U n i v e r s i d a d V e r a c r u z a n a

FACULTAD DE INGENIERIA

Anlisis de una fuente de poder conmutada

MONOGRAFIA

Que para obtener el titulo de:

INGENIERO EN ELECTRONICA Y COMUNICACIONES

PRESENTA:

Gerardo de la Fuente Mndez

Poza Rica, Ver.

2009

INDICE

RESUMEN

CAPITULO I

I.- INTRODUCCION1 1.1.- Antecedentes..........1 1.2.- Justificacin.2 1.3.- Objetivos....3 1.4.- Alcance del trabajo..............4

CAPITULO II II.- ASPECTOS GENERALES DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION...5 2.1.- Requerimientos de un sistema de alimentacin.......5 2.2.- Organizacin de un sistema de alimentacin.........6 2.3.- Clases de convertidores....9

CAPITULO III

III.- COMPONENTES ASOCIADOS EN LA CONSTRUCCION DE UNA FUENTE DE PODER CONMUTADA...12 3.1.- Semiconductores..13 3.1.1.- Diodos.....13 3.1.1a.-Tipos de diodos de potencia......21 3.1.2.- Transistores de potencia BJT.23 3.1.3.- MOSFET de potencia...44 3.1.4.- Circuitos integrados de control (PWM)..54 3.2.- Elementos pasivos...60 3.2.1.- Resistores.......................................60

3.2.2.- Capacitores......63 3.2.3.- Inductores..69 3.2.3a.- Tipo de ncleos de ferrita y sus efectos en las bobinas.............69

CAPITULO IV.

IV.- ANALISIS DE FUNCIONAMIENTO.....71 4.1.- Etapas de una fuente de poder conmutada71 4.1.1.- El filtro EMI........73 4.1.2.- Filtro de almacenamiento de entrada (BULK)........73 4.1.3.- Transformador....74 4.1.4.- Transistores de conmutacin......75 4.1.5.- Rectificadores de salida.....75 4.1.6.- Filtro de salida...76 4.1.7.- Elementos de sensado de corriente..76 4.1.8.- Elementos de retroalimentacin de voltaje..77 4.1.9.- Seccin de control.......77 4.2.- Topologas....................79 4.2.1.- Fuentes de poder conmutadas sin aislamiento por transformador....81 4.2.1a.- Topologa de Regulador Buck (Reductor de voltaje)........82 4.2.1b.- Topologa de Regulador Boost (Elevador de voltaje)....88 4.2.1c.- Regulador Buck-Boost (Reductor-elevador de voltaje).....93 4.2.2.- Fuentes de poder conmutadas con aislamiento por transformador.......99 4.2.2a.- Topologa de convertidor Flyback...........100 4.2.2b.- Convertidor Push-Pull........102 4.2.2c.- Convertidor medio puente.........103 4.2.2d.- Topologa de convertidor puente completo.......104

CAPITULO V

V.- CONSIDERACIONES FINALES......106 5.1.- Conclusiones...111

GLOSARIO

BIBLIOGRAFIA

ANEXOS

APENDICES

RESUMEN

Considerando el nivel actual de especializacin en determinadas reas de aplicacin de la electrnica, en donde se ha sabido aprovechar el sofisticado desarrollo y fabricacin de componentes semiconductores para aplicaciones de potencia, tales como transistores BJT, MOSFETs y otros tipos de dispositivos con caractersticas especiales, diodos de uso general y de uso especifico y de circuitos integrados de control de conmutacin mediante tcnicas PWM, as mismo, la fabricacin de materiales magnticos mejorados y otro tipo de componentes asociados en la fabricacin de fuentes de poder conmutadas, han permitido a los involucrados en esta rea de especializacin de la electrnica, disear fuentes de alimentacin que cumplan con las demandas de un mercado internacional cada vez mas exigente; toda vez que se requieren diseos mas eficientes y compactos, con funcionalidades tales que protejan la integridad de los sistemas asociados y a la fuente de alimentacin en si misma.

En base a lo anterior se han desarrollado topologas bsicas que permiten a los estudiosos del tema y a los interesados en esta materia disear y desarrollar prototipos que cumplan con la funcin de proveer un voltaje en DC con un grado de precisin y estabilidad adecuadas a las necesidades de cada aplicacin.

En este trabajo se darn a conocer de forma general algunos elementos asociados a un sistema de alimentacin para telecomunicaciones. Se tratara de manera ms detallada la teora relacionada con los dispositivos que forman o integran una fuente de poder que utiliza tcnicas de conmutacin y se analizarn algunas de las topologas bsicas involucradas en su fabricacin. Finalmente se mencionaran las ventajas y desventajas entre una fuente de poder que utiliza tcnicas de conversin lineal y una fuente de poder que utiliza tcnicas de conmutacin.

CAPITULO I
INTRODUCCION.

1.1.- ANTECEDENTES.

El descubrimiento, bajo costo y disponibilidad de los semiconductores marco un punto de retorno en el desarrollo de las fuentes de poder conmutadas. El concepto se conoce desde los aos treinta, pero pocas fuentes fueron construidas en ese tiempo bajo tcnicas de conmutacin. Con el desarrollo de los transistores de potencia se construyeron en 1977 las primeras fuentes de alimentacin conmutadas que encuentran actualmente aplicaciones en los nuevos sistemas de telecomunicaciones. El desarrollo del semiconductor aporto las ventajas de tamao, peso, velocidad y facilidad de uso. La tecnologa de una fuente de poder conmutada avanzo con el posterior avance en la tecnologa de semiconductores, hoy, los semiconductores han alcanzado un nivel de sofisticacin a favor de su aplicabilidad en el desarrollo de las fuentes de poder conmutadas. Pero, aun con este nivel de sofisticacin los componentes

semiconductores son los elementos ms frgiles dentro de estos sistemas. De lo anterior podemos concluir que es importante tener un buen conocimiento, no solo de las partes, sino tambin de las causas de destruccin de las mismas. La aplicacin de los semiconductores ha tenido una gran aportacin en la eficiencia de las fuentes de poder conmutadas.

1.2.- JUSTIFICACION.

La fuente de alimentacin es el nexo entre los sistemas de telecomunicaciones y la red pblica. Por lo tanto debe no solo adaptarse a las caractersticas de la red, sino cumplir, adems, con todas las exigencias de los sistemas de telecomunicaciones y de sus acumuladores de energa (bateras). Ello se logra convirtiendo las tensiones de la red (o equipo que la reemplaza) en tensiones adecuadas a la alimentacin de los sistemas de telecomunicaciones o equipos asociados; respetando especialmente, sus exigencias en lo referente a niveles, tolerancias, pureza, capacidad de carga, etc.

En este trabajo se dan a conocer las tcnicas involucradas en la construccin de una fuente de poder conmutada. Para ello, se realizar una amplia investigacin para que el estudiante y todos los interesados en el tema tengan esta informacin a la mano y en espaol, considerando que la bibliografa especializada para este tipo de aplicacin, en su mayora se encuentra editada en el idioma ingls. Adems este podr servir como material de apoyo para materias relacionadas con el tema o para investigaciones posteriores.

1.3.- OBJETIVOS.

Recopilar informacin sobre la construccin y funcionamiento de una fuente de poder conmutada.

Destacar las ventajas de aplicacin que se obtienen con el uso de las tcnicas de conmutacin en la conversin de la potencia elctrica.

Fomentar el inters en el desarrollo o aplicacin de la tecnologa asociada con las fuentes de poder conmutadas.

1.4.- ALCANCE DEL TRABAJO.

Los alcances de este trabajo son:

Poner a disposicin del lector la informacin bsica necesaria sobre las diferentes topologas de construccin de una fuente de poder conmutada.

Exponer las ventajas tecnolgicas que hacen de una fuente de poder conmutada la mejor opcin (en cuanto a su aplicacin) respecto a fuentes que utilizan tcnicas lineales para la conversin de la potencia elctrica.

CAPITULO II
ASPECTOS GENERALES DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION.

2.1.- REQUERIMIENTOS DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION.

La fuente de alimentacin es el nexo entre los sistemas asociados y la red publica. Por lo tanto debe no solo adaptarse a las caractersticas de la red sino cumplir, adems, con todas las exigencias de los sistemas a los cuales estn conectadas y de sus acumuladores de energa (bateras). Ello se logra convirtiendo las tensiones de la red (o equipo que la reemplaza) en tensiones adecuadas a la alimentacin de los sistemas respetando, especialmente, sus exigencias en lo referente a niveles, tolerancias, pureza, etc.

Ante fallas de la red (por ejemplo cortes en el suministro elctrico) o de la propia fuente de alimentacin, es necesario adoptar las medidas dirigidas a preservar la seguridad de servicio del o los equipos asociados. He aqu, algunos puntos de vista importantes concernientes a la fuente de alimentacin de un equipo:

1.- Debe mantener las respectivas tolerancias de la tensin de alimentacin a los equipos cuando:

a).- Vara la carga entre vaco y la nominal.

b).- Se producen sobrecargas instantneas.

c).- Vara la tensin de la red.

d).- Vara la frecuencia de la red.

2.- Debe mantener la pureza de la tensin continua dentro de los valores establecidos por los reglamentos internacionales (o sea que no se podrn exceder los valores lmite de las tensiones alternas superpuestas).

3.- Debe evitar, en todo lo posible, las interrupciones del suministro de energa.

4.- Debe poseer suficientes elementos de supervisin, proteccin, limitacin y sealizacin.

5.- Debe ser fcilmente ampliable.

6.- Debe resultar rentable.

7.- Debe ser de reducidas dimensiones y poco peso.

8.- Debe resultar fcil su montaje y mantenimiento.

9.- Su diseo debe ajustarse a las normas internacionales que rigen su construccin.

2.2.- ORGANIZACIN DE UN SISTEMA DE ALIMENTACION.

Se pueden distinguir cuatro niveles, los cuales pueden estar organizados de la siguiente forma.

1) La red y los equipos que la reemplazan.

En general se obtiene la energa elctrica requerida de la red publica, como en la misma pueden ocurrir interrupciones del suministro de energa se utilizan equipos fijos o

mviles en reemplazo de la red. La red o los equipos que la reemplazan proveen tensin alterna monofsica o trifsica.

Adems de cortes de energa se pueden producir otras perturbaciones en la red, como por ejemplo:

a).- Variaciones inadmisibles de la tensin o frecuencia.

b).- Armnicas de orden superior con amplitudes inadmisibles.

c).- Interrupciones en algunas de las fases.

Los equipos (salvo aquellos que reemplazan a la red) que subsanan estas perturbaciones se describirn mas adelante (alimentacin centralizada de energa elctrica).

2) Tableros de red y de distribucin.

Como tales se consideran a los equipos utilizados para conectar, desconectar, conmutar, proteger, medir y distribuir la energa elctrica de la red. Las fuentes de alimentacin de pequea potencia se pueden conectar a la red mediante tableros de distribucin, en cambio las de mayor potencia se deben conectar a tableros de red.

Las fuentes de alimentacin para equipos que as lo requieren se subdividen en: centralizadas y descentralizadas.

3) Alimentacin centralizada de energa elctrica.

Los equipos rectificadores de las fuentes de alimentacin centralizada deben proveer energa elctrica a los sistemas asociados, a los convertidores continua-alterna (inversores), a las bateras y a los convertidores continua-continua. La tensin alterna

de la red, o la generada por los equipos que la reemplazan, es rectificada por medio de equipos con etapa de potencia con tiristores o por medio de equipos con etapas de potencia con transistores, junto con las bateras y eventualmente, los equipos que reemplazan a la red, los rectificadores deben conformar una fuente que asegure a los sistemas asociados la alimentacin de corriente continua ininterrumpida.

4) Alimentacin descentralizada de energa elctrica.

En los equipos modernos, sean estos sistemas de telecomunicaciones, equipo de monitoreo en medicina, etc. se requieren una serie de tensiones de valores generalmente bajos (por ejemplo, 5, 12, 24 Volts) con estrechas tolerancias y diferentes polaridades. Las mismas se obtienen de la tensin de alimentacin centralizada (por ejemplo, 48 Volts) en este caso la tensin de transporte de energa.

El suministro en forma centralizada de las diferentes tensiones parciales seria antieconmico, cada tensin debera poseer sus conductores propios; adems, para tensiones de alimentacin baja, la corriente se incrementa y con ella la cada de tensin en los conductores. Ello implicara un sistema de distribucin sobredimensionado.

En caso de ampliacin de los equipos, por ejemplo un sistema de telecomunicaciones, una alimentacin descentralizada podr crecer junto con el mismo. Cabe agregar que en una alimentacin descentralizada las perturbaciones tienen un alcance de propagacin mucho menor. La regulacin de la tensin de salida esta a cargo de transistores de potencia que en general trabajan en conmutacin a frecuencias de 20 Khz. o mayores, en algunos casos (menos frecuentes) los mismos trabajan como reguladores en serie.

Existen, en las alimentaciones descentralizadas, diferentes mtodos para obtener las tensiones parciales requeridas:

a) Sistemas para tensiones continuas de entrada.

Obtencin de las tensiones continuas por convertidores continuacontinua.

Obtencin de las tensiones alternas por inversores continua-alterna.

b) Sistemas para tensiones alternas de entrada.

Obtencin de las tensiones continuas con rectificadores.

c) Equipos de alimentacin con tensin continua de entrada.

El convertidor continua-continua, tambin denominado convertidores de continua o convertidor CC/CC, se les puede diferenciar en tres tipos:

Convertidor de conmutacin por bloqueo,

Convertidor de conmutacin en fase y

Convertidor de conmutacin en contrafase.

2.3.- CLASES DE CONVERTIDORES.

En las fuentes de alimentacin se emplean cuatro clases bsicas de convertidores de energa elctrica (que utilizan componentes electrnicos de potencia), estos son los siguientes:

1.- Rectificadores: convierten corriente alterna en continua, la energa fluye del sistema de alterna al de continua.

2.- Convertidores continua-continua: convierten una tensin continua de determinado valor y polaridad en otra tensin continua de distinto valor constante (o variable) e igual (o diferente) polaridad; actualmente se les utiliza en las fuentes de alimentacin para obtener tensiones parciales de las de transporte (por ejemplo 48 o 60 Volts).

3.- Convertidores continua-alterna o alterna-continua (inversores).

a).- Convertidor continua-alterna: convierten corriente continua en alterna; la energa fluye del sistema de continua al de alterna.

b).- Convertidor alterna-continua: convierten la corriente alterna en continua; la energa fluye del sistema de alterna al de continua.

4.- convertidores alterna-alterna: convierten una corriente alterna de una tensin, frecuencia y nmero de fases dadas en otra corriente alterna de otra tensin, y/u frecuencia y/u otro nmero de fases.

Los convertidores se pueden subdividir, segn como sea el control de su conmutacin, ya sea, en convertidores con control externo (con conmutacin natural) o convertidores con control interno -auto controlados- (con conmutacin forzada).

a) Convertidores con control externo: requieren de una fuente de tensin alterna externa que proporciona la tensin de conmutacin mientras dure la misma (si fuese necesario, mediante un transformador). Tratndose de los convertidores controlados por la red, es esta la que suministra dicha tensin alterna y en el caso de los controlados por la carga, es esta la que suministra la tensin. A este grupo pertenecen, por ejemplo, los rectificadores y los convertidores alterna-alterna.

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b) Convertidores autocontrolados: no requieren tensiones alternas externas para su conmutacin. En el circuito de conmutacin acta (mientras esta dure) una tensin que se obtiene de un acumulador de energa (capacitivo) o incrementando la resistencia del circuito de control del rectificador a bloquear. Los convertidores continuacontinua y los continua-alterna pertenecen, por ejemplo, a este grupo.

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CAPITULO III
COMPONENTES ASOCIADOS EN LA CONSTRUCCION DE UNA FUENTE DE PODER CONMUTADA.

El

descubrimiento

subsiguiente

bajo

costo

disponibilidad

de

los

semiconductores marco un punto de retorno en el desarrollo de las fuentes de poder conmutadas. El concepto se conoce desde los aos treinta, pero pocas fuentes fueron construidas en ese tiempo bajo tcnicas de conmutacin. El desarrollo del semiconductor aporto las ventajas de tamao, peso, velocidad y facilidad de uso. La tecnologa de este tipo de fuentes de alimentacin avanzo con el posterior avance en la tecnologa de semiconductores, hoy, los semiconductores han alcanzado un nivel de sofisticacin a favor de su aplicabilidad en el desarrollo de las fuentes que utilizan tcnicas de conmutacin. Aun con este alto nivel de sofisticacin los componentes semiconductores son todava los elementos ms frgiles dentro de una fuente de poder donde se hace uso de estas tcnicas. La aplicacin de los semiconductores ha tenido una gran aportacin en la eficiencia de las fuentes de poder que utilizan en su funcionamiento tcnicas de conmutacin.

Los elementos pasivos, no son mucho menos importantes dentro de una fuente de poder conmutada, ya que, a travs de ellos se fijan caractersticas de operacin y de respuesta que van ligados a los circuitos integrados de control y que sirven como elementos de referencia y sensado para estos ltimos. As mismo como proteccin para los transistores de potencia. De lo anterior podemos concluir que es importante tener un buen conocimiento, no solo de las partes, sino tambin de las causas de destruccin de las mismas.

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3.1.- SEMICONDUCTORES.

3.1.1.- DIODOS.

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los circuitos electrnicos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los reguladores conmutados, inversin de carga de capacitores y transferencia de energa entre componentes, aislamiento de voltaje, retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa atrapada.

Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que los diodos de potencia son interruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren de las caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin pn. Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energa, el voltaje y la corriente, que los diodos de seal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de conmutacin) es baja en comparacin con los diodos de seal.

CARACTERSTICAS GENERALES. Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales, por lo general, una unin pn esta formada por aleacin, difusin y crecimiento epitaxial. Las tcnicas modernas de control en los procesos de difusin y epitaxial permiten obtener las caractersticas deseadas para el dispositivo, en la figura 3.1 aparece un corte transversal de una unin pn y un smbolo de diodo.

Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo tiene polarizacin directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje directa relativamente pequea a travs de si mismo; la

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magnitud de esta cada de voltaje depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin.

Figura 3.1.- Unin pn y smbolo de diodo.

Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo tiene dolarizacin inversa. Bajo condiciones de polarizacin inversa, fluye una pequea corriente inversa (tambin conocida como corriente de fuga) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha o zener. En la figura 3.2a se muestran las caractersticas v-i de un diodo en rgimen permanente. Para fines prcticos, un diodo se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la figura 3.2b.

Las caractersticas v-i mostradas en la figura 3.2a se pueden expresar mediante una ecuacin conocida como la ecuacin de Schockley del diodo, y esta dada por,
VD

I D = IS (e

nVT

- 1)

Ecuacin

(3-1)

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Donde: ID = corriente a travs del diodo, A VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al ctodo, V IS = corriente de fuga (o corriente de saturacin inversa), tpicamente en el rango entre 10-6 y 10-15 A. n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de idealidad, cuyo Valor vara de 1 a 2.

El coeficiente de emisin n depende del material y la construccin fsica del diodo. En el caso de los diodos de germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el valor predicho de n es 2, pero en la mayor parte de los diodos de silicio reales, el valor de n cae entre 1.1 y 1.8. En la ecuacin (3-1), VT es una constante llamada voltaje trmico y esta dada por

VT =

kT q

Ecuacin

(3-2)

Figura 3.2.- Caractersticas v-i del diodo.

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Donde: q = carga del electrn: 1.6022x10-19 Culombios (C) T = temperatura absoluta en Kelvin (K = 273 + C) K = constante de Boltzmann: 1.3806x10-23 J/K

A una temperatura de unin de 25 C, la ecuacin (3-2) da

kT 1.3806 10- 23 (273 + 25) VT = = 25.8mV q 1.6022 10- 19

A una temperatura especificada, la corriente de fuga IS es una constante para un diodo dado. La caracterstica del diodo de la figura 2-2a se puede dividir en tres regiones:

a) Regin de polarizacin directa, donde VD> 0 b) Regin de polarizacin inversa, donde VD< 0 c) Regin de ruptura, donde, VD < -VZK a) Regin de polarizacin directa. En la regin de polarizacin directa, VD > 0. La corriente del diodo ID es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico VTD (tpicamente 0.7 V). El diodo conduce totalmente si V D es mayor que este valor VTD, que se conoce como el voltaje de umbral, voltaje de corte, o voltaje de activacin. Por lo tanto, el voltaje de umbral es un voltaje al cual el diodo conduce totalmente.

Consideremos un pequeo voltaje de diodo V D = 0.1 V, n = 1 y VT = 25.8 mV. De la ecuacin (3-1) podemos encontrar que la corriente correspondiente al diodo I D es
VD

I D = IS (e

nVT

- 1) = IS 0.1/(1 0.0258) - 1= IS (48.23 - 1) = 48.23IS Con 2.1 % de error e

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Por lo tanto, para VD > 0.1 V, que es por lo general el caso, ID >>IS, y la ecuacin (3-1) se puede aproximar, dentro de un error de 2.1 %, a

ID = IS (e

VD

nVT

- 1) ISe

VD

nVT

Ecuacin

(3-3)

b) Regin de polarizacin inversa. En la regin de polarizacin inversa, VD< 0. si VD es negativo y VD>> VT, cosa que ocurre para VD < -0.1, el trmino de la exponencial de la ecuacin (3-1) se vuelve despreciablemente pequeo en comparacin con la unidad, y la corriente del diodo ID se vuelve

I D = IS (e

- VD

nVT

- 1) - IS

Ecuacin

(3-4)

Lo que indica que la corriente del diodo ID en la direccin inversa es constante y es igual a IS. c) Regin de ruptura. En la regin de ruptura, el voltaje inverso es alto, por lo general mayor que 1000 V. la magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado conocido como voltaje de ruptura, VBR. La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo cambio en el voltaje inverso ms all de V BR. La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de la potencia este dentro del nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante. A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de la ruptura, a fin de mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

CARACTERSTICAS DE LA RECUPERACION INVERSA. La corriente de un diodo con polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el diodo contina conduciendo, debido a

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los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En la figura 3.3 se muestran dos caractersticas de recuperacin inversa de diodos de unin. El ms comn es el tipo de recuperacin suave. El tiempo de recuperacin inversa se denomina t rr y se mide a partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el 25 % de la corriente inversa mxima (o de pico), IRR. trr esta formado por dos componentes, ta y tb. ta esta generado por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, I RR. tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La relacin tb/ta se conoce como factor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse por el tiempo total de recuperacin trr y por el valor pico de la corriente inversa IRR.

t rr = t a + t b

Ecuacin

(3-5)

La corriente inversa pico se puede expresar en di/dt inversa como,

I RR = t a

di dt

Ecuacin

(3-6)

El tiempo de recuperacin inversa trr, puede definirse como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20 % de su valor inverso pico I RR, trr depende de la temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento de la corriente directa y de la corriente directa antes de la conmutacin.

La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que fluye a travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin

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directa a la condicin de bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea cerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa. La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de recuperacin, es aproximadamente:

1 1 1 QRR @ I RRt a + I RRt b = I RRt rr 2 2 2

O bien

Ecuacin

(3-7)

I RR @

2QRR t rr

Ecuacin

(3-8)

Igualando la ecuacin (3-6) con la ecuacin (3-8) nos da

t rr t a =

2QRR di dt

Ecuacin

(3-9)

Si t b es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es el caso, trr ta, y la ecuacin (3-9) se convierte en

tRR @

2QRR di dt

Ecuacin

(3-10)

IRR = 2QRR

di dt

Ecuacin

(3-11)

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Figura 3.3.- Caractersticas de recuperacin inversa.

Se puede notar de las ecuaciones (3-10) y (3-11), que el tiempo de recuperacin inversa trr y la corriente de recuperacin inversa pico IRR dependen de la carga de almacenamiento QRR y de di/dt inverso (o reaplicado). La carga de almacenamiento depende de la corriente directa del diodo IF. La corriente de recuperacin inversa pico IRR, la carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de inters para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en las hojas de especificacin de diodos.

Si un diodo esta en condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga debida a los portadores minoritarios. En este caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de recuperacin directa (o de activacin), antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin de la corriente directa es alta, y la corriente directa esta concentrada en una pequea superficie de la unin, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directa limita la velocidad de elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin.

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3.1.1a.- TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA. Idealmente, un diodo no debera de tener tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante aumentara. En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos poco costosos. Las caractersticas y las limitaciones prcticas de cada uno de estos restringen sus aplicaciones Por lo tanto dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se pueden clasificar en tres categoras:

a) Diodos de uso general. Los diodos de rectificacin de uso general tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 S, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es critico (por ejemplo, en rectificadores de diodos y convertidores para una baja frecuencia de entrada, de hasta 1 Khz., y en convertidores conmutados en lnea). Estos diodos cubren especificaciones de corriente desde menos de uno hasta varios miles de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 Volts hasta alrededor de 5 KV. Estos diodos generalmente se fabrican por difusin. Sin embargo, los rectificadores de tipo de aleacin usados en las fuentes de alimentacin para maquinas de soldadura son muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones pueden llegar hasta 300 Amperios y 1000 Volts.

b) Diodos de recuperacin rpida. Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5 S. se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia critica. Estos diodos cubren especificaciones de corriente, desde menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 Volts hasta aproximadamente 3 KV.

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Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 Volts, los diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o platino. Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 Volts, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacin mayores que la de los diodos de difusin. Los diodos epitaxiales tienen la base mas angosta, lo que permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como 50 nS.

c) Diodos Schottky. En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n se deposita una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn. La accin rectificadora solo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores minoritarios en exceso para recombinar. El efecto de recuperacin se debe a la autocapacitancia de la unin semiconductora.

La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de unin pn. Dado que se debe solo a la capacitancia de la unin, bsicamente es independiente de la di/dt inversa. Un diodo Schottky tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.

La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unin pn. Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo permisible esta por lo general limitado a 100 Volts. Las especificaciones de corriente de los diodos Schottky varan de 1 a 300 amperios. Los diodos Schottky son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa. Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor.

22

3.1.2.- TRANSISTORES DE POTENCIA BJT.

Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de activacin y desactivacin. Los transistores, que se utilizan como elementos conmutadores, se operan en la regin de saturacin, lo que da como resultado en una cada de voltaje bajo en estado activo. La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores, por lo que se utilizan en forma amplia en convertidores de ca-cd y de cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Sin embargo, las especificaciones de voltaje y de corriente son menores que las de los tiristores y por lo que, los transistores se utilizan, por lo general, en aplicaciones de baja a media potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en cuatro categoras:

1.- Transistores bipolares de unin (BJT), 2.- Transistores semiconductores de metal oxido de efecto de campo (MOSFET), 3.- Transistores de induccin esttica (SIT), 4.- Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).

A fin de comprender las tcnicas de conversin de potencia, los BJT o MOSFET, SIT o IGBT, se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es mucho ms simple que un tiristor interruptor de conmutacin forzada. Sin embargo, en los circuitos de convertidores no es obvia la eleccin entre un BJT y un MOSFET, ya que cualquiera de ellos puede reemplazar a un tiristor, siempre que su especificacin de voltaje y de corriente cumpla con los requisitos de salida del convertidor. Los transistores reales difieren de los dispositivos ideales. Los transistores tienen ciertas limitaciones estando restringidos a algunas aplicaciones. Las caractersticas y especificaciones de cada uno de estos tipos debern examinarse para determinar su adecuacin a una aplicacin particular.

23

CARACTERISTICAS EN REGIMEN PERMANENTE DE UN BJT. Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p o n a un diodo de unin pn. Con dos regiones n y una regin p, se forman dos uniones conocindose como un transistor NPN, ver figura 3.4a. Con dos regiones p y una regin n, se conoce como un transistor PNP, ver figura 3.4b. Las tres terminales se llaman colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unin colector-base (CBJ) y la unin base-emisor (BEJ).

Figura 3.4.- Transistores bipolares.

A pesar de que hay tres configuraciones posibles, colector comn, base comn y emisor comn, la configuracin de emisor comn de la figura 3.5a para un transistor NPN, es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacin. Las caractersticas tpicas de entrada de la corriente de base, IB, contra el voltaje baseemisor, VBE, se muestran en la figura 3.5b. La figura 3.5c muestra las caractersticas tpicas de salida de la corriente del colector, IC, en funcin del voltaje colector-emisor, VCE. En el caso de un transistor PNP, las polaridades de todas las corrientes y voltajes son inversas.

24

Figura 3.5.- Caractersticas de los transistores NPN.

Figura 3.5c.- Caractersticas de los transistores NPN.

En un transistor existen tres regiones de operacin: de corte, activa y activa de saturacin. En la regin de corte, el transistor esta desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente de la base. La unin colectora base tiene polarizacin inversa, y la baseemisor polarizacin directa. En la regin de saturacin, la corriente de base es lo 25

suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta como interruptor. Ambas uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacin directa. La caracterstica de transferencia, que es una grafica de VCE en funcin de IB la podemos observar en la figura 3.6.

Figura 3.6.- Caractersticas de transferencia.

En la figura 3.7 se muestra el modelo del transistor NPN bajo operacin de gran seal en cd. La ecuacin que relaciona las corrientes es

IE = IC + I B

Ecuacin

(3-12)

La corriente de base es efectivamente la corriente de entrada y la corriente del colector es la corriente de salida. La relacin entre la corriente del colector, IC, y la corriente de base, IB, se conoce como ganancia de corriente b

26

 = hFE =

IC IB

Ecuacin

(3-13)

La corriente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de base y otra debida a la corriente de fuga de la unin colector-base.

Donde ICEO es la corriente de fuga colector a emisor con la base en circuito abierto debindose considerar despreciable en comparacin con IB. De las ecuaciones (3-12) y (3-13),

I E = I B (1+ ) + ICEO
I B (1+ )

Ecuacin

(3-14)

Ecuacin

(3-15)

1 + 1 I E IC (1+ ) = IC
La corriente del colector se puede expresar como

Ecuacin

(3-16)

IC IE
Donde la constante esta relacionada con mediante

Ecuacin

(3-17)

+ 1

Ecuacin

(3-18)

27

O bien

1-

Ecuacin

(3-19)

Figura 3.7.- Modelo de transistor NPN.

Si consideramos el circuito de la figura 3.5a, donde el transistor es operado como interruptor, obtenemos lo siguiente

IB =

VB - VBE RB

Ecuacin

(3-20)

VC = VCE = VCC - IC RC = VCC -

RC (V - VBE ) RB B

Ecuacin

(3-21)

VCE = VCB + VBE

28

O bien

VCB = VCE - VBE

Ecuacin

(3-22)

La ecuacin (3-22) indica que siempre que VCE VBE, la unin CBJ tendr polarizacin inversa y el transistor estar en regin activa. La corriente mxima del colector en la regin activa, que se puede obtener al ajustar VCB = 0 y VBE = VCE, es

ICM =

VCC - VCE VCC - VBE = RC RC

Ecuacin

(3-23)

Y el valor correspondiente de la corriente de base

I BM =

ICM

Ecuacin

(3-24)

Si la corriente de base se incrementa por arriba de IBM, tanto VBE como la corriente del colector aumentaran y se reducir VCE por debajo de VBE. Esto continuara hasta que la unin de CB quede con polarizacin directa con un VBC de aproximadamente de 0.4 a 0.5 Volts. El transistor entonces pasa a saturacin. La saturacin del transistor se puede definir como el punto por arriba del cual cualquier incremento en la corriente de base no aumenta significativamente la corriente del colector.

En saturacin, la corriente del colector se conserva prcticamente constante. Si el voltaje de saturacin del colector-emisor es VCE (SAT), la corriente del colector es

ICS =

VCC - VCE (sat ) RC

Ecuacin

(3-25)

29

Y el valor correspondiente de la corriente de base es:

I BS =

ICS

Ecuacin

(3-26)

Normalmente, el circuito se disea de tal forma que IB sea mayor que IBS. La relacin entre IB e IBS se conoce como el factor de sobreexcitacin, ODF.

ODF =

IB I BS

Ecuacin

(3-27)

Y la relacin entre ICS e IB se conoce como la forzada, f, donde

bf =

ICS IB

Ecuacin

(3-28)

La perdida total de potencia en las dos uniones es

P = VBE I B + VCE IC T

Ecuacin

(3-29)

Un valor alto de factor de sobrecarga no reducir significativamente el voltaje colector-emisor. Sin embargo, VBE aumentara debido al incremento de la corriente de base, resultando en una aumentada perdida de potencia en la unin base-emisor.

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION.

Una unin pn con polarizacin directa exhibe dos capacitancias paralelas: una capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusin. Por otra parte, una unin pn con polarizacin inversa solo tiene una capacitancia de agotamiento. Bajo condiciones de rgimen permanente, estas capacitancias no juegan ningn papel. Sin embargo, en condiciones transitorias, influyen en el comportamiento de activacin y

30

desactivacin del transistor. En la figura 3.8 se muestra el modelo de un transistor bajo condiciones transitorias, donde Ccb y Cbe son las capacitancias de las uniones CBJ y BEJ, respectivamente. La transconductancia,
m

de un BJT se define como la relacin

entre IC y VBE. Estas capacitancias dependen de los voltajes de la unin y de la construccin fsica del transistor. Ccb afecta en forma significativa la capacitancia de entrada debida al efecto multiplicador de Miller, rce y rbe son las resistencias del colector al emisor y de la base al emisor, respectivamente.

Figura 3.8.- Modelo transitorio del BJT.

Debido a las capacitancias internas, el transistor no se activa en forma instantnea. En la figura 3.9, se ilustran las formas de onda y los tiempos de conmutacin. Conforme el voltaje de entrada VB se eleva desde cero hasta V1 y la corriente de base se eleva hasta IB1, la corriente del colector no responde de inmediato. Existe un retraso, conocido como tiempo de retraso, td antes de que fluya cualquier corriente de colector. Este retraso es necesario para cargar la capacitancia de la unin 31

BEJ al voltaje de polarizacin directa VEB (aproximadamente 0.7 Volts). Una vez pasado este retraso, la corriente del colector se eleva al valor de rgimen permanente I CS. El tiempo de elevacin, tr depende de la constante de tiempo determinada por la capacitancia de la unin BEJ.

Figura 3.9.- Tiempos de conmutacin de un transistor bipolar.

La corriente de base normalmente es mayor a la requerida para saturar al transistor. Como resultado, la carga excedente de portadores minoritarios queda almacenada en la regin de la base. Mientras ms alto sea el factor de sobreexcitacin, ODF, mayor ser la carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, que se conoce como carga de saturacin, es proporcional a la excitacin excedente de la base y a la corriente correspondiente, Ie:

Ie = IB -

ICS = ODF I BS - I BS = I BS (ODF - 1)

32

Ecuacin

(3-30)

Y la carga de saturacin esta dada por

Qs = sIe = sI BS (ODF - 1)

Ecuacin

(3-31)

Donde ts es conocida como la constante de tiempo de almacenamiento del transistor. Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 hasta V2, y tambin la corriente de base se modifica hasta IB2, durante un tiempo ts, conocido como tiempo de almacenamiento, la corriente de colector no se modifica. ts es el tiempo que se requiere para eliminar la carga de saturacin de la base. Dado que V BE es todava positivo, con solo 0.7 Volts aproximadamente, la corriente de base invierte su direccin debido al cambio en la polaridad de VB, desde V1 hasta V2. La corriente inversa, -IB2, ayuda a descargar la base y a eliminar la carga adicional de la misma. Sin IB2, la carga de saturacin tendra que ser totalmente eliminada mediante recombinacin, siendo el tiempo de almacenamiento ms largo.

Una vez eliminada la carga adicional, la capacitancia de la unin BEJ se carga al voltaje de entrada V2, y la corriente de base se abate hasta cero. El tiempo abatimiento tf depende de la constante de tiempo, misma que esta determinada por la capacitancia de la unin BEJ con polarizacin inversa.

La figura 3.10a muestra la carga adicional almacenada en la base de un transistor saturado. Durante la desactivacin, esta carga adicional es eliminada primero en el tiempo ts pasando el perfil de la carga a hasta c tal como se muestra en la figura 3.10b. Durante el tiempo de abatimiento, el perfil de la carga disminuye a partir del perfil c hasta que todas las cargas han sido eliminadas.

33

Figura 3.10.- Almacenamiento de carga en transistores bipolares saturados.

El tiempo de activacin ton es la suma del tiempo de retraso td y el tiempo de activacin tr:

ton = t d + t r
Y el tiempo de desactivacin toff es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de abatimiento tf:

toff = t s + tf

LIMITES DE CONMUTACION.

a) Ruptura secundaria, SB. La ruptura secundaria (SB), que es un fenmeno destructivo, resulta del flujo de corriente a una pequea porcin de la base, lo que produce puntos calientes localizados. Si la energa en estos puntos calientes es suficientemente grande, el calentamiento excesivo localizado puede daar el transistor. Por lo tanto, la ruptura secundaria es causada por un sobrecalentamiento trmico, resultado de concentraciones altas de corriente. La concentracin de corriente puede ser causada por defectos en la estructura del transistor. La ruptura secundaria ocurre en ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo. Dado que el tiempo esta 34

involucrado, la ruptura secundaria es bsicamente un fenmeno que depende de la energa.

b) rea de operacin segura en polarizacin directa, FBSOA. Durante la condicin activa y en operacin, la temperatura promedio de la unin y la ruptura secundaria limitan la capacidad de manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes normalmente proporcionan curvas FBSOA bajo condiciones de prueba especificadas. Las FBSOA indican los lmites de IC-VCE del transistor; para una operacin confiable del mismo el transistor no debe ser sujeto a una disipacin de potencia mayor que la que se muestra en la curva FBSOA.

c) rea de operacin segura en polarizacin inversa, RBSOA. Durante la desactivacin, el transistor debe soportar una corriente y un voltaje altos, en la mayor parte de los casos con una unin base a emisor con polarizacin inversa. El voltaje colector-emisor debe mantenerse a un nivel seguro o por debajo de un valor especificado de la corriente del colector.

d) Decaimiento de potencia. El circuito trmico equivalente aparece en la figura 3.11, si la prdida de potencia promedio total es PT, la temperatura de la cubierta es

TC = TJ - P RJC T
La temperatura del disipador de calor es

TS = TC - P RCS T
La temperatura ambiente es

TA = TS - PT RSA
Y 35

TJ - TA = P (RJC + RCS + RSA ) T

Ecuacin

(3-32)

Figura 3.11.- Circuito trmico equivalente de un transistor.

Donde: RJC = la resistencia trmica de la unin a la cubierta, C/W RCS = la resistencia trmica de la cubierta al disipador trmico, C/W RSA = la resistencia trmica del disipador trmico al ambiente, C/W Por lo general, la disipacin mxima de potencia P T se especifica en TC = 25 C. Si la temperatura ambiente es aumentada a T A = TJ (mx.) = 150 C, el transistor puede disipar una potencia cero. Por otra parte, si la temperatura de la unin es T C = 0 C, el dispositivo puede disipar la potencia mxima resultando esto impractico. Por lo tanto, al interpretar las especificaciones de los dispositivos debern considerarse tanto la temperatura ambiente como las resistencias trmicas. Los fabricantes publican tanto curvas para el decaimiento trmico como para la ruptura secundaria.

e) Voltaje de ruptura. Un voltaje de ruptura se define como el voltaje mximo absoluto entre dos terminales, con la tercera terminal abierta, en corto circuito o

36

polarizada, ya sea directa o inversamente. En la ruptura el voltaje se conserva relativamente constante, en tanto que la corriente se eleva con rapidez. Los fabricantes citan los siguientes voltajes de ruptura:

1. VEBO: voltaje mximo entre las terminales del emisor y de la base, con la terminal del colector en circuito abierto.

2. VCEV o VCEX: voltaje mximo entre las terminales del colector y del emisor, a un voltaje negativo especificado aplicado entre base y emisor.

3. VCEO (sus): voltaje mximo entre las terminales del colector y del emisor, con la base en circuito abierto. Esta especificacin se fija a los valores mximos de corriente y voltaje del colector, apareciendo

simultneamente a travs del dispositivo con un valor especifico de la inductancia de la carga.

CONTROL DE EXCITACIN DE LA BASE. La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin ton y el tiempo de desactivacin toff. Se puede reducir ton permitiendo el pico de corriente de base durante la activacin, resultando en el principio una ( F) forzada baja. Despus de la activacin, se puede incrementar F a un valor lo suficientemente alto como para mantener el transistor en la regin de casi saturacin, se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo que durante la desactivacin la corriente de base llegue a valor pico. Aumentar el valor de la corriente de base inversa IB2 reduce el tiempo de almacenamiento. En la figura 3.12 aparece una forma de onda tpica para la corriente de base.

37

Adems de una forma fija de la corriente de base como en la figura 3.12, la forzada se puede controlar en forma continua para hacer coincidir las variaciones de corriente del colector.

Las tcnicas comnmente utilizadas para optimizar la activacin de la base de un transistor son:

a) Control de activacin, b) Control de desactivacin, c) Control proporcional de la base, d) Control de antisaturacin.

Figura 3.12.- Forma de onda de la corriente de excitacin de la base.

a) Control de activacin. El pico de la corriente de base se puede obtener mediante el circuito de la figura 3.13. Cuando el voltaje de entrada se conecta, la corriente de la base queda limitada por la resistencia R1, el valor inicial de la corriente de base es:

38

IB 0 =

V1 - VBE R1

Ecuacin

(3-33)

Y el valor final de la corriente de base es

IB1 =

V1 - VBE R1 + R2

Ecuacin

(3-34)

El capacitor C1 se carga a un valor final de

VC @V1

R2 R1 + R2

Ecuacin

(3-35)

La corriente de tiempo de carga del capacitor es aproximadamente

1 =

R1R2C1 R1 + R2

Ecuacin

(3-36)

Una vez que el voltaje de entrada VB se hace cero, la unin base-emisor tiene polarizacin inversa y C1 se descarga a travs de R2. La constante de tiempo de descarga es t2 = R2C1. Para permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el ancho de pulso de base debe ser t1 5t1 y el periodo de desactivacin del pulso debe ser t2 5t2. La frecuencia mxima de conmutacin es: fs = 1/T = 1/(t1 + t2) = 0.2/(t1 + t2).

b) Control de desactivacin. Si durante la desactivacin el voltaje de entrada de la figura 3.13 se cambia a V2, el voltaje del capacitor VC en la ecuacin (3-35) se suma a V2 a travs del transistor como un voltaje inverso. Habr un pico de corriente de base durante la desactivacin. Conforme el capacitor C1 se descarga, el voltaje inverso se reducir a un valor de rgimen permanente, V2. Si se requieren de diferentes caractersticas de activacin y desactivacin, se puede aadir un circuito de

39

desactivacin (utilizando a C2, R3 y R4) tal y como se muestra en la figura 3.14. Durante la desactivacin, el diodo D1 asla el circuito de excitacin directa de la base, del circuito de excitacin inversa de la base.

Figura 3.13.- Pico de corriente de base durante la activacin.

Figura 3.14.- Pico de corriente de base durante la activacin y la desactivacin.

40

c) Control proporcional de la base. Este tipo de control tiene ventajas sobre el circuito de excitacin constante. Si la corriente del colector cambia debido a cambios en la demanda de la carga, la corriente de excitacin de la base cambia en proporcin a la corriente del colector. Una disposicin aparece en la figura 3.15. Cuando el interruptor S1 se activa, fluye un pulso de corriente de corta duracin a travs de la base del transistor Q1; y se activara hasta la saturacin. Una vez que la corriente del colector empieza a fluir, se induce una corriente de base debido a la accin del transformador.

El transistor se enganchara a si mismo, y S1 puede desactivarse. La relacin de vueltas es N2/N1 = IC/IB =. Para la correcta operacin del circuito, la corriente magnetizante, que ser mucho menor que la corriente del colector, debe ser lo mas pequea posible. El interruptor S1 se puede implementar mediante un transistor de pequea seal, y durante el periodo de desactivacin del transistor de potencia se requerir de un circuito adicional para descargar el capacitor C 1 y para volver a restablecer el ncleo del transformador.

Figura 3.15.- Circuito de excitacin proporcional de la base.

41

d) Control de antisaturacin. Si el transistor es operado severamente, el tiempo de almacenamiento, que es proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce la velocidad de conmutacin. El tiempo de almacenamiento puede ser reducido operando el transistor en una saturacin suave, en vez de una saturacin dura. Esto se puede llevar a cabo fijando el voltaje de colector-emisor a un nivel predeterminado. La corriente de colector esta dada por:

IC =

VCC - VCM RC

Ecuacin

(3-37)

Donde VCM es el voltaje de fijacin y VCM > VCE (sat). En la figura 3.16 se muestra un circuito con accin de fijacin (tambin conocido como fijador Baker) .

Figura 3.16.- Circuito de fijacin del colector.

La corriente de base sin fijacin, que es adecuada para excitar severamente al transistor, se puede determinar a partir de

42

I B = I1 =

VB - VD1 - VBE RB

Ecuacin

(3-38)

Y la correspondiente corriente del colector es

IC = I B

Ecuacin

(3-39)

Despus de que la corriente del colector se eleva, el transistor se activa, y la fijacin ocurre (debido al hecho de que D2 recibe polarizacin directa y conduce), entonces

VCE = VBE + VD1 - VD 2

La corriente de carga es

Ecuacin

(3-40)

IL =

VCC - VCE VCC - VBE - VD1 + VD 2 = RC RC

Ecuacin

(3-41)

Y la corriente del colector con fijacin es

IC = I B = (I1 - IC + I L )

Ecuacin

(3-42)

(I + I ) 1+ 1 L

Para la fijacin, VD1 > VD2 esto se puede obtener conectando dos o mas diodos en vez de D1. La resistencia de la carga RC deber satisfacer la condicin

bI B > I L

43

De la ecuacin (3-41).

I B RC > (VCC - VBE - VD1 + VD 2 )

Ecuacin

(3-43)

La accin de fijacin da como resultado una corriente del colector ms reducida y la eliminacin prcticamente total del tiempo de almacenamiento. Adems, en forma simultanea, se obtiene una activacin rpida. Sin embargo, en razn de un VCE incrementado, la disipacin de la potencia en estado activo del transistor aumenta, en tanto que la prdida de potencia por conmutacin se reduce.

3.1.3.- MOSFET DE POTENCIA. Son dispositivos controlados por voltaje, y solo requieren de una pequea corriente de compuerta. Tienen velocidades de conmutacin muy altas, siendo estas del orden de nanosegundos. Estos dispositivos encuentran gran aplicacin en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Un MOSFET no tiene los problemas que un BJT con el fenmeno de ruptura secundaria, sin embargo, tienen problemas con las descargas electrostticas. Adems, es difcil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.

1) Un MOSFET tipo de agotamiento de canal n: se forma en un substrato de silicio de tipo p con dos silicios de tipo n fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta esta aislada del canal mediante una delgada capa de oxido. Tiene tres terminales conocidos como compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). El substrato se conecta normalmente a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente V GS, puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los electrones del canal n sern repelidos y se creara una regin de agotamiento por debajo de la capa de oxido, que resultara en un canal efectivo mas angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor RDS y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente IDS=0.

44

Cuando esto ocurre, el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento Vp. Por otra parte, si VGS se hace positivo, el canal se ensancha e I DS aumenta debido a la reduccin en RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS. En la figura 3.17 se muestran la estructura bsica y el smbolo de un MOSFET tipo agotamiento de canal n y canal p.

ID ID RD Compuerta de metal G + VGS S N+ Canal n D Sustrato metlico N+ D + VDD + S ID VGS G + VDD Sustrato tipo p ID RD

Fuente de oxido Estructura bsica

Smbolo

a) MOSFET tipo agotamiento de canal n

ID

P+ + VGS P+ Canal p

S u s t r a t o m e t l i c o

RD

D -

RD

Estructura bsica

Figura 3.17.- Estructura bsica y el smbolo de un MOSFET tipo agotamiento de canal n y canal p.

Sustrato tipo n

VDD + ID +

VDD + S

VGS

Smbolo

b) MOSFET tipo agotamiento de canal p

45

2) Un MOSFET tipo de enriquecimiento de canal n, no tiene canal fsico. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del substrato p, y los acumulara en la superficie por debajo de la capa de oxido. Si VGS es mayor que o igual a un valor conocido como voltaje de umbral VT, se acumulara un nmero suficiente de electrones para formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje (D) a la fuente (S). Si se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten. En la figura 3.18 se muestran la estructura bsica y el smbolo de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y canal p.

ID ID RD Compuerta de metal G + VGS S N+ D Sustrato metlico N+ D + VDD + S ID VGS G + VDD Sustrato tipo p ID RD

Fuente de oxido Estructura bsica

Smbolo

a) MOSFET tipo enriquecimiento de canal n

ID

P+ + VGS P+

S u s t r a t o m e t l i c o

RD

D -

RD

Estructura bsica

Figura 3.18.- Estructura bsica y el smbolo de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y canal p.

Sustrato tipo n

VDD + ID +

VDD + S

VGS

Smbolo

b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

46

CARACTERISTICAS DE REGIMEN PERMANENTE. Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta utiliza una corriente de fuga muy pequea, del orden de los nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje, ID y la corriente de entrada de la compuerta, IG, es tpicamente del orden de 109, sin embargo, la ganancia de corriente no es un parmetro de importancia. La transconductancia, que es la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de la compuerta, define las caractersticas de transferencia, siendo este un parmetro muy importante.

Existen tres regiones de operacin:

1. Regin de corte, donde VGS es menor o igual que el voltaje de umbral, VT; 2. Regin de estrechamiento, donde VDS es menor o igual que VGS VT y 3. Regin lineal, donde VDS es igual VGS - VT. En la regin lineal la corriente de drenaje ID varia en proporcin al voltaje drenaje-fuente, VDS. En la figura 3.19 se muestran las caractersticas de transferencia y de salida de un MOSFET.

Debido a la alta corriente de drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de potencia se operan en la regin lineal para acciones de conmutacin. En la regin de saturacin, la corriente de drenaje se conserva prcticamente constante para cualquier incremento en el valor de VDS, y los transistores se utilizan en esta regin para la amplificacin de voltaje.

47

Figura 3.19.- Caractersticas de transferencia y de salida de un MOSFET.

48

El modelo en rgimen permanente, que es el mismo, tanto para el MOSFET de agotamiento como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 3.20. La transconductancia, gm, se define como:

gm =

DID D VGS V

Ecuacin

(3-44)

DS = cons tante

Donde VDS igual a constante. La resistencia de salida ro = RDS, que se define como:

RDS =

D VDS DID

Ecuacin

(3-45)

Es normalmente muy alta en la regin de estrechamiento, tpicamente del orden de los megaohms y muy pequea en la regin lineal, tpicamente del orden de los miliohms.

Figura 3.20.- Modelo de conmutacin en rgimen permanente de un MOSFET

49

Para los MOSFET de tipo agotamiento, el voltaje de compuerta puede ser positivo o negativo. Pero los MOSFET de tipo enriquecimiento solo responden a voltajes positivos de compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente de tipo enriquecimiento. Sin embargo, los de tipo agotamiento podran ser ventajosos y simplificar el diseo lgico en algunas aplicaciones que requieren de algn tipo de interruptor de ca o cd compatible con la lgica, y que se mantenga activo cuando el suministro lgico caiga y VGS se haga cero.

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION. Sin seal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse como dos diodos conectados espalda con espalda o como un transistor npn. La estructura de la compuerta tiene capacitancias parsitas con la fuente, C gs, y con el drenaje, Cgd. El transistor npn tiene una unin de polarizacin inversa del drenaje a la fuente y ofrece una capacitancia Cds. En la figura 3.21a se muestra el circuito equivalente del transistor bipolar parsito en paralelo con un MOSFET. La regin base emisor de un transistor npn se pone en corto circuito en el chip, metalizando la terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, debido a que la resistencia del material de las regiones p y n, Rbe es pequea. Por consiguiente, un MOSFET se puede considerar como si tuviera un diodo interno, el circuito equivalente se muestra en la figura 3.21b. Las capacitancias parsitas dependen de sus voltajes respectivos y sus efectos no se analizaran en detalle.

50

Figura 3.21.- Modelo de MOSFET de tipo enriquecimiento que incluye efectos parsitos.

El modelo de conmutacin de los MOSFET se muestra en la figura 3.22a y las formas de onda y sus periodos de tiempo de conmutacin tpicos en la figura 3.22b. El retraso de la activacin td
(on)

es el tiempo requerido para cargar la capacitancia de

entrada hasta el nivel de entrada de umbral.

El tiempo de elevacin tr es el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel de umbral hasta el voltaje completo de la compuerta VGSP, mismo que se requiere para excitar el transistor a la regin lineal. El tiempo de retraso en la desactivacin, td (off), es el tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje en sobrexcitacin de la compuerta V1 hasta la regin de estrechamiento. VGS debe reducirse en forma significativa antes de que VDS empiece a elevarse. El tiempo de abatimiento tf es el tiempo que se requiere para que se descargue la capacitancia de entrada desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS es menor o igual a VT, el transistor se desactiva.

51

a) Modelo de conmutacin del MOSFET.

b) Formas de onda y tiempos de conmutacin.

Figura 3.22.- Caractersticas de conmutacin de un MOSFET.

52

METODO DE EXCITACIN DE LA COMPUERTA. El tiempo de activacin de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de activacin se puede reducir conectando un circuito RC, para cargar ms rpido la capacitancia de entrada. Cuando se conecta el voltaje de compuerta, la corriente de carga inicial de la capacitancia es:

IG =

VG RS

Ecuacin

(3-46)

Y el valor en rgimen permanente del voltaje de compuerta es:

VGS =

RGVG RS + R1 + R G

Ecuacin

(3-47)

Donde RS es la resistencia interna de la fuente de excitacin de la compuerta. En la figura 3.23 se muestra el circuito de aceleracin de la activacin de compuerta.

Figura 3.23.- Circuito de aceleracin de activacin de compuerta.

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A fin de obtener velocidades de conmutacin del orden de los 100 nanosegundos o menos, el circuito de excitacin de compuerta debe tener una baja impedancia de salida y la capacidad de manejar corrientes relativamente grandes.

Existen en el mercado gran variedad de circuitos excitadores integrados, diseados para manejar transistores, y que son capaces de proveer o absorber corrientes grandes para la mayor parte de los convertidores.

3.1.4.- CIRCUITOS INTEGRADOS DE CONTROL (PWM).

Existen en el mercado una gran variedad de circuitos integrados que permiten la implementacin de funciones de alto nivel dentro de una fuente de poder conmutada. La seleccin del mejor circuito integrado de control debe ser hecha despus de que el ingeniero diseador conoce los requerimientos funcionales que se esperan del sistema. Aunque los circuitos integrados de control PWM tengan diagramas de bloque muy diferentes, ellos tendrn ciertas funciones de circuito comunes, que incluyen:

1.- Un oscilador que establezca la frecuencia de operacin bsica de la fuente y que genere una forma de onda diente de sierra (rampa) para usarla en la conversin de voltaje a un ancho de pulso (PWM).

2.- Drivers de salida que suministren suficiente corriente para aplicaciones donde se manejen, baja, media y alta potencia.

3.- Un voltaje de referencia que suministre una referencia global ideal en la fuente de poder, con la cual se comparen los voltajes de salida. Y que tambin provea un voltaje estable para otras funciones de control.

4.- Un amplificador de voltaje de error de alta ganancia que realice la comparacin entre los voltajes de salida y la referencia estable.

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5.- Un conversor del voltaje de error en ancho de pulso, que establezca el ciclo de trabajo; en respuesta al nivel del voltaje de error en la salida del amplificador de voltaje de error.

Estos son los bloques funcionales bsicos que forman un circuito de control PWM.

Otras funciones de alto nivel que pueden estar incluidas y que usualmente se necesitan para proveer mayor funcionalidad a una fuente de poder conmutada, son:

1.- Un amplificador de sobrecorriente, que proteja a la fuente de condiciones anormales de sobrecorriente en la carga.

2.- Un circuito de encendido suave (soft-start), que como su nombre lo indica, permite que la fuente encienda de manera suave, reduciendo las altas corrientes exhibidas por toda fuente que utilice tcnicas de conmutacin durante la fase de encendido.

3.- un control de tiempos muertos que ajuste el mximo ancho de pulso que el circuito integrado de control pueda generar, as se prevendr la ocurrencia de conduccin simultnea de dos transistores de potencia o ciclos de trabajo del cien por ciento.

4.- Apagado por bajo voltaje, para prevenir que la fuente se encienda cuando hay insuficiente voltaje dentro del circuito de control para llevar los conmutadores de potencia a saturacin.

Primero para elegir un integrado PWM de control, se debe primero determinar la topologa de la fuente que resulte ms adecuada para las necesidades de la aplicacin. Esto nos dar una idea de los requerimientos o tipo de control que se necesita, el cual puede ser o un single-ended o un doble-ended. Los controladores single-ended son los usados en las fuentes que requieren de un solo transistor de conmutacin de potencia

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para implementar el diseo. Estos son usados en todas las topologas que no tienen aislamiento por transformador y en la topologa de Flyback; estos integrados tienen solo un driver de salida.

Los circuitos integrados PWM double-ended son esos que tienen dos Drivers de salida que podran ser aplicados para las topologas Push-Pull, medio puente y puente completo. Estos circuitos integrados incluyen una caracterstica adicional llamada double-pulse lockout, lo cual asegura que el mismo transistor de potencia no encienda consecutivamente, lo cual causara saturacin del transformador.

Un segundo factor es cual tipo de transistor de potencia ser usado dentro de la fuente. Algunos circuitos integrados PWM tienen transistores simples como sus Drivers de salida. Estos son ms apropiados para manejar transistores de potencia bipolares. Casi siempre es necesario agregar Drivers externos para ayudar a proveer suficiente corriente a los transistores de potencia.

Para MOSFETs de potencia, los circuitos integrados con Drivers en configuracin Ttem-Pole son la mejor eleccin. Estos Drivers de salida son ideales para alimentar y absorber los grandes picos de corriente que se necesitan para manejar las cargas capacitivas en la compuerta de los MOSFETs. Aunque cualquier integrado de control puede manejar cualquier tipo de transistor de potencia, la eleccin del integrado apropiado redundara en un mnimo de componentes externos adicionales para implementar el driver. Los circuitos integrados se dividen en dos grandes familias, segn el tipo de control que utilicen, para regular la tensin de salida: Modo voltaje, ver figura 3.24 o modo corriente, ver figura 3.25.

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1.- CONTROL EN MODO VOLTAJE. En los reguladores controlados por la tensin, la salida de la fuente es comparada con una tensin de referencia interna. La salida de este comparador se aplica a un convertidor de duracin, el cual recibe por la otra entrada, una seal de diente de sierra del oscilador. El resultado es que se obtiene una onda cuadrada con el ancho de pulso variable (PWM), regulando de esta forma las variaciones de tensin de salida.

Figura 3.24.- Control en modo voltaje.

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2.- CONTROL EN MODO CORRIENTE. Por otro lado estn los controladores por intensidad. Aunque la teora bsica sigue siendo la misma (PWM), los reguladores en corriente se diferencian de los anteriores, en que la seal de diente sierra interna ha sido eliminada. En su lugar, usamos como control el incremento gradual de la corriente inductiva (tipo rampa), que se circula por el transformador. Regulacin en corriente tiene la ventaja de regular pulso a pulso, cualquier pequeo cortocircuito o sobrecarga es detectado y el circuito responde de forma instantnea evitando posibles daos a los elementos de potencia.

Figura 3.25.- Control en modo corriente.

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El circuito integrado (CI) que vamos a utilizar como ejemplo para este trabajo es el circuito integrado PWM SG3524, ver figura 3.26. Este controlador puede ser usado para aplicaciones en modo tensin o en modo corriente, este circuito integrado contiene en su interior todo lo necesario para construir una fuente del tipo Push-Pull.

Figura 3.26.- Diagrama de bloques de circuito integrado PWM SG3524.

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3.2.- ELEMENTOS PASIVOS.

Los elementos pasivos, son aquellos, que al circular corriente producen una diferencia de potencial entre sus bornes y disipan potencia en forma de calor (consumen energa). Tambin puede entenderse como todo aquel dispositivo que solo absorbe o libera energa, sin producir cambios en las caractersticas de la misma. Un ejemplo de elemento pasivo seria el resistor y las fuentes de corriente y voltaje serian elementos activos. Los capacitores e inductores suelen estar dentro de estas dos categoras ya que adsorben energa cuando se cargan y as mismo suministran energa cuando se descargan. Su respuesta elctrica ante los efectos de la temperatura y la frecuencia, no sern mostradas, ya que, estas se pueden ver en los manuales de fabricantes.

3.2.1.- RESISTORES.

En electricidad y electrnica existe la necesidad de materiales con valores especficos en el rango entre lo que es un conductor o un aislador. Estos materiales son llamados resistores. Los resistores pueden ser clasificados como fijos o variables, los resistores variables son conocidos como potencimetros. Pueden ser clasificados tambin como lineales a no lineales, en un resistor lineal cuando el voltaje varia, la corriente tambin variara en un valor proporcional. En un resistor no lineal, el comportamiento es tal que si el voltaje varia el cambio de la corriente no es proporcional al cambio de voltaje y son utilizados en aplicaciones especiales.

La resistencia de cualquier material esta dada de forma general por la siguiente expresin:

R= r

L A

Ecuacin

(3-48)

60

Donde: R = es la resistencia en ohms.

r = es la resistividad del material en ohms/cm.

L = es la longitud del material en cm. A = es el rea del material en cm2.

La relacin entre la corriente y el voltaje en un resistor, esta dada por la Ley de Ohm.

I=

V R

Ecuacin

(3-49)

Donde: V = voltaje a travs del resistor, en volts. I = corriente que fluye a travs del resistor, en amperes.

La potencia disipada por un resistor puede ser expresada por cualquiera de las siguientes expresiones:

P = VI = I 2R =

V2 R

Ecuacin

(3-50)

Los parmetros y trminos que definen las caractersticas de los resistores fijos y variables son descritas por curvas tpicas que muestran la variacin en la resistencia con la temperatura, adems, de otras cantidades de inters que es necesario conocer en el diseo de una fuente de poder. Estas sern explicadas en forma breve.

a) Coeficiente de temperatura de la resistencia (TCR). El coeficiente de temperatura indica cuanto cambia la resistencia con la temperatura. Es expresado como un porcentaje de cambio en el valor nominal de la resistencia a 25 C por cada grado Celsius o en partes por milln por grado centgrado (ppm/C). El TCR puede ser

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positivo o negativo. Curvas tpicas muestran la variacin de la resistencia con la temperatura.

b) Rango de potencia. Es la mxima potencia que un resistor puede disipar de manera continua a una temperatura tan alta como 70C, para temperaturas mas all de 70 C, el rango de potencia se reduce.

c) Rango de voltaje de trabajo continuo. Es el mximo voltaje que se puede aplicar de forma segura a un resistor.

d) Resistencia critica. La resistencia critica Rc, es el valor de resistencia donde ambos el voltaje mximo y el rango de potencia ocurren simultneamente.

e) Ruido. Debido a la estructura molecular del material, los electrones en un material exhiben un movimiento aleatorio. Como resultado, voltajes aleatorios son producidos, los cuales son referidos como ruido. El ruido se incrementa con el incremento en el valor de la resistencia, la temperatura de operacin y el ancho de banda del circuito al cual el resistor esta conectado.

f) Efectos de la frecuencia. Un modelo de un resistor operando en altas frecuencias, se comporta como si tuviera un inductor en serie con la resistencia y un capacitor en paralelo a travs de la resistencia y el inductor. La inductancia y la capacitancia son debido al tipo de construccin y a la conexin de las terminales del resistor. La capacitancia y la inductancia son elementos indeseables y los efectos de su presencia son considerados como parsitos.

g) Estabilidad en el tiempo. Esta caracterstica, se refiere al cambio del valor de la resistencia sobre un intervalo de tiempo de uso. Los resistores con un valor alto de resistencia exhiben mas estabilidad que los de valor bajo.

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h) Fineza. La fineza de un potencimetro se refiere a la variacin de su resistencia como una funcin de la rotacin de la escobilla o brazo deslizador.

i) Resolucin. La resolucin de un potencimetro se refiere a los pequeos cambios en resistencia que pueden ser realizados cuando la escobilla o brazo deslizador es rotado.

j) Resistencia final. Es la resistencia entre la escobilla y las terminales, con la escobilla posicionada en el punto final correspondiente.

k) Resistencia de contacto. Es la resistencia entre la terminal de la escobilla y el elemento resistivo en contacto con la escobilla.

l) Corriente en la escobilla. Es la mxima corriente que puede fluir dentro o fuera de la terminal del brazo deslizador.

m) Estabilidad. Este parmetro indica la repetitividad de un valor de resistencia puesto en un potencimetro.

3.2.2.- CAPACITORES.

Los capacitores son los elementos pasivos mas ampliamente utilizados en circuitos. Ellos estn disponibles como elementos de valor fijo o variable con capacitancias desde unos pocos picofaradios hasta miles de microfaradios. Para obtener caractersticas nicas, una amplia variedad de materiales son usados para su construccin.

63

Las aplicaciones de los capacitores pueden ser ampliamente categorizadas como sigue:

1.- Bloqueo de corriente directa. Un capacitor no puede conducir la corriente directa.

2.- Acoplamiento de seales de un circuito o un sistema a otro.

3.- Como Bypass de un resistor para permitir el flujo de la corriente alterna.

4.- Como filtro.

5.- Para sintonizado de frecuencias.

6.- Generacin de ondas no senoidales, tal como una forma de onda de diente de sierra.

7.- Almacenamiento de energa, un capacitor se puede utilizar para almacenar suficiente carga para disparar, por ejemplo un flash o un lser.

El arreglo bsico de un capacitor consiste de dos placas metlicas llamadas electrodos, separados por un aislador, tambin llamado dielctrico. La capacitancia de un capacitor de placas paralelas, es directamente proporcional a la constante dielctrica relativa del aislador y al rea de las placas paralelas e inversamente proporcionales a la distancia entre ellas. La capacitancia ser mayor, si la separacin entre las placas es menor y viceversa. Este hecho es convenientemente expresado por la siguiente formula:

C=

k eo A d

Ecuacin

(3-51)

64

Donde: C = es la capacitancia en faradios. eo = es la constante de permitividad del espacio libre y es igual a 8.85 x 10-12 faradios/metro. k = constante dielctrica relativa del aislador. A = rea entre las placas, en m2. d = distancia entre las placas, m.

Tambin, se ve en la formula que la capacitancia puede ser incrementada aumentando el rea de las placas o variando la constante dielctrica.

Carga y energa. La carga Q en coulombs almacenada en un capacitor, es igual, al producto de la capacitancia C en farads y el voltaje V en volts a travs del capacitor. Es expresado en la siguiente formula:

Q = C V

Ecuacin

(3-52)

De la Ecuacin anterior podemos ver, que para almacenar una carga dada, es necesario un voltaje mayor para un capacitor pequeo y menos voltaje para un capacitor grande. El mximo voltaje que puede ser manejado por un capacitor sin causar un dao irreparable en el mismo, depende tanto del dielctrico usado como de la separacin entre las placas.

Un capacitor cargado, tiene energa almacenada en el campo elctrico existente entre sus placas, y se puede representar por la siguiente formula:

w=

CV 2 2

Ecuacin

(3-53)

65

Donde: w = energa almacenada entre las terminales del capacitor, en Joules C = capacitancia, en farads V = voltaje a travs de las terminales del capacitor, en volts

Curvas caractersticas tpicas describen de forma apropiada el comportamiento de un capacitor bajo los efectos de la temperatura y la frecuencia, lo anterior se encuentra en los manuales del fabricante y en algunas bibliografas especializadas, por lo que aqu solo se definirn los trminos y parmetros relacionados con estos componentes, de los que podemos mencionar los siguientes:

a) Temperatura ambiente. El valor de la capacitancia depende de la temperatura ambiente del medio alrededor del capacitor. A 25 C, a la cual se le considera la temperatura ideal de un cuarto, el cambio en el valor de la capacitancia es cero.

b) Tolerancia. Es la variacin en la capacitancia expresada como un porcentaje de su valor especifico a 25 C. El valor especfico a 25 C es conocido como el valor nominal.

c) Coeficiente de temperatura. Es el cambio en el valor de la capacitancia por cada grado de cambio en la temperatura. Normalmente es expresado en partes por milln por grado centgrado (ppp/C). El coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo o cero.

d) Voltaje de trabajo. Es el mximo voltaje que puede ser aplicado a las terminales del capacitor para una operacin continua. Esta razn debe indicar si el voltaje es dc o ac. Ya que por lo general esta razn no es la misma.

e) Voltaje de ruptura. Es el mximo voltaje a travs del capacitor que causara que el dielctrico se llegue a daar.

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f) Fuga en dc. Se refiere a una diminuta corriente directa que fluye en un capacitor para un voltaje directo especfico. La fuga se debe a unos pocos portadores de carga libres en el dielctrico. Por esta razn, la carga en el capacitor no puede ser almacenada en forma definitiva.

g) Resistencia del aislamiento. Es la resistencia del dielctrico. Entre ms grande es la resistencia, menor es la fuga de corriente. La resistencia del dielctrico disminuye con el aumento de temperatura.

h) Reactancia capacitiva. La reactancia capacitiva Xc en ohms de un capacitor es igual a 0.159 dividido por el producto de la frecuencia en hertz y la capacitancia en farads, y se representa con la siguiente formula:

Xc =

1 2pfc

Ecuacin

(3-54)

La reactancia capacitiva se incrementa con la frecuencia o con la disminucin del valor de la capacitancia y viceversa.

i) Factor de potencia FP. El factor de potencia expresa la razn entre la energa gastada a la energa almacenada en el capacitor. El factor de potencia es funcin de la temperatura. El factor de potencia tambin se incrementa con la elevacin de la frecuencia.

j) Resistencia equivalente en serie (RES). Independiente de la resistencia de las placas y terminales del capacitor, la resistencia equivalente en serie, es la resistencia en red de un capacitor. La RES se incrementa con el aumento en la frecuencia.

k) Impedancia. La impedancia Z en ohms de un capacitor es la oposicin total al flujo de la corriente alterna. Y se representa de la siguiente forma:

67

Z=

Xc 2 + (RES )2

Ecuacin

(3-55)

La impedancia de un capacitor disminuye con el aumento de la frecuencia y de la temperatura. Para un capacitor de alta calidad, la impedancia es aproximadamente igual a la reactancia capacitiva.

l) Factor de disipacin FD. Este es otro parmetro usado para describir la calidad de un capacitor. El factor de disipacin es expresado como un porcentaje y definido como la razn del RES a Xc.

FD =

RES 100% Xc

Ecuacin

(3-56)

Entre mas bajo sea el factor de disipacin, mejor ser el capacitor.

m) Factor de calidad Q. el factor de calidad es el inverso del factor de disipacin. Y se representa de la siguiente forma:

Q=

Xc RES

Ecuacin

(3-57)

Entre mas grande es el valor de Q, mejor es el capacitor. Los parmetros FD y Q son relativamente fciles de determinar con un puente de impedancias.

n) Rizo de corriente y voltaje. Rizo de corriente o voltaje es la componente de ac de una corriente o voltaje unidireccional. El rizo de voltaje esta presente, por ejemplo en la salida de una fuente de poder. Si la componente de rizo en un capacitor es menor al 5%, puede ser considerado despreciable. Para valores ms grandes que 5%, el rizo contribuye al calentamiento del capacitor.

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3.2.3.- INDUCTORES.

Los capacitores y los resistores estn disponibles en una amplia variedad de tamaos y valores, es posible encontrar casi cualquier valor, tolerancia u otro parmetro, sin necesidad de hacer ordenes especiales.

Las bobinas por otro lado, no pueden estar fcilmente disponibles, por lo que los tcnicos tienen que fabricar sus propias bobinas, para obtener un valor de inductancia especifica.

3.2.3a TIPOS DE NUCLEOS DE FERRITA Y SUS EFECTOS EN LAS BOBINAS.

Cuando un ncleo de material magntico es insertado en una bobina con ncleo de aire, hay un gran incremento en la inductancia de la bobina. Un material magntico es cualquier tipo de sustancia que puede ser atrada por un magneto y son clasificados como duros o suaves. El material magntico duro mantiene su magnetismo aun despus de que la fuente magnetizante ha sido removida, pero los materiales magnticos suaves inmediatamente pierden su magnetismo, despus de remover la fuente magnetizante.

Decir que un material magntico es suave, no significa que fsicamente sea suave. Un material magntico puede ser fsicamente, extremadamente duro y quebradizo y todava ser magnticamente muy suave. Los materiales magnticos suaves, son usados como material del ncleo de bobinas y transformadores, para aplicaciones en radiofrecuencia y audiofrecuencia. De acuerdo con la tcnica de fabricacin o tipo de los materiales magnticos, los ncleos pueden ser:

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a) Ncleos de hierro pulverizado. Estos tipos de ncleos estn compuestos de finas partculas de polvo de hierro o aleaciones de hierro mezcladas. Los ncleos adquieren su forma final mediante presiones del orden de 10 a 50 tons/in 2, y finalmente las partes son entonces unidas para poner el recubrimiento de tipo plstico. Los ncleos de hierro pulverizado estn disponibles en una gran variedad de formas y tamaos con diferentes propiedades magnticas para reunir diferentes requerimientos.

b) Ncleos de ferrita. Las ferritas tambin tienen sustancias magnticas. Tienen hierro y acero mezclados con elementos aislantes en sus diferentes tipos de aleaciones. Hay muchos tipos de ferritas y la composicin qumica exacta de cada diferente tipo depende de su aplicacin. Las ferritas diseadas para su uso en bajas frecuencias no pueden ser usadas en altas frecuencias y viceversa.

c) Ncleos laminados. Los ncleos utilizados en transformadores y chokes que operan con potencia de la lnea de alimentacin y audiofrecuencia son hechas de hojas de lamina de acero de varios grados y espesores.

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CAPITULO IV
ANALISIS DE FUNCIONAMIENTO.

Una fuente de poder conmutada, no es difcil de entender cuando se ve como una caja negra con sus terminales de entrada y de salida. Su comportamiento es idntico al de una fuente de poder lineal, la diferencia fundamental esta en que un regulador lineal regula un flujo continuo de corriente de la entrada hacia la carga a fin de mantener un voltaje constante en la carga. En una fuente conmutada se realiza la misma funcin pero muestreando la entrada de voltaje y controlando el promedio de corriente por medio del ciclo de trabajo. Cuando una alta corriente de carga es requerida, el tiempo de encendido es incrementado para compensar el cambio.

Dos tipos bsicos de reguladores conmutados constituyen la base fundamental de todas las fuentes que utilizan tcnicas de conmutacin por ancho de pulso. Estos tipos son el modo Forward y el modo Flyback. El nombre de cada uno se deriva de la forma en que los elementos magnticos son usados dentro de la fuente. Aunque esquemticamente se pueden parecer, ellos operan en forma bastante diferente.

4.1.- ETAPAS DE UNA FUENTE DE PODER CONMUTADA.

A fin de aproximarnos de una forma adecuada al diseo de una fuente de poder conmutada, debemos de tener un entendimiento razonable de la mayora de las etapas o subsecciones que la integran. Por lo anterior debemos de entender, que los dispositivos y circuitos reales difieren en cierta medida de las condiciones ideales, por lo que, el diseo tambin se vera afectado.

Una forma de remediar lo anterior y que adems resulta muy til, es que, en las primeras etapas del diseo, se haga un anlisis simplificado del circuito para comprender la operacin del mismo y para establecer las caractersticas y la estrategia de control.

71

Antes de elaborar un prototipo, se debern investigar los efectos de los parmetros del circuito y las imperfecciones de los dispositivos, modificando el diseo de ser necesario. Las etapas o subsecciones discutidas a continuacin representan un sistema conceptual tpico con los requerimientos mnimos para un regulador Push-Pull de una salida, el diagrama de circuito se muestra en la figura 4.1.

Figura 4.1.- Diagrama representativo de un regulador Push-Pull.

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4.1.1.- EL FILTRO EMI.

Esta seccin esta compuesta de un pequeo filtro L-C entre la lnea de entrada y el regulador. Sirve para un doble propsito, primero, el capacitor C y el inductor L actan como un filtro de alta frecuencia, que impide la interferencia de radiofrecuencia (IRF), es decir, reduce la conduccin de las componentes de ruido de alta frecuencia que abandonan la fuente y que retornan a la lnea de entrada. Sin este filtro, el ruido generado por las corrientes de alta frecuencia podra entonces radiarse desde las lneas de alimentacin como en una antena, la frecuencia de corte de este filtro pasa bajas no debe ser ms alta que 2 o 3 veces la frecuencia de operacin de la fuente.

El segundo propsito de esta etapa es agregar una pequea impedancia (L) entre la lnea de entrada y el capacitor de almacenamiento de carga de entrada (Bulk), que sirve bsicamente para reducir cualquier transitorio de voltaje que pudiera ser letal, permitiendo al filtro de almacenamiento de carga de entrada (Bulk) y a cualquier proteccin contra transitorios absorber la energa destructiva de los picos de corriente o voltaje que vienen de la lnea de entrada, dndoles un poco de margen para exceder los rangos de voltaje de estos componentes.

4.1.2.- FILTRO DE ALMACENAMIENTO DE CARGA DE ENTRADA BULK.

Este filtro tiene un valor relativamente grande y tiene la funcin de almacenar la energa de alta y baja frecuencia requerida por la fuente durante cada ciclo de conduccin de los transistores de potencia; usualmente esta formado por dos capacitores, un capacitor electroltico o de tantalio para las componentes de corriente en la frecuencia de conmutacin de la fuente y un capacitor cermico para las frecuencias de conmutacin armnicas. Esta capacitancia debe representar una baja impedancia para la corriente directa por muchas veces la frecuencia de conmutacin de la fuente.

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Otro factor por lo que es necesario el capacitor Bulk de entrada es que la lnea de entrada puede tener una gran longitud de alambre o trazos de circuito impreso, lo cual agrega resistencia en serie e inductancia entre la fuente de poder y la alimentacin. La lnea de entrada para las altas frecuencias se asemeja a una fuente de corriente de corriente limitada y no puede entregar las demandas de corriente de alta frecuencia necesarias para las rpidas transiciones de voltaje y corriente dentro de la fuente, la carga del capacitor de entrada en una baja frecuencia y suministro de corriente sobre un mucho mas alto rango de frecuencia.

Sin ambos, un capacitor de tipo electroltico de baja frecuencia y un capacitor de tipo cermico para altas frecuencias, la fuente literalmente morira por las corrientes y voltajes de alta frecuencia o se afectara adversamente la estabilidad de la fuente.

4.1.3.- TRANSFORMADOR.

En la configuracin Push-Pull, el transformador provee aislamiento de cd entre la lnea de entrada y la salida, tambin realiza la funcin de elevar o reducir el voltaje. En esta configuracin el transformador no almacena energa al contrario de otras configuraciones. Se pueden agregar salidas adicionales, simplemente agregando devanados en el secundario; esto permite una fuente conmutada que provea todos los voltajes requeridos por la mayora de los productos diseados.

El transformador es el ncleo o columna vertebral de las fuentes de poder conmutadas. Por lo que, si el transformador se disea de forma equivocada, podra afectar adversamente la operacin de la fuente y la seguridad de los transistores de potencia.

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4.1.4.- TRANSISTORES DE CONMUTACION.

Estos son transistores de potencia o MOSFETs que son rpidamente conmutados entre el estado de saturacin y el de corte. Ellos sirven como una compuerta para la entrada de energa a la fuente que ser subsiguientemente entregada a la carga.

El flujo de energa es regulado por el circuito de control, el cual sensa la energa demandada por la carga y entonces varia el tiempo encendido de los transistores de potencia, regulando la entrega de energa a la carga ajustndola a las demandas de la misma.

Los transistores de potencia representan los componentes ms sensibles a fallas por estrs dentro de la fuente. Por lo anterior, se debe tener especial cuidado durante el diseo en la fase de seleccin de los mismos, para as, obtener su seguro funcionamiento.

4.1.5.- RECTIFICADORES DE SALIDA.

En la configuracin de regulador Push-Pull, los rectificadores de salida conducen al mismo tiempo que los transistores de potencia. Las formas de onda de voltaje en el secundario en configuracin aislada como esta, tienen un promedio de voltaje en dc igual a cero, pero durante el tiempo de conduccin de los transistores de potencia, el voltaje en el secundario alcanza picos de voltaje en proporcin al nmero de vueltas con respecto al voltaje de entrada en el devanado primario.

Los rectificadores convierten esta forma de onda bipolar, en un tren de pulsos unipolar. Para cambiar la polaridad del voltaje de salida, solo basta con invertir la polaridad de los rectificadores de salida. Aunque los rectificadores conducen un promedio de corriente igual a la corriente de carga, el valor pico de la corriente ser

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mas alto que el promedio. Por lo que, en el proceso de seleccin de los rectificadores, el diseador debe considerar cualquier prdida adicional que pudiera ocurrir durante estos altos picos de corriente y agregar un margen a la especificacin de corriente.

4.1.6.- FILTRO DE SALIDA.

En el caso considerado, la seccin correspondiente al filtro de salida tiene una configuracin conocida como convertidor en modo directo. Este filtro es llamado filtro de entrada de choke (bobina de reactancia) o filtro L 1-C1 y es un inductor en serie seguido por un capacitor en derivacin. Su propsito es almacenar energa para la carga durante el tiempo en el que los transistores de potencia no estn conduciendo.

El tiempo de encendido de los transistores de potencia sirve para reestablecer la energa perdida por el inductor durante su tiempo de apagado. Tpicamente, un aproximado de 50% ms energa es almacenada en el inductor y el capacitor de la que se necesita por la carga durante el periodo completo. Esta reserva puede ser inducida en la carga por incrementos sbitos, hasta que el lazo de control pueda proveer ms energa mediante el incremento en el tiempo de encendido de los transistores de potencia.

4.1.7.- ELEMENTOS DE SENSADO DE CORRIENTE.

El mtodo mostrado aqu, es solo una de varias formas de implementar la funcin de sensado de sobrecorriente. Esencialmente, el propsito es desarrollar un voltaje que es proporcional a la corriente de carga de salida. Este voltaje es amplificado, y si llega a alcanzar o sobrepasar el umbral fijado por el lazo de control del regulador de voltaje; se presentara una condicin de sobrecorriente que forzara a una reduccin en el voltaje de salida, mediante la reduccin del tiempo de conduccin de los transistores de potencia.

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Dependiendo de la forma en que la corriente de salida es sensada, de que parmetros son agregados y de la ganancia del amplificador de sensado de corriente, uno puede conseguir una limitacin de potencia constante, una limitacin de corriente constante o una limitacion de corriente por foldback.

El tipo de limitacion de corriente elegido depende de cuanta potencia pueda resistir la carga durante una falla de sobrecorriente o corto circuito. En los reguladores en modo voltaje esta caracterstica permanece completamente inactiva hasta que una condicin anormal de sobrecorriente se registra. En los reguladores con control en modo corriente, la corriente en el primario del transformador es sensada y usada como parte de una estrategia de control total de la fuente, ofreciendo no solo proteccin contra sobrecorriente, sino que tambin mejora la respuesta de la fuente.

4.1.8.- ELEMENTOS DE RETROALIMENTACION DE VOLTAJE.

Este tipo de sensado, es usualmente un divisor de voltaje, que reduce proporcionalmente el voltaje de salida al mismo valor que aparece en la entrada del amplificador de error de voltaje, en el circuito integrado de control. El amplificador de error de voltaje, amplifica la diferencia entre el nivel ideal (establecido por la referencia de voltaje interna del circuito integrado de control), y la salida de voltaje actual; presentada por los elementos de retroalimentacin y por consiguiente controla los transistores encargados de la conmutacin de potencia.

4.1.9.- SECCION DE CONTROL.

Esta funcin se centra tpicamente alrededor de un circuito integrado que se encarga de controlar el ciclo de conmutacin de los transistores de potencia, realiza la funcin de corregir el voltaje de salida, a travs, de elementos de sensado y la conversin de voltaje en un ancho de pulso, una referencia de voltaje estable, un

77

oscilador, de detectar y contrarrestar la sobrecorriente y manejar el ciclo de conduccin y conmutacin de los transistores de potencia. Tambin, puede incluir un circuito de inicio suave, un limitador de tiempo muerto y un apagado remoto.

El oscilador establece la frecuencia de operacin de la fuente y genera una forma de onda de diente de sierra para el conversor de voltaje de DC a ancho de pulso. El amplificador de error de voltaje, amplifica la diferencia entre el voltaje de referencia ideal y el voltaje de salida sensado por los elementos del divisor de voltaje de retroalimentacin. La salida del amplificador de error de voltaje, representa el error entre la referencia y la salida actual de voltaje; multiplicada por la ganancia en DC del amplificador operacional y es maneja como una compensacin en DC. Esta seal de error es presentada entonces al conversor de ancho de pulso, el cual produce un tren de pulsos cuyo ciclo til representa esta seal de error.

El tren de pulsos, es presentado a los transistores que manejan la conmutacin de potencia. Si es una fuente single-ended, esto es, tiene solo un conmutador de potencia, la forma de onda es usada para accionar directamente el driver de salida. Si es una fuente double-ended (dos transistores de potencia), en estos el tren de pulsos generado es colocado en un flip-flop digital que dirige los pulsos alternadamente entre los dos drivers de salida, los drivers de salida toman usualmente una de dos formas.

78

4.2.- TOPOLOGIAS. A fin de elegir una topologa apropiada para la aplicacin que deseamos, es necesario entender las diferencias entre las diferentes topologas, y que factores las hacen adecuadas para cierta aplicacin. Podemos mencionar en general cinco factores primarios que permiten diferencia una topologa de otra. 1.- El pico de corriente de inicio que se origina al encender la fuente. Este es un indicativo de cuanto estrs deben soportar los transistores de potencia, lo cual tiende a limitar una configuracin particular, para que pueda entregar una potencia de salida deseada y la entrada de voltaje sobre el cual pueda operar. 2.- Cuanto voltaje puede ser manejado por el devanado primario del transformador. Esto indica cuanta potencia puede ser derivada de la lnea de entrada, ya que, a mayor voltaje alimentado por el transformador o inductor, menor ser el pico de corriente promedio que se necesitara para desarrollar la potencia de salida. 3.- Que cantidad de la caracterstica B-H puede ser usada dentro del transformador durante cada ciclo. Esto es til para lograr un transformador fsicamente ms pequeo, que pueda entregar la potencia de salida deseada. 4.- Aislamiento en DC de la entrada desde la carga. Esto provee aislamiento en DC de la salida hacia la entrada y permite agregar con facilidad mltiples salidas de voltaje. El aislamiento por transformador, tambin es necesario a fin de reunir los requerimientos establecidos por el mercado. 5.- Rentabilidad y costo. Esto tiene que ver con el deseo inherente de que la configuracin requiera el mnimo de partes, sin someter los componentes a un estrs desmedido. La industria ha establecido el uso de varias topologas primarias, para la mayora de las aplicaciones. En la figura 4.2 se muestra el rango de uso para estas topologas, las fronteras para estas reas son determinadas principalmente por la cantidad de estrs que los dispositivos encargados de la conmutacin de potencia (Transistores de 79

potencia o MOSFETs) deben soportar y que todava pueden proveer un rendimiento confiable. Las fronteras delimitadas en la figura 4.2, representan aproximadamente 20 amperes de la corriente pico. En la prctica pueden ser usados picos de corriente ms altos pero los dispositivos encargados de la conmutacin de potencia podran exhibir modos de falla inusuales y elementos como la distribucin de los componentes y la longitud del alambrado, podra llegar a ser aun ms critica. No es coincidencia que estas topologas sean de aislamiento por transformador, ya que, en las topologas sin aislamiento por transformador se presentan modos de falla catastrficos predecibles que casi la mayora de los diseadores mas experimentados en el diseo de fuentes de poder conocen y prefieren no correr riesgo.

Figura 4.2.- Configuraciones preferidas por la industria y sus reas de uso.

80

4.2.1.- FUENTES DE PODER CONMUTADAS SIN AISLAMIENTO POR TRANSFORMADOR. Los tipos de fuentes de poder conmutadas que no usan aislamiento por transformador, son tpicamente usadas cuando algn componente externo provee aislamiento en CD en lugar de la fuente de poder. Estos componentes externos son usualmente transformadores que trabajan a 50 o 60 Hz, o fuentes de poder con aislamiento de tipo Bulk. El rea tpica de aplicacin es la regulacin de voltaje a nivel local en cierto tipo de tarjetas. Las fuentes de poder de este tipo son fciles de entender, de ah que sean usadas como ejemplo de diseo por algunos fabricantes y por diseadores novatos. Los diseadores experimentados rara vez utilizan este tipo de configuraciones, debido a la severidad de los modos de falla causados por la ausencia de aislamiento en DC. Hay tres tipos de topologas bsicas que usan este tipo de configuracin: La topologa BUCK (Reductor de voltaje), La BOOST (Elevador de voltaje) y la BUCKBOOST (Reductor-elevador de voltaje). Cada una de estas topologas genera y regula un voltaje que esta arriba o abajo del nivel del voltaje de entrada. Cada una de estas tiene solo una salida de voltaje, ya que, no es muy prctico agregarle salidas adicionales. Las fuentes sin aislamiento por transformador tienen restricciones definidas en cuanto a su aplicacin, considerando su voltaje de entrada con respecto a su voltaje de salida. Por lo que se deben considerar estos factores previos al uso de una topologa sin aislamiento.

81

4.2.1a.- TOPOLOGIA DE REGULADOR BUCK (Reductor de voltaje). El regulador BUCK es la topologa ms simple de todas las fuentes de poder conmutadas. Es tambin, la mas fcil de entender y disear. El regulador BUCK es el ms elemental diseo en modo directo (Forward) y es el bloque bsico de construccin para todas las topologas en modo directo. Esta topologa, tambin exhibe el modo de falla destructivo mas severo de todas las configuraciones. Por eso, solo debe ser usada con extrema precaucin. En un regulador Buck, el voltaje promedio de salida Va, es menor que el voltaje de entrada Vs, de ah la palabra reductor. El diagrama de circuito que utiliza un transistor BJT de potencia se muestra en la figura 4.3a. La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 se inicia cuando el transistor Q1 se conecta en t = 0, la corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L, del capacitor de filtro C y de la resistencia de la carga R. el modo 2 comienza cuando el transistor Q1 se desconecta en t = t1. El diodo de conmutacin de marcha libre Dm conduce debido a la energa almacenada en el inductor L y la corriente en el inductor L continua fluyendo a travs de L, C, la carga y el diodo Dm. La corriente en el inductor decrece hasta que en el siguiente ciclo el transistor Q1 se vuelve a activar. Los circuitos equivalentes correspondientes a los modos de operacin, se muestran en la figura 4.3b y las formas de onda correspondientes a los voltajes y las corrientes aparecen en la figura 4.3c para un flujo continuo de corriente en el inductor L. dependiendo de la frecuencia de conmutacin, de la inductancia del filtro y de su capacitancia, la corriente del inductor puede ser discontinua.

82

Figura 4.3.-Diagrama representativo de un regulador Buck (Reductor).

83

VD Vs t1 0 I2 IL I1 0 is I2 t iL kT T DI t2

I1 0 I2 - Ia 0 I1 - Ia -Vc = -Vo DVc (1-k) T ic

Is t

Va

0 Ia io kT T

Figura 4.3c.- Formas de onda en regulador Buck con IL continua.

Considerando que el voltaje a travs del inductor L es, en general,

eL = L

di dt

84

Si suponemos que la corriente del inductor L se eleva linealmente desde I 1 hasta I2 en el tiempo t1,

Vs - Va = L

I 2 - I1 DI =L t1 t1

Ecuacin

(4-1)

Es decir,

t1 =

DI L Vs - Va

Ecuacin

(4-2)

y la corriente del inductor se abate linealmente desde I2 hasta I1 en el tiempo t2,

DI -Va = - L t2
O bien

Ecuacin

(4-3)

t2 =

DI L Va

Ecuacin

(4-4)

Donde DI = I2 -I1 es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L, igualando el valor de DI en las ecuaciones (4-1) y (4-3), obtenemos:

DI =

(Vs - Va ) t1 Va t 2 = L L

Si sustituimos t1 = kT y t2 = (1-k) T, obtenemos el voltaje promedio de salida como:

t V a = V s1 = T

kVs

Ecuacin

(4-5)

85

Si suponemos un circuito sin perdidas, VsIs = VaIa = kVsIa y la corriente promedio de entrada.

I s= k I a
El periodo de conmutacin T se puede expresar como:

Ecuacin

(4-6)

T=

1 D I L D I L D I L Vs = t 1+ t 2 = + = f Vs - Va Va Va ( - Va ) Vs

Ecuacin

(4-7)

Lo que nos da la componente ondulatoria de la corriente de pico a pico como:

DI =

Va(Vs - Va ) fLVs

Ecuacin

(4-8)

Es decir,

DI =

Vsk (1- k ) fL

Ecuacin

(4-9)

Utilizando la ley de corrientes de Kirchhoff, podemos escribir la corriente del inductor I L como:

i L = ic + i a
Si suponemos que la componente de la corriente ondulatoria de la carga Dio es muy pequea y despreciable, DiL = Dic. La corriente promedio del capacitor, que fluye para t1/2 + t2/2 = T/2, es:

IC =

DI 4

86

El voltaje del capacitor se expresa como

vC =

1 i dt + vc (t = 0) C c

Y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es

D Vc = v c - v c (t = 0) =

1 C

T /2

DI DI T DI dt = = 4 8C 8fC

Ecuacin

(4-10)

Si sustituimos el valor de Di de la ecuacin (4-8) o (4-9) en la ecuacin (4-10), obtenemos

D Vc =

Va (Vs - Va ) 8LCf 2Vs

Ecuacin

(4-11)

Es decir,

D Vc =

Vs k (1- k ) 8LCf 2

Ecuacin

(4-12)

El regulador Buck requiere de un solo transistor, es sencillo y tiene una alta eficiencia, mayor del 90%. La di/dt de la corriente de carga esta limitado por la corriente del inductor L. sin embargo, la corriente de entrada es discontinua y por lo general se requiere de un filtro suavizante de entrada. Proporciona una polaridad de voltaje de salida y corriente unidireccional de salida. En caso de un posible corto circuito a travs de la trayectoria del diodo, requiere de un circuito de proteccin.

87

4.2.1b.- TOPOLOGIA DE REGULADOR BOOST (Elevador de voltaje).

En un regulador BOOST, el voltaje de salida es mayor que el voltaje de entrada, en la figura 4.4a aparece un regulador elevador que utiliza un MOSFET de potencia. Al igual que en el regulador BUCK, la operacin se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se activa el transistor M1 en t = 0. La corriente de entrada que se eleva, fluye a travs del inductor L y del MOSFET M1. El modo 2 empieza cuando se desconecta el transistor M1 en t = t1. La corriente que estaba fluyendo a travs de l transistor fluir ahora a travs de L, C, la carga y el diodo Dm. La corriente del inductor se abate hasta que inicia el siguiente ciclo y se vuelve a activar el transistor M1. La energa almacenada en el inductor L es transferida a la carga. Los circuitos equivalentes para este modo de operacin se muestran en la figura 4.4b y las formas de onda correspondientes a los voltajes y las corrientes se muestran en la figura 4.4c, para una corriente continua en la carga.

88

Figura 4.4.- Diagrama representativo de un regulador Boost (Elevador).

89

VD Vs

0 ia, iL I2 DI I1 0 t i1 I2 kT T t

I1 0 ic I2 - Ia 0 Ia vc t

Va

DVc

0 Io Ia 0 kT T

Figura 4.4c.- Formas de onda en regulador Boost con IL continua.

Si suponemos que la corriente del inductor se leva linealmente desde I 1 hasta I2 en el tiempo t1,

Vs = L

I 2 - I1 DI =L t1 t1

Ecuacin

(4-13)

90

O bien,

t1 =

DI L Vs

Ecuacin

(4-14)

Y la corriente del inductor se abate linealmente desde I2 hasta I1 en el tiempo t2,

DI V s- V a= - L t2
O bien,

Ecuacin

(4-15)

t2 =

DI L (Va - Vs )

Ecuacin

(4-16)

Donde DI = I2 I1 es la corriente de la componente ondulatoria de pico a pico del inductor L. de las ecuaciones (4-13) y (4-15)

DI =

Vs t1 (Va - Vs ) t 2 = L L

Si sustituimos t1 = kT y t2 = (1-k) T obtenemos el voltaje promedio de salida

Va = Vs

T Vs = t 2 (1- k )

Ecuacin

(4-17)

Si sustituimos un circuito sin perdidas, VsIs = VaIa = VsIa/ (1-k) y la corriente promedio de entrada es

Is =

Ia (1- k )

Ecuacin

(4-18)

91

El periodo de conmutacin T se puede determinar a partir de

T=

D I I L Va DI IL 1 DI L = t1 + t 2 = + = f Vs (Va - Vs ) Vs (Va - Vs )

Ecuacin

(4-19)

Y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico

DI =
o bien,

Vs (Va - Vs ) fLVa

Ecuacin

(4-20)

DI =

Vs k fL

Ecuacin

(4-21)

Cuando el transistor esta activo, el capacitor suministra la corriente de carga para t = t 1. La corriente promedio del capacitor durante el tiempo t1 es Ic = Ia y el voltaje de la componente ondulatoria de pico a pico del capacitor es:

1 D Vc = v c - v c (t = 0) = C

1 Icdt = C 0

t1

I
0

t1

I a t1 C

Ecuacin

(4-22)

La ecuacin (4-17) da t1 = (Va - Vs) / (Vaf), sustituyendo t1 en la ecuacin (4-22) obtenemos

D Vc =

I a (Va - Vs ) VafC

Ecuacin

(4-23)

Es decir,

D Vc =

Iak fC

Ecuacin

(4-24)

92

Un regulador Boost puede subir el voltaje de salida sin necesidad de un transformador. Debido a que solo tiene un transistor, su eficiencia es alta. La corriente de entrada es continua. Sin embargo, a travs del transistor de potencia de fluir una corriente pico alta. El voltaje de salida es muy sensible a cambios en el ciclo de trabajo k y puede resultar difcil estabilizar el regulador. La corriente de salida es menor que la corriente promedio del inductor en un factor (1 k), y una corriente rms mucho mas alta fluir a travs del capacitor de filtro, dando como resultado el uso de un capacitor y un inductor de valor mayor que los correspondientes en un regulador reductor.

4.2.1c.- REGULADOR BUCK-BOOST (Reductor-Elevador de voltaje).

Un regulador Buck-Boost suministra un voltaje de salida que puede ser menor o mayor que el voltaje de entrada, la polaridad del voltaje de salida es opuesta a la del voltaje de entrada. Este regulador se conoce tambin como regulador inversor. En la figura 4.5a aparece la configuracin del circuito Buck-Boost.

La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1, el transistor Q1 esta activo y el diodo Dm tiene polarizacin inversa. La corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L y del transistor Q1. Durante el modo 2, el transistor Q1 es conmutado y la corriente, que flua a travs del inductor L, fluir a travs de L, C, Dm y la carga. La energa almacenada en el inductor L se transferir a la carga y la corriente se abatir en el inductor hasta que el transistor Q1 vuelva a

activarse en el siguiente ciclo. Los circuitos equivalentes para los modos se muestran en la figura 4.5b y las formas de onda para los regimenes en estado permanente de corrientes y voltajes del regulador, aparecen en la figura 4.5c, para una corriente de carga continua.

93

Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde I 1 hasta I2 en el tiempo t1

Vs = L

I 2 - I1 DI =L t1 t1

Ecuacin

(4-25)

O bien,

t1 =

DI L Vs

Ecuacin

(4-26)

Y que la corriente del inductor se abate linealmente desde I 2 hasta I1 en el tiempo t2,

DI V a= - L t2
Es decir,

Ecuacin

(4.27)

t2 = -

DI L Va

Ecuacin

(4-28)

Donde DI = I2 I1 es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L. A partir de las ecuaciones (4-25) y (4-27),

DI =

Vs t1 V t =- a 2 L L

Si sustituimos t1 = kT y t2 = (1 k) T, el voltaje de promedio de salida es,

Va = -

Vs k (1- k )

Ecuacin

(4-29)

94

Si suponemos un circuito sin perdidas, VsIs = -VaIa = VsIak / (1 k) y que la corriente promedio de entrada Is esta relacionada con la corriente promedio de salida Ia mediante la formula,

Is =

Ia k (1- k )

Ecuacin

(4-30)

El periodo de conmutacin T puede determinarse a partir de,

T=

1 D I L D I L D I L (Va - Vs ) = t1 + t 2 = = f Vs Va VaVs

Ecuacin

(4-31)

y lo anterior nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico

DI =

VaVs fL(Va - Vs )

Ecuacin

(4-32)

O bien,

DI =

Vs k fL

Ecuacin

(4-33)

Cuando el transistor Q1 esta activo, el capacitor de filtro proporciona la corriente de carga durante t = t1. La corriente promedio de descarga del capacitor es Ic = Ia y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es,

1 D Vc = C

1 Icdt = C 0

t1

I dt =
a 0

t1

I at1 C

Ecuacin

(4-34)

95

La ecuacin (4-29) da t1 = Va / f (Va - Vs) y la ecuacin (4-34) se convierte en,

D Vc =

I aVa fC (Va - Vs )

Ecuacin

(4-35)

O bien,

D Vc =

Iak fC

Ecuacin

(4-36)

Un regulador Buck-Boost suministra inversin de polaridad de voltaje de salida sin necesidad de un transformador. Tiene alta eficiencia. En caso de una falla del transistor, di/dt de la corriente de falla queda limitado por el inductor L y ser V s/L. Seria fcil poner en practica la proteccin en corto circuito de la salida. Sin embargo, la corriente de entrada es discontinua y a travs del transistor Q1 fluye una corriente de pico alta.

96

Figura 4.5.- Diagrama representativo de un regulador Buck-Boost (Reductor-Elevador).

97

V
D

Vs t2 0 t -Vs iL I2 DI I1 0 t i1 I2 kT T t2

I1 0 ic I2 - Ia 0 -Ia vc t

-Va

DVc

0 Io Ia 0 kT T

Figura 4.5c.- Formas de onda en regulador Buck-Boost con IL continua.

98

4.2.2.- FUENTES DE PODER CONMUTADAS CON AISLAMIENTO POR TRANSFORMADOR.

Como se ha podido ver en las topologas de reguladores sin aislamiento por transformador, los semiconductores son los encargados de proveer el aislamiento en DC desde la entrada hasta la salida. Los semiconductores tienen un relativo bajo voltaje de ruptura y exhiben el peor tiempo medio entre fallas (MTBF) de todos los componentes dentro de una fuente de poder dada, lo anterior no es porque los transistores de potencia hayan sido manufacturados incorrectamente, sino por factores como el calentamiento y espordicas condiciones de funcionamiento adverso, tales como transitorios de voltaje y corriente.

En las topologas que usan aislamiento por transformador dependen de una barrera dielctrica fsica provista por un alambrado con recubrimiento aislante. La energa pasa a travs de un material de ferrita no conductivo, previo a alcanzar la salida. Este aislamiento por transformador puede alcanzar muchos miles de volts antes de fallar y provee una segunda barrera dielctrica en caso de falla de los semiconductores. Esto disminuye grandemente las fallas por efecto domino, cuando esto llega a ocurrir dentro del producto final.

Haciendo una inspeccin detallada podremos darnos cuenta que los reguladores con aislamiento por transformador funcionan de forma anloga a los reguladores sin aislamiento. Similarmente, hay reguladores en modo Forward y Flyback como en las topologas sin aislamiento por transformador. En las topologas con aislamiento por transformador, el transformador provee ahora las funciones de elevar o disminuir el voltaje dentro de la fuente de poder. El transformador proporciona una segunda gran ventaja y esta es la de agregar mltiples salidas sin la necesidad de agregar reguladores separados para cada salida. Lo anterior hace que los reguladores con topologa de aislamiento por transformador sean virtualmente la eleccin ms atractiva para todas las aplicaciones.

99

La salida del inversor, que varia mediante una tcnica PWM, es convertida a un voltaje CD mediante un rectificador de diodos. Dado que el inversor puede operar a muy altas frecuencias, las componentes ondulatorias del voltaje de salida en CD pueden filtrarse fcilmente mediante filtros pequeos.

4.2.2a.- TOPOLOGIA DE CONVERTIDOR FLYBACK.

La topologa para el regulador Flyback la podemos observar en la figura 4.6a. El anlisis de funcionamiento para este regulador se inicia cuando el transistor Q1 se activa, el voltaje de alimentacin aparece a travs del primario del transformador y se induce un voltaje correspondiente en el secundario. Cuando Q1 esta inactivo, se induce un voltaje de polaridad opuesta en el primario por efectos del voltaje secundario, debido a la accin de transformacin. El voltaje mnimo del circuito abierto del transistor es Voc = 2Vs, si Is es la corriente promedio de entrada con componente ondulatoria despreciable y el ciclo de trabajo es k = 50%, la corriente pico del transistor es Ip = Is / k = 2Is. La corriente de entrada es pulsatoria y discontinua.

Sin la presencia del diodo D1, fluira una corriente de CD a travs del transformador. Cuando Q1 esta inactivo, el diodo D1 y el capacitor C1 restablecen el ncleo del transformador. C1 se descarga a travs de R1, cuando D1 esta inactivo en cada ciclo se pierde energa. Este circuito es muy sencillo y esta restringido a aplicaciones por debajo de 500 watts. Se trata de un convertidor en modo directo que requiere de un lazo de retroalimentacin de control de voltaje.

El ncleo del transformador tambin se puede restablecer instalando un embobinado de restablecimiento como el mostrado en la figura 4.6b, donde la energa almacenada en el ncleo del transformador es devuelta a la alimentacin aumentando as la eficiencia.

100

El voltaje en circuito abierto del transistor de la figura 4.6b, es.

Voc = Vs (1 +

Np ) Nr

Ecuacin

(4-37)

Donde Np y Nr son el nmero de vueltas de los bobinados primario y de restablecimiento. La relacin de vueltas de restablecimiento esta relacionada con el ciclo de trabajo segn la formula. Para un ciclo de trabajo k = 0.8, Np / Nr = 0.8 / (1 0.8) = 4 y el voltaje en circuito abierto se convierte en Voc = Vs (1 + 4) = 5Vs. El voltaje en circuito abierto del transistor es mucho ms alto que el voltaje de alimentacin.

Figura 4.6a.- Convertidor Flyback.

101

Figura 4.6b.- Convertidor Flyback con bobinado de restablecimiento.

4.2.2b.- CONVERTIDOR PUSH-PULL.

La configuracin Push-Pull o contrafase la podemos ver en la figura 4.7. El funcionamiento de este convertidor se inicia cuando Q1 se activa y Vs aparece a travs de una mitad del primario. Cuando Q2 se activa, Vs es aplicado a travs de la otra mitad del transformador. El voltaje del bobinado primario oscila desde Vs hasta Vs. La corriente promedio a travs del transformador debera idealmente ser cero. El voltaje promedio de salida es

Vo = V 2 =

Ns V = aV 1= aVs Np 1

Ecuacin

(4-38)

102

Los transistores Q1 y Q2 operan con un ciclo de trabajo del 50%. El voltaje en circuito abierto, es Voc = 2Vs, la corriente promedio de un transistor, IA = IS/2 y la corriente pico del transistor, IP = IS. Dado que el voltaje en circuito abierto del transistor es dos veces el voltaje de suministro, esta configuracin es adecuada para aplicaciones en bajo voltaje.

Figura 4.7.- Convertidor Push-Pull.

4.2.2c.- CONVERTIDOR MEDIO PUENTE.

En la figura 4.8 podemos apreciar el circuito medio puente. En este circuito, cuando Q1 esta activo, Vs/2 aparece a travs del primario del transformador. El voltaje del primario oscila desde Vs/2 hasta Vs/2. el voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vs y la corriente pico del transistor es Ip = 2Is. La corriente promedio del transistor es IA = Is. En aplicaciones de alto voltaje, el circuito medio puente es preferible al circuito Push-Pull. Sin embargo, para aplicaciones en bajo voltaje, el circuito Push-Pull es preferible debido a las bajas corrientes del transistor. El voltaje promedio de salida es

103

Vo = V 2 =

Ns V = aV 1= 0.5aVs Np 1

Ecuacin

(4-39)

Figura 4.8.- Regulador medio puente.

4.2.2d.- CONVERTIDOR PUENTE COMPLETO.

El circuito del convertidor en puente completo se muestra en la figura 4.9, cuando Q1 y Q2 estn activos, Vs aparece a travs del primario. Cuando Q3 y Q4 estn activos, el voltaje en el bobinado primario se invierte a Vs y el voltaje primario de salida es

V o= V = 2

Ns V = a V= s V a 1 Np 1

Ecuacin

(4-40)

El voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vs y la corriente pico del transistor Ip = Is. La corriente promedio del transistor es solo IA = Is/2. De todas las

104

configuraciones, este circuito opera con los menores esfuerzos de voltaje y de corriente en los transistores, y es muy popular para aplicaciones de alta potencia por arriba de 750 watts.

Figura 4.9.- Convertidor puente completo.

105

CAPITULO V
CONSIDERACIONES FINALES.

La decisin de usar ya sea una fuente de poder lineal o una fuente de poder conmutada depende de las necesidades de la aplicacin. Ambos tipos de fuentes de poder tienen distintos meritos en ciertas reas de aplicacin. As, a fin de usar el tipo de fuente mas apropiada para una aplicacin particular, es necesario entender los requerimientos elctricos y el costo del producto final para elegir el tipo de fuente de poder que mejor satisfaga estos requerimientos.

Las fuentes de poder lineales ofrecen en su diseo tres ventajas importantes en su diseo:

1.- La primera ventaja es su simplicidad, ya que, se puede adquirir un regulador lineal completo en un solo encapsulado y simplemente agregar dos filtros a capacitor para almacenamiento y estabilidad. La tecnologa actual es suficientemente madura para permitir duplicar el diseo desde un libro con muy poco esfuerzo.

2.- La segunda ventaja es su operacin poco ruidosa y su capacidad en el manejo de carga. Una fuente de poder lineal genera poco o nada de ruido elctrico en su salida y su tiempo de respuesta a cargas dinmicas es muy corto (tiempo que toma para responder a los cambios de corriente que demanda la carga).

3.- La tercera ventaja es que, para salidas de potencia de menos o aproximadamente 10 watts, el costo de sus componentes y manufactura son menores que su comparable fuente de poder conmutada.

106

Las desventajas de una fuente de poder lineal son aquellas que limitan su rango de aplicacin. En su diseo no se pueden eliminar estos defectos, pero se puede intentar minimizarlos.

1.- Pueden ser usados como reductores de voltaje, esto significa que el voltaje de entrada al regulador debe ser por lo menos dos o tres veces ms alto que el voltaje requerido en la salida. Esto significa, que en situaciones fuera de lnea de 50 o 60 Hz, se debe colocar antes un transformador con rectificacin y filtraje; lo que aumenta el costo del sistema.

2.- Un regulador lineal solo puede tener una salida de voltaje, ya que para cada salida de voltaje requerida, un regulador lineal completo debe ser agregado. Este requerimiento de mltiples salidas de voltaje eleva una vez ms el costo del sistema.

3.- La mayor desventaja es el promedio de eficiencia de un regulador lineal cuya eficiencia promedio esta entre 30 y 60 %. Esto significa que por cada watt entregado a la carga, ms de un watt se pierde dentro de la fuente. Estas perdidas ocurren principalmente en el transistor de paso, lo que hace necesario agregar disipadores adecuados para disipar el calor generado por el transistor de paso, debido a la alta demanda de corriente. Para un mayor manejo de corriente de carga en funcin del voltaje de alimentacin, es necesario a veces sobredimensionar el tamao del disipador, para poder manejar potencias de alrededor de 10 watts, llegando a ser prohibitivo el costo del disipador y por lo tanto el costo de la fuente.

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Las fuentes de poder conmutadas evitan o eliminan los defectos que tienen las fuentes de poder lineales en su diseo, agregando las siguientes ventajas.

1.- Las fuentes de poder conmutadas exhiben actualmente eficiencias entre 70 y 95 % independientemente del voltaje de entrada. Esto reduce drsticamente el tamao de los disipadores, de ah su costo. Los transistores de potencia trabajan en su ms eficiente punto de operacin (corte y saturacin). Esto significa que los transistores de potencia pueden desarrollar potencia ms all de su rango de operacin hacia la carga y mas econmicamente. Ya que el voltaje de entrada es muestreado en una forma de onda de AC y colocado en un elemento magntico, bobinados adicionales pueden agregarse para proveer mas de una salida de voltaje. El incremento adicional en el costo por cada salida de voltaje agregada es muy pequeo comparado con el costo final del producto, y en el caso de fuentes de poder con aislamiento por transformador, los voltajes de salida son independientes de la entrada de voltaje. Esto significa que el voltaje de entrada puede variar arriba y/o abajo del nivel del voltaje de salida sin afectar la operacin de la fuente.

2.- La mayor ventaja estriba en su tamao y su costo para mayores niveles de potencia de salida. Ya que su frecuencia de operacin es mucho mas grande que los 50 o 60 Hz de la frecuencia de la lnea, y los elementos magnticos y capacitores usados para almacenar energa son mucho mas pequeos y el costo para construir una fuente de poder conmutada llega a ser mucho menor que el de una fuente de poder lineal para niveles de potencia mucho mayores, haciendo a una fuente de poder que utilice tcnicas de conmutacin, mucho mas verstil para un amplio rango de aplicaciones.

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Las desventajas de una fuente de poder conmutada suelen ser mucho menores que en una fuente de poder lineal y usualmente son superadas por las ventajas en su diseo.

1.- Su diseo es mucho mas complicado que su comparable lineal. Si una fuente conmutada debe ser comprada fuera de un empaque predeterminado para adaptarla a las necesidades de un producto particular, entonces debe ser diseada. En este punto el tiempo que toma disear una fuente de poder conmutada confiable que se adapte a las necesidades puede ser bastante considerable, y si esto es lo ultimo que se tiene para emprender el diseo de una fuente de poder, la curva de aprendizaje agregara ms tiempo a este tiempo. No debemos creer que disear una fuente de poder conmutada es como un libro de cocina; se deben tener muchas mas consideraciones en cuenta, aun si hay un diseo publicado que pueda reunir los requerimientos del producto. Un diseador experimentado puede tomarle un mnimo de tres a seis meses (dependiendo de la complejidad), disear un prototipo y probarla antes de liberar el diseo para produccin. Este plan de trabajo implica un gran esfuerzo para perfeccionar el diseo previo a la produccin. Obviamente este esfuerzo va acompaado de un costo, el cual debe ser considerado parte del escenario durante la planeacin del programa de diseo.

2.- El ruido generado en sus salidas y la entrada por una fuente de poder conmutada es considerable y es radiado al medioambiente. Este es difcil de controlar y no puede ser ignorado durante la fase de diseo, es verdad que puede haber soluciones simples a este problema, como la de agregar filtraje adicional y un blindaje para limitar los efectos del ruido en la carga y el medioambiente, esto agrega un costo adicional a la fuente.

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3.- Ya que en una fuente de poder conmutada se toman muestras del voltaje de entrada en pulsos de energa de tiempo limitado, el tiempo que le toma a la fuente conmutada en responder a cambios en la carga y en la entrada, es ms lento que en una fuente de poder lineal. A esto se le llama tiempo de respuesta a transitorios, para compensar esta lentitud de respuesta, los capacitores carga de salida usualmente deben incrementarse en valor para almacenar la energa que se necesita en la carga durante el tiempo que le toma a la fuente ajustar su potencia de salida. Esto tambin agregara un costo adicional, pero estas desventajas estn bajo el control del diseador y su impacto en la fuente de poder y el sistema pueden ser minimizados.

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5.1.- CONCLUSIONES.

En general, la industria ha establecido reas donde las fuentes de poder lineales y conmutadas pueden ser aplicadas. As, las fuentes lineales, son elegidas para aplicaciones de baja potencia, regulacin a nivel de tarjetas donde la distribucin de potencia del sistema dentro de un producto es altamente variable y las necesidades de la alimentacin de voltaje de la carga son restringidas, tambin son usadas en circuitos donde es necesaria una fuente de voltaje de alimentacin no ruidosa, tal como en circuitos analgicos, de audio o de interfase donde se requiere bajo costo y los problemas por la generacin de calor no son un problema.

Las fuentes de poder conmutadas son usadas en aplicaciones donde la eficiencia de la fuente de alimentacin es necesaria y la disipacin de calor representa un problema. Tal como aplicaciones donde hay respaldo con bateras, donde la vida de las bateras y la generacin de calor interno y externo son importantes, las fuentes fuera de lnea, tambin son bsicamente conmutadas debido a su eficiencia y a la generacin de todos los voltajes necesarios dentro de un producto, especialmente en aplicaciones de alta potencia, hasta muchos kilowatts.

En resumen, debido a su versatilidad, eficiencia, tamao y costo, las fuentes de poder conmutadas son preferidas actualmente en la mayora de las aplicaciones, los avances en la tecnologa de los componentes y en el desarrollo de nuevos diseos en las topologas agregara aun ms ventajas en sus diseos para la mayora de las aplicaciones electrnicas.

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GLOSARIO

Acoplamiento magntico: influencia mutua entre dos inductores o ms que causa que aparezca un campo magntico en una bobina cuando circula corriente por otra. Admitancia: valor inverso de la impedancia. Mide la capacidad de un elemento o rama en un circuito paralelo de permitir el paso de la corriente alterna. Agotamiento (Zona de): parte del semiconductor, cercano a la juntura en donde no existen portadores de carga. Alineal: circuito que con un pequeo cambio en la entrada causa un gran cambio en la salida (Los transistores y diodos son alinales). Ampere (A): unidad de medicin de la corriente elctrica. 1 Ampere = 1 coulombio/seg. Amplitud: valor pico de una onda. En ondas simtricas es el valor de la mitad del valor pico a pico. Angulo de disparo: ngulo elctrico en que las compuertas de un tiristor se encienden. Angulo de fase: es la diferencia de fase entre dos ondas senoidales, usualmente debido a que en el circuito existen capacitores o inductores. nodo: electrodo positivo. Atenuacin: el valor por el cual la potencia de una seal disminuye en un filtro o una red de dos puertos. Usualmente se expresa en decibeles (dB). Autotransformador: un transformador donde una parte del devanado es comn tanto al primario como al secundario. Beta (b): relacin que existe entre los valores de las corrientes del colector y la base de un transistor (ganancia). Bobina (inductor): elemento que reacciona contra los cambios en la corriente a travs de el, generando una tensin que se opone a la tensin aplicada y es proporcional al cambio de la corriente. Bobinado: cada uno de los lados de un transformador, realizado con varias espiras enrolladas sobre un ncleo magntico. Estos bobinados se llaman primario y secundario respectivamente.

CA (corriente alterna): corriente elctrica que cambia su amplitud en forma peridica con el tiempo. Cambio de fase: alteracin que produce un elemento reactivo en la fase de la tensin o la corriente. Campo magntico: distribucin de la energa magntica en el espacio, creado por un imn o por el flujo de la corriente a travs de un inductor. Capacitor de paso: es un capacitor que tiene por finalidad mantener la alta ganancia en CA. La ganancia en CC, es reducida con ayuda de una resistencia de realimentacin. CC: corriente continua. Circuito equivalente (de fuentes y resistencias): circuito en donde todas las fuentes de alimentacin son representadas por una sola fuente equivalente y todas las resistencias de carga son representadas por una sola resistencia equivalente. Circuito paralelo: circuito que permite ms de un paso posible para la corriente, cada paso o camino con diferentes elementos. Circuito serie: circuito que solo permite un solo paso posible para corriente, el paso o camino con uno o mas elementos. Coeficiente de acoplamiento del transformador: parmetro (k) de un transformador. Conductancia: es el valor inverso de la resistencia y su unidad de medida es el siemens o Mho. Control de fase: capacidad de decidir que parte del ciclo de CA ser conducido. Propiedad que hace tiles a los tiristores. Convertidor Tensin-Corriente: configuracin caracterizada por una entrada de voltaje y una salida de corriente, en donde la segunda es proporcional a la variacin de la primera. Corte: estado en el que la tensin base-emisor en un transistor, no es suficiente para polarizar el transistor en su unin base-emisor. Como consecuencia no hay corriente en el emisor del transistor. Se dice que el transistor no conduce o esta abierto. Corriente: cantidad de carga que circula por un conductor por unidad de tiempo, Q / t. I=

Coulombio: unidad de medicin de la carga elctrica. Un coulombio tiene una carga de 6.28 x 1028 electrones.

Curva caracterstica: cada una d las curvas que describen la operacin de un dispositivo o circuito en distintas condiciones de polarizacin y carga. Decibel (dB): expresa una razn de cantidades y no una cantidad. Expresa cuantas veces mas o cuantas veces menos, pero no la cantidad exacta. Desfase: la diferencia de fase entre dos ondas senoidales, usualmente debido a la presencia de capacitores o inductores en el circuito: Desplazamiento: pequea desviacin de una salida del valor terico esperado, debido al no acoplamiento adecuado entre los componentes internos. Distorsin: alteracin de una forma de onda original por algn elemento del circuito o agente externo. Disipador de calor (heatsink): dispositivo metlico utilizado para irradiar el calor generado por componentes electrnicos. Divisor de tensin: arreglo en serie de resistencias, en donde la tensin aplicada al conjunto es dividida entre las resistencias de manera proporcional a los valores de estas. Encapsulado: envoltura que protege a los semiconductores y que permite que estos se puedan manejar cmodamente, adems de protegerlos. Esttica (electricidad): cargas elctricas en reposo, capaces de generar grandes diferencias de tensin. Factor de potencia: es la relacin que existe entre la potencia real dada y la potencia aparente. Faradio (F): unidad de capacidad de un condensador. Fase: posicin de una forma de onda con respecto a otra de la misma frecuencia, expresada en grados. Ferrita: material magntico en polvo que se comprime y moldea con la forma deseada, utilizado como ncleo de bobinas o transformadores y que permite un alto Q a altas frecuencias. FET (Field Effect Transistor): transistor de efecto de campo en el que el flujo de electrones que circula entre fuente (S) y drenador (D) es controlado por una tensin aplicada en la compuerta (G). Filtro: circuito selectivo que slo deja pasar frecuencias determinadas, bloqueando todas las otras.

Forma de onda senoidal: una forma de onda de tensin o corriente que tiene la siguiente expresin matemtica: Vp = Vsen (wt). Frecuencia de resonancia: es la frecuencia donde los efectos reactivos se cancelan y la impedancia o admitancia alcanza su valor mnimo. Fuente comn: modo de operacin de un FET (transistor de efecto de campo) en que la entrada es tomada entre compuerta y fuente, y la salida entre drenaje y fuente. Se obtiene una gran ganancia tanto de tensin cono de corriente. Fusible: Dispositivo de proteccin que abre el circuito cuando hay un consumo de corriente mayor al esperado. G (conductancia): inverso de la resistencia, que mide la capacidad de un elemento de conducir corriente G = 1 / R. Ganancia de corriente: relacin entre la corriente de salida y la corriente de entrada en un circuito amplificador. Ganancia de tensin: relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada en un circuito amplificador. Hall (efecto): desarrollo de una tensin en un metal o semiconductor cuando se encuentra en las inmediaciones de un campo magntico. Hertz (Hz): unidad de medida de la frecuencia, equivale a 1/segundo. Impedancia: oposicin que representa un componente o componentes al paso de la corriente alterna. Impedancia de entrada (Zi): impedancia observada al medir un circuito entre sus terminales de entrada. Inductor: elemento en forma de bobina que reacciona contra los cambios en la corriente a travs de el, generando una tensin que se opone a la tensin aplicada y que es proporcional al cambio de la corriente. Instrumentacin: termino utilizado para referirse a todas aquellas aplicaciones que exigen alta precisin, como telemetra, control de procesos o trafico de telecomunicaciones, etc. Inversor: dispositivo que convierte CA a CD o viceversa. Lazo abierto: configuracin en la que un circuito opera sin una realimentacin de control.

Lazo cerrado: configuracin mediante la cual una muestra de la seal de salida es sumada a la entrada para realizar un ajuste. Limitador de corriente: circuito que mide de manera constante la corriente de salida y evita que esta sobrepase un valor mximo definida con anterioridad. Lineal (sistema): sistema o circuito en que la salida crece o decrece proporcionalmente a la entrada. Mxima transferencia de potencia: condicin en la cual una resistencia de carga no puede obtener mas potencia de la fuente. Este caso se presenta cuando la resistencia de carga es igual a la resistencia interna de la fuente. Modulador: dispositivo que vara la amplitud, frecuencia o fase de una seal AC. Ohm (ohmio): unidad de medida de la resistencia elctrica, representada por la letra griega W. Oscilador: dispositivo o circuito que produce una seal de tensin alterna peridica. Osciloscopio: instrumento de precisin utilizado para la medicin de la amplitud y le periodo de seales variables en el tiempo. Polarizacin: uso de fuentes de alimentacin externas, para proveer de energa a un dispositivo o circuito y establecer sus lmites de operacin. Potencia: la velocidad con la que se consume o suministra energa de un sistema. Potencia = energa/tiempo, la unidad de medida es el Watt o Vatio. Potencimetro: es un elemento de tres terminales que funciona como dos resistencias variables en serie, pero la suma de ellas siempre permanece constante. Push-Pull: en las topologas de fuentes de poder conmutadas. Es aquella en la que se usan dos transistores de potencia que se alternan en su activacin bajo el dominio de un circuito que controla el periodo de conduccin de los mismos. Reactancia: oposicin que presenta un dispositivo almacenador de energa, tal como un capacitor o una bobina, al flujo de la corriente alterna. Se mide en ohms. Realimentacin: la realimentacin permite tomar una muestra de la salida y sumarla a la entrada, permitiendo a un circuito o dispositivo mantener su salida dentro de un lmite de manera forzada, a travs de un circuito de control. Realimentacin negativa: es el uso de componentes pasivos con el propsito de mejorar la estabilidad y la respuesta en frecuencia de un sistema o circuito sin sacrificar, si es posible, la ganancia.

Reciprocidad Teorema: teorema til para la simplificacin de circuitos lineales pasivos. Rectificador: circuito que convierte la corriente alterna CA, en corriente continua CC. Regin de ruptura: regin en la que el diodo semiconductor se encuentra polarizado inversamente mas haya de la tensin de ruptura. Un diodo comn se destruira, pero un diodo zener regulara una tensin fija. Regulacin: medida de la calidad de la seal en CC, entregada por un regulador ante variaciones de la carga. Se mide como la variacin en la tensin de salida ante condiciones extremas de carga (carga mxima y carga nula). Regulador conmutado: regulador que usa tcnicas PWM para proveer regulacin en CC, incrementando la eficiencia de la fuente de alimentacin. Regulacin de tensin: capacidad de un regulador de mantener una tensin dada, aun con cambios en la carga. Relacin de vueltas: cociente entre el nmero de espiras entre el bobinado primario y el bobinado secundario de un transformador. Np/Ns = Vp/Vs. Reluctancia: resistencia magntica, es el cociente del flujo y la fuerza magnetomotriz. Resistencia: es la medida de cuanto se opone un circuito al paso de la corriente elctrica a travs de el. Respuesta en frecuencia: la caracterstica de transferencia de un circuito en funcin de la frecuencia. Rizado (Ripple): onda en corriente alterna de baja amplitud, superpuesta sobre una seal rectificada. Retentividad: cantidad de magnetizacin que ferromagntico al quitarle la fuente magnetizante. permanece en un material

Saturacin: regin de funcionamiento de un transistor en que ambas junturas del transistor se encuentran polarizadas directamente, lo que causa que la tensin entre colector y emisor sea muy pequea (casi cero volts). Sobrecarga: es la condicin en que la carga pide ms corriente que la que puede suministrar la fuente de alimentacin. Si el circuito no tiene proteccin contra sobrecargas se puede daar. Superposicin: es un principio que comparten todos los sistemas lineales, que afirma que la salida causada por varias entradas a la vez es la suma de las salidas de cada entrada por separado.

Tensin de ruptura: tensin que provoca la ruptura de la unin PN en un diodo polarizado inversamente. Tensin RMS: valor de tensin en corriente continua que producir la misma potencia disipada en una resistencia. Termistor: dispositivo sensible a la temperatura, que tiene una resistencia con coeficiente de temperatura negativo. Si la temperatura se incrementa su valor de resistencia disminuye. Thevenin (equivalente): circuito formado por una fuente de tensin en serie con una resistencia, que es equivalente a un circuito. Tiempo de subida: tiempo en que la salida de un circuito pasa de un 10% a un 90% de su valor final, cuando a su entrada se aplica un escaln. Tiristor: familia de dispositivos semiconductores que incluyen a los SCRs, DIACs, TRIACs entre otros. Transformador: arreglo de dos o ms bobinados diseados para permitir que el campo magntico producido en uno de ellos genere una tensin en el o los otros. Vatio: medida de potencia. 1 vatio = 1 julio / segundo Voltio (Volt): unidad de medida de la diferencia de potencial o tensin elctrica. Watt: medida de potencia. 1 watt = 1 julio / segundo. Weber (Wb): unidad de medida de flujo magntico. Z (impedancia): oposicin de un circuito al paso de la corriente alterna. Zin (impedancia de entrada): oposicin a la corriente alterna que tienen los circuitos a la entrada de una seal, vista desde la entrada. Zout (impedancia de salida): oposicin a la corriente alterna que tiene un circuito, visto desde la salida.

ANEXOS

LISTA DE TERMINOS Y SIMBOLOS

Caractersticas elctricas, fsicas y de sealizacin de entrada.

Caractersticas Elctricas

Tensin de Entrada Nominal (Nominal Voltage) Aquella a la que est pensada para trabajar la fuente Rango de Tensin de Entrada (Voltage Range) El rango de tensiones de entrada en el cual el convertidor trabaja dentro de las especificaciones de diseo. Corriente de Entrada sin Carga (Current at No Load) La corriente que consume el convertidor cuando la corriente a la salida es cero y la tensin de entrada est en el valor ms bajo del rango de entrada. Corriente de Entrada a Plena Carga (Current at Full Load) La corriente que consume el convertidor cuando la corriente de salida es mxima y la tensin de entrada est en el valor ms bajo del rango de entrada. Rizado de la Corriente Reflejada (Rejected Ripple) La parte alterna de la corriente de entrada del convertidor. Caractersticas Fsicas

Proteccin Indica si el convertidor tiene internamente un fusible. Proteccin contra Tensin Inversa (Reverse Voltage Protection) Circuito incorporado en el convertidor para evitar daos provocados si se conecta la tensin de entrada con la polaridad invertida. Filtro Indica si el convertidor tiene internamente un circuito a la entrada para reducir el rizado de la corriente reflejada. Caractersticas de Sealizacin

Apagado Remoto (Remote Inhibit) Seal binaria que provoca la entrada en estado de reposo del convertidor.

Caractersticas elctricas, fsicas y de sealizacin de salida.

Caractersticas Elctricas

Potencia (Power) La potencia continua mxima que puede se obtenida a la salida del CCP. Regulacin de Linea (Line Regulation) El porcentaje de cambio de la tensin de salida provocado por la variacin mxima de la tensin de entrada dentro del rango de variacin. Regulacin de Carga (Load Regulation) El porcentaje de variacin de la tensin de salida provocado por la variacin de la carga. Regulacin Cruzada (Cross Regulation) En convertidores con mltiples salidas, la variacin de la tensin en una de las salidas provocada por el cambio de carga en otra de las salidas. Respuesta Transitoria (Transient Response) El tiempo mximo que tarda la tensin de salida en volver a los mrgenes de las especificaciones frente a un escaln de carga. Precisin de Establecimiento (Setting Accuracy) La diferencia porcentual entre la tensin de referencia actual y la tensin de salida para carga dentro del margen y tensin de entrada nominal. Rizado y Ruido (Ripple and Noise) La suma de todas las componentes de ruido de la seal de salida medidas pico a pico sobre un ancho de banda determinado. Deriva (Drift) Variacin de la tensin de salida a lo largo de un perodo de tiempo, independientemente de las variaciones de tensin de entrada, carga y temperatura. Coeficiente de Temperatura (Temperature Coeficient) El porcentaje de cambio de la tensin de salida por cambio de la temperatura externa en C promediado sobre el rango completo de temperatura de funcionamiento. Eficiencia (Eficiency) La relacin entre la potencia de salida y la potencia total de entrada expresada en porcentaje.

Tiempo de Mantenimiento (Hold Up Time) El tiempo mximo que el convertidor se mantiene dentro de los mrgenes de regulacin cuando desaparece la tensin de entrada y est entregando la potencia mxima a tensin nominal de entrada. Carga Mnima (Minimun Load) Corriente por debajo de la cual la regulacin del CCP no est garantizada. Corriente de Reposo (Shutdown Idle Current) Corriente consumida por el convertidor cuando est en reposo (standby). Proteccin por Regresin de Corriente (Foldback Current Limiting) Mtodo de limitacin de la corriente de salida mediante la reduccin de la tensin y la corriente de salida simultneamente. Caractersticas Fsicas

Salida Flotante (Floating Output) Una salida con su propia lnea de retorno aislada que no est referida a ninguna de las otras salidas o a la masa del sistema. Proteccin contra Sobretensiones (Overvoltage Protection) Circuito que detecta sobretensiones por encima de un determinado nivel a la salida y apaga el convertidor para evitar daos en la carga. Proteccin de Corto contra Sobrecarga (Crowbar Protection) Mtodo de proteccin que cortocircuita la salida cuando aparece una tensin excesiva. Proteccin contra Cortocircuitos (Short Circuit Protection) Limitacin automtica de la corriente de salida para prevenir daos en el convertidor cuando se establece un cortocircuito en los terminales de salida. Proteccin contra Sobrecarga (Overload Protection) Limitacin automtica de la corriente o de la potencia de salida para prevenir daos en el convertidor. Proteccin Trmica (Thermal Protection) Detector interno de temperatura que apaga el convertidor si esta supera un determinado lmite. Sensado Remoto (Remote Sense) Un mtodo de compensar el deterioro de la regulacin causado por la resistencia de los cables hasta la carga. Se lleva a cabo midiendo la tensin en la carga y usando la diferencia entre este valor y la referencia interna para regular la tensin de salida.

Caractersticas de Sealizacin

Fallo de Energa (Power Fault, Power Fail) Seal binaria que avisa que las salidas no estn dentro de los lmites de regulacin debido a un fallo de la fuente de energa de entrada. Alimentacin Correcta (Power Good, Output Good) Seal binaria que avisa que las salidas estn dentro de los lmites de regulacin.

General

Topologa El principio de diseo en el cual se basa el convertidor. Aislamiento (Isolation) La separacin elctrica entre la entrada y la salida expresada como una tensin continua de ensayo, y una resistencia con una capacidad en paralelo. Doble Aislamiento (Double Insulation) Aislamiento independiente aplicado al aislamiento bsico para reducir el riesgo de shock elctrico si falla el aislamiento primario. Rango de Temperatura (Operating Temperature, Range of) El rango de temperaturas en C sobre el cual el convertidor es capaz de trabajar de forma segura. Derating Reduccin de la potencia de salida necesaria para trabajar de forma segura a una determinada temperatura, expresada en % frente a C hasta la temperatura mxima de trabajo. Frecuencia de Conmutacin (fs) (Switching Frequency) Frecuencia del armnico fundamental de la seal de control del interruptor de potencia de la fuente. Extra-low Voltage (ELV) Circuit Un circuito elctrico secundario con diferencias de tensin entre cualesquiera dos conductores o un conductor y tierra nunca excede 42.4 Vca pico 60 Vcc bajo condiciones normales, que est separado de niveles de tensin peligrosos al menos por un aislante y que no rene todas las caractersticas de un SELV. Tensin Extra-Baja de Seguridad (TEBS) vease Extra-low Voltage (SELV) Circuit. Safety Extra-low Voltage Circuit (SELV) Circuito elctrico que trabaja sometido a TEBS.

HOJAS DE DATOS

Lista de Smbolos
b dinmica de compensacin de un lazo de realimentacin C condensador Ce; Cs condensador de entrada y de salida en un convertidor conmutado de d relacin de conduccin del interruptor controlado en un convertidor d conmutado

relacin de no conduccin del interruptor controlado en un convertidor conmutado

D diodo fc frecuencia de corte del filtro de salida de un convertidor conmutado

fp frecuencia de la seal triangular portadora fs frecuencia de conmutacin del interruptor controlado

fsen frecuencia de la seal senoidal moduladora ie corriente de entrada a un convertidor conmutado is corriente de salida de un convertidor conmutado

Ke constante de proporcionalidad aplicada a la tensin de entrada de un convertidor conmutado Ki constante de proporcionalidad aplicada a una corriente en un convertidor conmutado Ks constante de proporcionalidad aplicada a la tensin de salida de un convertidor conmutado L inductor Le; Ls inductor de entrada y de salida en un convertidor conmutado

L { } Transformada de Laplace *
M relacin de transformacin en un convertidor conmutado R resistor RC resistencia serie equivalente parsita del condensador

RL resistencia serie equivalente parsita del inductor RS resistencia de carga a la salida de un convertidor conmutado S interruptor controlado T perodo de conmutacin, transformador Tp perodo de conmutacin de la seal portador en el GTCc Ts perodo de conmutacin del interruptor controlado en un convertidor conmutado t1 perodo de conduccin del interruptor controlado t2 perodo de conduccin del diodo tdelta ancho del pulso de la seal modulada GTCc

tm perodo de conduccin de algn interruptor controlado o diodo para facilitar la desmagnetizacin de las bobinas acopladas del circuito tphi atraso del pulso respecto al comienzo de la seal portadora triangular en el GTCc

tpico instante en el que la seal triangular portadora alcanza su mximo valor u1;u2 tensin instantnea entre dos puntos del circuito

u1re f; u2re f tensin instantnea proporcional a la corriente del convertidor conmutado N, que se emplea de referencia uDC tensin instantnea cuya componente preponderante es continua ue tensin instantnea de entrada a un convertidor conmutado ue-maximo valor de la tensin instantnea a la salida del GTCc

Ue-minimo valor mnimo de la tensin de salida del GTCc ui tensin instantnea proporcional a la corriente en un convertidor tensiones mxima y mnima para el control adaptativo de la corriente

uLmax; uLmin media

uPWM tensin instantnea de la seal modulada PWM us tensin instantnea de salida de un convertidor conmutado

Usen tensin media asociada a una tensin senoidal Utri tensin media asociada a una tensin triangular U (t - tr) funcin Pulso Unitario de Heaviside ZC1; ZC2 impedancia de conexin entre un convertidor conmutado y la carga que alimenta ZL impedancia que representa la carga que alimenta un convertidor conmutado ZS1; ZS2 Impedancia de salida de un convertidor conmutado

LISTA DE SIGLAS
BJT Bipolar Junction Transistor CCP Convertidor Conmutado de Potencia CMC Control en Modo Corriente CMT Control en Modo Tensin DSP Digital Signal Processor ELV Extra-low Voltage Circuit FVNLSE Filtro Variable No Lineal de Salida del Elevador FVNLSR Filtro Variable No Lineal de Salida del Reductor FVSR Filtro Variable de Salida del Reductor GTCc Generador Totalmente Controlado con salida complementaria GTO Gate Turn-Off Thyristor MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor PETS Power Electronics Transient Simulator PMA pulsos modulados en anchura

PWL piecewise-linear PWM pulse width modulation SELV Safety Extra-low Voltage Circuit SPICE Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis SVM Space Vector Modulation TEBS Tensin Extra-Baja de Seguridad VSI Voltage Source Inverter VTD Variable Transport Delay

BIBLIOGRAFIA

SWITCHMODE POWER SUPPLY HANDBOOK Billings, Keith H. McGraw-Hill SISTEMAS DE ALIMENTACION DE ENERGIA PARA LAS TELECOMUNICACIONES Siemens parte I Gumhalter, Hans. Marcombo ELECTRONICA DE POTENCIA CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES Segunda edicin Rashid, Muhammad H. Prentice Hall ELECTRONICS SOURCEBOOK FOR TECHNICIANS AND ENGINEERS Kaufman, Milton. Seidman, Arthur H. McGraw Hill LINEAR INTERFACE ICs Device data R4 Motorola Vol. I HIGH POWER FLYBACK SWITCHING REGULATORS Kepple, Niel. Wescon HIGH FRECUENCY QUASI-RESONANT CONVERTER TOPOLOGIES Lee, F. C. Virginia Polytechnic Engineering Conference Paginas Web www.dbup.com.ar www.st.com www.ti.com www.eetasia.com www.fairchildsemi.com www.onsemi.com