TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (FET).

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (FET).

1.- Introduccin. 2.- Estructura. 3.- Funcionamiento. 4.- Zonas de funcionamiento. 5.- Transistores FET de puerta aislada (MOSFET).
5.1.- MOSFET de enriquecimiento. 5.2.- MOSFET de empobrecimiento.

6.- Aplicaciones.
Transistores de efecto de campo 2

1.- Introduccin.
Los transistores de efecto de campo o transistores FET (field effect transistor), se diferencian principalmente de los transistores bipolares, en que la corriente que conducen depende de la tensin, es decir, son controlados por tensin. Dentro de los transistores FET, hay dos tipos, los llamados transistores FET de unin (JFET), tambin llamados simplemente FET, y los transistores FET de puerta aislada, tambin llamados MOSFET.
Transistores de efecto de campo 3

2.- Estructura.
JFET de canal N JFET de canal P

Drenador (D)

Drenador (D) ID

Drenador (D)

Drenador (D) ID

Puerta (G)

Puerta (G)

IG VDS VGS IS Surtidor (S)

Puerta (G)

Puerta (G)

IG VSD VGS IS Surtidor (S)

Surtidor (S)

Surtidor (S)

Los tres terminales de un transistor FET son la puerta (gate en ingls), el drenador y el surtidor.
Transistores de efecto de campo 4

3.- Funcionamiento.
D ID

ID G IG P N P IG G

VGS VGS
S

VDS

VDS

La intensidad de puerta, dado que se corresponde con la de un diodo polarizado en inversa, es muy pequea, en general del orden de pA. A la tensin a la que se cierra el canal, se le llama tensin de contraccin o tensin de apagado (pinch off en ingls).

Transistores de efecto de campo

3.- Funcionamiento.
ID

VDS

Ecuacin aproximada:
Transistores de efecto de campo

V I D = I DSS 1 GS VP

4.- Zonas de funcionamiento.

Zona de corte. Cuando la tensin puerta surtidor es menor o igual a la tensin pinch off en los JFET de canal N (o mayor igual si se trata de JFET de canal P), el transistor no conduce intensidad. Zona de saturacin (zona activa). Se observa en cada curva una zona en que, por ms que aumente la tensin drenador surtidor, no aumenta la intensidad. Zona hmica. En los tramos iniciales de cada curva, se observa que hasta poco antes de llegar a la zona de saturacin, la curva es una lnea recta. Esta zona lineal, se llama zona hmica, precisamente por esta relacin lineal entre la tensin y la intensidad.
Transistores de efecto de campo 7

5.- Transistores MOSFET.

En estos transistores, la puerta no se conecta directamente al semiconductor, sino a travs de una fina capa de aislante (SiO2), de ah que se llamen transistores FET de puerta aislada. Las siglas MOS tambin estn referidas al tipo de contacto de la puerta, ya que significan Metal (el propio terminal de puerta), xido (la capa aislante) Semiconductor. El hecho de que la puerta se encuentre aislada, hace que la intensidad que circula por ella sea prcticamente nula, menor incluso que en los transistores JFET.
Transistores de efecto de campo 8

5.- Transistores MOSFET.

Existen los MOSFET de acumulacin o enriquecimiento, y los MOSFET de deplexin o empobrecimiento, cada uno de los cuales puede ser de canal N o de canal P. Tienen un nuevo terminal llamado sustrato (B), que debe ser conectado a la tensin ms negativa en los MOSFET de canal N, y a la ms positiva en los MOSFET de canal P. Como en ambos casos suele ser el surtidor, muchas veces se fabrican con el sustrato directamente unido al surtidor.
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5.- Transistores MOSFET.

Canal N D B S D B S Canal P D B S D B S

Enriquecimiento

Empobrecimiento

Transistores de efecto de campo

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5.1.- MOSFET de enriquecimiento.

S G D S G D

N P

P N

Sustrato (B)

Sustrato (B)

MOSFET de enriquecimiento de canal N

MOSFET de enriquecimiento de canal P

Se observa que a diferencia de lo que ocurre en los transistores JFET, no existe canal de conduccin entre el drenador y el surtidor, en ausencia de seales elctricas externas.
Transistores de efecto de campo 11

5.1.- MOSFET de enriquecimiento.

Analizamos el caso de canal N.
Si se fija una tensin positiva desde la puerta al surtidor, no hay prcticamente conduccin de electricidad, pero los electrones libres de la zona P (pocos, porque en esta zona lo abundante son los huecos), se ven atrados hacia la capa aislante prxima a la puerta. Esto es equivalente a agrandar la zona N. Si se agranda lo suficiente, se crea un cierto canal de conduccin que une las zonas N del drenador y del surtidor. La tensin mnima para la formacin del canal, se llama tensin umbral o tensin threshold, en nomenclatura inglesa, cuyas siglas son VT.
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Transistores de efecto de campo

5.1.- MOSFET de enriquecimiento.

ID

VGS

Curvas de un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal N.

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5.1.- MOSFET de enriquecimiento.

ID VGS

Curvas de un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal P

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5.1.- MOSFET de enriquecimiento.

De las grficas de los transistores MOSFET se observa que tienen las mismas zonas de funcionamiento que los transistores JFET. 2 Ecuacin aproximada: I D = K( VGS VT ) K: constante referida a parmetros constructivos. VT: tensin umbral (threshold).
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5.2.- MOSFET de empobrecimiento.

S G D S G D

N P

P N

Sustrato (B)

Sustrato (B)

MOSFET de empobrecimiento de canal N

MOSFET de empobrecimiento de canal P

Se observa que a diferencia de lo que ocurre en los MOSFET de acumulacin, existe un (pequeo) canal de conduccin entre drenador y surtirdor.
Transistores de efecto de campo 16

5.2.- MOSFET de empobrecimiento.

Para VGS = 0 V, el transistor puede conducir pequeas corrientes de drenador a surtidor. Con tensiones VGS negativas en MOSFET de canal N (o positivas en MOSFET de canal P), se estrangula el canal hasta su eliminacin, igual que en los JFET. Con tensiones VGS positivas en MOSFET de canal N (o negativas en MOSFET de canal P), se puede agrandar el canal, consiguiendo mayor conduccin de drenador a surtidor, igual que en los MOSFET de enriquecimiento.
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6.- Aplicaciones.
En general, todo lo que se puede hacer con transistores BJT, se puede hacer tambin con transistores FET. Ventajas fundamentales:
Alta impedancia de entrada, que permite un control con poca potencia. Gran velocidad de conmutacin. Poco sensibles a la temperatura. Alta densidad de integracin.

Ampliamente utilizados en circuitos integrados, tanto analgicos como digitales.

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