TEMA 4 DIODOS Y APLICACIONES

(Gua de Clases)

Asignatura: Dispositivos Electrnicos I Dpto. Tecnologa Electrnica

CONTENIDO

UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO UNIN P-N POLARIZADA En sentido inverso En sentido directo CARACTERSTICAS TENSIN-CORRIENTE RESISTENCIA ESTTICA Y DINMICA DE UN DIODO MODELOS DEL DIODO Diodo ideal Diodo real CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIN Diodos de capacidad variable (Varicaps) CAPACIDAD DE DIFUSIN TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL DIODO DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIN FOTODIODOS SEMICONDUCTORES DIODOS EMISORES DE LUZ (LED) CIRCUITO BSICO. CONCEPTO DE RECTA DE CARGA CIRCUITOS RECORTADORES CIRCUITOS FIJADORES O LIMITADORES CIRCUITOS RECTIFICADORES Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en puente DOBLADOR DE TENSIN FILTRADO CON CONDENSADORES Filtrado. Explicacin cualitativa Aproximaciones al filtrado Ejemplo de clculo Detector de picos o demoduladora de AM

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UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

Zona de transicin o de carga espacial Ion aceptor Unin Ion donador

Hueco

Tipo p

- - + + - - + + - - + +

+ +
Electrn

+ + + +

Tipo n

ANOTACIONES

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pg. 2

UNIN P-N POLARIZADA

a) En sentido inverso Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los portadores minoritarios y a los pares electrn-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se denomina corriente inversa de saturacin (Io).
VI _ +

I0

- - - + + + - - - + + + - - - + + +
Tipo p Tipo n

+ + +

ANOTACIONES

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pg. 3

b) En sentido directo Disminuye la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo - VD. Si VD Vo entonces se produce una corriente debida a los huecos que son empujados por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones que son empujados por el terminal negativo de VD hacia la zona P.
VD + _

Tipo p

- + - + - +

+ + + + + + + + +
Tipo n

ANOTACIONES

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pg. 4

En cortocircuito el potencial de contacto se compensa con los potenciales en los contactos hmicos de los terminales => I=0.

+ V0_

N
+

_ V 0 V0 - V0 - V0 = 0 I=0

_ V + 0

Grandes tensiones directas -> necesidad de limitar la corriente

Smbolo del diodo:

NODO

CTODO

ANOTACIONES

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CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE

Ecuacin caracterstica del diodo: I = I 0 (e

V VT

1)

se deduce de la ley de la unin

I0 : corriente inversa de saturacin (constante a T constante) : constante. Su valor es aproximadamente 1 para el Germanio. En el caso del Silicio su valor es 2 para corrientes pequeas y 1 para corrientes moderadas o grandes. VT : Tensin equivalente de la temperatura VT = T/11.600 a temperatura ambiente (T=300 K) VT = 0026 V

I (mA) Tensin de ruptura VZ I0 V

V => Tensin umbral 0,2 V (Ge) 0,6 V (Si)

0,4 (Ge) 0,8 (Si)

V (volt)

(A) -> Ge (nA) -> Si

Tensin umbral (V): tensin directa mnima para que se inicie la conduccin. La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por C para el Si. La corriente inversa de saturacin se duplica aproximadamente por cada 10 C de aumento de temperatura. Si I0 = I01 cuando T = T1, cuando la temperatura es T I0 viene dado por:

I 0 (T ) = I 01 2 ( T T1 )/10
La Tensin equivalente de la temperatura VT tambin aumenta con la temperatura. Para mantener constante I con T => dV/dT -25 mv/C.

ANOTACIONES

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pg. 6

RESISTENCIA ESTTICA Y DINMICA DE UN DIODO

Resistencia esttica (R) : R = V/I -> parmetro muy variable y poco til

Resistencia dinmica (r): r = dV/dI

I = I 0 (e
g=

V VT

1)
V VT

Ie I +I I 1 dI = = 0 = 0 r dV VT VT VT

VT K = I I

K es constante a temperatura constante.

Para modelos de pequea seal se puede suponer r constante

ANOTACIONES

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pg. 7

MODELOS DEL DIODO

a) Diodo ideal

I A I + V _ V K

Directa

Inversa

V = 0 V V -> Rf = 0 V < V -> Rr =

b) Diodo real

+ I
1/Rf

D1 V V Rf

D2

Rr

1/Rr

D1 y D2 son ideales V V -> V = V + I Rf V < V -> V = V + I Rr

V _ K

Modelos intermedios: Rf = 0 Rr = V = 0 combinaciones.

ANOTACIONES

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pg. 8

CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIN

La anchura de la zona de carga espacial y por lo tanto la carga aumenta con la tensin inversa, lo cual equivale a un efecto de capacidad:

CT =

dQ dVI

donde CT es la capacidad de transicin

Supongamos unin abrupta con NA >> ND y polarizada inversamente con VI : q . NA . Wp . A = q . ND . Wn . A => NA . Wp = ND . Wn Si NA >> ND => Wp << Wn W
VI

p
dE q. N D q. N D x+ K = E= dx
E (x=W) = 0 => K = => E =
ND

q. N D W

Densidad de carga

-Wp

Wn

NA >> ND -NA

q. N D ( x W)

q. N D x 2 dV q. N D ( x W ) => V = = Wx + K ' dx 2
V(x=0) = 0 => K = 0 => V =

Intensidad de campo E

W -Wp 0 Wn

Wp << Wn W

q. N D 2 ( x 2Wx) 2
=> W =

Potencial V
0

x=W -> Vj = V0 + VI =

q. N D .W 2

2 V q. N D j

Vj

W aumenta con la VI aplicada

W2 =

2 2 dW dW V j 2W = = q. N D dV j q. N D dV j q. N D .W

Q = q.ND .W. A => dQ = q.ND.A.dW

CT =

dQ dW A = q. N D . A. = dVI dV j W

Capacidad de condensador plano con placas de superficie A y distancia entre ellas de W. Resultado tambin vlido para unin gradual.

ANOTACIONES

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Diodos de capacidad variable (Varicaps: Variable capacitors):

CT =

A = W

cte .A = 2 Vj . Vj q. N D

=> Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)

Aplicacin de los varicaps: Filtros variables, sintonizadores LC de radiofrecuencia (VHF, UHF)

CAPACIDAD DE DIFUSIN

En polarizacin directa si VD aumenta implica que aumenta la concentracin de minoritarios en ambos lados, y entonces aumenta la carga almacenada Q producindose tambin en este caso un efecto capacitivo:

I=

Q Modelo de control de la carga de un diodo

CD =

dQ . dI = = dV dV r

Concentracin

: tiempo de vida medio de los portadores r: resistencia dinmica de la unin

CD = CDp + CDn =

p n + r r

pno npo x=0 x

CD (orden de F) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)

ANOTACIONES

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pg. 10

TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL DIODO

CD >> CT => Es mucho ms importante el tiempo de recuperacin al pasar de conduccin directa a inversa que al revs.

+ + Vi _ I

VD _ RL

Vi VF t1 -VR pn - pno en la unin t2 t3 t

trr tiempo de recuperacin en inversa (ns o s)

Tiempo almacenamiento
V IF F RL

t I ts

trr = ts + tt
Tiempo transicin

IR

VR RL

I0

VD

tt t

-VR

ANOTACIONES

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pg. 11

DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS

Son diodos con suficiente capacidad de disipacin para trabajar en la zona de conduccin inversa. Se utilizan como estabilizadores de tensin.

ID
I V -VZ IZmin IZ

R IZ

IL + R L VZ _

VD
Si

RL => IZ RL => IZ V => IZ V => IZ

=> VZ constante

IZmax

Si

=> VZ constante

ANOTACIONES

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pg. 12

Hay dos mecanismos para que se produzca la avalancha del diodo: Multiplicacin por avalancha y Ruptura Zener.

Multiplicacin por avalancha (creacin por choque): Este mecanismo es el utilizado en diodos poco impurificados y que tienen una tensin Zener Vz mayor a 6 voltios. La zona de carga espacial es ancha. Tienen un coeficiente de temperatura positivo, es decir, con el aumento de la temperatura aumenta la tensin Zener

Ruptura Zener: Este mecanismo es el que se produce en diodos muy impurificados y que tienen una tensin Zener Vz menor a 6 voltios. La zona de carga espacial es estrecha. Tienen un coeficiente de temperatura negativo, es decir, con el aumento de la temperatura disminuye la tensin Zener.

ANOTACIONES

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pg. 13

DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIN a) Tensiones de referencia inferiores a 2 V.

R +

RL

Vz < 2 v.

b) Pequeo coeficiente de temperatura

R +

RL

Vz

Zener (multiplicacin por avalancha): coeficiente de temperatura positivo Diodo (en directa): coeficiente de temperatura negativo

c) Tensiones de referencia altas

R +

RL

Vz

Menor disipacin que con un nico zener de Vz elevada Menor coeficiente de temperatura combinando los dos tipos de zener Menor resistencia que con diodos en directa

ANOTACIONES

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pg. 14

FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
I = I0 + IS

I V

ID RL + VA -

VD = VA ID RL -> recta de carga Si ID = 0 => VD = VA Si VD = 0 => ID = VA/RL

La respuesta espectral es la misma que las clulas fotoconductoras:

% de pares e--h+ creados

ANOTACIONES

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DIODOS EMISORES DE LUZ (LED) Uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada impurificacin (V 1 v.) Materiales especiales para producir luz en la recombinacin, como es el AsGa Se denominan diodos LED (Light Emitting Diode) Tensiones inversas bajas -> destruccin por sobretensin Corrientes reducidas (tpicas de 10, 20 mA) -> destruccin por sobrecorriente

A continuacin se pueden ver dos montajes prcticos de este tipo de diodos:

R V

ANOTACIONES

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pg. 16

CIRCUITO BSICO. CONCEPTO DE RECTA DE CARGA

+ +

_ +

i Vi _ RL Vo _

recta de carga: v = Vi i RL Su interseccin con la caracterstica del diodo da el punto de trabajo de ste.

ID
Vi/RL IQ Q VQ
Si Vi = Vm sen ; = t ; = 2 f Y utilizando el modelo lineal aproximado del diodo:
I A V
1/Rf

Vi

VD

Rf

Rr

V
1/Rr V

K
V > V

K
V < V

ANOTACIONES

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pg. 17

Para Vi V :
V Rf

Para Vi < V :
V Rr

I I Vi RL Vi

RL

Rr >> => I 0 (orden A o nA)

Vi
V

I
/2 -

i=

Vm sen V RL + R f

para = -> Vm sen - V = 0 = arcsen (V/Vm) -> ngulo de inicio de c onduccin

ANOTACIONES

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pg. 18

CIRCUITOS RECORTADORES

Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms negativa que VR + V

Vo
p= Rr 1 Rr + R
VR+V

p=

Rf Rf + R
VR+V

Vo

Vi

Vi
+ Vi _ t R D VR + Vo _

ANOTACIONES

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pg. 19

Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms positiva que VR - V

p=

Rf Rf + R

Vo

p=

Rr 1 Rr + R

Vo

VR-V

Vi

VR-V

Vi
+ Vi _ t R D VR + Vo _

ANOTACIONES

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pg. 20

Otros circuitos recortadores

+ Vi _

R D VR

+ Vo _

+ Vi _

+ R VR Vo _

Vo DIODOS IDEALES VR
t

+ Vi _

R D VR

+ Vo _

+ Vi _

+ R VR Vo _

Vo DIODOS IDEALES VR
t

ANOTACIONES

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Circuito recortador a 2 niveles (circuito rebanador)

Vo p=1
VR2 VR1 VR1 VR2

Vo

Vi

D1 ON D2 OFF
D1 OFF D2 OFF

D1 OFF D2 ON

Vi
+ Vi _ t R D1 VR1 + D2 Vo

VR2 > VR1 _

ANOTACIONES

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pg. 22

CIRCUITOS FIJADORES O LIMITADORES Cambian el nivel de continua de la seal de entrada.

C
+ + Vi _

_ R D VR

Vm - VR

+ Vo _

Suponiendo el diodo D ideal, y cumplindose que RC >> T y Vm > VR

Vm VR t VR - V m VR - 2Vm

Vi

Vi = Vm sen t Vidc = 0
Vo es senoidal con valor medio no nulo

Vo

Vm (sen t 1) + VR

Vodc = VR Vm Vo = Vi Vc = Vi (Vm VR ) =

La ventaja de los circuitos fijadores con respecto a los recortadores es que limitan la seal de entrada pero sin deformarla. Ejemplo: D ideal, RC>>T/2, valor prctico RC=5T => en T/2 el condensador no se descarga prcticamente.
C + + Vi _ R D Vo
-2V V t Vi

Primer semiperodo

C +
V

_ D

+ R

Vo _

Vo

Segundo semiperodo

C +
V

_ D

+ R
-3V

2V

Vo _

ANOTACIONES

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CIRCUITOS RECTIFICADORES Rectificador: Circuito que convierte una onda senoidal de entrada en una seal unipolar con componente media no nula.

Rectificador de media onda

Vi
+ + Entrada c.a. Vi _ I RL VD _ Vm 0 2 = t

I
Im Idc 0 2 = t

ANOTACIONES

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pg. 24

Regulacin: Representa la variacin de la tensin continua de salida en funcin de la corriente continua en la carga.

% reg. =

Vdc vacio Vdc c arg a Vdc c arg a

100

I dc =

1 Im Vm V V = m = I dc R f + I dc RL = I dc R f + Vdc Vdc = m I dc R f R f + RL

El resultado anterior implica que el equivalente Thevenin del rectificador de media onda es el siguiente:

Rf + Idc Vm/ Vdc _ RL

Si RL = RL >> Rf entonces Vdc vacio = Vdc carga => % reg. = 0 Si RL = 0 entonces Vdc carga = 0 => % reg. =

Teorema de Thevenin: Dos terminales cualesquiera de una red lineal pueden reemplazarse por un generador de fuerza electromotriz igual a la tensin en circuito abierto entre los terminales, en serie con la impedancia de salida vista desde estos puntos.

ANOTACIONES

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Rectificador de onda completa

Vi
Vm 0 I1 + Vi _ + Vi _ I2 D2 0 2 = t D1 Im RL I 0 2 = t 2 = t

I1

Entrada c.a.

I2
Im

I
Im Idc 0 2 = t

Rectificador en puente

D1 + Vi _

D2

RL

C.A. D4 D3

ANOTACIONES

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pg. 26

DOBLADOR DE TENSIN

C1 _
Vm

+ C2

+ 2Vm _

ANOTACIONES

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pg. 27

FILTRADO CON CONDENSADORES A partir de una seal rectificada es posible obtener una tensin continua. El mecanismo para obtener la misma es el filtrado en baja frecuencia de dicha seal rectificada. En este apartado se aborda el anlisis del filtrado empleando condensadores. De dicho anlisis se obtendr por un lado un conocimiento del funcionamiento del mismo, y por otro un mtodo de obtencin de las caractersticas de la seal de salida y de las distintas aproximaciones que son habituales en este tipo de anlisis.

Filtrado. Explicacin cualitativa A partir de un circuito rectificador de media onda, como el de la figura, es posible obtener a la salida una seal continua. Esto se logra con la simple adicin a dicho circuito de un condensador que acte como filtro. La misin del condensador es almacenar energa y entregarla a la carga cuando sea preciso.
D (ideal) C RL Vo

Vi = Vm*sen

En la siguiente figura se puede ver la salida obtenida en el circuito anterior, si se supone que la carga tenga un valor infinito (RL = ). Como se aprecia, la tensin a la salida queda V m fijada al valor continuo Vm, debido a que el condensador se carga a dicho valor y, al no tener camino para su descarga, queda con esa tensin indefinidamente.

Vo

Sin C Con C

En el caso en que la resistencia de carga tenga un valor finito (RL<), el condensador de filtrado se descargar durante el intervalo de no conduccin del diodo. En la siguiente figura podemos observar la onda rectificada (I), y la seal a la salida (II) que muestra cmo se descarga el condensador de forma exponencial. En funcin del valor del condensador usado, y de la resistencia de carga, la descarga ser ms o menos rpida. El efecto final es una tensin de salida variable entre unos mrgenes superpuesta a Vm una tensin continua. La tensin variable se denomina rizado, y es un parmetro muy importante a la hoja de comprobar la calidad de un filtro.

Vo

(I)

(II)

ANOTACIONES

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pg. 28

Aproximaciones al rizado El clculo del rizado producido en un circuito rectificador con filtro es sencillo pero puede resultar laborioso; por ello generalmente se realizan aproximaciones al mismo, con el objetivo de simplificar los clculos. Si el condensador se descarga poco, dichas aproximaciones proporcionan unos resultados muy similares a los obtenidos si se realizasen los clculos completos.

Rizado alto Si el rizado del circuito es grande, es decir, la parte variable de la tensin de salida es grande comparada con la parte continua, no es posible realizar aproximaciones de ningn tipo, y se hace necesario emplear el modelo real. En la figura se aprecia el aspecto de la seal de salida. En ella podemos observar que la tensin de salida coincide con la del rectificador hasta un punto, a partir del cual la tensin de salida disminuye exponencialmente. En cuanto las tensiones de salida y del rectificador vuelven a igualarse, la tensin de salida pasa otra vez a seguir la onda senoidal.

Exp.

Senoidal

Rizado bajo En los casos de pequeo rizado, se realizan 3 aproximaciones, que nos proporcionan una onda como la de la figura. En primer lugar se supone que la descarga del condensador es lineal, en segundo lugar que dicha descarga comienza justo en el punto de tensin mxima de la seal rectificada, y en tercer lugar se supone que el condensador se descarga hasta el instante en que la tensin rectificada vuelve a alcanzar su mximo valor.

Lineal

ANOTACIONES

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pg. 29

Rizado medio En el caso de tener un rizado medio, se suele aproximar tal y como aparece en la figura, es decir, se considera una descarga exponencial, que dicha descarga comienza cuando la seal rectificada pasa por su punto mximo, y que el condensador se descarga hasta que encuentra de nuevo la seal rectificada.

Exp.

Sen.

Ejemplo de clculo Supongamos un rectificador de onda completa, en el que se verifica RL*C>>T/2 (por lo que suponemos un rizado bajo, y tomamos la aproximacin lineal comentada anteriormente). El anlisis sera el siguiente:

Vo Vr VDC

t tdescarga prximo a T/2

En la figura anterior podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearn en el anlisis. Hay que tener en cuenta que, como se supone un rizado bajo, la seal que consideramos de salida es una onda en diente de sierra como la siguiente:

Vm Vr T/2

ANOTACIONES

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A partir de esta seal, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada como: Vdc = Vm Vr / 2 , donde Vm es la tensin de pico de la seal rectificada. Se observa de dicha tensin de continua es la tensin de pico menos el valor medio del rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2

El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede expresar como: Idc y nos queda que la tensin de rizado y de continua vienen dadas por las ecuaciones:

T , 2

Vr =

Q IcdT Icd = = C 2C 2 fC Vr Idc Vdc = Vm = Vm 2 4 fC

En las frmulas anteriores podemos observar que el rizado aumenta con Idc ( cuando RL), y disminuye con C y f.

El rizado se puede definir como:

r=

Vrms : Valor eficaz de la componente alterna (root mean square) Vrms Vdc Vdc : Componente continua

Obtenemos el valor eficaz de la componente alterna aplicando la definicin, y nos queda:

Vrms =

2 Vr 1 3 2 Vr Vr 2 d = Vr 4 + 2 2 = 2 3 3 0

Ahora substituimos el valor Vrms obtenido en la frmula del rizado: r=

Vr Idc 1 = = 2 3Vdc 4 3 fCVdc 4 3 fCRL

De nuevo se deduce que r disminuye con f, C y RL

ANOTACIONES

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Detector de picos o demodulador de AM El circuito rectificador de media onda con un filtro condensador se puede emplear para detectar los valores de pico de las ondas de entrada. Sirve para extraer la seal de informacin que se modula en amplitud (por ejemplo en transmisin radiofnica), denominndose a este proceso demodulacin.

D (ideal) C RL Vo

Vi = Vm*sen

Para esto el periodo de la portadora tiene que ser mucho menor que la constante de carga del condensador y esta mucho menor que el periodo de la seal moduladora: T portadora << RC << T moduladora

ANOTACIONES