SIMBOLOGIA

Es un diodo semiconductor que emiten luz al conducir electricidad. Emite luz policromtica, es decir, con diferentes longitudes de onda, cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente elctrica.

Rojo Naranja Amarillo Verde Azul

TAMAOS : Redondos Cuadrados Rectangulares Triangulares

COLOR

LUMINOSIDAD CONSUMO LONGITUD DE DIAMETRO ONDA

Rojo Verde, amarillo y naranja Rojo (alta luminosidad) Verde (alta luminosidad)

1,25 mcd 8 mcd 80 mcd 50 mcd

10 mA 10 mA 10 mA 10 mA

660 nm

3 y 5 mm 3 y 5 mm

625 nm 565 nm

5 mm 5 mm

Hper Rojo
Hper Rojo Hper Verde Azul difuso Rojo y verde

3500 mcd
1600 mcd 300 mcd 1 mcd 40 mcd

20 mA
20 mA 20 mA

660 nm
660 nm 565 nm 470

5 mm
5 mm 5 mm 5 mm 10 mm

20 mA

MATERIAL

COLOR (mA) DE TENSION

INTENSIDAD MAXIMA

CAIDA

AsGa AsGaAl

IR Rojo

20 mA 20 mA

1V 1,5 V

AsGaP

Amarillo

20 mA

1,6 V

InGaAlP

Verde

20 mA

2,7 V

CSi

Azul

20 mA

4V

Cuando al polarizar directamente un diodo LED conseguimos que por la unin PN sean inyectados huecos en el material tipo N y electrones en el material tipo P; o sea los huecos de la zona P se mueven hacia la zona N y los electrones de la zona N hacia la zona P. Ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo .

FOTODIODOS

DEFINICIN
Luz incidente simbologa

Sentido de la corriente generada

 Por qu se dice que un fotodiodo es utilizado como

Dispositivo detector de Luz?

Cundo se comporta como un diodo semiconductor

normal?
Por qu su reaccin de Luz es ms evidente? Qu hace el diodo a diferencia de los foto resistores?

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Fotocorriente Fotodiodos de avalancha

COMPORTAMIENTO DE UN FOTODIODO

Inversamente

Directamente

COMPOSICIN DE UN FOTODIODO
Material Longitud de onda (nm)

Silicio
Germanio

1901100
8001700

Indio galio arsnico(InGaAs)

sulfuro de plomo

8002600
<1000-3500

SCHOTTKY

CARACTERSTICAS
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de

alta intensidad. El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. La Tensin que soporta en Directo es de 0,3V

COMPOSICIN
Se forma tras enlazar aluminio o platino, a silicio de tipo n. El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a travs de la unin debido al movimiento de

los electrones del semiconductor a la interfaz metlica