Transistores BJT

Unidad 5 Transistores biplares de unin (BJT)
5. Transistores bipolares de unin (BJT)

5.1 Introduccin.
El transistor vino a reemplazar al tubo de vaco. Durante las primeras cuatro
dcadas del siglo pasado el tubo de vaco era el principal elemento empleado para
amplificar seales dbiles (por ejemplo, las de radio). El recin llegado fue creado en los
Laboratorios de la Bell Telephone y Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron su
efecto amplificador el 23 de Diciembre de 1947. Las ventajas que presentaba con su
antecesor eran evidentes: ms pequeo y ligero, no tena filamentos por lo tanto no tena
prdidas trmicas; su estructura era ms resistente y consuma menos potencia; no
necesitaba un periodo de calentamiento; adems, operaba a voltajes muy bajos. En esta
unidad se estudiarn los transistores bipolares, los cuales utilizan tanto a los electrones
libres como a los huecos.
5.2 Construccin del transistor BJT.
El transistor se disea agregando otro elemento semiconductor al de un diodo
simple p-n, se trata de un elemento de 3 capas semiconductoras (a diferencia de los
dispositivos vistos anteriormente), ya sea dos de material tipo n y una de tipo p viceversa.
Al primero se le llama transistor npn y al segundo transistor pnp. El BJT es un dispositivo
controlado por corriente, en el cual la corriente que pasa a travs de dos terminales es
controlada por una corriente relativamente pequea de una tercera terminal. Los tres
elementos semiconductores que forman a un transistor son: el emisor, la base y el colector.
La funcin del emisor es la de suministrar portadores mayoritarios para el flujo de corriente
en el transistor, mientras que el colector recoge la corriente para que opere el circuito. La
base hace la funcin de unin para asegurar la interaccin adecuada entre el emisor y el
colector. El emisor se representa como una flecha que seala la direccin del flujo de
huecos. Por conveccin se acepta que el emisor inyecta portadores mayoritarios a la base de
modo que un emisor de tipo p se muestra con la flecha sealando hacia la base, y un emisor
135
de tipo n se representa con la flecha alejndose de la base, para indicar que se inyectan
electrones (figura 5.1.a). El smbolo utilizado para representar al transistor BJT se muestra
en la figura 5.1b.
Figura 5.1 Representacin simblica del transistor.
5.3 Fabricacin de transistores.
La mayor parte de los mtodos explicados anteriormente se utilizan para fabricar los
transistores, variando slo un poco. Los mtodos ms utilizados en la actualidad incluyen
entre otros, la unin de aleacin, el crecimiento de la unin y el de difusin.
5.3.1 Unin de aleacin.
Esta tcnica es una extensin del mtodo utilizado en la fabricacin de diodos. A
diferencia del diodo, para formar un transistor se depositan dos pelotitas de un mismo tipo
de material semiconductor a cada lado de una oblea de una impureza contraria (figura 5.2).
Posteriormente, la estructura se calienta hasta que se produce la fusin y cada pelotita se
une en una aleacin a la oblea base, producindose as las uniones p-n correspondientes.
Aunque es difcil ejercer un control estricto en este mtodo, la facilidad y
simplicidad de esta tcnica hace que se utilice an en nuestros das.
136
Figura 5.2 Representacin del Mtodo de Aleacin.
5.3.2 Crecimiento de la unin.
Se utiliza el mismo procedimiento explicado en la seccin 3.2.1 pero, con la
diferencia de que el corte se realiza formando un transistor en lugar de un diodo.
[3]
El
proceso requiere que el control de impurezas y la relacin de retiro sean tales que se
asegure el ancho apropiado de la base y los niveles de dopado de los materiales tipo n y p
(figura 5.3).
Figura 5.3 Mtodo de Crecimiento de la Unin.
137
5.3.3 Mtodo de difusin.
Es el mtodo ms utilizado en la actualidad, este mtodo tambin se utiliza en la
fabricacin de diodos. La tcnica de difusin se emplea en la produccin de transistores en
meseta y planares, cada uno de los cuales puede ser del tipo de difusin o epitaxial.
En el mtodo del transistor de meseta de tipo de difusin pnp como primer paso se
difunden impurezas de tipo n en una oblea de tipo p, como se muestra en la figura 5.4a para
formar la regin de la base. Posteriormente, para crear al emisor se coloca una pelotita de
material tipo p y se une mediante el mtodo de aleacin en la base de tipo n (figura 5.4b).
Se efecta un proceso de ataque qumico llamado meseta para poder reducir la
capacitancia que existe en la unin del colector. Este trmino se utiliza por la semejanza
que tiene con la formacin geogrfica.
La diferencia ms sobresaliente entre el transistor de meseta epitaxial y el transistor
de meseta es la adicin de una capa epitaxial sobre el substrato del colector original. El
substrato original de tipo p se le coloca en un recipiente cerrado que contiene vapor con la
misma impureza. Mediante un adecuado control de la temperatura, los tomos del vapor se
depositan sobre el substrato de tipo p y se arreglarn sobre el mismo produciendo la capa
epitaxial (figura 5.4c). Despus se siguen los pasos del transistor de meseta, para formar las
regiones de la base y del emisor. Con esto se logra reducir la resistencia de la capa
epitaxial; por lo tanto, existe una conexin de baja resistencia a la terminal del colector que
reduce las prdidas por disipacin del transistor.
Los transistores planar y planar epitaxial se fabrican empleando dos procesos de
difusin para formar las regiones de la base y del emisor. Se empieza utilizando un
substrato tipo n de Si, se hace crecer una capa de oxido en la superficie y se abre una
ventana por la tcnica de litografa que se describi en la seccin 3.2.4. Posteriormente la
muestra se coloca en un horno para difundir B formando la regin de base tipo p. Despus
de la reoxidacin una nueva ventana se abre en el xido para la difusin de p, formndose
la regin del emisor tipo n
+
. Despus de abrir las ventanas en la superficie de la cima de las
regiones p y n
+
, se evapora Al hacia la oblea. El modelo de metalizacin final es definido
por litografa, y el Al no deseado se ataca con un cido. El trmino planar se utiliza por que
el transistor tiene una superficie plana.
138
Figura 5.4 Procedimientos del Mtodo de Difusin.
5.4 Operacin del transistor.
El transistor es un dispositivo electrnico de estado slido. La idea naci al intentar
controlar la conduccin de un diodo de unin p-n. Se encontr que colocando dos puntas
metlicas sobre un semiconductor y, a una, se le aplicaba cierta tensin, la corriente en la
otra estaba influenciada por la primera; a la primera punta se le nombr emisor, al
semiconductor base y a la otra punta colector.
Este dispositivo se mejor por los transistores de unin p-n que fueron inventados
por Shockley (1950). Los nuevos transistores consisten de una estructura de 3 capas con
regiones tipo n y p alternadas. Segn la estructura de sus uniones, los transistores pueden
ser del tipo npn pnp. Dimensionalmente el emisor se construye un poco estrecho y muy
139
dopado, la base es muy estrecha y poco dopada y el colector es muy ancho y medianamente
dopado (figura 5.5).
Figura 5.5 Dimencionamiento de las estructuras del emisor, base y colector para un transistor pnp y
npn respectivamente.
La principal funcin del transistor es la de amplificar. Esto se logra introduciendo
una seal en una de las uniones y extraerla de la otra con una ganancia de potencia, es
decir, la seal se transfiere de un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. El
trmino transistor proviene de los trminos transfer (transferencia) y resistor (resistencia).
Los transistores al igual que otros elementos que conforman un circuito, se
representan por un smbolo. En la figura 5.6 se presentan los smbolos correspondientes
para un transistor pnp y npn respectivamente.
Figura 5.6 Smbolos representativos para el transistor pnp y npn respectivamente.
140
La flecha colocada en el emisor indica siempre hacia el semiconductor tipo n; as en
la figura 5.6a, el transistor tiene base n y es del tipo pnp y el de la figura 5.6b es del tipo p,
por lo tanto, es npn.
Para explicar el funcionamiento del transistor se utilizar un transistor npn como el
de la figura 5.6a. Un transistor npn opera igual, solo hay que intercambiar los papeles que
desempean los electrones y huecos. Las caractersticas estticas pueden ser derivadas de la
teora de la unin p-n de la unidad 2.
En la figura 5.7a se tiene solamente la unin emisor-base polarizada directamente y
se presentan las mismas caractersticas que se describieron anteriormente; por lo tanto, el
ancho de la regin de vaciamiento W
BE
se reduce y se produce una corriente de portadores
mayoritarios (huecos) desde el material tipo p al tipo n.
Figura 5.7 Polarizacin de las uniones base-emisor y base-colector de forma independiente.
Ahora, la polarizacin emisor-base se elimina y se polariza a la unin base-colector
inversamente (figura 5.7c). La longitud de W
BC
se incrementa y, por lo tanto, no existe un
flujo de portadores mayoritarios, por lo que solo se presenta un flujo de portadores
minoritarios generados por excitacin trmica. En resumen, en un transistor una unin debe
estar polarizada directamente y la otra polarizada inversamente. La figura 5.8 muestra
ambos potenciales en el transistor pnp.
141
Figura 5.8 Polarizacin del transistor pnp en ambas uniones.
De la figura anterior se pueden ver las regiones de vaciamiento en cada unin,
indicando cual regin est polarizada directamente e inversamente. La polarizacin directa
en la unin emisor-base repele a los portadores mayoritarios del emisor (huecos) hacia la
base haciendo que un nmero elevado de huecos se difundan a travs de la unin. Mientras
tanto, la polaridad negativa repele a los portadores mayoritarios de la base (electrones)
hacia el emisor; entonces, estos cruzan la unin para llenar los huecos. Para que la mayor
parte de los portadores mayoritarios difundidos por el emisor en la base sean recogidos por
el colector, la regin de la base debe ser muy estrecha y el tiempo de vida de los huecos
p
debe ser grande. Podemos resumirlo en una forma como W
b
<< L
p
, en donde W
b
es la regin
neutral n de la base (medida entre las regiones de vaciamiento de las uniones de emisor y
colector) y L
p
es la longitud de difusin para los huecos de la base. Otro requerimiento es
que la corriente de emisor que cruza la unin de emisor-base, debe componerse casi
totalmente de huecos inyectados a la base en lugar de electrones que crucen de la base al
emisor; esto se logra dopando al emisor fuertemente, la base ligeramente y al colector en un
nivel intermedio. Esta ltima condicin se logra automticamente utilizando el proceso de
aleacin (captulo 5.3.1) en la fabricacin de transistores de germanio pnp, utilizando
trocitos de Indio para formar las regiones de emisor y colector recristalizadas y germanio
tipo n para formar las regiones de emisor y colector de la base.
Sin embargo an con la base muy delgada, tiene menor densidad de impurezas que
el emisor, por lo tanto, no tiene los suficientes portadores mayoritarios para llenar todos los
142
huecos del emisor, por lo cual, la corriente del emisor tiende a ser baja. Entonces en el
emisor, hay muchos huecos en exceso y se acumulan cerca de la unin.
En la unin base-colector, la polarizacin repele hacia la unin a los portadores
minoritarios (electrones). Dichos electrones cruzan la unin para llenar los huecos de la
base (portadores minoritarios). Debido a la carencia de portadores minoritarios, la mayor
parte de los electrones procedentes del colector se acumulan en la base. Estos portadores
minoritarios (electrones) ahora se convierten en portadores mayoritarios de la base y sern
atrados a travs de la unin emisor-base para llenar los huecos acumulados en la base. Por
tal razn, habr un gran flujo de corriente tanto en la unin emisor-base como en la base-
colector.
An teniendo todas las caractersticas mencionadas, cerca del 2 al 5% de los
portadores mayoritarios se recombinan con los electrones (portadores mayoritarios) de la
base formando la corriente de base. En un transistor bien diseado, la corriente de base ser
una fraccin muy pequea, quizs de una centsima de la corriente de emisor.
5.5 Caractersticas estticas.
Como se explic anteriormente, la unin emisor-base polarizada directamente
inyecta un gran nmero de portadores mayoritarios a la base; sta componente de huecos
inyectados a la base se puede obtener observando la figura 5.9, obteniendo:
Figura 5.9 Flujo de electrones y huecos bajo polarizacin directa, VBE > 0 y VCB = 0.
Componente de huecos inyectados a la base:
143
(5.1)
( ) 0 x AJ I
p pE
Componente de electrones inyectados desde la base al emisor:
( )
E
x x
n
AJ
nE
I
Corriente total de Emisor:
nE pE E
I I I +
( ) ( )
E n p E
x x AJ x AJ I + 0
,
`
.
|
+
]
]
]
]
]
]
]
,
`
.
|
,
`
.
|
,
`
.
|
,
`
.
|
1 1
cosh
1
1 coth
kT
qV
E
E E
kT
qV
B
kT
qV
B B
B B
E
EB CB EB
e
L
n D
Aq e
L
W
e
L
W
L
p D
Aq I
De forma similar se puede obtener la corriente de colector, quedando como:
Componente de huecos inyectados a la base:
( ) W x AJ I
p pC

Componente de electrones inyectados desde el colector a la base:
( )
C n nC
x x AJ I
Corriente total de colector:
nC pC C
I I I +
144
(5.2)
(5.3)
(5.4)
(5.5)
(5.6)
(5.7)
( ) ( )
C n p C
x x AJ W x AJ I +
,
`
.
|

]
]
]
]
,
`
.
|
,
`
.
|
,
`
.
|
,
`
.
|
1 1 cosh 1
1
kT
qV
C
C C
kT
qV
B
kT
qV
B
B
B B
C
CB CB EB
e
L
n D
Aq e
L
W
e
L
W
senh
L
p D
Aq I
en donde:
A Es el rea de la seccin transversal del transistor.
p
B
Densidad de portadores minoritarios en equilibrio (electrones) en el emisor.
L
B
Longitud de difusin de huecos en la base.
L
C
Longitud de difusin de colector.
L
E
Longitud de difusin de emisor.
D
B
Coeficiente de difusin en la base.
D
C
Coeficiente de difusin en el colector.
D
E
Coeficiente de difusin en el emisor.
V
EB
Voltaje en la unin base-emisor.
V
CB
Voltaje en la unin base-colector.
La diferencia entre estas dos corrientes es pequea y aparece como la corriente de base:
C E B
I I I
Las penetraciones en las regiones de empobrecimiento se representan en la figura
5.10 y estn dadas por las siguientes expresiones:
145
(5.8)
(5.9)
Figura 5.10 (a) Perfil de impurezas de un transistor con distribuciones de impurezas abruptas y (b)
Estructura y flujo de corriente en el transistor pnp.
( )
,
`
.
|
+

E B E
B BE bi S
BE n
N N N
N
q
V V
x
1 2
,
( )
,
`
.
|
+

E B B
E BE bi S
BE p
N N N
N
q
V V
x
1 2
,
( )
,
`
.
|
+

C B C
B BC bi S
BC n
N N N
N
q
V V
x
1 2
,
( )
,
`
.
|
+

C B E
C BC bi S
BC p
N N N
N
q
V V
x
1 2
,
La figura 5.10b muestra las anchuras de las regiones neutrales en el emisor, base y
colector estn indicados con los smbolos w
E
, w
B
y w
C
y se calculan de la siguiente
manera:
BE n E E
x w w
,
'
146
(5.10)
(5.11)
(5.12)
(5.13)
(5.14)
BC p BE p B B
x x w w
, ,
'
BC n C C
x w w
,
'
5.6 Configuraciones Bsicas.
La figura 5.11 muestra las tres configuraciones bsicas de los transistores que son:
base comn, emisor comn y colector comn. Los sentidos de corriente y polaridad del
voltaje estn dados bajo operacin normal.
El circuito que se ha estudiado hasta ahora es el que aparece en la figura 5.11a, o
sea, el de base comn. Recibe este nombre debido a que la base sirve tanto para el circuito
de entrada como al circuito de salida. En este apartado, slo se mencionarn algunas
propiedades de dichas configuraciones, debido a que un estudio ms completo corresponde
a la materia de Electrnica 1.
Figura 5.11 Las tres configuraciones del transistor: a) base comn; b) emisor comn y c) colector
comn.
5.6.1 Configuracin base comn.
Cuando una seal alterna (senoidal o de cualquier otro tipo) o se polariza en
corriente directa a cualquiera de las tres configuraciones bsicas de transistores, presentan
147
(5.15)
(5.16)
caractersticas diferentes los tres tipos de configuracin. La figura 5.12 representa la
configuracin de base comn; a continuacin se explica su funcionamiento. La seal de
entrada se aplica al circuito de emisor y la salida se obtiene del circuito de colector a travs
de la resistencia R
L
. Cuando el voltaje de la seal de entrada se suma al de la polarizacin
del circuito emisor-base, la corriente de emisor se incrementa y hace que la corriente de
colector tambin aumente y produzca una cada mayor de voltaje en la resistencia R
L
. La
corriente de colector aumenta o disminuye casi lo mismo que la corriente de emisor, pero la
resistencia del circuito de salida (R
L
) es mucho mayor que la del circuito de entrada (R
E
),
por lo tanto, las variaciones del voltaje de entrada provocan una seal amplificada de
voltaje.
Figura 5.12 Configuracin del circuito base comn. a) Con transistor pnp y b) con transistor npn.
Al aplicar una seal de entrada senoidal al circuito de base comn, tanto la fase de
entrada como la de salida son iguales (como se muestra en la figura 5.13)
Figura 5.13 Representacin de la fase de la seal de entrada y la de salida.
148
5.6.2 Configuracin Emisor comn.
Este tipo de configuracin tiene al emisor conectado tanto al circuito de entrada
como al de salida (Figura 5.14). Este tipo de configuracin es la ms empleada en circuitos
con transistores para amplificadores. La seal de entrada es aplicada a la base y la seal de
salida se obtiene del colector a travs de la R
L
. La seal de entrada se suma al voltaje
suministrado por la fuente de polarizacin de base-emisor , en otro caso se puede oponer,
esto provoca que aumente la corriente de base debido a que al aumentar la polarizacin
directa aumenta la corriente de emisor. Por lo tanto, la corriente de colector tambin
aumenta y provoca que la cada de tensin en la resistencia de salida tambin aumente;
suceder lo contrario si la seal de entrada disminuye. De esta forma, son mayores las
variaciones en el voltaje de salida que en el de entrada y se obtiene una ganancia de voltaje.
Figura 5.14 Circuito de configuracin emisor comn.
En la configuracin de emisor-comn, la fase de la seal de entrada sufre una
inversin de 180 (figura 5.15).
149
Figura 5.15 Desfasamiento de la seal de entrada y la seal de salida en 180.
5.6.3 Configuracin colector comn.
Cuando la configuracin es de este tipo, la seal de entrada se aplica en la base y la
seal de salida se recibe del emisor a travs de la R
L
. Al igual que en los casos anteriores, la
seal de entrada se suma al voltaje de polarizacin del circuito de entrada, pero no se
presenta ninguna ganancia a diferencia de los otros casos. El circuito de colector
permanecer prcticamente inactivo y la seal de entrada slo hace que aumente y
disminuya la corriente de emisor.
Figura 5.16 Representacin de la configuracin de colector comn.
Las seales de entrada y de salida en la configuracin de colector comn estn en fase.
150
Figura 5.17 Seales en fase en el circuito colector comn.
5.7 Ganancia del transistor.
La ganancia de corriente en la configuracin base comn es igual a
0
= h
FB
, donde
los sufijos F y B se refieren a forward y base comn, tambin es conocida como
constante de proporcionalidad ganancia esttica de corriente del transistor en base
comn. La siguiente expresin muestra su valor:
pC
C
pE
pC
E
pE
E
C
FB
I
I
I
I
I
I
I
I
h
donde:
E
pE
I
I
Eficiencia de emisor
pE
pC
I
I
Factor de transporte de base

T
pC
C
I
I
Factor de multiplicacin del colector M.

151
(5.17)
Por lo tanto, la ganancia de corriente esttica en la configuracin de base comn est dada
por:
T T
M
0
el valor de
0
en un transistor bien diseado es cercano a la unidad.
La eficiencia de emisor est dada por:
emisor del corriente de total Incremento
emisor el desde huecos de corriente de Incremento

( )
1
tanh 1
0

]
]
]
,
`
.
|
+
B E
B
B
E
B
E
E
p
L
W
L
L
D
D
p
n
I
x AJ
el valor del factor de transporte de base est dado por:

emisor el desde huecos de corriente la de Incremento
colector del llegando huecos de corriente la de Incremento
( )
( )
2
2
2
1
cosh
1
0
B
B
P
P
T
L
W
L
W
x J
W x J

,
`
.
|

ambos trminos son ms pequeos que la unidad.
Para transistores bipolares con un ancho de base menor a un dcimo de la longitud
de difusin,
T
> 0.995; y la ganancia de corriente est dada casi completamente por la
eficiencia de emisor.
152
(5.18)
(5.19)
(5.20)
5.7.1 Ganancia de corriente en la configuracin base comn.
Una forma de relacionar
0
con el circuito de base comn es observando la figura
5.12a. La corriente de colector est formada por dos trminos, la corriente de portadores
mayoritarios que llegan desde el emisor multiplicada por el valor de
0
(
0
I
E
) y la
componente de portadores minoritarios a travs de la unin base-colector polarizada
inversamente y con la terminal de emisor abierta; esta corriente se simboliza como: I
CB0
. Por
lo tanto, la corriente de colector est representada por:
0 0 CB E C
I I I +
El valor de
0
I
E
es del orden de los miliamperes mientras que el de I
CB0
es apenas de
unos microamperes o inclusive nanoamperes como el valor de I
S
que se vio en la unidad 3
y, por lo tanto, puede ser despreciado. Este ultimo valor puede ser afectado por la
temperatura debido a que depende de los portadores minoritarios generados trmicamente y
solamente deben considerarse sus efectos en temperaturas elevadas. La ecuacin anterior se
rescribe, quedando:
E C
I I
0

La ganancia de corriente se obtiene dividiendo la corriente de salida entre la
corriente de entrada, en este caso, la corriente de salida es I
C
y la corriente de entrada es I
E
;
de lo cual, la ecuacin anterior queda de la siguiente manera:
E
C
cd
I
I

Este ser el valor de la ganancia de corriente. Supongamos que tenemos un circuito de base
comn con una corriente de emisor de 4.3 mA y una corriente de colector de 4 mA, la
ganancia de corriente ser:
153
(5.21)
(5.22)
(5.23)
93 . 0
3 . 4
4

E
C
cd
I
I
Si todos los portadores mayoritarios del emisor (huecos, para un transistor pnp)
fueran inyectados al colector, el valor de
cd
sera igual a 1. Muchos transistores tienen
valores de
cd
mayores de 0.95 y menores a 1, por lo tanto, en la mayor parte de los clculos
se dice que
cd
= 1.
Trabajando con las ecuaciones 5.21 y despejando I
E
de la ecuacin 5.9, se obtiene:
C B E
I I I +
substituyendo la ecuacin 5.24 en 5.21:
( )
0 0 CB C B C
I I I I + +
como ya se ha mencionado I
CB0
se desprecia y, por lo tanto:
( )
C B C
I I I +
0
C B C
I I I
0 0
+
B C C
I I I
0 0

( )
B C
I I
0 0
1
o bien:
B C
I I
0
0
1
154
(5.24)
(5.25)
a la relacin
0
0
1
se le denomina ganancia esttica de corriente del transistor en

configuracin emisor comn y para diferenciar esta ganancia de corriente con la de base
comn se representa con la letra , tambin se suele nombrar en los manuales como h
FE
;
quedando como:
0
0
1
reordenando los trminos de las ecuaciones 5.25 y 5.26:

B C
I I
B
C
I
I

La ganancia de corriente vara generalmente con la corriente de colector. La figura
5.18 muestra una grfica representativa, la cual se obtiene de la ecuacin 5.27.
Figura 5.18 Ganancia de corriente vs corriente de colector.
155
(5.26)
(5.27)
5.8 Cmo amplifica el transistor?
Supongamos que tenemos el circuito de la figura 5.19; vemos que en el circuito de
entrada (emisor-base) se aplica un voltaje, este voltaje se puede sumar o restar a la
polaridad directa. Al incrementar el voltaje de entrada, la corriente de emisor aumenta y
disminuye cuando el voltaje de la seal de entrada se resta del voltaje de polarizacin. As,
el voltaje de la seal produce cambios en la corriente de emisor I
E
y, por lo tanto, en la
corriente de colector I
C
. Si se conecta una resistencia en el circuito de salida (base-colector),
cualquier cambio que exista en la corriente de colector ocasionar un cambio en la cada de
voltaje en la resistencia.
Figura 5.19 Circuito amplificador.
Al estar polarizado directamente el circuito de entrada, la barrera de potencial es
muy reducida y, su resistencia es baja. Al contrario, en el circuito de salida, la resistencia es
elevada por estar polarizado inversamente. Por lo tanto, los cambios de voltaje en la
resistencia de salida sern ms notables que en la resistencia de entrada. Se debe considerar
que la corriente de entrada I
E
es aproximadamente igual a la corriente de salida I
C
, como la
misma cantidad de corriente que fluye con dos resistencias diferentes produce una cada de
voltaje mayor en la resistencia ms grande.
La ganancia de corriente total del circuito se encuentra de la siguiente manera:
Entrada de Corriente
Salida de Corriente
Corriente de Ganancia
156
Alrededor del 2 al 5% de la corriente de emisor se va por la base, en tanto que del
95 al 98% se convierte en corriente de colector. Entonces, tomando al 97% como un valor
promedio, la ganancia de corriente quedar:
0.97
100%
97%
Corriente de Ganancia
De la misma forma podemos calcular la ganancia de voltaje, as:
Entrada de Voltaje
Salida de Voltaje
Voltaje de Ganancia
Teniendo el circuito de la figura 5.9 calcular la ganancia de voltaje si la resistencia
de entrada R
ENT
= 10 y una resistencia de carga R
L
= 22K. El voltaje de entrada es V
ENT
=
23mV.
mA . I
mV
I
R
V
I
ENT
ENT
ENT
ENT
ENT
3 2
10
23
Como I
C
I
E
:
mA I I
ENT L
3 . 2
y
L L L
R I V
( ) K . mA . V
L
2 1 3 2
157
V . V
L
76 2
La ganancia de voltaje es:
23mV
2.76V
Voltaje de Ganancia
120 Voltaje de Ganancia
Podemos ver como el transistor est amplificando la seal de entrada 120 veces y la
ganancia de corriente en este circuito es un poco menor a la unidad pero, existen circuitos
que incrementan este valor.
5.9 Regiones de polarizacin.
En la figura 5.20 se muestran las caractersticas de voltaje-corriente de salida
generalizada de las configuraciones de los transistores. En la misma pueden estudiarse
cinco zonas particulares:
Entre la ordenada y la recta vertical trazada por V
CE-SAT
se tiene la zona de
saturacin. El transistor conduce una corriente muy grande, prcticamente sin cada de
voltaje apreciable entre las terminales de colector y emisor.
El lmite inferior de corriente, que es por debajo del cual se considera que no
circula corriente de colector se llama, zona de corte.
Para valores grandes de tensin V
CE
se produce una corriente excesiva por
avalancha, que daa al dispositivo. Dicha regin se denomina zona de ruptura.
La zona que determina la mxima potencia que puede manejar el transistor se
presenta por una hiprbola. Por encima de ella se corre el peligro de destruir el transistor;
por lo tanto queda definida una zona de mxima disipacin.
158
La zona activa determina los valores en que debe moverse el transistor cuando
opera como amplificador de seal. Est zona corresponde al funcionamiento lineal del
dispositivo.
Figura 5.20 Representacin de las principales zonas de trabajo del transistor.
En resumen, el transistor presenta cuatro regiones de operacin: la activa, la de
corte, la de saturacin y por ltimo, la de rompimiento. Cuando se desea amplificar una
seal, el transistor debe de operar en la regin activa; a veces a estos circuitos
amplificadores se les da el nombre de circuitos lineales porque cualquier cambio que se
presente en la entrada producir cambios proporcionales en la seal de salida. Las ltimas
dos regiones, corte y saturacin, se emplean ampliamente en los circuitos digitales y en
otros circuitos para computadoras donde se requieren dos estados lgicos: apagado y
encendido (1 y 0 respectivamente).
159
5.10 Curvas caractersticas.
Para poder describir el funcionamiento de un dispositivo de tres terminales, se
necesitan conocer tanto las caractersticas de entrada como las de salida. En el amplificador
de base comn, se relacionan una corriente de entrada I
E
con un voltaje de entrada V
BE
para
varios niveles de voltaje de salida V
CB
. Para las caractersticas de salida, se relacionan la
corriente de salida I
C
y el voltaje de salida V
CB
para distintos niveles de corriente de entrada
I
E
. La figura 5.21 muestra las caractersticas de entrada para un transistor pnp en su
configuracin de base comn.
Figura 5.21 Curva de representativa de la relacin IE vs VBE.
En la figura anterior, se puede observar que al tener valores fijos de voltaje en la
unin de base-colector (V
CB
) y, si se incrementa el voltaje en la unin emisor-base (V
BE
) la
corriente de emisor aumenta de una forma similar a la de un diodo de unin p-n. Si V
CB
se
incrementa no tiene un efecto pronunciado (se puede considerar insignificante) sobre las
caractersticas de entrada y, por lo tanto, se puede ignorar el valor de V
CB
. Se puede decir de
manera similar al diodo de unin p-n que se analiz en la unidad 3, que una vez que el
transistor est en estado de conduccin, el voltaje emisor-base ser:
160
V
BE
0.7 Volts
Esta suposicin se aplicar a cualquier configuracin del transistor cuando opere en el
modo de polarizacin en cd.
Las caractersticas de salida se muestran en la figura 5.22. Tanto las corrientes de
emisor como las de colector estn en funcin de los voltajes aplicados V
EB
y V
CB
, es decir,
de las ecuaciones 5.4 y 5.8, tenemos:
( )
CB EB E
V V f I ,
1
( )
CB EB C
V V f I ,
2
Figura 5.22 Caractersticas de salida.

De la figura anterior, se observa que la corriente de colector es prcticamente igual a
la corriente de emisor (
0
= 1) y es virtualmente independiente de V
CB
. La corriente de
emisor permanece casi constante y se puede decir que:
161
(5.28)
I
C
I
E
En la regin de saturacin se puede notar un incremento exponencial de la corriente
de colector a medida que el voltaje base-colector aumenta (el voltaje tiene que ser mayor a
0.7V).
En la regin ms baja de la grfica (regin de corte), la corriente de emisor es
simplemente la debida a la corriente inversa de saturacin I
C0
(tambin expresada como
I
CB0
) que puede ser medida con el circuito de emisor abierto. Esta corriente es tan pequea
(del orden de los microamperes) que aparece virtualmente sobre la lnea horizontal de la
corriente de colector; solamente hay que tenerla en consideracin cuando el transistor se
opere en condiciones de temperaturas elevadas.
Si el voltaje llega a ser mayor de los 40 Volts (para este caso en particular), el diodo
base-colector entrar en un estado de rompimiento (representado por BV
CB0
), es decir, la
corriente se incrementa de una manera abrupta. El rompimiento puede ser causado debido a
que el ancho de la regin de vaciamiento de la base W se reduce a cero y la regin de
vaciamiento entra en contacto directo con la regin de vaciamiento del emisor. As, se
puede decir que el colector est en cortocircuito con el emisor y puede fluir una gran
cantidad de corriente en un corto tiempo.
Ahora consideraremos las caractersticas de salida de la configuracin emisor
comn. Al igual que en la configuracin de base comn, las caractersticas de entrada se
tomarn igual que un diodo de unin p-n en donde, V
BE
0.7 Volts. Lo que cambia es que
ahora la corriente de entrada es I
B
y el voltaje de entrada V
BE
y el de salida V
CE
permanecen
iguales (figura 5.23).
Las caractersticas de salida estn dadas por la figura 5.24. Observando la figura 5.24 se
nota que los valores para la corriente de base son del orden de los microamperes comparada
con los miliamperes de la corriente de colector y, las curvas de la corriente de base no son
162
(5.29)
Figura 5.23 Caractersticas de la unin emisor-base.
tan horizontales como las de la corriente de emisor para la configuracin de base comn.
La regin activa es la parte de la grfica que presenta la mayor linealidad por parte de la
corriente de base.
Figura 5.24 Caractersticas de salida en configuracin emisor comn.
Esta regin se encuentra entre las regiones de saturacin y la de corte; en donde, la unin
emisor-base debe polarizarse directamente y la unin base-colector inversamente. En dicha
163
zona, la corriente de colector depende casi exclusivamente de la corriente de base. Se puede
notar que la ganancia de corriente h
FE
= I
C
/ I
B
, es considerable y que la corriente aumenta
cuando se incrementa V
CE
. Sin embargo, la corriente de colector I
C
no es igual a cero
cuando la corriente de base I
B
es cero. En la configuracin de base comn, cuando la
corriente de emisor tena un valor de cero la corriente de colector era igual a la corriente de
saturacin inversa (regin de corte). La razn de esta diferencia puede obtenerse mediante
la manipulacin de las ecuaciones 5.21 y 5.29, obteniendo:
0 0 CB E C
I I I +
( )
0 0 CB B C C
I I I I + +
reordenando:

1 1
0 0 CB B
C
I I
I
Si substituimos un valor para
0
= 0.998 y con una corriente de base de 0 amperes, la
corriente de colector ser:
( )
998 . 0 1 - 1
Amperes 0
0
0
0
+
CB
C
I
I
002 . 0
0 CB
C
I
I
0
500
CB C
I I
Si I
CB0
tuviera un valor de 1A, la corriente de colector con una corriente de base igual con
cero, sera de:
164
(5.30)
( ) A I
C
1 250
A I
C
25 . 0
Entonces, la corriente de colector definida por la condicin de I
B
= 0 A estar dada por la
ecuacin:
0
0
0
1
CB
CE
I
I
La regin por debajo de I
B
= 0 A debe de evitarse si se requiere una seal de salida sin
distorsin.
5.11 Modelo Ebers-Moll.
El modelado de los dispositivos es especialmente importante para el diseo de los
circuitos integrados para poder predecir su comportamiento en un circuito y, por lo tanto,
surge la necesidad de disear un modelo del circuito utilizando los parmetros fsicos del
dispositivo para obtener las caractersticas finales del mismo.
El modelo bsico para un transistor bipolar se obtiene utilizando el modelo de
Ebers-Moll, debido a que se ha demostrado que concuerda muy bien con las mediciones
experimentales. Tambin, este modelo predice de una forma muy exacta el comportamiento
del transistor tanto en la regin de saturacin como en la inversa. La figura 5.25 muestra el
diagrama del circuito par su funcionamiento en modo normal, es decir, la unin emisor-
base polarizada directamente y la unin base-colector polarizada inversamente.
165
(5.31)
Figura 5.25 Diagrama del circuito Ebers-Moll bsico.
En este modelo, las corrientes totales estn dadas por:
R I F E
I I I
F N R C
I I I
donde,
N
y
I
son las ganancias de corriente en polarizacin directa e inversa
respectivamente.
Las fuentes de corriente son controladas por las corrientes de los diodos en los
cuales se asume que son ideales, en donde I
F
es la corriente que fluye en el diodo base-
emisor y, de manera similar, I
R
es la corriente que fluye en el diodo base-colector. Las dos
corrientes se expresan como:
,
`
.
|
1
0
kT
qV
F F
EB
e I I
,
`
.
|
1
0
kT
qV
R R
CB
e I I
En donde las corrientes I
F0
e I
R0
son las corrientes del transistor de los diodos en
polarizacin directa e inversa respectivamente.
166
(5.32)
(5.33)
(5.34)
(5.35)
Substituyendo las ecuaciones 5.34 y 5.35 en 5.32 y 5.33, se pueden rescribir las
ecuaciones para el transistor 5.4 y 5.8 y obtener las ecuaciones generales para las corrientes
de emisor y colector, quedando:
R I F E
I I I
,
`
.
|

,
`
.
|
1 1
0 0
kT
qV
R I
kT
qV
F E
CB EB
e I e I I
F N R C
I I I
,
`
.
|
+
,
`
.
|
1 1
0 0
kT
qV
R
kT
qV
F N C
CB EB
e I e I I
Por ltimo I
B
est dada por la ecuacin 5.9, obteniendo:
C E B
I I I
( ) ( )
,
`
.
|
+
,
`
.
|
1 1 1 1
0 0
kT
qV
R I
kT
qV
F N B
CB EB
e I e I I
Debido a que:
0 0 F N R I
I I
solamente se requieren tres parmetros para el modelo bsico del Transistor.
167
(5.36)
(5.37)
(5.38)
(5.39)
5.12 Regin del Transistor.
Como ya se haba mencionado, las ecuaciones de Ebers-Moll se utilizan para
determinar el comportamiento del Transistor en la regin de saturacin. En dicha regin,
tanto la unin base-emisor como la unin base-colector estn polarizadas en sentido
directo, por lo que las corrientes I
F
e I
R
estn circulando simultneamente. Suponiendo que
V
BE
y V
BC
exceden el voltaje trmico (V
T
= q/kT 25mV) en una cantidad suficiente, se
puede despreciar los trminos 1 de las ecuaciones 5.37 y 5.38. Dividiendo I
C
entre I
B
,
tenemos:
( ) ( )
T
BC
T
EB
T
CB
T
EB
V
V
R I
V
V
F N
V
V
R
V
V
F N
B
C
e I e I
e I e I
I
I
0 0
0 0
1 1
Utilizando la ecuacin 5.39 y teniendo que V

CE
= V
BE
V
BC
, la ecuacin anterior se puede
reescribir y obtener:
,
`
.
|
+
FC
FE V
V
I
V
V
FE
B
C
h
h
e
e
h
I
I
T
CE
T
CE
1
donde:
N
N
FE
h
1
I
I
FC
h
1
168
(5.40)
(5.41)
(5.42)
(5.43)
y h
FE
>> h
FC
. Expresando el voltaje colector-emisor V
CE
en trminos de I
C
/ I
B
, la ecuacin
5.41 se puede ordenar como:
FE
B
C
FC
B
C
I
T CE
h
I
I
h
I
I
V V
,
`
.
|
,
`
.
|
+

1
1
ln

En la figura 5.26 se representa la ecuacin 5.41 en donde se utiliza un transistor tpico.
Figura 5.26 Caracterstica Vi normalizada de un transistor ( hFE >> hFC).
Definiendo el extremo de saturacin como un punto en el que I
B
/ I
C
= 0.9 h
FE
se
puede hallar el V
CE
en este punto ocupando la ecuacin 5.44, quedando:
169
(5.44)
9 . 0 1
9 . 0 1
ln
,
,
`
.
| +

FC
FE
FC
FC
T sat CE CE
h
h
h
h
V V V
FC
FE FC
T sat CE
h
h h
V V
9 . 0 1
10 ln
,
+ +

Ordinariamente 0.9h
FE
>> 1+ h
FC
, despus de simplificar esto se reduce a:
,
`
.
|
+
FC
FE
T
FC
FE
T sat CE
h
h
V
h
h
V V ln 2 . 2
9
ln
,
por ejemplo, si h
FE
= 100 y h
FC
= 0.01 entonces, V
CE,sat
285 mV.
Para que este modelo sea ms exacto o preciso, se pueden aadir resistencias en
serie (las resistencias que presentan tanto el emisor como el colector al paso de corriente) y
las capacitancias de vaciamiento del emisor y colector al modelo (figura 5.42). En este
momento, los parmetros se han incrementado de tres a cinco. Se pueden aadir ms
parmetros al modelo bsico como: variaciones de la densidad de corriente y la operacin
del modelo en la frecuencia, hacindolo ms preciso pero se ver que comienza hacerse
mucho ms complejo.
170
6. Amplificadores FET
6.1 Introduccin.
El transistor bipolar es el dispositivo ms importante de la electrnica; funciona
mediante dos tipos de cargas, electrones y huecos, por esta razn, recibe el nombre de
bipolar. Existen aplicaciones en las cuales un transistor unipolar es mucho mas adecuado.
Un transistor unipolar solo necesita un tipo de carga para funcionar, ya sean electrones o
huecos; por ello, se le llama unipolar (el prefijo uni significa uno).
Un transistor unipolar es el FET (transistor de efecto de campo) y es un dispositivo
de tres terminales. Existen diferencias y semejanzas entre el transistor BJT y el FET. La
principal diferencia entre estos dos dispositivos, es el hecho que el BJT es un dispositivo
controlado por corriente (como se muestra en la figura 6.1a); mientras que el FET es un
dispositivo controlado por voltaje (figura 6.1b).
Figura 6.1 Diferencias entre los dos amplificadores.
As como existen transistores tipo pnp y npn, existen FETs de canal n y canal p; el
siguiente cuadro sinptico muestra los tipos de FETs que existen:
171
Un BJT tiene una corriente de emisor I
E
y un FET tiene una corriente I
S
. En lugar de
una corriente de base I
B
, se tiene una corriente de compuerta I
G
y en lugar de una corriente
de colector I
C
, tiene una corriente de drenaje I
D
. Esto no indica que se pueda substituir un
BJT en un circuito por un FET directamente, se necesita antes un diseo. El circuito que
estudiaremos ser el JFET (FET de unin).
6.2 Construccin del JFET.
En la figura 6 se muestra un JFET de canal n. Al principio es una muestra de
material tipo n a la que posteriormente se le agregan las regiones tipo p, ya sea por aleacin
difusin al vapor; finalmente, el material n forma un canal entre las capas tipo p. En el
extremo superior del canal n se conecta mediante contacto hmico una terminal la cual se
llama drenaje D (drain), porque de ah se extraen los portadores; del extremo inferior del
mismo material, tambin se conecta por contacto hmico otra terminal, la cual recibe el
nombre de fuente S (source), por ser el lugar en donde se originan los portadores
mayoritarios. Las regiones tipo p forman la compuerta G (gate), la que controla el flujo de
portadores y ambas terminales estn unidas.
172
FET
JFET
MOSFET
Canal p
Canal n
Tipo Incremental
Tipo Decremental
Canal n
Canal p
Canal n
Canal p
CMOS
Figura 6.2 Construccin de un JFET.
Una semejanza con el BJT y el FET son sus tres regiones, como se muestra a
continuacin:
Bipolar FET
Emisor Fuente
Base Compuerta
Colector Drenaje
Si observamos, el JFET presenta dos uniones p-n, al no estar polarizado el
dispositivo se presenta una regin de empobrecimiento en cada unin (como se muestra en
la figura 6.3a). Como vimos anteriormente la analoga del BJT, en el JFET tambin se
puede establecer una analoga hidrulica con una llave de agua, la figura 6.3b muestra el
caso. Un voltaje aplicado entre la terminal de drenaje y la fuente se puede asemejar a la
fuente de la presin del agua, el cual establecer un flujo de agua (electrones). Aplicando
un voltaje a la compuerta, se controla el flujo de agua hacia el drenaje.
173
Figura 6.3 El Transistor de Efecto de Campo y analoga con un sistema hidrulico.
6.3 Funcionamiento del JFET.
La figura 6.4a muestra la forma en que se polariza un FET. Observe que la unin
compuerta-fuente esta polarizada inversamente (-V
GS
), su funcin es la de establecer
regiones de empobrecimiento muy grandes. La unin drenaje-fuente se polariza
directamente (V
DS
). En el instante de aplicar este voltaje, los electrones del material tipo n
son atrados por la terminal positiva de la batera (hacia la terminal de drenaje), formndose
una corriente convencional I
D
(figura 6.4b). Si el voltaje V
GS
es de una magnitud que
permita el flujo de electrones, este flujo solo ser limitado por la resistencia del canal n
entre el drenaje y la fuente.
En la figura 6.4a se observa que la regin de empobrecimiento es ms ancha en el
extremo de la terminal de drenaje que en la de la fuente; esto se debe a que el canal
presenta una resistencia, en la figura 6.4c se muestra este caso.
174
Figura 6.4 Polarizacin del JFET.
Si cada resistencia tiene un valor de 1 y el voltaje V
DS
= 2V, podemos calcular los voltajes
en cada resistencia como sigue:
175
4 3 2 1
R R R R R
EQ
+ + +
+ + + 1 1 1 1
EQ
R
4
EQ
R
,
`
.
|
EQ
DS A
R
R
V V
1
,
`
.
|
4
1
2V V
A
V V
A
5 . 0
,
`
.
|
+
EQ
DS B
R
R R
V V
2 1
,
`
.
|
4
1 1
2V V
B
V V
B
1
,
`
.
|
+ +
EQ
DS C
R
R R R
V V
3 2 1
,
`
.
|
+ +
4
1 1 1
2V V
C
V V
C
5 . 1
,
`
.
|
+ + +
EQ
DS D
R
R R R R
V V
4 3 2 1
176
,
`
.
|
+ + +
4
1 1 1 1
2V V
D
V V
D
2
El resultado de estos valores nos indica que la regin superior del material tipo p se
polariza inversamente hasta los 1.5V logrando que la regin de empobrecimiento sea
mucho ms grande y la regin inferior con 0.5V presenta una regin de empobrecimiento
ms pequea.
Si se incrementa de forma gradual el voltaje V
GS
, la regin de empobrecimiento se
hace cada vez ms grande hasta que llega a un punto que las dos regiones se juntan y no
permiten que exista un flujo de corriente I
DS
, a este voltaje se le conoce como voltaje de
estrechamiento y se denota por V
P
.
Dicho lo anterior se comprueba que el voltaje V
GS
controla la cantidad de corriente
que fluye a travs del dispositivo; por lo tanto, es un dispositivo controlado por voltaje.
6.3.1 Simbologa.
Los smbolos que representan al JFET de canal n y p se muestran en la figura 6.5.
Para poder memorizar los smbolos, imagnese la delgada lnea vertical como el canal ya
sea n p; las terminales de la fuente y drenaje se conectan a esta lnea. La terminal de la
compuerta se representa por una flecha la cual apunta en la direccin en que I
G
fluir si la
unin p-n estuviera polarizada de forma directa.
Figura 6.5 Smbolos que representan al JFET de canal n y el de canal p.
177
6.3.2 Ventajas y desventajas.
En la siguiente tabla se muestran las ventajas y desventajas que presenta un JFET
ante el BJT.
Tabla 6.1 Comparacin entre un JFET y un BJT.
Ventajas Desventajas
Alta impedancia de entrada. Menor sensibilidad a los cambios
del voltaje de entrada.
Ms estables con relacin a la
temperatura.
Ganancias menores en c-a.
De un 20 a 30% ms pequeos que
un BJT en su construccin, hacindolos
ideales en los CI.
6.4 El MOSFET.
Como se mostr anteriormente, existen 2 tipos de FET; el JFET y el MOSFET. La
palabra MOSFET significa Transistor de Efecto de Campo de Metal Oxido
Semiconductor (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor). Al igual que el
JFET tiene una terminal de fuente, compuerta y drenaje; sin embargo, la compuerta se
encuentra aislada elctricamente del canal. Tambin el MOSFET recibe el nombre de
IGFET, que significa FET de compuerta aislada (insulated-gate-FET), aunque este
nombre casi no se ocupa en la literatura actual. Existen dos tipos de MOSFET, el tipo
decremental y el tipo incremental. A continuacin se explica el primero de ellos.
6.4.1 MOSFET de tipo Decremental.
La construccin de un MOSFET decremental tipo n se muestra en la figura 6.6a. La
regin tipo p se denomina substrato y es la base donde se construye el dispositivo. Se
difunden regiones tipo n
+
fuertemente dopadas en el substrato, las cuales estn divididas
por otra regin tipo n que formar un canal. Las terminales de drenaje y fuente se conectan
178
a las regiones n
+
a travs de contactos metlicos. Una capa de dixido de silicio (SiO
2
) se
deposita sobre el canal tipo n; posteriormente se conecta la compuerta mediante un contacto
metlico. El dixido de silicio es semejante al vidrio y, por lo tanto, es un aislante conocido
como dielctrico, el cual establece una oposicin a los campos elctricos dentro del
dielctrico, cuando este se expone a un campo externamente aplicado. Como la compuerta
esta aislada del canal, el diodo de compuerta-fuente y compuerta-drenaje en el JFET ya no
existen en el MOSFET, logrando una alta impedancia de entrada del dispositivo.
En la figura 6.6b se muestra el funcionamiento del MOSFET. La terminal de
compuerta se fija a un potencial de cero volts, mientras que en las terminales de drenaje y
fuente se aplica un voltaje V
DS
positivo. El resultado es la atraccin de los electrones libres
del canal n debido al potencial positivo en la terminal de drenaje y se establece una
corriente similar al JFET. Ahora en la figura 6.6c, se ha aplicado un voltaje negativo en la
compuerta; este potencial hace que los electrones del canal tipo n sean rechazados o
empujados hacia el substrato tipo p y atraen a los huecos de este material. Dependiendo de
la magnitud del potencial V
GS
, existir una mayor o menor recombinacin entre los
electrones y huecos obtenindose una reduccin del nmero de electrones libres disponibles
para la conduccin en el canal n.
179
Figura 6.6 Funcionamiento del MOSFET tipo Decremental.
6.4.2 Simbologa.
Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo decremental de canal n y canal p se
muestran en la siguiente figura.
Figura 6.7 Smbolos
para los distintos
MOSFET
de tipo Decremental de canal
n y p.
180
6.5 MOSFET de tipo Incremental.
Observando la figura 6.7a podemos ver de inmediato la diferencia en la
construccin de un MOSFET de tipo incremental y uno decremental, la ausencia del canal
tipo n. Se siguen presentando los mismos componentes que se tenan en el MOSFET de
tipo decremental.
Su funcionamiento es el siguiente. Si fijamos un potencial de cero volts en las
terminales de compuerta y fuente (V
GS
) y aplicamos un potencial entre drenaje y fuente, la
ausencia del canal no permite que exista un flujo de corriente entre fuente y drenaje
(figura6-7b).
181
Figura 6.8 Funcionamiento del MOSFET de tipo Incremental.
En la figura 6.8b, tanto como V
DS
como V
GS
tienen un voltaje aplicado, mayor a los
cero volts. EL voltaje positivo en la compuerta empuja a los huecos del substrato tipo p
(cargas iguales se repelen) a todo lo largo de la capa de SiO
2
. Este efecto logra crear una
regin de empobrecimiento cercana a la capa aislante de SiO
2
con ausencia de huecos. Los
portadores minoritarios del substrato (electrones) se vern atrados por la carga positiva de
la compuerta y se acumularn en la regin cercana a la superficie de la capa de SiO
2
, esta
capa impedir que los portadores minoritarios sean absorbidos por la terminal de
compuerta. Conforme la magnitud del voltaje V
GS
aumente, se incrementar la
concentracin de electrones cerca de la superficie de SiO
2
hasta que la regin tipo n
inducida pueda soportar un flujo considerable entre el drenaje y la fuente. El nivel de V
GS
que resulta del incremento en la corriente de drenaje se conoce como voltaje de umbral y se
denota por V
T
. Al no existir ningn canal con V
GS
= 0V, el canal se forma conforme se
incrementa el voltaje V
GS
; por lo tanto, este tipo de MOSFET se conoce como de tipo
incremental. Ambos tipos de MOSFET (incremental y decremental) presentan regiones de
acrecentamiento, pero el nombre fue aplicado a estos ltimos debido a que es su nico
modo de operacin.
182
6.5.1 Simbologa.
Los smbolos grficos para un MOSFET de tipo decremental de canal n y canal p se
muestran en la siguiente figura.
Figura 6.9 Smbolos para los distintos MOSFET de tipo Decremental de canal n y p.
Los smbolos anteriores tratan de reflejar la construccin real del dispositivo. La lnea
segmentada entre el drenaje y la fuente, demuestra que no existe un canal entre los dos
elementos en condiciones sin polarizacin. Esta es la nica diferencia entre los smbolos del
MOSFET tipo decremental y tipo incremental.
183

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Unidad 5 Transistores biplares de unin (BJT)

5. Transistores bipolares de unin (BJT)

Factor de transporte de base

Factor de multiplicacin del colector M.

el valor del factor de transporte de base est dado por:

se le denomina ganancia esttica de corriente del transistor en

reordenando los trminos de las ecuaciones 5.25 y 5.26:

Figura 5.22 Caractersticas de salida.

Utilizando la ecuacin 5.39 y teniendo que V

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