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red.

si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático. se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. el potenciómetro RE.UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE. debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE. por medio de un potenciómetro RE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli 8 . En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red.

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga. Guarnaschelli 9 . así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE.UTN REG. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito.

Guarnaschelli . Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control. la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro. con la variación de la resistencia del potenciómetro. del UJT. controlando la corriente de base. consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. haciendo la corriente de base cero. El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Cuando el transistor esta conduciendo. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga. por lo que no se entrega potencia a la carga. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte. De esta forma. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG.

CE RE2.CE. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo). cuando el capacitor supera la tensión pedestal. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp. rampa cosenoidal.CE Este método. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Una mejora en la linealidad comentada. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1. Los tiempos de disparo t1 y t2.CE”. Guarnaschelli . La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga. En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro. con un mismo valor de constante de carga exponencial RE. se logran modificando el valor de la tensión de pedestal. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.CE. es rápido dado el valor bajo de “Rp. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. que corresponden para distintos valores de producto RE. se logra mejorar la linealidad de la función graficada. tenemos dos curvas 1 y 2. ahora en su carga exponencial. a través de RE. se logra con el control pedestal. El diodo bloquea una posible derivación de corriente. Para un determinado valor de este producto.UTN REG.

De esta forma.CE. antes de ser recortada por el diodo zener.w.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.( 1 – cos wt ). tomada en la entrada del circuito de sincronización.sen wt.CE RE2. Este tipo de control. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp.∫ iE.dt como iE ≈ Vmax/RE. Para lograr este tipo de rampa.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal.UTN REG. con la diferencia que la tensión de carga del capacitor. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli . después de su precarga (pedestal) es cosenoidal.dt Vc = V1 + Vmax / RE. la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE.∫ Vmax/RE. es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso. el circuito que carga al capacitor a través de RE. 100 %Rp RE1. a través de un potenciómetro). debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal. es similar al caso anterior.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. Para el caso el circuito principal del convertidor. control y generación de los pulsos de disparo. formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Guarnaschelli . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado. con señal de referencia. nos muestra en forma sencilla. se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. D3 y D4. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. esta formado por el puente semicontrolado. (Precarga del capacitor CE). D2. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). Para alimentar el circuito de sincronización.UTN REG. de valor conceptual.

∫0 (√2. que es un valor aceptable. η = 0.6. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB.7 a 1 volt. Vv = 3 volt . disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca).3 V / 3. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ . Sen wt dwt = (√2.2)=1.60 .6) + (1-0.4 volt (0. A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3.3 volt. RB1) / η = (0. RB1 = VRB1 / IRB1= =.7-0. Para la mayoría de los UJT.Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef.220/RL) .0. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3. Ip = 2µA. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible.∫0 (√2. RBB / (VCC.220/RL. siempre que asegure el disparo del SCR. Iv = 4 mA .3).6. η ) + (1-η.220/RL). Sen wt dwt = (√2.220/RL.3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características.1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef. = √(1/2Π). se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva).6)/0.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.0.6)/(20. con una carga RL = 100 Ω. Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D. ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. _ _ Π ITM = (1/2Π). Guarnaschelli . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º.UTN REG. Si tomamos 2. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2.

Guarnaschelli .6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor.η) / Ip = (20 – 20. llegue a la tensión de disparo Vp del UJT. porque si ocurre esto . En la grafica. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación.25 KΩ El valor REmin calculado. Para calcular RE min. Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp. 4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor. significa que RE no debe ser inferior a 4. el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz.Vv) / Iv = (20 V. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado.REmax = √ 4. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin. debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero.3 V) / 4 mA = 4.UTN REG. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. una vez disparado. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. cuando RE tiene su valor máximo. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio.25 . Adoptamos RE min = 10 KΩ. vuelva a bloquearse.Vz.25 KΩ para que el UJT. REmax y el capacitor CE.I del UJT que presente resistencia positiva. vemos que el punto limite. dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin. Como vemos en la grafica. podemos calcular el capacitor. esta dado para IV y Vv . teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. Previamente. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.0. es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V.

La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo. prácticamente no influye sobre la tensión de zener.√2 = 310 volt. Vz = 20 mA . IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener.√2 = 220 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo.RE para η ≈0. Para que por el zener circule la corriente adoptada. = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia.156 µF. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. de manera que su valor.20 V) / 25 mA = 11. Guarnaschelli .1 µF. lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener.UTN REG.1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA . será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. Un valor de CE fácil de conseguir es de 0.6 KΩ Adoptamos un valor de Rs. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0. de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga. 20 V =0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0. Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz .. debemos limitarla con la resistencia Hrs. debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3.

800 y 1000 volt respectivamente.. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg.CE = 5KΩ. RB1. Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. 1N4006 o el 1N4007. Guarnaschelli . control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.1 µF = 0.1 µF. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.5 mseg.( 1 – cos wt ).w. remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo.UTN REG. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs. se determinan en forma similar al problema anterior. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.0. 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0. RB2. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.CE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600. Como la carga del condensador es cosenoidal.

Para este caso.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. A pesar de llamarse transistor. obtenida como señal de error.Vz = 0. W) = 1. con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”. 2) / ( Vz . Vc =η.6. η. tiene un comportamiento similar al UJT. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. Guarnaschelli .UTN REG. cos 180º = -1 . la señal de control realimentada. La figura siguiente. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . compensada y adaptada al circuito. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. CE. mediante un divisor resistivo. nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. amplificada.

Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. sincronizado con la frecuencia de red. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable. de manera similar al UJT. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento). La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT. conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. Guarnaschelli . Sintetizando. se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp. para programar la relación intrínseca “η”. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1. dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo. estando el PUT en estado de bloqueo. con el terminal “base2” del UJT. Se deberá agregar un divisor resistivo. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado.

Guarnaschelli . muestra la estructura interna. muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1. Rp) y su fuente de alimentación (D1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura. conectado en antiparalelo. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble. que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. sin compuerta. su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. El dibujo siguiente. C1).

---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt). se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli . control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.

Cuando este último se activa.sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π .sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R. Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO . por estar conectado a los terminales del TRIAC.arc.arc. Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.Vm) / ( R. debido a la carga residual del capacitor.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea. activándolo. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad.C. cae la tensión del circuito de disparo.UTN REG.C.. Guarnaschelli .W)[1-cos wt]0Π = vo + (2.Vm) / (VBO –vo).W).θmin =Π. VBO = Vm. Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC. y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC. para variar la potencia en la carga. = Π . se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta.θmin =Π.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm.∫ Vm/R. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito. Para el semiciclo negativo.C. tipo RC. Despejando la constante de carga obtenemos: R. Conectando al TRIAC adecuadamente.C = (2. el capacitor se carga inversamente. obtenemos el otro. respecto a la variación de la constante CR. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C.W Seleccionando el valor de R o de C. sen θmin θmin = arc.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. este se dispara. inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC. en la práctica tiene histéresis. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue.sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión.

sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC.UTN REG. 4) Otro aspecto a tener en cuenta. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. El valor de R y C necesarios. en paralelo con el TRIAC. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. En este caso cuando la corriente se hace cero. tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. en el momento de la conducción. anulando el efecto de histéresis. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. prácticamente constante. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt. Esto es necesario tenerlo en cuenta. cuando se prende la lámpara. muy alta. 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”. Guarnaschelli . Por ello. Para evitar estas interferencias. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. siendo la corriente de choque o inicial. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual. debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial.

como por ejemplo un fototransistor. una aislamiento eléctrico. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. un fotodarlington o un fototiristor. trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. entre ellos. asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento. HP23 . están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. (Para los circuitos de disparo de compuerta. tiene un semiconductor “detector de luz”. entre 5 y 15 KV. uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. El circuito convertidor. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. como el caso de los rectificadores controlados. propiamente dicho.UTN REG. de infrared Light-emitting diode )y en su salida . esta sujeto por lo general. Ambos circuitos. proporcionando. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. Guarnaschelli . entre 12 y 30 volt). mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo.

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. limitan las aplicaciones en alta frecuencia. El inconveniente de este tipo de aislamiento. Permalloy o Ferrite. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. Guarnaschelli . opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. Estos tiempos de conmutación. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. el transformador se satura y la salida se distorsiona. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño.UTN REG. Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad. con aleaciones especiales como Hipersil.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2. y con baja frecuencia de conmutación. Con un pulso relativamente largo. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. formada por C1R1. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. El pulso positivo. Guarnaschelli . lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. se generan pulsos cortos. Cuando el pulso se retira de la base de Q1. Los pulsos de corriente generados por el PUT. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. Durante esta disminución transitoria. haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). en el flaco de subida y “negativo”. El pulso negativo. haciéndolo pasar a la saturación. “positivo”. el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. son amplificados por el transistor bipolar Q1. produce la conmutación de Q1. induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. en el flanco de bajada. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora.UTN REG. La corriente.

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Q1 nuevamente conduce corriente. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. repitiéndose el proceso. La consecuencia de esto. El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos.UTN REG. por la acción del devanado auxiliar N3. que polariza negativamente al diodo D1. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso. lo que da lugar en la salida de N3. el capacitor C1 se carga a través de R1. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada.. generando otro pulso. al desaparecer la tensión negativa sobre D1. las cargas son del tipo inductiva. Esto provoca el corte de Q1. haciendo conducir a Q1. pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”. esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3. por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. Guarnaschelli . (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica.

utilizando un CI555. por medio de otro circuito. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli . Para el circuito (A) de la figura anterior. como el SCR. se conectan normalmente. mediante la tensión V1. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. el capacitor “Cg”. para el caso de un SCR. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta.UTN REG. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. como se observa en el circuito “D”. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado. Para el circuito (C). junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta. protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin embargo. B y C pueden combinarse. se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. para los rectificadores controlados de silicio. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND). el diodo “Dg”. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Para el circuito (B). como por ejemplo. entre la compuerta y el cátodo. en este caso. aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. se genera externamente. se generaba el tren de pulsos. el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche.

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