LNA (Low Noise Amplifier)

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1.0 Introduccin.

-Incremento aplicaciones wireless. -Telfonos mviles, PDA(Personal Digital Assistant), ... -Tipos sistemas wireless: -GSM-> cobertura de objetos en movimiento. -Sist. estacionarios: Bluetooth, W-LAN.---- corta distancia. -Transceptores: consumo, Ptx, duracin bateras, tamao .. -Tecnologa CMOS: barata, bajo consumo, alta integracin LNA in Rx: -necesidad buena relacin S/R en Rx. -coeficiente reflexin bajo en el puerto de entrada. -Buenas terminaciones de antena, buena resistencia. -adaptacin a la entrada capacitiva de los MOS. ~ 50 ohm.

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-LNA: criterios de diseo.

-Baja tensin de operacin ~ 2.5-3 V. -Frecuencia de operacin: 1.8-2 GHz. - Impedancia de entradaZin : ~ 50ohm. - Acoplamiento a carga capacitiva: ~ Cin mezclador MOS. - Amplificacin de la seal de entrada. - Mnima introduccin de ruido. -Problemas de los LNA: -Ruido. -Impedancias de entrada y salida. -No linealidad de los trt: soluciones: -serie elementos iguales: etapa diferencial. -paralelo elementos complementarios: inversor.

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2.0 Configuracin bsica del LNA. 2.1 Seleccin de la etapa de amplificacin.

-Etapa ms importante influencia Figura Ruido. Fig 2.1 A. No-Simtrico. -Proporciona alta ganancia mientras controla Zin. -Usamos inducciones a la entrada menor ruido. -Mayor ganancia ~cavidad resonante a la salida. -Cavidad: transforma corriente en tensin. -Partes Amplificador: -Fuente transcoductancia comn . -Fuente corriente comn+cavidad resonante como carga. -Fuente tensin drenador comn.

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2.2 Etapa diferencial o inversora.

-Introducimos inversor, por etapa diferencial. -Tenemos la mitad de consumo de corriente. -Ruido se mantiene constante. -Aumenta la linealidad. -Adecuado para operaciones de baja tensin. Slo dos transistores conducen en cascada en cada etapa.

Circuito del inversor. Fig 2.2 Amplificador Simtrico.

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2.3 Linealidad.
-Definicin de no linealidad:diferencia entre el nivel de salida esperado dado por la ganancia en el pto operacin y nivel de salida actual para un nivel de seal de entrada dado. -Definimos ganancia diferencial o error diferencial: (2.1)
-Productos intermodulacin.
IM 2 + - + e IM 3 + 4 8

(2.2)

-Ambos se reducen con circuitos simtricos y realimentados.

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-Ejemplo.

a)

b)

A(vl , vg ) =

vl vg (2.3)
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c)

3.0 Anlisis de ruido en el trt-MOS.

X Factor de escala
Fig. 2.5 Seccin transversal del trt-MOS

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3.1 Fuentes de ruido.

-Ruido trmico de la corriente de drenador. -Dispositivos de canal largo.

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Otra definicin de ruido:

Ruido trmico por unidad de longitud

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Dispositivos de canal corto: Elevados campos elctricos

Degradacin de la movilidad

Electrones calientes

-otros autores: (3.18) (3.19)

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-Ruido de puerta. -Ruido de puerta inducido.

(3.20)

(3.21)

(3.22)

(3.23)

(2.24)

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Ruido trmico de la resistencia de puerta.

Ruido de sustrato.

Ruido Flicker impulsivo. K*50

en PMOS. en NMOS

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3.2 Modelo de ruido del MOSFET

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Datos amplificador simtrico(PMOS/NMOS).

Parmetros de seal para el inverosr L=0.35um.

Fuentes de ruido para el trt .MOS y PMOS.

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Modelo cuadripolo , modelo MOS simple con fuentes de ruido entrada equivalentes.

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3.3 Modelo de ruido equivalente.

-Modelo dos puertos para MOSFET.

Podemos definir: (1/A) ganancia de tensin (1/C) transresistencia

(1/B) transconductancia (1/D) ganancia corriente

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(3.33)

-Modelo de dos puertos para un inversor. (3.34)

(3.35)

(3.36)

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AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO

a)conexin paralelo dispositivos complementarios. b)Transf. Ruido dispositivo.

c) Conexin paralelo dispositivos.

d) Matriz transmisin final.

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COMPARACIN DE RUIDO

1 S (iia ) = S (iia 2 w ) 2

gd 0 S (via ) ~ 2 gm

S (via ) = 2S (via 2w)

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4.0 Amplificador de transadmitancia.

En un receptor de alta frecuencia es importante tener un coeficiente de reflexin lo ms pequeo posible.

Para eliminar la reflexin la impedancia de carga debe estar adaptada a la impedancia vista desde la lnea de transmisin. Es importante controlar la impedancia de entrada del LNA. Para minimizar el ruido en una cadena receptora es importante que la primera etapa tenga una ganancia alta (Frmula de Friss).
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4.1 Impedancia de entrada.

Modelo de MOS simplificado.

La influencia de todos los parmetros de pequea seal es despreciable excepto Cgs.

La parte resistiva est controlada por Ls. Una inductancia serie a la entrada Lg se encarga de de cancelar la parte reactiva.

Ls gm 1 Zin = jLS + + jCgs Cgs

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Modelo de MOS completo.

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Consideramos el efecto de todos los parmetros de pequea seal.

Para transistores de pequeo tamao y valores bajos de Ls la resistencia de entrada depende linealmente del valor de esta inductancia, mientras que es independiente del tamao del transistor.

Para controlar tanto la resistencia de entrada como la ganancia y el ruido de un circuito existe un tamao mximo de transistor permitido, que depende de la frecuencia de operacin y de la resistencia.
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AMPLIFICADORES DE BAJO RUIDO

Nuevo modelo de MOS simplificado

Cgd

Con el nuevo modelo conseguimos que la parte resistiva de la impedancia de entrada se lineal con Ls, al igual que el modelo completo para tamaos pequeos de transistor, conductancia y frecuencia. El nuevo parmetro de pequea seal considerado Cgd afecta tanto a la parte resistiva como a la reactiva.
jLs + Ls 1 jCgs Cgs + 2 Cgd Cgd 1+ 1 + C Cgs gs
Re( Z in ) = Ls g +r Cgs m s Cgd + Cgb 1 + C gs
2

Z in

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4.2 Ganancia de transadmitancia

La ganacia de transconductancia Ag es independiente de la anchura del transistor, solo depende de la frecuencia de corte, la frecuencia de operacin y la resistencia de generador.

- T Ag = 2 j0 Rg
Ganancia del nuevo modelo de MOS simplificado.
- 'T Ag = Cgd 2 + C j0 Rg gs

gm = Cgs + Cgd
' T

Debido a la introduccin de Cgd la ganancia se reduce.

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4.3 Factor de ruido.

Factor de ruido del modelo de MOS simplificado.

Las fuentes de ruido ms importantes son : Id corriente de drenador de ruido trmico Ig ruido inducido de puerta
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Factor de ruido sin ig.

0 F = 1 + Rg g m T

Para que el efecto del ruido sea el menor posible la transconductancia del transistor gm, as como la resistencia del generador Rg deben ser lo ms pequeas posible.

Factor de ruido incluyendo ig.

0 1 0 F = 1 + Rg + g m + +2 c 5 T 5Rg g m T

El factor de ruido tiene trminos que dependen tanto directamente como inversamente de gm y de Rg, por lo que no podemos concluir que para lograr un menor efecto del ruido estos dos parmetros deban ser lo ms pequeos posible.
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Derivando respecto a gm obetemos un valor ptimo de transconductancia gmopt, el cual nos proporciona un factor de ruido mnimo.

Fmin

0 = 1+ 2 T

2 + c 1+ 5 5

El factor de ruido mnimo aumenta con la frecuencia y cuando trabajamos con campos elctricos grandes. La figura de ruido baja cuando el transistor trabaja como un dispositivo de canal largo a bajas frecuencias.

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Factor de ruido del nuevo modelo de MOS Simplificado.

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Factor de ruido sin Ig.

0 1 1 Cgd F = 1+ C + C + Rg g m Rg gm gs T gd
2 2

Respecto al modelo de MOS simplificado, donde gm y Rg deban ser mnimas para mnimo ruido, ahora la dependencia no es exclusivamente inversamente proporcional, existen unos valores ptimos.

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Respecto al modelo de MOS simplificado, donde gm y Rg deban ser mnimas para mnimo ruido, ahora la dependencia no es exclusivamente inversamente proporcional, existen unos valores ptimos.

Derivando respecto a gm manteniendo Rg constante se obtiene un gmopt que nos proporciona un factor de ruido mnimo.

Fmin

Cgd 0 = 1+ 2 T Cgs + Cgd

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Factor de ruido incluyendo ig.

2 2 5 2 C gs + C gd 2 1 0 0 F = 1 + Rg + g m + +2 c 2 5 T 5Rg g m T C +C 5

gs

gd

Obtenemos un valor gmopt derivando respecto gm.

Fmin

0 = 1+ 2 T

2 1 + M + c 5 5

Comparando esta nueva gmopt con la obtenida con el modelo de MOS simplificado incluyendo ig, podemos ver que la inclusin de una Cgd por muy pequea que sea hace que el valor ptimo de la transconductancia sea menor, y por lo tanto tambin el efecto del ruido.
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5.0 Amplificador de transresistencia.

Modelo simplificado de pequea seal

Es la segunda etapa del LNA. Est formado por un seguidor de corriente que se utiliza para aumentar la ganancia. El seguidor de corriente se comporta como una carga de la etapa inversora y transforma la corriente de entrada que ste le proporciona en un tensin a su salida mediante un resonador.
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5.1 Impedancia de entrada.

Tradicionalmente la impedancia de entrada de un amplificador en puerta comn se considera idealmente 1/gmc. El resonador hace que el valor de la impedancia de entrada del seguidor de corriente sea mayor. Esto no es bueno porque puede comprometer el correcto funcionamiento de la primera etapa inversora como un amplificador de transconductancia.

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5.2 Ganancia del amplificador de transresistencia.

Ar=Ai Rpc
La ganancia en corriente Ai debe ser lo ms prxima a la unidad para que el seguidor de corriente opere de forma ideal, por lo que la ganancia est controlada por la resistencia paralelo Rpc, que no es ms que la carga de la etapa de seguimiento.

Existe un lmite superior para la ganancia.

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6.0 Seguidor de tensin.

Modelo simplificado de un seguidor de tensin
Es la tercera etapa del LNA. Su funcin es la de utilizar la parte capacitiva de su impedancia de entrada para completar el resonador LC que utilizaba el seguidor de corriente de la etapa anterior, en lugar de utilizar una capacidad genrica. Introduce una serie de ventajas: Desplazar la componente en continua de la seal Aumentar la capacidad de proporcionar corriente a la etapa siguiente Aplicar una resistencia negativa al resonador de la etapa anterior y aumentar as el valor-Q
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6.1 Impedancia de entrada.

La parte resistiva de la impedancia de entrada de esta etapa es negativa lo que aumenta el valor-Q del resonador del seguidor de corriente.

Yf -

2Cgsf CL g mf

2 C gsf CL (Cgsf + CL + j + Cgdf 2 g mf

6.2 Impedancia de salida.

Idealmente la impedancia de salida es 1/gmf La inductancia y las capacidades a la entrada de la etapa del drenador comn hacen que la impedancia de salida aumente, lo cual reduce la capacidad de alimentacin de la siguiente etapa.
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6.3 Ganancia del seguidor de tensin.

La ganancia de un seguidor de tensin es idealmente la unidad. Esta configuracin consigue una ganancia muy cercana a la unidad. Esto es debido a la necesidad de tener una transconductancia muy grande para poder aumentar la capacidad de alimentacin de la etapa siguiente.

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7.0 Rendimiento global del amplificador.

7.1 Ganancia total. La ganancia total es difcil de optimizar ya que la modificacin de una etapa afecta significativamente al resto. Si no hay prdidas de seal entre las etapas

ATOT = Ag Ar Av

La ganancia de transadmitancia Ag de la etapa inversora depende de la frecuencia de corte del inversor, de la frecuencia de operacin y de la resistencia del generador. Es independiente de la transconductancia gm del transistor.

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La ganancia de transresistencia del seguidor de corriente est controlada por la resistencia paralelo Rpc, la cual depende del tamao de la inductancia del resonador LC, del valor-Q y de la conductancia de entrada de valor negativo del seguidor de tensin. Como dijimos existe un lmite superior debido a que un valor muy elevado produce prdidas de seal entre el inversor y el seguidor de corriente, por lo que la gancia total se reduce. Adems la adaptacin a la entrada de la etapa inversora se puede ver alterada, y era necesaria para reducir las reflexiones.

La ganancia de la ltima etapa, el seguidor de tensin, es prcticamente la unidad, por lo que no es determinante en el valor total. Esto no quiere decir que esta etapa no sea importante, ya que al formar parte del resonador LC del seguidor de corriente, controla la ganancia de este.
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7.2 Configuraciones simtricas vs. no simtricas.

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Ganancia y linealidad.

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La configuracin simtrica tiene una ganancia superior (aproximadamente en 6dBV) a la configuracin no simtrica AMP2, aunque ligeramente inferior (1.7dBV) a la configuracin no simtrica AMP3. La ventaja respecto a esta configuracin se encuentra en la linealidad. Esta se mide mediante el punto de compresin, que representa el punto donde el sistema deja de ser lineal, y los puntos de interseccin de segundo y tercer orden, que marcan el rango de valores de entrada para los cuales el sistema puede funcionar correctamente. Cuanto ms a la derecha estn estos valores mejor ser el comportamiento del sistema. Vemos que el comportamiento de la configuracin simtrica es mejor que el de la no simtrica AMP3, encontrando la mayor diferencia en el punto de interseccin de orden 2.

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7.3 Clculo de la figura de ruido.

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El ruido inducido de puerta no puede ser excluido del modelo de clculo. No incluirla proporciona resultados lejos de la realidad. Es una contrubucin de ruido muy importante. Con la inclusin en el modelo de Cgd se obtienen figuras de ruido ms pequeas, aunque el cambio no es muy apreciable. Esto significa que el modelo simplificado de MOS es perfectamente vlido en cuanto a consideraciones de ruido se refiere, con la consiguiente simplificacin de los clculos

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La diferencia de Figuras de Ruido entre la configuracin inversora simtrica y el transistor nMOS no simtrico es como mximo 0.45dB. La razn principal de un menor ruido en el nMOS no simtrico es la mayor frecuencia de corte. La eleccin de una etapa inversora simtrica responde a la bsqueda de un compromiso entre linealidad, ganancia y ruido.

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8.0 Conclusiones.

Gran inters en transceptores pequeos, baratos y de bajo consumo. La necesidad de bajo coste y bajo consumo sitan a los procesos CMOS en una fuerte posicin. Se han mejorado mucho las prestaciones de los circuitos analgicos de RF con tecnologa CMOS. Es difcil competir con el rendimiento proporcionado por los BJTs El anlisis terico realizado muestra las ventajas y desventajas de diferentes soluciones.

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LNA de topologa simtrica CMOS. La simetra proporciona mayor linealidad.

La adaptacin a la entrada elimina problemas de prdidas por reflexin y reduce el consumo de potencia.
La primera etapa es una configuracin inversora simtrica aconsejable para aplicaciones de bajo consumo. Las fuentes de ruido ms importantes son:

Corriente de ruido trmico del canal. Ruido inducido de puerta

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La segunda etapa es un seguidor de corriente cargado con un resonador LC, que consigue incrementar la ganancia. La tercera etapa es un seguidor de tensin que implementa la capacidad del resonador del seguidor de corriente, en lugar de utilizar una capacidad genrica. Con el seguidor de tensin aumenta la capacidad de proporcionar alimentacin a la etapa siguiente, que ser el mezclador de la cadena de recepcin.

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La diferencia en ganancia entre las configuraciones simtricas y las no simtricas no es muy grande, unas veces a favor de la simtrica y otras ligeramente en contra. La gran ventaja de la configuracin simtrica es su linealidad. La linealidad viene dada por unos puntos de compresin y de interseccin de segundo y tercer orden ms a la derecha. El mayor valor del punto de compresin de la configuracin simtrica es debido a que la ganancia de la primera etapa (inversora) de la configuracin simtrica es menor. El mayor punto de interseccin de segundo orden es debido a la propia simetra del circuito

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