Prctica no.

3 medicion de curvas C-V en capacitores MOS

xido de compuerta y capacitor MOS
Dr. Mario Moreno M. INAOE, Puebla, Mxico mmoreno@inaoep.mx
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Introduccin
La oxidacin de silicio es necesaria durante el proceso completo de fabricacin
de CIs.

Cuando una superficie de silicio es expuesta a un ambiente oxidante (oxgeno o

vapor de agua) a altas temperaturas se forma un xido: Oxidacin trmica.

Algunas aplicaciones:
xido de compuerta en dispositivos MOSFETs.

Introduccin xido de campo para aislamiento entre dispositivos (LOCOS).

xidos para enmascaramiento contra implantacin inica y difusin.

Tales aplicaciones han hecho que la oxidacin de silicio sea un paso importante
en la fabricacin de CIs.

La aplicacin ms importante es el crecimiento del xido de compuerta para

transistores MOS donde la capa de SiO2 es parte activa para el funcionamiento del transistor. 3

Oxidacin de silicio
Hay dos tipos de oxidantes utilizados para la oxidacin trmica de silicio: oxgeno
y agua.

Cuando la oxidacin se lleva a cabo usando O2, se le llama oxidacin seca. Cuando la oxidacin se lleva a cabo con H2O se llama oxidacin hmeda. Las siguientes reacciones qumicas describen la oxidacin trmica de silicio en
un ambiente seco y hmedo:

Estas reacciones ocurren en la interface Si-SiO2. Mientras el xido crece, el silicio es consumido y la interface se mueve hacia el
interior del silicio.

Se ha encontrado que la cantidad de silicio consumido es de un 44 % del

espesor del xido final.
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Cargas en la interface Si-SiO2 y el xido

Hay 4 tipos de cargas asociadas con el xido y la interface Si-SiO2 las cuales son
mostradas en la figura:

A) B) C) D)

Carga fija en el xido. Carga inica mvil. Carga atrapada en el xido. Carga atrapada en la interface.
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Cargas en la interface Si-SiO2 y el xido

La carga mvil, carga fija, y estados en la interface afectan el desempeo y la
estabilidad de los dispositivos si se presentan en niveles excesivos.

La ruptura del xido debe ser alta o la operacin del dispositivo ser
desfavorable.

Los valores ptimos para estas cantidades son: A) una densidad de carga mvil en el rango de 1010 cm-2. B) La magnitud de la ruptura dielctrica debe ser de 8-10 MV/cm.

C) Una densidad de carga fija del orden de 1010 cm-2 .

D) Una densidad de trampas en la interface en el rango de 1010 cm-2 eV-1 .

Carga fija en el xido y estados en la interface

Carga fija en el xido Qf,

Carga fija en el xido Qf, es en general positiva y est localizada en una capa de
xido menor a 2 nm medida a partir de la interface Si-SiO2, cuya densidad se expresa como Nf en cm-2.

La polaridad de la carga fija no vara con el potencial superficial ni con el tiempo

por eso se llama fija.

Su origen se atribuye a defectos estructurales asociados a la oxidacin. El valor de Qf depende de varios factores: A) Orientacin cristalina del silicio. Qf es menor para la orientacin (100). B) Al ambiente de oxidacin y la temperatura. C) Las condiciones de aleacin post-oxidacin.

Carga fija en el xido y estados en la interface

Carga atrapada en la interface Qit,

Es la carga que est localizada en sitios cercanos a la interface Si-SiO2.

Se supone que estos sitios surgen de estados de energa que estn localizados en
la banda prohibida del silicio y que se denominan estados en la interface.

Dit representa la densidad de estados en la interface y tiene unidades de cm-2 eV-1.

El valor de Dit esta alrededor de 1011-1012 cm-2 eV-1. Y puede llegar a valores
aceptables de 3-5x1010 cm-2eV-1, cuando se aplica una aleacin post-metalizacin.

Carga fija en el xido y estados en la interface

Carga inica mvil

La carga inica movil Qm es causada por impurezas como Na+, Li+ y K+. estos
iones posen una alta difusividad en el xido.

Como estos elementos se encuentran presentes en forma inica su transporte a

travs del xido se ve aumentado con la presencia de campo elctrico y /o incremento de la temperatura.

La cantidad de carga mvil incorporada en el xido depende de la limpieza del

proceso de oxidacin.

Un valor de Nm en el rango de 1x1010 cm-2 resultara en un corrimiento en VT de

slo unas cuantas centsimas de Volt para dispositivos MOS con xido de compuerta de 100 nm de espesor.

Para conseguir niveles bajos de sodio se emplean precauciones especiales

durante el procesamiento :
A) B) C) D)
Agregar cloro al proceso de oxidacin Limpiar peridicamente los sistemas de oxidacin Utilizar qumicos de ultra alta pureza en fuentes gaseosas Asegurar que lneas de gases permanezcan limpias.

Capacitores Aluminio / SiO2/ Si

Los capacitares MOS se utilizan para determinar los parmetros elctricos del
xido:

El espesor del dielctrico de compuerta. Concentracin promedio del substrato. Densidad de cargas en el xido y la interface. Densidad y localizacin de los estados superficiales. Densidad de carga mvil en el xido. Magnitud del campo en el xido al que ocurre el rompimiento dielctrico.

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Capacitor MOS
Una de las estructuras ms utilizadas para caracterizar las propiedades elctricas
del xido de silicio y del transistor MOSFET es el capacitor Metal-OxidoSemiconductor (MOS).

En la fabricacin del capacitor MOS se usa el mismo proceso para fabricar

circuitos integrados, por lo tanto el capacitor MOS provee una medicin directa y monitoreo del sistema MOS.

La estructura MOS se muestra en la siguiente figura. La fabricacin de sta

estructura comienza con un sustrato tipo n o p.

Una capa aislante se forma sobre el sustrato. En el caso de silicio sta capa es
de SiO2.

Una tercera capa llamada compuerta es formada despus, sobre el xido. La

compuerta es hecha de metal (aluminio) o silicio policristalino.

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Capacitor MOS
Cuando un capacitor MOS construido sobre un substrato tipo p es polarizado con
VG 0 surgen 3 condiciones en la superficie del semiconductor.

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Capacitor MOS
1. Cuando VG<0, las cargas negativas en la
compuerta atraen huecos a la superficie del silicio para formar una capa de acumulacin.

2. Cuando se aplica un voltaje positivo pequeo a la

compuerta VG>0, los huecos son repelidos de la superficie del silicio. Las cargas positivas en la compuerta son balanceadas por iones aceptores negativos en la superficie del silicio, en una capa de agotamiento.

3. Finalmente si se incrementa la polarizacin positiva

de compuerta VG>>0, electrones aparecen en la superficie del silicio en grandes cantidades. Estos electrones forman una capa de inversin localizada muy cerca de la interface Si-SiO2.
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Curvas capacitancia voltaje

La medicin de curvas capacitancia voltaje del capacitor MOS sirven para
calcular varios parmetros y cargas en el xido.

La capacitancia se define como la razn de cambio de la carga con respecto a la

razn de cambio de voltaje: C = dQ / dV

Para medir la capacitancia en funcin del voltaje en un capacitor MOS, una seal
pequea de CA (Corriente Alterna) se sobrepone a una seal de DC (corriente directa).

Considerando un capacitor MOS, encontramos que

C = dQG / dVG

En donde QG es la carga y VG es el voltaje de compuerta del capacitor MOS.

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Curvas capacitancia voltaje

Debido a que la carga total del dispositivo debe ser cero y suponiendo que no
hay cargas en el xido, el voltaje de compuerta cae parcialmente en el xido y parcialmente a travs del semiconductor. Esto resulta en:

VG = VFB + Vox + s

En donde VFB es el voltaje de banda plana, Vox es el voltaje del xido y s es el

voltaje del semiconductor o potencial superficial.

La capacitancia en el capacitor MOS se define como:

En donde Cox es la capacitancia debido a las cargas del xido, Cp es la

capacitancia debido a los huecos, Cb es la capacitancia del sustrato en la regin de carga espacial, Cn es la capacitancia debido a los electrones y Cit es la capacitancia debido a las cargas en la interface.
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Curvas capacitancia voltaje

La ec. anterior est representada por su circuito equivalente:

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Curvas capacitancia voltaje

La figura muestra la curva C-V a baja frecuencia (CLF) tambin se muestra la
curva C-V a alta frecuencia (CHF).

Ambas curvas coinciden en acumulacin y agotamiento pero se desvan en

inversin.

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Curvas capacitancia voltaje

Objetivo de la prctica: Realizar mediciones de curvas capacitancia-voltaje en baja frecuencia y alta frecuencia en capacitores MOS y extraer los siguientes parmetros:

Voltaje de encendido, Vth. Grosor del xido, tox. Tipo de dopado del sustrato. Concentracin del sustrato. Voltaje de banda plana, VFB. Capacitancia mnima, Cinv. Capacitancia mxima, Cox. Densidad de carga efectiva. Densidad de carga inica mvil.
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