ESCUELA INGENIERIA ELECTRONICA

FACULTAD DE INGENIERIA

FAMILIA LOGICA
CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS III

PROFESOR: ING. JUAN TISZA

Circuitos Electronicos 3 Ing. Juan F. Tisza C.

4/30/2012

NDICE
1. Familias lgicas. 2. Lgica CMOS. 3. Lgica TTL. 4. Parmetros y caractersticas elctricas. 5. TTL vs CMOS

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FAMILIAS LGICAS
Una familia lgica es una coleccin de CIs que tienen caractersticas elctricas similares entre sus entradas, salidas y circuitera interna, pero que realizan diferentes funciones lgicas.
Los chips de una misma familia lgica se pueden interconectar directamente.

Los chips de familias lgicas diferentes no tienen porque ser interconectables.

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Dcada de los 40

Primera computadora electrnica basada en tubos de vaco. Contena 18.000 tubos y una cantidad similar de compuertas. 100 pies de longitud x 10 pies de altura x 3 pies de profundidad Consuma 140 Kw.

Dcada de los 50
Dcada de los 60

La invencin del BJT y el diodo semiconductor hace disminuir el tamao de los computadores.
Se inventa el CI, y empiezan aparecer las primeras familias lgicas. Aparece la familia TTL (transistor-transistor logic) es la ms popular.Aparece tambin la familia MOS, pero es mucho ms lenta, solo es atractiva en aplicaciones de bajo consumo. Avances en el diseo de los MOS hacen que aumente la popularidad de un subtipo de estos dispositivos (CMOS, Complementary MOS). Aparecen CIs con la misma funcionalidad que la familia TTL, pero con mayor velocidad y menor consumo de energa.

Dcada de los 80

Actualida Los circuitos CMOS integran la inmensa mayora del mercado d mundial de CI
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LGICA CMOS
El MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect transistor) en esencia es una resistencia controlada por voltaje. Se pueden distinguir dos tipos bsicos: PMOS y NMOS. Transistor PMOS

Habitualmente la Vgs 0
Fuente

Si Vgs se hace ms negativo (por ejemplo -5v) la resistencia drenador-fuente disminuye (idealmente 0) Si Vgs se hace 0 la resistencia drenador-fuente aumenta (idealmente )

Compuerta Drenador

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Transistor NMOS
Drenador

Compuerta

Fuente

Habitualmente la Vgs 0 Si Vgs se hace ms positivo (por ejemplo +5v) la resistencia drenador-fuente disminuye (idealmente 0) Si Vgs se hace 0 la resistencia drenador-fuente aumenta (idealmente )
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INVERSOR CMOS
La lgica CMOS utiliza pares complementarios MOSFET (NMOS y PMOS) como elemento bsico

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Se pueden encontrar otro tipo de simbologa a la hora de representar un inversos CMOS:

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Caractersticas del inversor CMOS

Caractersticas de la compuerta
Independientemente de VDD no fluye casi ninguna corriente a travs de la compuerta. La impedancia entre la compuerta y los otros terminales es superior a un megohm. Y la corriente de fuga inferior a un microamperio. Sin embargo, la compuerta esta acoplada capacitivamente a la fuente y el drenador importante consumo de energa necesario para conmutar el transistor (CV2f).

Caractersticas de la salida
No fluye corriente en la estructura de salida excepto cuando se produce la conmutacin. En ese momento ambos transistores estn parcialmente en ON. El consumo de energa depende de la frecuencia. Seales lentas mayor consumo. Estructura de salida simtrica igual capacidad de cargar la salida tanto en el estado lgico alto como bajo.
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Puerta NAND de dos entradas

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Puerta NAND de ms de dos entradas

El diseo es escalable, de tal modo que la adicin de una entrada ms implica aadir dos nuevos transistores.
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Puerta AND de dos entradas

Es el resultado de aadir a la salida de una puerta NAND de dos entradas un mdulo inversor.
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Puerta NOR de dos entradas

Al igual que con las NAND tenemos 2*n transistores para n entradas.
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Puertas NAND frente a puertas NOR

Para un tamao igual de los transistores, los transistores NMOS tienen menor resistencia al encendido (RN = 100) que los PMOS (RP = 200) k-transistores NMOS en serie tienen menos resistencia de encendido que k-transistores PMOS Se prefieren las NAND al tener dos transistores NMOS en serie y ser por tanto ms rpidas.
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Limitacin del nmero de entradas

Las resistencias de encendido (RN = 100 y RP = 200) limita el nmero de entradas que se pueden aadir en las puertas NAND (6)y NOR (4), utilizando el mtodo de slo aadir un par de transistores.

Para aumentar el nmero de entradas se hace necesario el conectar en cascada puertas con un nmero reducido de entradas.

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Limitacin del nmero de entradas

Mediante esta estructura se puede construir una puerta AND-OR INVERSORA escalable (Puerta AOI).

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LGICA TTL

La familia TTL se caracteriza porque est construida a partir de transistores BJT y que trabajan en conmutacin .
VCC VCC VCC VCC

IC

+V ON IB

0 volt OFF

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Inversor TTL Standard bsico

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Inversor TTL Standard bsico. Entrada H

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Inversor TTL Standard bsico. Entrada L

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AND TTL

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PARMETROS Y CARACTERSTICAS ELECTRICAS

La Abstraccin Digital tiene validez siempre que los circuitos trabajen dentro de las especificaciones del fabricante: Tensin de alimentacin. Niveles lgicos permitidos. Caractersticas de las seales de entrada. Caracterstica de las cargas conectadas a las salidas, etc.

Se tiene que realizar por tanto un anlisis ANALGICO para comprobar que los circuitos digitales trabajan bajo especificaciones. Para ello habr que manejar conceptos tales como: Tensin de alimentacin. Niveles lgicos. Mrgenes de ruido Disipacin de potencia. Retardo de propagacin. Producto velocidad potencia. Carga y fan-out.
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TENSIN DE ALIMENTACIN
TTL => 5V CMOS => 5V, 3.3V y 2.7V

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NIVELES LGICOS
Inmunidad al ruido
Seal real que incluye una componente de ruido VH VIHmin Picos de ruido fuera de los lmites permitidos VH

Glitch debido al ruido

VIL max VL VL

Glitch debido al ruido

Seal real que incluye una componente de ruido

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RETARDO DE PROPAGACIN

El retardo de propagacin de una puerta limita la frecuencia a la que puede trabajar. Cuanto mayor es el retardo de propagacin menor es la frecuencia mxima
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TTL vs CMOS

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