MATERIALES SEMICONDUCTORES. Capas de Electrones y rbitas. Los electrones giran alrededor del ncleo del tomo a cierta distancia.

Los electrones cerca del ncleo poseen menos energa que aquellos que se encuentran en rbitas ms distantes. El nivel de energa aumenta a medida que la distancia del ncleo aumenta. Cada una de estas rbitas alrededor del ncleo corresponde a un determinado nivel de energa. En un tomo las rbitas se agrupan en bandas de energa, denominadas Capas. Para cada tomo, existe un nmero determinado de Capas o Niveles de Energa; cada Capa posee un nmero mximo de electrones permisible para un nivel de energa (rbita). Las diferencias de energas dentro de una capa son mucho menores, que las diferencias de energa entre las capas. Las capas o Niveles de energa se denominan: K, L, M, N, etc. siendo K la capa que se encuentra ms cerca del ncleo. Electrones de Valencia. Los electrones en rbitas ms alejadas del ncleo se encuentran menos unidos al tomo que aquellos electrones en rbitas mas cercanas al ncleo, debido a que la fuerza de atraccin entre el ncleo cargado positivamente y los electrones cargados negativamente aumenta conforme la distancia entre stos disminuye. Los electrones con los niveles de energa ms elevados existen en la capa externa del tomo y se encuentran relativamente menos unidos al tomo; se les denomina electrones de Valencia. Y contribuyen a las reacciones qumicas entre los diferentes elementos y a la conformacin de la estructura de un material. La Valencia de un tomo es el nmero de electrones que posee en su capa ms externa. Ionizacin. Cuando un tomo absorbe energa de una fuente de calor o luz, los niveles de energa de los electrones aumentan, cuando un electrn gana energa, ste se mueve hacia una orbita ms lejana del ncleo. Dado que los electrones de valencia poseen mayor energa y se encuentran menos unidos al tomo que los electrones de capas interiores, pueden saltar a rbitas ms altas fcilmente cuando el tomo absorbe energa externa. Si un electrn de valencia adquiere una cantidad de energa suficiente, puede ser removido completamente de la capa externa del tomo lejos de la influencia del tomo. La salida de un electrn de valencia convierte a un tomo que previamente tena una neutralidad en carga elctrica, en un tomo con un exceso de carga positiva, ya que existiran mayor nmero de protones que de electrones en el tomo. A ste proceso de perdida de un electrn de valencia se le denomina Ionizacin, y el resultado es un tomo cargado positivamente que se le llama Ion positivo. Por ejemplo para el tomo de Hidrgeno, que posee un solo electrn y un solo protn, cuando pierde su electrn de valencia se convierte en un Ion positivo y se le denomina H+ . Al electrn de valencia que se ha escapado se le denomina Electrn Libre. Si este electrn libre cae en la rbita externa de un tomo de Hidrgeno neutro, el tomo se vuelve cargado negativamente, ms electrones que protones y se denomina Ion negativo Htomos de Silicio y Germanio. Estos elementos son los ms empleados en los materiales llamados Semiconductores, ambos elementos poseen 4 electrones de valencia, pero difieren en que el Silicio tiene 14 protones en su ncleo y el Germanio tiene 32 protones. Uniones entre tomos. Cuando los tomos de silicio se combinan en molculas para conformar un material slido, se agrupan entre ellos en un patrn fijo que se llama cristal. Los tomos que forman la estructura del cristal se agrupan mediante enlaces covalentes, que son creados por la interaccin de los electrones de valencia de cada tomo. Cada tomo de Silicio se une con cuatro tomos de Silicio adyacentes, ya que un tomo puede tener hasta 8 electrones en su capa externa; un tomo de Silicio con sus 4 electrones de Valencia, comparte un electrn con 4 tomos vecinos. As la comparticin de tomos de valencia da lugar a las uniones covalentes que mantienen a los tomos juntos, debido a que cada electrn compartido es atrado de igual manera por los dos tomos adyacentes que lo comparten. Conduccin en Materiales Semiconductores. Los electrones en un tomo slo pueden orbitar dentro de capas o niveles de energa predeterminados. Cada una de las capas alrededor del ncleo corresponde a un cierto nivel de energa y se encuentra separada de las capas adyacentes por espacios vacos o espacios sin energa, en donde los electrones no pueden orbitar el ncleo.

Conduccin de Electrones y Huecos. Un cristal puro de Silicio a temperatura ambiente absorbe energa trmica (calor) del aire circundante, ocasionando esto que los electrones de valencia ganen la suficiente energa para saltar de la banda o capa de Valencia a la banda de Conduccin, convirtindose en electrones libres. Cuando un electrn salta a la banda de Conduccin, un espacio Vaco queda en la banda de Valencia; a ste se denomina Hueco. Por cada electrn que se eleva a la banda de conduccin debido a la energa trmica o luminosa, existe un Hueco que permanece en la banda de Valencia; creando lo que se llama un Par Hueco-Electrn. El reacomodo o recombinacin ocurre cuando el electrn que haba pasado a la banda de conduccin pierde la energa y cae de nuevo en el Hueco en la banda de Valencia. En conclusin, un cristal puro de Silicio a temperatura ambiente, en cualquier instante; posee algn nmero de electrones en la banda de conduccin (electrones libres) que no se encuentran unidos a ningn tomo y se encuentran esencialmente vagando aleatoriamente a travs del material. Por consiguiente un igual nmero de Huecos se han creado en las bandas de Valencia, donde los electrones saltaron a la banda de Conduccin. Comparacin entre Germanio y Silicio. Lo que sucede en un cristal de Germanio es similar a lo que pasa en el de Silicio, con la excepcin de que, debido a la estructura atmica del Germanio, ste en estado puro posee mayor cantidad de electrones libres que el Silicio y por tanto, una conductividad mayor. Sin embargo, el material semiconductor mayormente empleado es el Silicio; la razn principal para esto, es que el Silicio puede emplearse a mayores temperaturas que el Germanio. Corriente de Electrones y Huecos. Cuando un Voltaje se aplica a travs de una pieza de Silicio (cristal puro), los electrones libres dentro de la banda de Conduccin son atrados hacia la terminal de Voltaje Positivo. ste movimiento de electrones libres oCorriente de Electrones es uno de los tipos de corrientes dentro de un material Semiconductor. El otro tipo de corriente que se establece ocurre a nivel de la banda de Valencia, donde estn los Huecos o espacios vacos que dejaron los electrones libres. Los electrones que permanecen en la banda de Valencia se encuentran todava unidos a sus tomos correspondientes y no son libres de moverse aleatoriamente dentro de la estructura del cristal; sin embargo, un electrn de la banda de Valencia puede caer y llenar alguno de los Huecos, sin tener cambios en su nivel de energa y dejar otro Hueco en el lugar de donde vena. Esto da lugar al desplazamiento de un Hueco de un lugar a otro dentro de la estructura del cristal. Esto se denomina Corriente de Huecos. Materiales Semiconductores, Conductores y Aislantes. En un Semiconductor puro, existen relativamente pocos electrones libres, de tal manera que ni el Silicio ni el Germanio son muy tiles en su estado puro; porque no son ni buenos aislantes ni buenos conductores ya que la propiedad de conducir corriente elctrica de un material depende directamente del nmero de electrones libres que el material posea. Estableciendo una comparacin de las bandas de energa de los tres tipos de materiales, es posible notar las diferencias esenciales entre ellos respecto a la Conduccin elctrica. El espacio de energa entre la banda de conduccin y la banda de valencia de un material Aislante es demasiado amplio, de manera que sera difcil que los electrones adquirieran la energa necesaria para saltar hasta la banda de Conduccin del material. En cambio, la banda de Valencia y la banda de Conduccin de un material Conductor (por ejemplo el Cobre) se encuentra traslapada, de manera que siempre tendr electrones en la banda de Conduccin, incluso sin la aplicacin o absorcin de energa externa. Para un Semiconductor, el espacio de energa entre stas bandas es mucho mas estrecho que en el caso de un Aislante. Semiconductores de Tipo-N y Tipo-P. Los materiales Semiconductores en estado puro no tienen la propiedad de conducir corriente elctrica con facilidad, debido al limitado nmero de electrones libres que poseen en su banda de Conduccin, adems la Resistividad de un Semiconductor es mucho mayor a la de un Conductor. Por ejemplo: Una muestra de 1 cm3de Plata tiene una Resistividad aprox. de 10-6 Ohmcm; mientras que en una muestra similar de Germanio puro la Resistividad es del orden de 45 Ohmcm y de varios miles de Ohmcm para una pieza de Silicio puro. Impurificacin o Dopado. Las Resistividades que presentan el Germanio y el Silicio pueden ser reducidas (de manera drstica) y controladas mediante la adicin de Impurezas a los cristales puros de stos materiales Semiconductores. ste proceso se llama Dopado o Impurificacin, y ste incrementa la cantidad de portadores de energa es decir de Electrones libres o Huecos; aumentando la capacidad de conducir corriente elctrica por medio de la disminucin de la Resistividad. Existen dos tipos de categoras de Dopado, denominadas Tipo-N y Tipo-P.

El Semiconductor Tipo-N. Para incrementar el nmero de electrones en la banda de conduccin en el Silicio puro, se aaden tomos Impurezas pentavalentes (de Valencia 5). Estos tomos con 5 electrones de valencia provienen de elementos tales como: Arsnico (As), Fsforo (S) y Antimonio (Sb). Cada uno de stos tomos pentavalentes (Ejemplo: Antimonio) forma enlaces covalentes con cuatro tomos adyacentes de Silicio. Cuatro electrones de valencia del Antimonio establecen los enlaces covalentes, permaneciendo libre un electrn (electrn extra). Este electrn extra se convierte entonces en un electrn de conduccin ya que no se encuentra atado o sujeto a ningn tomo. De sta manera, el nmero de electrones de conduccin puede ser controlado, mediante la cantidad de impurezas que se hayan aadido al Silicio. Ya que la mayora de los portadores de corriente son electrones libres, cuando el Silicio o el Germanio son dopados de sta manera se convierten en materiales semiconductores de Tipo N, entendindose la N como la carga Negativa debida a los electrones extra en el material. Para ste material los Electrones reciben tambin la denominacin de Portadores Mayoritarios aunque si bien que la mayora de portadores de corriente en el material son Electrones existirn adems algunos Huecos que para un material Tipo-N sern Portadores Minoritarios. El Semiconductor Tipo P. Para incrementar el nmero de Huecos en la banda de Valencia en el Silicio puro, se aaden tomos Impurezas trivalentes (de Valencia 3). Estos tomos con 3 electrones de valencia provienen de elementos tales como: Aluminio (Al), Boro (B) y Galio (Ga). Los tomos trivalentes (Ejemplo: Boro) forman enlaces covalentes con cuatro tomos adyacentes de Silicio. Los tres electrones de valencia del Boro establecen enlaces covalentes con los tomos de Silicio, pero como se requieren cuatro electrones; permanece un Hueco en cada uno de los tomos trivalentes. As el nmero de Huecos puede ser controlado, mediante la cantidad de Impurezas trivalentes aadidas al Silicio. Como la mayora de los portadores de corriente en ste material son Huecos dado el dficit de Electrones, cuando el Silicio o el Germanio son dopados en sta forma se convierten en materiales semiconductores de Tipo P, entendindose la P como carga Positiva, pues los Huecos se interpretan como cargas positivas. Para estos materiales con dficit de electrones, los Huecos son los Portadores Mayoritarios, sin embargo existirn tambin algunos Electrones que para un material Tipo P sern Portadores Minoritarios. Unin P-N. Cuando en una pieza de Silicio se realiza un Dopado de manera que la mitad del cristal sea Semiconductor Tipo N y la otra mitad Tipo P; se conforma una Unin P-N entre las dos partes, constituyendo lo que se conoce como: Diodo Semiconductor. La unin P-N es el mecanismo fundamental para la operacin de dispositivos electrnicos como diodos, transistores y dems dispositivos de estado slido. La Zona de Transicin. Sin la aplicacin de un voltaje externo, los electrones de la banda de conduccin de la regin Tipo N vagan en todas direcciones dentro del material. En el instante de la formacin de la Unin P-N, algunos de los electrones cercanos al material Tipo P se difunden a travs de ste y se recombinan con Huecos cercanos tambin a la unin. Por cada electrn que cruza la unin y se recombina con un hueco, un tomo pentavalente es convertido a Carga Positiva o Ion Positivo dentro del material N cerca de la unin. De la misma manera, en el material P al recombinarse los huecos con electrones, los tomos trivalentes adquieren Carga Negativa convirtindose en Iones Negativos. Esto da como resultado la creacin de una gran cantidad de Iones Positivos y Negativos en la unin, conforme esto se presenta los electrones libres en la regin N se someten a la atraccin de los iones positivos y la repulsin de los iones negativos durante el cruce a la regin P, dando lugar a una Zona de Transicin. El equilibrio de carga se establece cuando sta zona se ha ampliado lo suficiente para no permitir el paso de ms electrones a travs de la unin P-N.