Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
R1 RC
1 2
C E
RB=R1||R2
IC B IB IE
RC C E RE
R2
RE
VBB=VDD
R2 R1+R2
tecnun
RR RB= 2 1 R1+R2
IE=
VBB-VBE RE+RB/(+1)
VBB>>VBE RE>>RB/(+1)
FUENTES DE CORRIENTE Y CARGAS ACTIVAS Polarizacin usando una sola fuente de alimentacin vDD
RC RB RB VBE IB B IE
vDD
RC IC C E IC+IB=IE VC=VBE+IBRB
C E
RC>>RB/(+1)
tecnun
FUENTES DE CORRIENTE Y CARGAS ACTIVAS Polarizacin con dos fuentes de alimentacin vDD
RB B RC C E RE IB IE RB B
vDD
RC C E RE
-vEE
IE= tecnun VEE-VBE RE+RB/(+1)
-vEE
vDD
RD RG
vDD
RD D S RS
D S
tecnun
-vSS
vDD
RD
-
+ -
vs
Rs B
C E I CE + - vid 2 M1
M2
-vDD
-vDD
Ampliamente utilizadas en la polarizacin de circuitos integrados (CI) por la menor rea ocupada y menores dispersiones frente a variaciones de proceso.
IO Q2
IC2= IREF-IC1-
IC1
-vDD
IO=IC2=
1 1+2/
Q1
Efecto Early
IREF= tecnun
VDD-VBE R
-VA
VCE2(sat)
VO
IREF Q2
IE2
IO Q3
IB2= -
Q1
IREF- IC1-
IC1 = 0
VGS2=Vt+ IREF M1 IO M2
IREF
VOUT(min)=
M1
IREF= tecnun
VDD-VGS R
VOUT(min)
VO
FUENTES DE CORRIENTE Y CARGAS ACTIVAS Comparacin entre espejos de corriente Bipolares y MOS
El espejo de corriente MOS no es alterado por el efecto de finita. En el espejo de corriente Bipolar, el voltaje mnimo de salida es VCEsat, que es aprox. 0.2V. El correspondiente valor en circuitos MOS es (VGS-Vt) que suele ser mayor que VCEsat. Esta capacidad de trabajar con voltajes de salida pequeos es importante en el diseo contemporneo de circuitos integrados, donde los voltajes de la fuente de alimentacin se reducen constantemente. La razn de transferencia de corriente en un espejo bipolar est determinada por las reas de emisor relativas de los transistores, mientras que en un espejo MOS est determinada por las razones relativas (W/L). Tanto los espejos bsicos bipolares como los MOS tienen una resistencia de salida de rO=|VA|/I, pero |VA| suele ser menor para dispositivos MOS. tecnun
IREF Q2 Q1 R1
IO1 Q3 Q4
IO2
R3
R4