Efecto tnel en semiconductores sometidos a campos elctricos intensos

Julio Mass Varela*

Resumen
El efecto tnel o filtracin cuntica en diversos materiales se mide utilizando cantidades probabilsticas asignadas a un coeficiente de transmisin y a un coeficiente de reflexin de la partcula cargada para atravesar o reflejarse en una barrera de potencial de energa mayor. El mtodo de aproximacin W.KB. (Wentzel, Kramers y Brilloin) es til para calcular estos coeficientes y nos permite determinar expresiones para diferentes perfiles de potenciat tales como las barreras rectangulares, triangulares y trapezoidales. El efecto tnel es un fenmeno muy importante en los dispositivos semiconductores porque ayuda a entender y determinar propiedades elctricas en estos materiales. La respuesta del comportamiento de un semiconductor P-N a campos elctricos intensos produce el fenmeno de ruptura Zener, que es una filtracin cllntica de banda a banda. Se analiza el comportamiento para diferentes campos a tres materiales semiconductores: InAs, CaAs y AlAs. Palabras claves: Efectotnet barrera de potencial, semiconductores, filtracin Zener, Mtodo WKB.

Abstract
The tunnel effect or quantum filtration in different materials is measured llsing quantities probabilistic assigned to coefficient 01 transmission and to coefficient 01 reflection to the particle charged for across or reflect in a barrier of potential of bigger energy. The method of approximation WKB (Wentzel, Kramers, and Brilloin), is llsefI for caIculate these coefficients and allow to determinate the expression for different profiles of potential, such as the barrier rectangular, triangular, and trapezoidal. The tunnel effect is a pltenomenon very important in the semicondllctor devices, becaase, they helped lo understand and lo determine electric properties in these materials. The answer of a semiconductor PN to intensive electrical fields produces the plzenomenon of rllplllre Zener. It is afiltration quantum of band to bando Foy the analysis we obtain the behavior for differenl fields to three materials semiconductoy In-As, Ga-As and Al-As. Key words: Tunnel effect, barrier o potencial, serniconductor, filtration Zener, Method WKB.

".Licenciado en Fsica, Universidad del Atlntico. Especialista en Fsica, Universidad Nacional. Profesor medio tiempo, Universidad del Norte, Departamento de Matemticas y Fsica. (E-mail: jmass@guayacan.uninorte.edu.co)

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Introduccin El efecto tnel es la filtracin de una partcula con energa E a travs de una barrera de potencial con altura V mayor queE. Haymuchos ejemplos en la naturaleza a escala atmica y nuclear para los cuales el efecto tnel es muyimportante, por ejemplo: El diodo tnel en semiconductores; la unin Josephson en superconductores; el decaimiento Ala en fsica nuclear, y el microscopio de barrido de efecto tnel, entre otros. La probabilidad de que ocurra el efecto tnel se puede describir con un coeficiente de transmisin T y un coeficiente de reflexin R. El coeficiente T mide la probabilidad de que la partcula penetre hasta el otro lado de la barrera. En los dispositivos semiconductores, el efecto tnel es un fenmeno muy

importante. Como el funcionamiento del contacto hmico depende de este efecto, la ruptura Zener en los diodos P-N se determina a partir de la obtencin de coeficientes de transmisin. 1. EFECTO TNEL EN SEMICONOUCTORES 1.1. Transmisin
rrera

a travs de una ba-

El mtodo WKB (Wentzel, Kramers y Brilloin) es aplicado al clculo del coeficientede transmisin para una barrera, en la cual particulas incidentes de la izquierda con energa insuficiente clsicamente pueden pasar al otro lado de la barrera. Si la aproximacin WKBse mantiene en las tres regiones de acuerdo a la figura mostrada en la grfica 1, la solucin de la ecuacin de Schrdinger debe ser escrita como:

__

elJa .

.fKdx

+ _~

e- a

fKdx,

X <a

\/K(x) C 1) <p(x) = ,1Kdx +

If K(x)

oJ:
VX(~ e

Kdx,

VX(x) e

a <X <b

F i1Kdx G .i1Kdx, --e + --e b<x \/K(x) \rK(x)

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x
a

b Grfico 1

Mediante un enlace de frmulas podemos establecer una relacin lineal entre los coeficientes. El resultado es muy simple y se puede expresar en notacin matricial as:

Asumiendo que no hay ondas incidiendo por la derecha, entonces G = 0, de (2) obtenemos:

2)

(A) B

1 29+ l29 -;'(29-l)) (F) 29 =- ( -;'(29-2~) 29+ ;9 G

5) T = -----

,para una barrera

( 29 + 2~ )'

Alta y ancha 9 1, entonces Donde el parmetro T = ~, =exp(-2f.'Xdx)

3)

Por lo tanto, 9 es una medida de capacidad de la barrera. y mide la altura y el grosor de la barrera como una funcin de la energa. El coeficiente de transmisin se define como La funcin Xix) vara de acuerdo a

X(x)=

21l -

1/2

h'

[E - V(x)]

si E> V (x)

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Y X(x)

= -irW

121'

[V(x) - E]

)'12

los puntos

X = 0,

IEI O

= -iX(x)

si E<V(x)

X =Xo=

1.2. Coeficiente de transmisin a travs de una barrera triangular bajo la accin de un campo elctrico Las barreras de potencial con perfil triangular, como en la figura 2, se dan a menudo en la superficie de metales, en los contactos hmicos y en efecto tnel Zener en semicond uctores.

marca el lmite de la regin en la cual la partcula, de acuerdo con la mecnica clsica no puede alcanzar. Evaluando la integral del exponente encontramos que 4
6)

T=exp

(-

IEI 3D

3/')
x

V(x)

Grfico 2 El coeficiente T de transmisin es:

2 h f'"(21' (1 E I - V(X)))

T = exp

'12

dx donde

Estimando los lmites de aplicabilidadde este resultado, observamos que la aproximacin cuasi clsica no es vlida en la vecindad de los puntos de cruce clsicos Xo dentro de la regin
h' X -Xo~ ( --

V(x) = O.x y O: Es el campo elctrico aplicado

2 h f~ (1 E I - DX)) (21'

)/3

21 O

T = exp (

'12

dx donde

La ecuacin (6) puede ser usada si esta regin es ms pequea que la an-

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chura de la barrera.
1/2 312

(2Jl) --IEI

Donde Eg. es la banda de separacin GAP,Jlesla masa reducida de acuerdo al perfil referenciado en el grfico 3.

hD

Este requisito es, por lo tanto, equivalente al requisito de que el coeficiente de transmisin sea pequeo T 1.
x

Si el coeficiente de transmisin es igual a la unidad, entonces, de acuerdo con la mecnica clsica, el electrn puede escapar del metal, en un semi conductor los electrones pueden pasar a travs de la barrera sin sentir su presencia.

o
Grfico 3

E Para X = X,g.

eDx = 0, y para

1.3. Efecto tnel de banda a banda en semiconductores Para campos elctricos fuertes, los electrones en la banda de valencia en semiconductor pueden filtrarse en un estado no ocupado de la banda de conduccin. A medida que el electrn se filtra ve un perfil de potencial como en el grfico 2. La anchura de la barrera de potencial disminuye a medida que el campo se incrementa. El valor aproximado para la probabilidad T de filtracin cuntica de banda a banda, de acuerdo con la ecuacin 6) es:
T~exp -~ ~ 3 eDh

2 X = Xl

Eg eDx = Eg. Entonces la ecuacin 2

7)

--'1' (2Jl)

I-E,I

3i2)
8)

queda

T~exp

--.-( 3 ehD

.. '1' ( ~~2

eDx

)31' )

7)

En materiales con banda de separacin estrecha, este efecto tnel de banda a banda o filtracin Zener puede ser muy importante, siendo la base del diodo Zener, donde la corriente es esencialmente cero hasta que da principio la filtracin cuntica de banda a banda y la corriente se incrementa de forma aguda.

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1.4. Clculo del coeficiente de transmisin en algunos semiconductores Calculamos el coeficiente de transmisin para algunos semiconductores corno el !nAs, Ga As y el Al As, sometidos a diferentes campos elctricos a una temperatura de 300K, los cuales arrojaron los siguientes resultados (ver tabla 1).

3. La filtracin cuntica o efecto tnel Zener depende de la anchura de agotamiento. A medida que el campo elctrico se incrementa, la barrera efectiva que un electrn en la banda de valencia tiene que superar para pasar a la banda de conduccin comienza a decrecer y la

Tabla 1
Semi conductor D(V/ems)
5xl0' 1 x 107

3xl07

5 x 107

1 X 108

1 X 1017

~(Kg)
0.027 m., 0.065 m " 0.1 m
"

Eg(e.v)
0.360 1.424 2.163 0.615 2.688xlO' 1.074xlO 0.784 0.051 1.036x10-' 0.922 0.372 0.101 0.952 0.591 0.253 0.976 0.743 1.000 0.999
---

In As GaAs AlAs

0.687

0.999

Coeficiente

de transmisin

Mo = Masa del electrn en reposo

probabilidad de filtracin llega a ser ms significativa y habr tantos portadores libres que se produce una ruptura. 4. La ruptura Zener se da primero en los semiconductores de separacin de banda ms estrecha. Bibliografa

Conclusiones De acuerdo con el anlisis de los resultados, concluimos: 1. El coeficiente de transmisin (T) decrece rpidamente con un icremento del GAP (Eg). 2. El coeficiente de transmisinaumenta con un incremento del campo elctrico externo.

BEN G.,Streetman.Solid State Electronic Devices.

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