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3-2 Circuitos Disparo[1]

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

1

UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”. que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones.7 a 10 KΩ. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. el UJT. denominado “emisor” (E). ST4 : Disparador asimétrico de GE. denominados base 1(B1) y base2 (B2). cuyo valor varia desde 4. el PUT y el DIAC.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos. en dos terminales. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. ___________ VBB = √ RBB. VDmax. el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada. esta limitada por la disipación del UJT. En un punto determinado de esta resistencia. Guarnaschelli 3 . Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales. El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1).

( se produce un pulso de corriente de magnitud). para producir el disparo o sea VP. VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV. el valor de R1 retoma su valor original. La relación intrínseca toma un valor entre 0. comprendida entre el diodo y la base 1(B1). dado que la tensión VC= VBB . Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC.”. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente. se debe mantener constante. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. En esta situación.82. Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC). resulta entonces necesario compensar esta variación. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. debido la valor de VD. En la aplicación. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. La tensión VE. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. IP. la tensión de disparo VE= VP. pero como varia con la temperatura. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. 2 mv / ºC. Cuando IE aumenta. para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. VV. vale: VP = (R1/R1+R2). La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Si al dispositivo. = η.R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece.56 volt a 25º C y disminuye en aprox.UTN REG. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2. haciendo que este tramo. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva . Guarnaschelli 4 . La VBB. cuyo valor es aproximadamente de 0. La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN.45 y 0. aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. VBB + VD. donde nuevamente comienza aumentar. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

η. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli 5 . VBB.η.Vcc.004%/ºC. RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η.Vcc . RBB / (VCC. entonces tanto VD como el termino η.Vcc . RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. RBB / (VCC. RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0. η ) + (1-η. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η. lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. VCC . IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η. η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η.Vcc. Si hacemos: VD = η. VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior. RB1) / η quedando: RB2 = V D. VCC . (1) VBB= Vcc – RB2.UTN REG.008%/ºC y el de RB2 es de +0. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

CE . La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω. conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE . se lo utiliza como oscilador de relajación. partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc. En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω. No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores. El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1. rápidamente. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Cuando se llega al valor VE. Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT. ln VCC. parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga.Vcc reemplazando: T= RE . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1.C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC. El circuito trabaja de la siguiente forma. (1 – e-T1/RE. VEsat. ln ( VCC. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5. no son muy rigurosas.CE . para generar pulsos de disparo. RE. = RE . el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0. Guarnaschelli 6 . este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE .= VC. El capacitor. ln VCC / (VCC.VP ). . ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646. Por otra parte como Vp = η.CE .+ RB1... Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE. entonces reemplazando tenemos: T = RE .( R1.63. VC = (Vcc_VV). / (VCC.η..UTN REG.VP ). Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP. el emisor se bloquea.Vcc ). ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos.” el capacitor se descarga a través del emisor. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura..= VV. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.CE.CE . )“.VV ) / (VCC.C). (1 – e-t/R. dado por la constante de descarga “de CE.= VP.

Si es muy chico. con respecto al cruce por cero de la tensión de red. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. para permitir que el circuito oscile. por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. todo el circuito prácticamente esta con valor cero. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. Guarnaschelli 7 . el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. Si es muy grande. con la misma tensión de disparo Vp. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos. Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase. Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red.UTN REG. es posible que no llegue a la tensión de disparo. VGtmax > RB1 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. De esta forma cuando la tensión pase por cero.

se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito.UTN REG. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red. el potenciómetro RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli 8 . si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. por medio de un potenciómetro RE. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C.

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli 9 .

Cuando el transistor esta conduciendo. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp. controlando la corriente de base. con la variación de la resistencia del potenciómetro. consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. por lo que no se entrega potencia a la carga. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli . haciendo la corriente de base cero.UTN REG. del UJT. Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte. la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor. De esta forma. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga. El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima.

que corresponden para distintos valores de producto RE. se logra con el control pedestal. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp.CE.CE RE2. rampa cosenoidal. Para un determinado valor de este producto. Guarnaschelli .UTN REG. Los tiempos de disparo t1 y t2. con un mismo valor de constante de carga exponencial RE.CE Este método. En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro. se logra mejorar la linealidad de la función graficada. Una mejora en la linealidad comentada. tenemos dos curvas 1 y 2. ahora en su carga exponencial. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se logran modificando el valor de la tensión de pedestal. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. cuando el capacitor supera la tensión pedestal. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. El diodo bloquea una posible derivación de corriente.CE”. es rápido dado el valor bajo de “Rp. a través de RE.CE. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo). La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga.

con la diferencia que la tensión de carga del capacitor. antes de ser recortada por el diodo zener. debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal.CE RE2.∫ Vmax/RE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.( 1 – cos wt ). es similar al caso anterior. De esta forma. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. tomada en la entrada del circuito de sincronización. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.dt Vc = V1 + Vmax / RE.CE.∫ iE. el circuito que carga al capacitor a través de RE. la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE.w. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp.sen wt. es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso. Guarnaschelli . Este tipo de control.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE.UTN REG. 100 %Rp RE1. después de su precarga (pedestal) es cosenoidal.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal. a través de un potenciómetro).dt como iE ≈ Vmax/RE. Para lograr este tipo de rampa.

nos muestra en forma sencilla. D2. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado. la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. esta formado por el puente semicontrolado. (Precarga del capacitor CE). Para el caso el circuito principal del convertidor. de valor conceptual. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. con señal de referencia.UTN REG. Para alimentar el circuito de sincronización. control y generación de los pulsos de disparo. D3 y D4. formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2.

Guarnaschelli . A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3. RB1 = VRB1 / IRB1= =. se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ.3 V / 3. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB.3 volt.1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. η ) + (1-η.6)/(20.∫0 (√2. disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca).∫0 (√2. Sen wt dwt = (√2. RB1) / η = (0. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ .3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT. Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2.UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.4 volt (0. ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0.6.6.6)/0. Vv = 3 volt . Para la mayoría de los UJT. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva).220/RL) .7-0.7 a 1 volt. entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef. siempre que asegure el disparo del SCR. Sen wt dwt = (√2. con una carga RL = 100 Ω. que es un valor aceptable.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0.220/RL. De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o.6) + (1-0. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible.3).0. Ip = 2µA.220/RL). Si tomamos 2. Iv = 4 mA .60 . IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3.220/RL. η = 0. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. RBB / (VCC. _ _ Π ITM = (1/2Π).0.Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef.2)=1. = √(1/2Π). Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características.

Vv) / Iv = (20 V. porque si ocurre esto . una vez disparado. REmax y el capacitor CE. esta dado para IV y Vv . es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V. Guarnaschelli . significa que RE no debe ser inferior a 4. Previamente.I del UJT que presente resistencia positiva. debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero.Vz. cuando RE tiene su valor máximo. En la grafica. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación.25 . ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Para calcular RE min.25 KΩ El valor REmin calculado. Como vemos en la grafica. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. vemos que el punto limite. vuelva a bloquearse. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio. Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp.0. 4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor.6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor. podemos calcular el capacitor. Adoptamos RE min = 10 KΩ.3 V) / 4 mA = 4.25 KΩ para que el UJT.REmax = √ 4. teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin. el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz.η) / Ip = (20 – 20. llegue a la tensión de disparo Vp del UJT.

de manera que su valor. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.√2 = 310 volt. debemos limitarla con la resistencia Hrs. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener.20 V) / 25 mA = 11. junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo. = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE.RE para η ≈0.1 µF.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0. será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. Para que por el zener circule la corriente adoptada. La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Vz = 20 mA . Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que. En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo.. debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3. de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga.156 µF.4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W. IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener.√2 = 220 . 20 V =0.1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA . prácticamente no influye sobre la tensión de zener. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. Guarnaschelli . Un valor de CE fácil de conseguir es de 0.6 KΩ Adoptamos un valor de Rs. lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz .UTN REG.

CE. RB1.1 µF.. control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior.( 1 – cos wt ). SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. 1N4006 o el 1N4007. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.0.UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005.5 mseg. se determinan en forma similar al problema anterior. 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0. Guarnaschelli .w. remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg.1 µF = 0. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. 800 y 1000 volt respectivamente.CE = 5KΩ. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600. Como la carga del condensador es cosenoidal. RB2. Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg. entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp.

con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”. cos 180º = -1 . obtenida como señal de error. Para este caso.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa.Vz = 0. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm .6. 2) / ( Vz . η. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. compensada y adaptada al circuito. amplificada. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . la señal de control realimentada. Guarnaschelli . W) = 1. A pesar de llamarse transistor. CE.UTN REG. su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. tiene un comportamiento similar al UJT. Vc =η. mediante un divisor resistivo. La figura siguiente.

se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" .UTN REG. estando el PUT en estado de bloqueo. de manera similar al UJT. dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado. conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento).VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1. La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp. Se deberá agregar un divisor resistivo. Guarnaschelli . el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo. el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación. sincronizado con la frecuencia de red.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. para programar la relación intrínseca “η”. Sintetizando. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. con el terminal “base2” del UJT.

Rp) y su fuente de alimentación (D1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Guarnaschelli . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales. El dibujo siguiente. sin compuerta. conectado en antiparalelo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble. muestra la estructura interna. C1). cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt). SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna. control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli .

Vm) / (VBO –vo). ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm. Cuando este último se activa. para variar la potencia en la carga.C = (2.arc. tipo RC. Despejando la constante de carga obtenemos: R.θmin =Π. Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO . inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC. Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R. y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC. el capacitor se carga inversamente. VBO = Vm. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso.W Seleccionando el valor de R o de C. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. obtenemos el otro. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito. activándolo.. Para el semiciclo negativo.∫ Vm/R.sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R. en la práctica tiene histéresis. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión. se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta. sen θmin θmin = arc.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC. este se dispara. debido a la carga residual del capacitor. = Π . por estar conectado a los terminales del TRIAC. Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.arc.W).W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad. Conectando al TRIAC adecuadamente.UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. respecto a la variación de la constante CR.C. Guarnaschelli .sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π .C.θmin =Π.Vm) / ( R. cae la tensión del circuito de disparo.C.

anulando el efecto de histéresis. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt. Guarnaschelli . prácticamente constante. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. en paralelo con el TRIAC. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. Para evitar estas interferencias. debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. 4) Otro aspecto a tener en cuenta. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. Esto es necesario tenerlo en cuenta. siendo la corriente de choque o inicial. cuando se prende la lámpara. que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual. muy alta. El valor de R y C necesarios. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC. 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. Por ello. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”. es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. en el momento de la conducción.UTN REG. En este caso cuando la corriente se hace cero.

entre ellos. como el caso de los rectificadores controlados. están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. un fotodarlington o un fototiristor. esta sujeto por lo general. Guarnaschelli . como por ejemplo un fototransistor. Ambos circuitos. HP23 . uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor.UTN REG. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. El circuito convertidor. (Para los circuitos de disparo de compuerta. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo. una aislamiento eléctrico. asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento. propiamente dicho. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. entre 12 y 30 volt). de infrared Light-emitting diode )y en su salida . existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. entre 5 y 15 KV. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. proporcionando. tiene un semiconductor “detector de luz”.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad.UTN REG. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. El inconveniente de este tipo de aislamiento. Permalloy o Ferrite. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. limitan las aplicaciones en alta frecuencia. el transformador se satura y la salida se distorsiona. Guarnaschelli . En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. con aleaciones especiales como Hipersil. Con un pulso relativamente largo. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración. y con baja frecuencia de conmutación. Estos tiempos de conmutación.

se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. El pulso negativo. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. son amplificados por el transistor bipolar Q1. “positivo”. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. en el flanco de bajada. Guarnaschelli . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. Durante esta disminución transitoria. El pulso positivo. el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Los pulsos de corriente generados por el PUT. Cuando el pulso se retira de la base de Q1. formada por C1R1. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. en el flaco de subida y “negativo”.UTN REG. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. produce la conmutación de Q1. induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. se generan pulsos cortos. haciéndolo pasar a la saturación. haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). La corriente. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”.UTN REG. haciendo conducir a Q1. El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos. las cargas son del tipo inductiva. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). que polariza negativamente al diodo D1. La consecuencia de esto. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. Esto provoca el corte de Q1. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada. esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3. por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso. Guarnaschelli . el capacitor C1 se carga a través de R1. repitiéndose el proceso. por la acción del devanado auxiliar N3. Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.. generando otro pulso. (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica. Q1 nuevamente conduce corriente. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. al desaparecer la tensión negativa sobre D1. lo que da lugar en la salida de N3.

por medio de otro circuito. el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. el capacitor “Cg”. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se genera externamente. en este caso. utilizando un CI555. mediante la tensión V1. Para el circuito (C). para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado. se generaba el tren de pulsos. como se observa en el circuito “D”. Guarnaschelli . se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. B y C pueden combinarse. el diodo “Dg”. aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. Para el circuito (A) de la figura anterior. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. para el caso de un SCR. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. entre la compuerta y el cátodo. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. Para el circuito (B). junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta.UTN REG. como por ejemplo. donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND). como el SCR. para los rectificadores controlados de silicio. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. se conectan normalmente. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta. protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin embargo.

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