UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS

El circuito de disparo o excitación de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutación (tiristores), es una función directa del proceso de cómo se desarrolla la conmutación. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del “sistema de control”, de cualquier convertidor de energía eléctrica. El diseño de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las características eléctricas de compuerta del tiristor específico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutación. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente diseñarlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activación de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que además sean compactos, los circuitos integrados para activación de compuerta que se disponen comercialmente, son más conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de protección de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relación de estos componentes: Tensión CA de la red eléctrica

Protección de la compuerta del tiristor

SCR1 SCR2 . . SCRn

Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Señal de control

Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutación

Carga

Circuito con base de tiempo para el retardo del ángulo de disparo

Generación y amplificación del pulso de disparo

___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ángulo (respecto al cruce por cero de la tensión de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada señal de control: Esta señal es la que determina el retraso del ángulo de disparo, señal generada en forma manual o a través de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la señal se genera por la interacción de la señal de referencia, la señal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analógicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a través de la carga de un condensador, con una constante de tiempo τ=CR., hasta una tensión que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programación o por medio de un temporizador interno que se carga también por programación. Generación de los pulsos de disparo: Para la generación de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicación de transistores bipolares o mediante semiconductores específicos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos técnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, también llamado opto acoplador. Otra técnica utilizada es a través de las fibras ópticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Protección de la compuerta: Se utilizan circuitos de protección contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actúan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajación (osciladores) o como disparadores por nivel de tensión. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2

SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. En un punto determinado de esta resistencia.UTN REG. VDmax. ___________ VBB = √ RBB. cuyo valor varia desde 4. se difunde una zona “p” que forma una juntura diódica que se conecta al tercer terminal. El grafico muestra la característica V-I del emisor respecto a la base1 (B1). se sitúa una resistencia semiconductora (tipo n) denominada “resistencia interbase RBB”. Guarnaschelli 3 . el PUT y el DIAC.7 a 10 KΩ. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. Lámpara de Neon (poca aplicación o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicación de tres de estos dispositivos. denominados base 1(B1) y base2 (B2). el símbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2 IV IP IEBO VV VK VP VE Símbolo Base 1 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Circuito eléctrico equivalente La polarizacion se realiza aplicando una tensión positiva a la base B2 (VBB≈5 a 30 volt) La máxima tensión aplicada. en dos terminales. el UJT. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales. que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. esta limitada por la disipación del UJT. denominado “emisor” (E). La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ST4 : Disparador asimétrico de GE.

para producir el disparo o sea VP.45 y 0. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. aumente drásticamente su conductividad y disminuya su resistencia eléctrica. Guarnaschelli 4 . cuyo valor es aproximadamente de 0. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). dado que la tensión VC= VBB .R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente.UTN REG. 2 mv / ºC. Si la tensión del emisor (VE) es menor a (VC). se debe mantener constante. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensión que polariza al emisor. se denomina “tensión ínter básica” y es la tensión que se aplica entre las bases B1 y B2.82. Cuando la tensión del emisor supera a la tensión VC. donde nuevamente comienza aumentar. vale: VP = (R1/R1+R2).56 volt a 25º C y disminuye en aprox. inyectando portadores minoritarios en la porción de la resistencia RBB. Si la tensión de emisor se mantiene constante y mayor que VV. El procedimiento es colocar una resistencia de carbón en la base B2 que tiene un coeficiente de variación positivo. haciendo que este tramo. La figura muestra el circuito: ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. La relación intrínseca toma un valor entre 0. En la aplicación. La VBB. el valor de R1 retoma su valor original. En esta situación. resulta entonces necesario compensar esta variación. VV. Si al dispositivo. la tensión de disparo VE= VP. VE disminuye (zona de característica negativa) hasta un valor dado por IV. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. pero como varia con la temperatura. para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. El la grafica V-I este fenómeno comienza en el punto “VP. la tensión del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa). La tensión VE.VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina “relación intrínseca η” y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva . IP. circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. = η. debido la valor de VD. lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV. Cuando IE aumenta. R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece.”. La “VD” es la tensión umbral de polarizacion directa de la juntura PN. VBB + VD. comprendida entre el diodo y la base 1(B1).

η) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-η. RB1) / η Oscilador de relajación con UJT ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. RB1) / η quedando: RB2 = V D. RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura.Vcc . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp ≈ VD + η.η.004%/ºC. VCC . entonces tanto VD como el termino η.Vcc . lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. η ) + (1-η. RBB / (VCC.UTN REG. Si hacemos: VD = η. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. VBB. (1) VBB= Vcc – RB2.Vcc. VCC . ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + η.Vcc. Guarnaschelli 5 .008%/ºC y el de RB2 es de +0.η. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + η. RBB / (VCC. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= η. VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior. RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0.

El capacitor. parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga. Guarnaschelli 6 .VP ).= VC.CE .. Cuando se llega al valor VE.= VV. rápidamente. Donde VEsat es el valor dado en las características del UJT para IE = 50 mA..CE. este tendrá que tener un valor tal que la tensión continua ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C.= VP. el emisor se bloquea. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ln 1 / (1-η) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. / (VCC.” el capacitor se descarga a través del emisor.Vcc reemplazando: T= RE . no son muy rigurosas. RE. )“.VP ). Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empíricamente: T2 ≈ (2+5.( R1.η. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE. VC = (Vcc_VV). ln ( VCC. ln VCC. entonces reemplazando tenemos: T = RE . para generar pulsos de disparo.CE .VV ) / (VCC. No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores.UTN REG. . (1 – e-t/R. El circuito trabaja de la siguiente forma. el valor de la relación intrínseca vale η≈ 0. El tiempo T2 de descarga es difícil de calcular por la variación que sufre la resistencia de descarga a través de R1 y RB1. Por otra parte como Vp = η. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 Ω.C). (1 – e-T1/RE. ) y la señal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos. Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT.. conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE.63. Cuando se llega al valor de la tensión de disparo “ VP. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura. resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 ≈ T1 La expresión para el periodo se puede simplificar si hacemos VV ≈ 0 T = RE . se lo utiliza como oscilador de relajación. VEsat. Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1. dado por la constante de descarga “de CE.Vcc ).C) Para nuestro caso el tiempo “T1” lo calculamos para Vcc’ = Vcc – VV y VC. ln VCC / (VCC.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE .CE .+ RB1. = RE .CE . En algunas aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000 Ω.. partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc.

Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2. Guarnaschelli 7 . ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. todo el circuito prácticamente esta con valor cero. De esta forma cuando la tensión pase por cero. Si es muy grande.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ. El diodo zener cumple la función de estabilizar la tensión de alimentación del generador de pulsos.UTN REG. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase. permitiendo en cada semiciclo generar el pulso. Entrada pulsos de sincronismo Salida de pulsos sincronizados Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia eléctrica en sistemas eléctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. es posible que no llegue a la tensión de disparo. VGtmax > RB1 . el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensión. Si es muy chico. con respecto al cruce por cero de la tensión de red. el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo “T” o de otra forma podrá disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ángulo. para permitir que el circuito oscile. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Existen varios métodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensión interbase. reduciendo así la tensión de disparo y obligar al UJT a dispararse. con la misma tensión de disparo Vp. Una forma es alimentar el oscilador de relajación con UJT con una tensión rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. Sincronización de los osciladores de relajación El periodo de oscilación T de estos osciladores no es muy preciso. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision.

debería reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensión de +24 Volt) respecto a la tensión de alimentación de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensión de alimentación. en función de la señal de control ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. se muestra el circuito de sincronización junto al generador de pulsos: Pulso de disparo Tensión de alimentación para sincronización Control manual de potencia eléctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado) Este sistema de control. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito. Guarnaschelli 8 . Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE. tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronización con la frecuencia de red. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. En el circuito la sincronización se logra rectificando la tensión alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. el potenciómetro RE. si bien es obsoleto tecnológicamente hablando. Para este circuito si quisiéramos adaptarlo para un sistema de control automático. por medio de un potenciómetro RE.

UTN REG. así como la variación de la potencia en la carga en función del porcentaje del valor de RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Vtriac t Vs’ Vz Vp VE t Vdisp t %VL 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 %RE Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli 9 . ___________________________________________________________________ Apunte de cátedra Autor: Domingo C. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la próxima figura se grafican las formas de ondas del circuito.

consiste en cargar en forma rápida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensión de disparo Vp. como muestra el circuito: VL (%) 100 0 0 30 60 100 Rp En la grafica se observa que tenemos una variación brusca en el control de la potencia eléctrica sobre la carga. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este método de control. Guarnaschelli . la tensión de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potenciómetro. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. De esta forma. Este control podría aplicarse el “control todo o nada” como el caso de los relés estáticos asincrónicos.UTN REG. Cuando el transistor esta conduciendo. como muestra la figura: VL ib Para este caso cuando el transistor pasa al corte. con la variación de la resistencia del potenciómetro. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. haciendo la corriente de base cero. el capacitor queda cargado con una tensión baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensión de disparo Vp. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. del UJT. El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia máxima. por lo que no se entrega potencia a la carga. Este sistema manejado desde un “sistema de control automático” se podría hacer funcionar mediante un transistor. controlando la corriente de base.

La tensión pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potenciómetro y el tiempo de precarga. tenemos dos curvas 1 y 2. Para un determinado valor de este producto. es rápido dado el valor bajo de “Rp.CE.CE RE2. Una mejora en la linealidad comentada. Los tiempos de disparo t1 y t2.CE Este método. El diodo bloquea una posible derivación de corriente. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Guarnaschelli . se logra con el control pedestal. ahora en su carga exponencial. rampa cosenoidal.UTN REG. se logran modificando el valor de la tensión de pedestal. que corresponden para distintos valores de producto RE. cuando el capacitor supera la tensión pedestal. 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t 2 100 %Rp RE1.CE. se logra mejorar la linealidad de la función graficada. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 Vp1 Vp2 t Vdisp. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. con un mismo valor de constante de carga exponencial RE. En la grafica del porcentaje de “VL” en función de la variación del potenciómetro. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.CE”. es una combinación de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensión pedestal (precarga del capacitor a través del potenciómetro y el diodo). a través de RE.

antes de ser recortada por el diodo zener. después de su precarga (pedestal) es cosenoidal. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. De esta forma. tomada en la entrada del circuito de sincronización. a través de un potenciómetro). la tensión del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE. debe ser alimentado por una tensión alterna senoidal. es similar al caso anterior.UTN REG.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE.CE El control por pedestal y rampa cosenoidal.∫ Vmax/RE. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. el circuito que carga al capacitor a través de RE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.dt como iE ≈ Vmax/RE. es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variación de la tensión de pedestal (en este caso. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal Vs Vz Vp Vc %VL 100 1 2 t Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 “ t Vdisp. Este tipo de control. con la diferencia que la tensión de carga del capacitor. 100 %Rp RE1.∫ iE. Guarnaschelli .CE.CE RE2.dt Vc = V1 + Vmax / RE.w.sen wt.( 1 – cos wt ). Para lograr este tipo de rampa.

se recurre al puente monofàsico formado por los diodos D1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Problema: Diseñar el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT. de valor conceptual. Guarnaschelli . formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. D2. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia eléctrica monofàsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT Este circuito. (Precarga del capacitor CE). Para alimentar el circuito de sincronización. con señal de referencia.UTN REG. D3 y D4. esta formado por el puente semicontrolado. con control exponencial: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. la tensión de control ingresa directamente en el ánodo del diodo para controlar el pedestal. control y generación de los pulsos de disparo. Para el caso el circuito principal del convertidor. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). nos muestra en forma sencilla.

De esta forma nos permite un margen de tensión de ruido de o. Sen wt dwt = (√2. A estos valores máximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3.6.6. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.6)/0. Vv = 3 volt . η ) + (1-η.1 = 315 Ω Adoptamos RB2 = 470 Ω ___________________________________________________________________ 14 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible.4 volt (0.55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = √2. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes características. _ _ Π ITM = (1/2Π).6)/(20. Sen wt dwt = (√2. Para la mayoría de los UJT.220/RL) .7-0. RB1 = VRB1 / IRB1= =. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. para una tensión de alimentación de 20 volt: RBB = 6 KΩ . entonces debemos seleccionar en 1º instancia un SCR con los siguientes valores eléctricos: ITM ≥ 2A ITef. Si tomamos 2.3 V / 3. con una carga RL = 100 Ω. = √(1/2Π). Ip = 2µA.3 mA Dado que la mayoría de los SCR se disparan con una tensión de 0. η = 0.2)=1.0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ≥3 A VRWM ≥600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinación de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos. tomamos entonces una tensión sobre RB1 de unos 0. que es un valor aceptable. Iv = 4 mA .220/RL. Nosotros la vamos a calcular con la formula teórica desarrollada anteriormente: RB2 = V D. siempre que asegure el disparo del SCR. disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca).7 a 1 volt.UTN REG. RBB / (VCC.6) + (1-0. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Selección del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga máxima con un ángulo de conducción de 180º. Guarnaschelli .220/RL).∫0 (√2.220/RL.∫0 (√2.3 mA ≈ 100 Ω b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misión de estabilizar térmicamente a los UJT. RB1) / η = (0.3 volt.220 V = 310 Volt (tensión máxima inversa repetitiva). se estabilizan con resistencias de valor entre 500 Ω a 3 KΩ.Π) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ Π 2 2 ITef. al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB.0. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) ≈ 20 V / RBB = 20 v/ 6 KΩ = 3.60 .3).

podemos calcular el capacitor. esta dado para IV y Vv .25 KΩ para que el UJT.25 . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.Vv) / Iv = (20 V. Se producirá cuando el capacitor se cargue con la tensión Vc = Vp. el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. REmax y el capacitor CE.25 KΩ El valor REmin calculado. entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinación de REmin.REmax = √ 4. Previamente. el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. una vez disparado. El valor mínimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz. 4x103 ≈ 64 KΩ Con este valor.η) / Ip = (20 – 20. Guarnaschelli . dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = √REmin. teniendo en cuenta que llegue a la tensión de disparo Vp en el tiempo de t= T/2. es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la característica V.0.3 V) / 4 mA = 4. Como vemos en la grafica. porque si ocurre esto . llegue a la tensión de disparo Vp del UJT. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. vuelva a bloquearse. vemos que el punto limite. debemos observar la grafica de la característica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Símbolo Base 1 Emisor IE Base 2 Características tensión –corriente del terminal Emisor-Base 1 Determinaremos primero. Adoptamos RE min = 10 KΩ.Vz. cuando RE tiene su valor máximo. Para calcular RE min.I del UJT que presente resistencia positiva. Para calcular el valor de la resistencia del potenciómetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geométrica en lugar del valor promedio.UTN REG. En la grafica. a traves de Re y Vz como tensión de alimentación. significa que RE no debe ser inferior a 4.6) / 2µA = 4 MΩ Esto significa que RE deberá ser menor de 4 MΩ para que la tensión en el capacitor.

Para evitar la tensión de codo del diodo Zener.√2 = 220 . La tensión inversa máxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm. lo podemos determinar como: Rs = (Vm – Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V. debemos limitarla con la resistencia Hrs. = 12 KΩ Finalmente para seleccionar esta resistencia. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.156 µF..4 W Adoptamos un diodo zener de ½ W. Finalmente nos queda determinar el diodo “D” que. Para que por el zener circule la corriente adoptada.RE para η ≈0.3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. de manera tal que cualquier variación de la corriente de carga. En este caso la corriente máxima que circulara por este diodo. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t≈ CE. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . junto con la señal alterna provee la sincronización y alimentación del circuito de disparo. por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0. será la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. Vz = 20 mA .√2 = 310 volt. 20 V =0.6 KΩ Adoptamos un valor de Rs.1 µF. debemos conocer su disipación máxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3. adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA. Guarnaschelli . Un valor de CE fácil de conseguir es de 0. de manera que su valor. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.1 µF = 100 KΩ Adoptamos entonces un potenciómetro lineal de 100KΩ C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 KΩ = 2 mA .20 V) / 25 mA = 11.6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 KΩ = 0. IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) ≈ 3 mA Estos dos últimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. prácticamente no influye sobre la tensión de zener.UTN REG.

800 y 1000 volt respectivamente.1 µF.. RB1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estándar como el 1N4005. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. RB2.( 1 – cos wt ). entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.CE = 5KΩ.UTN REG. que soportan una corriente máxima de1 A y una tensión inversa máxima repetitiva de 600. control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg.0. Guarnaschelli . remitiéndonos al cálculo de los componentes del circuito de disparo. 1N4006 o el 1N4007.5 mseg.w. Como la carga del condensador es cosenoidal. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensión de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180º o sea en 10 mseg.1 µF = 0. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. según la figura: vs Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt≈180º 1) Los valores de Rs. entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensión pedestal es de : t = Rp. se determinan en forma similar al problema anterior. Diseño práctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal. 2) El potenciómetro que fija la tensión de pedestal se fija en forma practica en 5KΩ y si adoptamos CE = 0.CE. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.

La figura siguiente.6. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 . mediante un divisor resistivo. Guarnaschelli . CE.Vz = 0. W) = 1. nos muestra el circuito simplificado: Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo. A pesar de llamarse transistor.56 MΩ El diodo D1 se adopta estándar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mínima lo mismo su tensión inversa. la señal de control realimentada. se aplica como tensión de pedestal para controlar el ángulo de fase. con la diferencia que la relación intrínseca “η” se puede “programar”. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. compensada y adaptada al circuito. Vc =η. η. su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo (base del transistor pnp) Ánodo P N P N Cátodo (A) A GA Puerta (GA) C Símbolo (C) ___________________________________________________________________ 18 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.UTN REG. 2) / ( Vz . obtenida como señal de error. tiene un comportamiento similar al UJT. cos 180º = -1 . Para este caso. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. amplificada. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado.

Una vez activado el PUT si disminuimos la tensión VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle “IV” (mínima de mantenimiento). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" . con el terminal “base2” del UJT. Guarnaschelli . estando el PUT en estado de bloqueo. conectando el Terminal “ánodo” del PUT con el Terminal que corresponde al “emisor” del UJT y el “cátodo” del PUT. sincronizado con la frecuencia de red. el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo. dando comienzo a la realimentación interna que provoca el estado de conducción de PUT entre el ánodo y el cátodo. el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado. la corriente de ánodo “IA “ es prácticamente despreciable.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma típica de polarizar al PUT. La próxima figura muestra la característica V-I de los terminales ánodo-cátodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs VA VV IGAo Ip Iv IA IAC En forma similar al UJT. para programar la relación intrínseca “η”. Se deberá agregar un divisor resistivo. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Sintetizando. de manera similar al UJT. se produce una inyección de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del ánodo y compuerta. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING.UTN REG. el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajación.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT. es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura: El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp.

ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. muestra la estructura interna. C1). Rp) y su fuente de alimentación (D1.UTN REG. Generación de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1. conectado en antiparalelo. El dibujo siguiente. sin compuerta. su símbolo y su característica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Símbolo N1 A2 IA VA2> VA1 10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA ___________________________________________________________________ 20 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli . cuando la tensión en sus extremos supera el máximo voltaje de bloqueo directo “VBO”. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura. que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales.

control en ambos semiciclos: VT2-T1 t Vc t Idisp t ___________________________________________________________________ 21 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicación para controlar la potencia eléctrica para una carga conectada en corriente alterna. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensión de activación (20 a 30 volt). Guarnaschelli . ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG.

∫ Vm/R. = Π .sen (VBO /Vm) Cálculo de la constante de tiempo R. obtenemos el otro.sen (VBO /Vm) Determinación del ángulo máximo de activación del DIAC: θmax = Π .C. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.C = (2.Vm) / (VBO –vo). para variar la potencia en la carga. debido a la carga residual del capacitor.C. se producirá un pulso de corriente con polaridad opuesta.W)[1-cos wt]0Π = vo + (2.arc.arc. sen θmin θmin = arc. en la práctica tiene histéresis. tipo RC. Para evitar este inconveniente se reduce con el método de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R. Cuando la tensión del capacitor llega a la tensión de activación del DIAC.C. inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC. haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. activándolo. Para el semiciclo negativo.sen (VBO /Vm)≈ Π= T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R. este se dispara. por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensión. Conectando al TRIAC adecuadamente.Vm) / ( R. De esta forma la tensión del capacitor estará retrasada respecto a la tensión de línea. por estar conectado a los terminales del TRIAC.UTN REG. se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad. Cuando este último se activa. respecto a la variación de la constante CR. haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue.. Determinación del ángulo mínimo de activación del DIAC: Este se producirá cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensión de alimentación tome el valor de activación del DIAC o sea VBO .W). Despejando la constante de carga obtenemos: R. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito.θmin =Π.θmin =Π. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC. cae la tensión del circuito de disparo. y cuando llegue a la tensión de activación del DIAC.W Seleccionando el valor de R o de C. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. el capacitor se carga inversamente. Sen wt Vc = vo + 1/C ∫vs/R dt = vo + 1/C.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = θmax.C para el ángulo de activación máximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensión previa Vc = vo + 1/C ∫i dt como i = (vs – vc) / R≈ vs / R y vs = Vm. Guarnaschelli . VBO = Vm.

Esto es necesario tenerlo en cuenta. puede ocurrir que la tensión de alimentación en ese momento. En lámparas de alta potencia la “Inicial / I nominal” es de 15:1 y en lámparas de baja potencia “10:1”. Para evitar estas interferencias. El valor de R y C necesarios. 2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva. o un filtro como muestra la siguiente figura: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicación a superado su máxima dv/dt. que hace que el capacitor C2 (de la próxima figura) siempre mantenga una carga residual. se determina por cálculo o por graficas (ábacos) suministradas por el fabricante. se pueden colocar filtros de provisión comercial para red industrial. siendo la corriente de choque o inicial. sino también la máxima corriente pico que admite el TRIAC. se producirá un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensión de alimentación. cuando se prende la lámpara. que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminación con lámparas incandescentes. colocando un circuito serie RC (red amortiguadora). 4) Otro aspecto a tener en cuenta. prácticamente constante. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. se debe tener precaución cuando se selecciona el TRIAC. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo. en el momento de la conducción. especialmente en las lámparas de iluminación incandescentes dado que su resistencia eléctrica en frío es muy baja. dados en función de la corriente eficaz y máxima dv/dt del TRIAC. muy alta. es que los circuitos de control con variación del ángulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia. En este caso cuando la corriente se hace cero. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. Por ello.UTN REG. anulando el efecto de histéresis. Guarnaschelli . debido a los picos de la corriente producidos por la conexión a la carga a una tensión no nula. en paralelo con el TRIAC. al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt.

propiamente dicho. existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. a tensiones eléctricas superiores a los 100 volt. De allí la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. una aislamiento eléctrico. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor. El aislamiento se logra utilizando “opto acopladores” y “transformadores de pulso”. un fotodarlington o un fototiristor. como por ejemplo un fototransistor. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. esta sujeto por lo general. mientras que los circuitos de control y formación de pulsos de disparo. uso en fibras ópticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz. entre ellos. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia eléctrica con tiristores. trabajan con tensiones eléctricas de baja magnitud. proporcionando.UTN REG. El circuito convertidor. como el caso de los rectificadores controlados. entre 5 y 15 KV. (Para los circuitos de disparo de compuerta. Ambos circuitos. tiene un semiconductor “detector de luz”. están acoplados mediante “un dieléctrico” transparente. Guarnaschelli . de infrared Light-emitting diode )y en su salida . Ejemplo: Entrada Salida Diodo emisor de luz (ILED) Foto transistor Tipos: HP24 6 KV aislamiento. normalmente del tipo de emisión infrarroja (ILED. entre 12 y 30 volt). HP23 . asegurando entre ellos una alta tensión de aislamiento.

Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensión de muy corta duración. Permalloy o Ferrite. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado. Con un pulso relativamente largo.UTN REG. con aleaciones especiales como Hipersil. y el tiempo de subida del pulso deberá ser muy pequeño. Guarnaschelli . opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. Estos tiempos de conmutación. es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. Con varios devanados secundarios se pueden lograr señales pulsantes simultáneas para excitación de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. y con baja frecuencia de conmutación. el transformador se satura y la salida se distorsiona. El inconveniente de este tipo de aislamiento. Son construidos con núcleos magnéticos de gran permeabilidad. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. En la próxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR: Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. Aislamiento y amplificación de pulsos con transformadores de pulso A continuación veremos algunos circuitos típicos de aislamiento y amplificación de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente ___________________________________________________________________ 25 Apunte de cátedra Autor: Domingo C.5 µs y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. Valores típicos para el encendido (ton) son de 2 a 2. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequeña. limitan las aplicaciones en alta frecuencia.

induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador. Guarnaschelli . 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador V1 t Cuando aplicamos pulsos “rectangulares” positivos o de larga duración a la red diferenciadora. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador. La corriente. en el flaco de subida y “negativo”. Durante esta disminución transitoria. el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del primario. haciéndolo pasar a la saturación. se generan pulsos cortos.UTN REG. debida a la energía magnética disminuye a cero a través de Dv. Cuando el pulso se retira de la base de Q1. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. El pulso positivo. El pulso negativo. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. en el flanco de bajada. formada por C1R1. que se aplica entre los terminales de compuerta y cátodo del tiristor. es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. Los pulsos de corriente generados por el PUT. 3) Generación de pulsos largos ___________________________________________________________________ 26 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. produce la conmutación de Q1. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensión que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. son amplificados por el transistor bipolar Q1. “positivo”. haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre).

El transformador conduce corriente unidireccional y el núcleo magnético se puede saturar limitando así el ancho del pulso. Q1 nuevamente conduce corriente. Cuando se aplica la tensión en la entrada V1. esto provoca conducción en el devanado primario lo que induce un pulso de tensión en N2 (hacia el tiristor) y N3. por lo que el periodo de conducción de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. el capacitor C1 se carga a través de R1. pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor. ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores. repitiéndose el proceso. Esto provoca el corte de Q1.. A este tipo de circuito se le denomina “Oscilador de pulsos de bloqueo”. que polariza negativamente al diodo D1. La consecuencia de esto. (Se logran pulsos de 50 a 100µseg) 4) Generación de tren de pulsos En numerosos convertidores de potencia eléctrica. por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensión V1 en la entrada. las cargas son del tipo inductiva. En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores. lo que da lugar en la salida de N3. es que no se sabe exactamente el inicio de conducción del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). al desaparecer la tensión negativa sobre D1. por la acción del devanado auxiliar N3.UTN REG. 5) Generación de tren de pulsos con oscilador y compuerta lógica AND Oscilador de pulsos ___________________________________________________________________ 27 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli . haciendo conducir a Q1. generando otro pulso. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor “C” en paralelo con el resistor “R”. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. El circuito anterior permite la generación de un tren de pulsos.

mediante la tensión V1. se genera externamente. utilizando un CI555. se generaba el tren de pulsos. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior. Para el circuito (A) de la figura anterior. el diodo “Dg”. por medio de otro circuito. cumple la misión de eliminar los componentes de ruido eléctrico de alta frecuencia. el resistor “Rg” aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor. Guarnaschelli . ___________________________________________________________________ 28 Apunte de cátedra Autor: Domingo C. donde además se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta. resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta. en este caso. SANTA FE – ELECTRONICA II – ING. reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujeción y enganche. Para el circuito (C). ELECTRICA 3-5 métodos y circuito disparo tiristores.UTN REG. Protección en los circuitos de compuerta La salida de los circuitos de disparo. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A. donde el mismo circuito que a través del devanado N3. como por ejemplo. Para el circuito (B). junto con otros componentes que actúan como protectores de la compuerta. el capacitor “Cg”. entre la compuerta y el cátodo. B y C pueden combinarse. Con una etapa de control y excitación del tipo de compuerta “Y” (AND). para los rectificadores controlados de silicio. para el caso de un SCR. se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos. aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. se conectan normalmente. protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin embargo. para mejorar la capacidad de dv/dt y también para reducir el tiempo de apagado. como el SCR. como se observa en el circuito “D”.

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