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Diodos especiales y transistores

Un efecto parecido al de separar las placas de un condensador (CT disminuye). Dieléctrico CT d 30 pF Notar. Uso: en equipos de comunicaciones (Control automático de frecuencia en sintonizadores) VI 10 V . Varactor or Tuning diode) La unión PN polarizada inversamente puede asimilarse a un condensador de placas planas (zona de transición).Esta capacidad se llama Capacidad de Transición (CT). que al aumentar la tensión inversa aumenta la zona de transición. Tenemos pues una capacidad dependiente de la tensión inversa. Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada esta capacidad.DIODOS ESPECIALES Diodo Varicap (Varicap .

2 V). Produciéndose el llamado efecto schottky. Corriente de fugas significativamente mayor. Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia El efecto Schottky fue predicho teóricamente en 1938 por Walter H. Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.DIODOS ESPECIALES Diodo Schottky (Schottky diode) Unión Metal-semiconductor N. Menores tensiones de ruptura. La zona N debe estar poco dopada. Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas). Schottky .

Efecto Túnel VD Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105 veces mayor). Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad tipo N de Ga As. Los efectos se traducen en una zona de resistencia negativa en la característica directa del diodo. El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962. (El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor del radar. Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de microondas. (Descubierto por Leo Esaki en 1958). Diodo GUNN . Aparece un efecto nuevo conocido como efecto túnel.DIODOS ESPECIALES Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode) ID Zona de resistencia negativa. Está presente en los radares marinos).

ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador Diodo de alta tensión (Diodos en serie) Monofásico + Trifásico + DISPLAY - .

APLICACIONES DE DIODOS Detectores reflexión de objeto Detectores reflexión de espejo Detectores de barrera .

APLICACIONES DE DIODOS Sensores de luz: Fotómetros Sensor de lluvia en vehículos Detectores de humo Turbidímetros Sensor de Color .

TRANSISTORES (Panorámica) NPN BIPOLARES PNP TRANSISTORES CANAL N (JFET-N) UNIÓN CANAL P (JFET-P) EFECTO DE CAMPO * FET : Field Effect Transistor METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P) .

La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la máxima capacidad de agua .del grifo).TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C) N P N C E B Emisor (E) Descubiertos por Shockley. Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell) SÍMBOLO COMENTARIO: Un símil podría ser un grifo de agua.corriente. BASE .

Podemos tener una INVERSA. ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. 1000 10 0 VCE ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto. 3000  = 100 2000 20 IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente. que en el dispositivo ideal consideraremos cero .CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIÓN: Comportamiento como interruptor cerrado.

BASE .del grifo). La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la máxima capacidad de agua .TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor) Base (B) Colector (C) IC [mA] P N P C E B Emisor (E) IB [mA] = 3000  = 100 2000 20 30 SÍMBOLO 1000 10 0 VEC COMENTARIO: Un símil podría ser un grifo de agua.corriente.

FOTOTRANSISTOR (Phototransistor) La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempeñan el papel de corriente de base C E El terminal de Base. . No confundir con un fotodiodo. puede estar presente o no.

Detección de obstáculos.ASOCIACIÓN DE TRANSISTORES OPTOACOPLADOR Conjunto fotodiodo + fototransistor OBJETIVO: Proporcionar aislamiento galvánico y protección eléctrica. .

APLICACIÓN TÍPICA DE LOS OPTOACOPLADORES: "Encoder" óptico para medida de velocidad y posicionado .

Field Effect Transistor) CANAL N (JFET-N) UNIÓN CANAL P (JFET-P) EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P) Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patentó el concepto de "Field Effect Transistor". . 20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET .

JFET DE CANAL N (Característica real de salida) D ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE G S SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN. ID UGS[V] ≥0 -10 -20 -30 VDS ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO .

ID USG[V] ≥0 -10 -20 -30 VSD ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO .JFET DE CANAL P (Característica real de salida) S ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE G D SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

G S G S Diodo parásito (Substrato .MOSFET DE CANAL N D D COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el símbolo con un diodo.Drenador) ID UGS[V] =+15 V =+10 V =+5 V =0V VDS . tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.

G D G D Diodo parásito (Substrato .MOSFET DE CANAL P S S COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el símbolo con un diodo. tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.Drenador) ID USG[V] =+15 V =+10 V =+5 V =0V VSD .