3-2 Circuitos Disparo[1]

UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. esta limitada por la disipación del UJT. en dos terminales. El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1). se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal. se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”.7 a 10 KΩ.UTN REG. ___________ VBB = √ RBB. En un punto determinado de esta resistencia. denominado “emisor” (E). ST4 : Disparador asimétrico de GE. cuyo valor varia desde 4. el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. Guarnaschelli 3 . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el UJT. denominados base 1(B1) y base2 (B2). que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales. VDmax. el PUT y el DIAC.

comprendida entre el diodo y la base 1(B1). ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. La relación intrínseca toma un valor entre 0. vale: VP = (R1/R1+R2). IP. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2. Si al dispositivo. En la aplicación. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). se debe mantener constante. = η. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. En esta situación. la tensión de disparo VE= VP.45 y 0. Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC).R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. pero como varia con la temperatura. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva . Guarnaschelli 4 . VV. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC.56 volt a 25º C y disminuye en aprox. Cuando IE aumenta. donde nuevamente comienza aumentar. La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. VBB + VD. para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT.82. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. para producir el disparo o sea VP.UTN REG. La VBB. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. La tensión VE. VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV. cuyo valor es aproximadamente de 0. resulta entonces necesario compensar esta variación. R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece. dado que la tensión VC= VBB . El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. debido la valor de VD. 2 mv / ºC. el valor de R1 retoma su valor original. haciendo que este tramo.”.

VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η.UTN REG.η.004%/ºC. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli 5 . RBB / (VCC.η. RB1) / η quedando: RB2 = V D. RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0.008%/ºC y el de RB2 es de +0.Vcc.Vcc . RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η. entonces tanto VD como el termino η. VBB. η ) + (1-η. Si hacemos: VD = η. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η.Vcc. RBB / (VCC. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η. RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. (1) VBB= Vcc – RB2. VCC . VCC . lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D.Vcc .

Vcc ). El circuito trabaja de la siguiente forma. Por otra parte como Vp = η. Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA.CE .+ RB1. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5.C).C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC. (1 – e-T1/RE.Vcc reemplazando: T= RE .CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE . dado por la constante de descarga “de CE.CE.= VP. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. rápidamente. no son muy rigurosas. se lo utiliza como oscilador de relajación. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE. ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos. Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP.VP ). VEsat. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. para generar pulsos de disparo.= VV. conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE. = RE .CE .η. partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc.CE .” el capacitor se descarga a través del emisor. el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0. ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646.= VC. (1 – e-t/R. )“. El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1. / (VCC. Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1..( R1.UTN REG.VV ) / (VCC. ln ( VCC. ln VCC.VP ). este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω. entonces reemplazando tenemos: T = RE . El capacitor. Cuando se llega al valor VE. el emisor se bloquea. ln VCC / (VCC..CE .. parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE . . Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT. RE. Guarnaschelli 6 . No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores.63. VC = (Vcc_VV).. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura.

permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. para permitir que el circuito oscile. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. VGtmax > RB1 . Si es muy chico. con la misma tensión de disparo Vp. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos. Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. De esta forma cuando la tensión pase por cero. Si es muy grande.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. es posible que no llegue a la tensión de disparo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase.UTN REG. todo el circuito prácticamente esta con valor cero. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. Guarnaschelli 7 . con respecto al cruce por cero de la tensión de red.

el potenciómetro RE. por medio de un potenciómetro RE. en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red. En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE.UTN REG. debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. Guarnaschelli 8 .

UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga. ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito. Guarnaschelli 9 . así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE.

del UJT. Guarnaschelli . consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos. con la variación de la resistencia del potenciómetro. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte. Cuando el transistor esta conduciendo. De esta forma. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor. haciendo la corriente de base cero. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro.UTN REG. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp. controlando la corriente de base. El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima. por lo que no se entrega potencia a la carga. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga.

La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.CE.CE”. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1. a través de RE. que corresponden para distintos valores de producto RE.CE RE2. Guarnaschelli . se logra con el control pedestal. Una mejora en la linealidad comentada. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo). se logran modificando el valor de la tensión de pedestal. El diodo bloquea una posible derivación de corriente. es rápido dado el valor bajo de “Rp. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. se logra mejorar la linealidad de la función graficada. tenemos dos curvas 1 y 2.CE Este método. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp.UTN REG. Para un determinado valor de este producto. cuando el capacitor supera la tensión pedestal. con un mismo valor de constante de carga exponencial RE.CE. Los tiempos de disparo t1 y t2. En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro. rampa cosenoidal. ahora en su carga exponencial.

la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE.CE RE2. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli . tomada en la entrada del circuito de sincronización. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp. a través de un potenciómetro).sen wt. Para lograr este tipo de rampa. 100 %Rp RE1. después de su precarga (pedestal) es cosenoidal. debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal.w.dt como iE ≈ Vmax/RE. antes de ser recortada por el diodo zener.dt Vc = V1 + Vmax / RE. Este tipo de control.∫ iE. es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso. el circuito que carga al capacitor a través de RE.CE.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal. con la diferencia que la tensión de carga del capacitor. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.( 1 – cos wt ). De esta forma. es similar al caso anterior.∫ Vmax/RE.

Para el caso el circuito principal del convertidor. esta formado por el puente semicontrolado. control y generación de los pulsos de disparo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. (Precarga del capacitor CE). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. con señal de referencia. D3 y D4. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). D2. Guarnaschelli . la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado.UTN REG. de valor conceptual. se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. nos muestra en forma sencilla. con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Para alimentar el circuito de sincronización.

se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ.3 volt. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB.∫0 (√2. Ip = 2µA.0. Si tomamos 2. Sen wt dwt = (√2. Para la mayoría de los UJT.220/RL.6) + (1-0. RB1) / η = (0. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ .7 a 1 volt.6. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º.220/RL) .6)/(20. ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. con una carga RL = 100 Ω. η ) + (1-η. RB1 = VRB1 / IRB1= =.6.2)=1. Iv = 4 mA . Se determina experimentalmente o por medio de graficas.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2. = √(1/2Π).220/RL).UTN REG.3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva).∫0 (√2. RBB / (VCC. Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D.4 volt (0.1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef.220/RL.60 . A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características.Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible.6)/0. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0. η = 0. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3. _ _ Π ITM = (1/2Π).7-0. Guarnaschelli .3).0. Sen wt dwt = (√2. Vv = 3 volt . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca).3 V / 3.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0. siempre que asegure el disparo del SCR. De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o. que es un valor aceptable.

es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V.25 . Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp.η) / Ip = (20 – 20. porque si ocurre esto . una vez disparado. 4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.I del UJT que presente resistencia positiva.0. debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero. Previamente. Adoptamos RE min = 10 KΩ. En la grafica.REmax = √ 4.25 KΩ para que el UJT. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz. Como vemos en la grafica. significa que RE no debe ser inferior a 4. dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin. cuando RE tiene su valor máximo. teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación.25 KΩ El valor REmin calculado. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. vuelva a bloquearse. esta dado para IV y Vv .UTN REG.6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio. vemos que el punto limite. REmax y el capacitor CE.Vz.3 V) / 4 mA = 4. Guarnaschelli .Vv) / Iv = (20 V. Para calcular RE min. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz. podemos calcular el capacitor. llegue a la tensión de disparo Vp del UJT.

El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que.√2 = 220 . de manera que su valor. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. Guarnaschelli . 20 V =0.1 µF. será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA.1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA .20 V) / 25 mA = 11.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. Un valor de CE fácil de conseguir es de 0. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia. Para que por el zener circule la corriente adoptada.156 µF.4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W. debemos limitarla con la resistencia Hrs. En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE. Para evitar la tensión de codo del diodo Zener. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga. prácticamente no influye sobre la tensión de zener. IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo. lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0..√2 = 310 volt. Vz = 20 mA .6 KΩ Adoptamos un valor de Rs.UTN REG.RE para η ≈0. debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3.

UTN REG. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs.( 1 – cos wt ). se determinan en forma similar al problema anterior. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.1 µF.1 µF = 0.. Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. Como la carga del condensador es cosenoidal.0. 800 y 1000 volt respectivamente.5 mseg. 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli . 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.w.CE. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005. entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600. RB1. 1N4006 o el 1N4007. RB2.CE = 5KΩ. control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior.

Para este caso. CE. Guarnaschelli .Vz = 0. Vc =η. 2) / ( Vz . W) = 1. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . La figura siguiente.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa.UTN REG. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. la señal de control realimentada. su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. tiene un comportamiento similar al UJT. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . mediante un divisor resistivo.6. compensada y adaptada al circuito. cos 180º = -1 . amplificada. A pesar de llamarse transistor. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. η. nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. obtenida como señal de error. con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”.

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. Se deberá agregar un divisor resistivo. dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" . el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación. de manera similar al UJT. conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. sincronizado con la frecuencia de red. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado. para programar la relación intrínseca “η”. Sintetizando. con el terminal “base2” del UJT. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento). el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo. La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. Guarnaschelli .UTN REG. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp. estando el PUT en estado de bloqueo.

sin compuerta. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. Rp) y su fuente de alimentación (D1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura. conectado en antiparalelo. su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli . El dibujo siguiente. cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. muestra la estructura interna. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble. C1). muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1.

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt). Guarnaschelli . control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.

Vm) / (VBO –vo). el capacitor se carga inversamente.C. = Π .sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R. Conectando al TRIAC adecuadamente. tipo RC. este se dispara. Guarnaschelli . sen θmin θmin = arc.C. Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO .∫ Vm/R.sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π . respecto a la variación de la constante CR.Vm) / ( R.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm.arc. por estar conectado a los terminales del TRIAC. inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax. Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. obtenemos el otro. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea.C.UTN REG. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito. Despejando la constante de carga obtenemos: R. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. cae la tensión del circuito de disparo. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad.arc.C = (2. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión. Para el semiciclo negativo. en la práctica tiene histéresis.θmin =Π.θmin =Π. se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta.sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R. debido a la carga residual del capacitor.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2.W). y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC. VBO = Vm. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. para variar la potencia en la carga.W Seleccionando el valor de R o de C. activándolo.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R. Cuando este último se activa. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC. Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC.. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C.

4) Otro aspecto a tener en cuenta. El valor de R y C necesarios. En este caso cuando la corriente se hace cero. prácticamente constante. muy alta. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. cuando se prende la lámpara. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. Esto es necesario tenerlo en cuenta. tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt.UTN REG. que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual. es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial. sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. anulando el efecto de histéresis. que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). en el momento de la conducción. Para evitar estas interferencias. en paralelo con el TRIAC. siendo la corriente de choque o inicial. Guarnaschelli . 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. Por ello.

esta sujeto por lo general. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor. asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento. propiamente dicho. tiene un semiconductor “detector de luz”. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. un fotodarlington o un fototiristor. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. una aislamiento eléctrico. como por ejemplo un fototransistor. proporcionando. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. entre 12 y 30 volt). están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. entre 5 y 15 KV.UTN REG. Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. Ambos circuitos. de infrared Light-emitting diode )y en su salida . trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. (Para los circuitos de disparo de compuerta. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. Guarnaschelli . El circuito convertidor. HP23 . entre ellos. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo. como el caso de los rectificadores controlados.

Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. limitan las aplicaciones en alta frecuencia. El inconveniente de este tipo de aislamiento. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad. Con un pulso relativamente largo. con aleaciones especiales como Hipersil. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración. Permalloy o Ferrite. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. y con baja frecuencia de conmutación. Estos tiempos de conmutación. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. el transformador se satura y la salida se distorsiona.UTN REG. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli .

El pulso positivo.UTN REG. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. Cuando el pulso se retira de la base de Q1. son amplificados por el transistor bipolar Q1. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. en el flanco de bajada. formada por C1R1. Durante esta disminución transitoria. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. en el flaco de subida y “negativo”. produce la conmutación de Q1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli . el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora. La corriente. El pulso negativo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. “positivo”. lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. haciéndolo pasar a la saturación. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). se generan pulsos cortos. Los pulsos de corriente generados por el PUT.

Guarnaschelli . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. La consecuencia de esto. Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. al desaparecer la tensión negativa sobre D1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”. 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. repitiéndose el proceso. las cargas son del tipo inductiva. Q1 nuevamente conduce corriente. el capacitor C1 se carga a través de R1. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. que polariza negativamente al diodo D1. generando otro pulso. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. haciendo conducir a Q1. El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos. esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3. Esto provoca el corte de Q1. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada.. lo que da lugar en la salida de N3. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica. por la acción del devanado auxiliar N3. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso.

el capacitor “Cg”. mediante la tensión V1. utilizando un CI555. para los rectificadores controlados de silicio. se conectan normalmente. Para el circuito (B). protege la compuerta contra el voltaje negativo. como por ejemplo. se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. se genera externamente. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. se generaba el tren de pulsos. como se observa en el circuito “D”. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta. B y C pueden combinarse. por medio de otro circuito. Para el circuito (A) de la figura anterior. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. Guarnaschelli . el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. Sin embargo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. el diodo “Dg”. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta. entre la compuerta y el cátodo. para el caso de un SCR. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche. Para el circuito (C). donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. en este caso. como el SCR. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND). para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado.

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