TRANSISTORES

Historia

Concepto Modos de Trabajo

Funcionamiento Tipos

Tipos de Conexión
Glosario

Índice Galería Referencias

 T
R • Modos de Trabajo
• Historia
A
Región activa directa
• Concepto N Región activa inversa

• Funcionamiento S Región de corte

Interruptor abierto
I Región de saturación

Interruptor cerrado
S
T •Tipos
Bipolares
• Tipos de Conexión
O De efecto de Campo
Multivibrador R HEMT y HBT
Flip-Flop (Biestable) E Fototransistores

S
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Historia del Transistor

El desarrollo de la
electrónica y de sus múltiples
aplicaciones fue posible gracias a la
invención del transistor, ya que este
superó ampliamente las dificultades
que presentaban sus antecesores,
las válvulas. En efecto, las válvulas,
inventadas a principios del siglo XX,
habían sido aplicadas exitosamente
en telefonía como amplificadores y
Transistor y Válvula
posteriormente popularizadas en
radios y televisores.
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Historia del Transistor

Uno de los mayores

inconvenientes de las válvulas, era
que consumían mucha energía para
funcionar. Esto era causado
porque calientan eléctricamente un
filamento (cátodo) para que emita
electrones que luego son colectados
en un electrodo (ánodo),
estableciéndose así una corriente
eléctrica. Luego, por medio de un
pequeño voltaje (frenador), aplicado
entre una grilla y el cátodo, se logra
el efecto amplificador, controlando el
valor de la corriente, de mayor Lámpara incandescente de Thomas Edison
intensidad, entre cátodo y ánodo.
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Historia del Transistor

Los transistores,
desarrollados en 1947 por los físicos
Shockley, Bardeen y Brattain,
resolvieron todos estos
inconvenientes y abrieron el camino,
mismo que, junto con otras
invenciones –como la de los circuitos
integrados– potenciarían el desarrollo
de las computadoras. Y todo a bajos
voltajes, sin necesidad de disipar
energía (como era el caso del
filamento), en dimensiones reducidas
y sin partes móviles o incandescentes
que pudieran romperse.

Fotografía del primer transistor construído por W.

Shockley, J. Bardeen y W. Brattain (1947)
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Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor

que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de
transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y
vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles,
equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorecentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
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Características
 Los materiales empleados para su elaboración son, entre otros, el
Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede acelerarse
grandemente el movimiento de los electrones por medio de una corriente
eléctrica.

 El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de

vacío.

 En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:

Emisor: que emite los portadores de corriente,(huecos o

electrones). Su labor es la equivalente al cátodo en los tubos de
vacío o "lámparas" electrónicas.
Base: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor
es la equivalente a la rejilla cátodo en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.
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Característic
as
Colector: que capta los portadores de corriente emitidos por el
emisor. Su labor es la equivalente a la placa en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.

 Posee amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación).

 Sirve como generador de señal (osciladores, generadores de ondas,

emisión de radiofrecuencia).

 Permite la conmutación, actuando en interruptores (control de relés,

fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas).

 Es detector de radiación luminosa (fototransistores)

 El consumo de energía es sensiblemente bajo.

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Funcionamiento Básico
Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula
intensidad por la Base del transistor por lo que la
lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión
se encuentra entre Colector y Emisor.

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad

muy pequeña circulará por la Base. Así el transistor
disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor
por lo que pasará una intensidad muy grande,
haciendo que se encienda la lámpara.

De tales criterios se establece:

IE > I C > I B ; I E = I B + I C
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Tipos de Conexión
Multivibrador
Es un circuito oscilador capaz de
generar una onda cuadrada. Según su
funcionamiento, los multivibradores se
pueden dividir en dos clases:
1. De funcionamiento continuo,
de oscilación libre: genera ondas a partir de
la propia fuente de alimentación.
2. De funcionamiento impulsado:
a partir de una señal de disparo o impulso
sale de su estado de reposo.
En su forma más simple son dos
simples transistores realimentados entre sí.
Usando redes de resistencias y
condensadores en esa realimentación se
pueden definir los periodos de inestabilidad.
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Tipos de Conexión
Flip-Flop
(Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un estado
determinado o en el contrario durante un tiempo indefinido. Esta
característica es ampliamente utilizada en electrónica digital para
memorizar información. El paso de un estado a otro se realiza variando sus
entradas. Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se dividen
en:
1. Asíncronos: sólo tienen entradas de control.
2. Síncronos: además de las entradas de control posee una
entrada de sincronismo o de reloj. Si las entradas de control dependen de la
de sincronismo se denominan síncronas y en caso contrario asíncronas. Por
lo general, las entradas de control asíncronas prevalecen sobre las
síncronas.
D CLK Qi+1
0 ↑ 0
1 ↑ 1
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Modos de
Existen cuatroTrabajo
condiciones de polarización posibles.
Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada
una de las uniones del transistor pueden ser :

• Región activa directa: Corresponde a una polarización directa

de la unión emisor - base y a una polarización inversa de la
unión colector - base. Esta es la región de operación normal del
transistor para amplificación.

• Región activa inversa: Corresponde a una polarización

inversa de la unión emisor - base y a una polarización directa
de la unión colector - base. Esta región es usada raramente.

Ver Gráfico en la siguiente

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Modos de Trabajo

• Región de corte: Corresponde a

una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en ésta
región corresponde a aplicaciones
de conmutación en el modo
apagado, pues el transistor actúa
como un interruptor abierto (IC 0).

• Región de saturación: Corresponde a

una polarización directa de ambas
uniones. La operación en esta región
corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido,
pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).
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Transistores Bipolares (BJT: NPN-PNP)

Transistores de Efecto de Campo ( JFET,

MESFET, MOSFET )

Transistores HEMT y HBT

Fototransistores
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Transistores Bipolares
BJT de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junción
Transistor).
Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de
control para obtener la señal y su comportamiento como dispositivo
conmutador.

Estos solo funcionan cuando están en polarización directa (se

dice que están en saturación) y en polarización inversa no funcionan (se
dice que están en corte). A base de estos se construyen los circuitos
integrados y otros tipos de transistores.

El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los

electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
polarizado de forma opuesta.
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Transistores
Pueden ser de dos tipos: Bipolares

NPN PNP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y

la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores

PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo
tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas.

Su diferencia radica en la dirección del flujo de la corriente,

indicada por la flecha que se ve en ambos gráficos
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Transistores
Bipolares

En principio es similar a dos

diodos
Un transistor es similar
a dos diodos, el transistor tiene
dos uniones: una entre el emisor
y la base y la otra entre la base y
el colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos,
mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son
denominados: "Diodo de emisor"
(el de la izquierda en este caso) y
"Diodo de colector" (el de la
derecha en este caso).
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Transistores de Efecto de Campo

FET Transistor Efecto De Campo (del inglés, Field Effect

Transistor)

Es en realidad una familia de transistores que se basan en el

campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador

(drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base
del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
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Transistores de Efecto de Campo

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos

son los JFET, MOSFET y MESFET

JFET ( del inglés, Junction Field Effect Transistor):

También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor
de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
y S=Fuente(Source).
Canal P Canal N
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Transistores de Efecto de Campo

JFET

Cuando aumentamos la tensión en el diodo puerta-surtidor,

las zonas de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la
corriente que va de surtidor a drenador tenga más dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto
mayor es la tensión inversa en el diodo puerta-surtidor, menor es la
corriente entre surtidor y drenador.

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y

no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal
creado entre las zonas de deflexión van al drenador, por lo que la
corriente de drenador es igual a la corriente de surtidor
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET (del inglés, Metal-Oxide-Semiconductor FET):

Basado en la estructura MOS. (Metal-Oxide-Semiconductor) la

cual consiste en un condensador, una de cuyas armaduras es metálica y
llamaremos "puerta"; el dieléctrico se forma con un óxido del
semiconductor del sustrato, y la otra armadura es un semiconductor, que
llamaremos sustrato. El funcionamiento del transistor de efecto de
campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe
corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa
la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las
otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay
que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET

Se encuentran dos tipos de MOSFET:

1. MOSFET de
Empobrecimiento:
1.1 Canal N
Se diferencia del FET
canal n en que el terminal de
puerta, G, está aislado del canal de
conducción por una capa de óxido
de silicio SiO2. y existe un sustrato
de semiconductor tipo p cuyo
terminal habitualmente se
conectará externamente al terminal
de surtidor.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET

1.2 Canal P
Posee la misma concepción del MOSFET de empobrecimiento
canal n. En el símbolo del MOSFET de empobrecimiento canal p la
flecha cambia de sentido.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET
2. MOSFET de Enriquecimiento

Difiere del MOSFET de

empobrecimiento en que no tiene la capa delgada
de material n sino que requiere de una tensión
positiva entre la compuerta y la fuente para
establecer un canal. Este canal se forma por la
acción de una tensión positiva compuerta a fuente,
VGS, que atrae electrones de la región de sustrato
ubicada entre el drenaje y la compuerta
contaminados de tipo n. Una VGS positiva provoca
que los electrones se acumulen en la superficie
inferior de la capa de oxido. Cuando la tensión
alcanza el valor de umbral, VT, han sido atraídos a
esta región los electrones suficientes para que se
comporte como canal n conductor. No habrá una
corriente apreciable ID hasta que VGS excede VT.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET

2.1 MOSFET de Enriquecimiento Canal

N

2.2 MOSFET de Enriquecimiento Canal

P
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Transistores de Efecto de Campo

MESFET (del inglés, Metal Effect Semiconductor

FET
Consiste en un canal conductor
situada entre una fuente y desagüe en contacto
con la región, como se muestra en la siguiente
figura. El portador de flujo desde la fuente a
la fuga está controlada por una puerta de metal
Schottky. El control de la canal se obtiene por
la variación de la anchura de agotamiento de
la capa de metal debajo de los contactos que
modula el espesor de la canal y, por ende, la
realización de la actual.

Su ventaja clave es la mayor movilidad de los portadores en el

canal y su desventaja es la presencia de la puerta de metal Schottky que
limita con interés la tensión de polarización en la puerta.
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Transistores HBT y HEMT

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras

Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight
Electrón Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3
terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con
distinto salto de banda prohibida.

1. HEMT
Un HEMT es un transistor con un cruce entre dos materiales
con diferentes lagunas de banda (es decir, una heterounión) como el
canal en lugar de una n-dopada región. Una combinación es de uso
común con GaAs AlGaAs.
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Transistores HBT y HEMT

El efecto de este cruce es el de crear una capa muy delgada de

la realización de los electrones con bastante elevada concentración,
dando el canal de resistividad muy baja (o dicho de otro modo, "de
electrones de alta movilidad"). Esta capa es conocido como
bidimensional de electrones del gas. Al igual que con todos los otros
tipos de FETs, un voltaje aplicado a la puerta altera la conductividad de
esta capa.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
y S=Fuente(Source).
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2. HBT
El transistor bipolar de
heterounión (HBT) es una mejora de
la salida del transistor bipolar (BJT),
que puede manejar las señales de
frecuencias muy altas de hasta varios
cientos de GHz. Es común en los
circuitos modernos ultrarápida, en su
mayoría de radio (RF) de los
sistemas.
La principal diferencia entre el BJT y HBT es el uso de
diferentes materiales semiconductores para el emisor y la base de
las regiones, la creación de una heterounión. El efecto es limitar la
inyección de agujeros en la base de región, ya que el posible
obstáculo en la banda de valencia es tan grande.
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Fototransistore
s
Es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

• Como un transistor normal con la

corriente de base (IB) (modo común)

• Como fototransistor, cuando la luz Símbolo

que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminación).

Nota: ß es la ganancia de corriente del fototransistor.

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Fototransistore
Si se desea aumentar la sensibilidad
del transistor, debido a la baja iluminación, se
puede incrementar la corriente de base (IB ),
con ayuda de polarización externa.

El circuito equivalente de un
fototransistor, es un transistor común con un
fotodiodo conectado entre la base y el colector,
con el cátodo del fotodiodo conectado al
colector del transistor y el ánodo a la base.

En el gráfico se puede ver el circuito

equivalente de un fototransistor. Se observa que
está compuesto por un fotodiodo y un transistor.
La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia
la base del transistor) se amplifica ß veces, y es la
corriente que puede entregar el fototransistor.
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Glosario
Aislante eléctrico: material con escasa conductividad eléctrica.
Ánodo: Electrodo positivo.
Amplificador: un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilización de
energía externa, magnifica la amplitud o intensidad de un fenómeno físico.
Cátodo: Electrodo negativo del que parten los electrones.
Condensador eléctrico: es un conjunto de dos conductores, separados por un medio
dieléctrico, que sirve para almacenar cargas eléctricas.
Conductividad eléctrica: es la capacidad de un cuerpo de permitir el paso de la
corriente eléctrica a través de sí. También es definida como la propiedad natural
característica de cada cuerpo que representa la facilidad con la que los electrones
pueden pasar por él.
Conductor eléctrico: es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado
de electricidad transmite ésta a todos los puntos de su superficie. Generalmente
elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el
movimiento de cargas.
Conmutador: de circuitos es un elemento que establece una asociación entre una
entrada y una salida que perdura en el tiempo
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Glosario
Corriente alterna: (abreviada CA en español y AC en inglés) a la corriente
eléctrica en la que la magnitud y dirección varían cíclicamente.
Corriente continua: (CC en español, en inglés DC, de Direct Current) es el flujo
continuo de electrones a través de un conductor entre dos puntos de distinto
potencial.
Deplexión: zona de la unión de los semiconductores tipo p y tipo n. Debido a
difusión, los electrones libres y los huecos se recombinan en la unión. Así se crean
los pares de iones con cargas opuestas a ambos lados de la unión. Esta zona carece
de electrones libres y huecos.
Dieléctricos: materiales que no conducen la electricidad, por lo que pueden ser
utilizados como aislantes.
Diodo: es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única
dirección.
Drenador: se conoce a una conexión de los componentes electrónicos.
Dispositivo: se utiliza como sinónimo de aparato.
Electrodo: Extremo de un cuerpo conductor en contacto con un medio del que
recibe o al que transmite una corriente eléctrica.
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Glosario
Electroimán: es un tipo de imán en el que el campo magnético se produce mediante el
flujo de una corriente eléctrica, desapareciendo en cuanto cesa dicha corriente.
Electrónica: Campo de la ingeniería y de la física aplicada relativo al diseño y
aplicación de dispositivos, por lo general circuitos electrónicos, cuyo
funcionamiento depende del flujo de electrones para la generación, transmisión,
recepción y almacenamiento de información. Esta información puede consistir en
voz o música (señales de voz) en un receptor de radio, en una imagen en una
pantalla de televisión, o en números u otros datos en un ordenador o computadora.
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz.
Frecuencia: es una medida para indicar el número de repeticiones de cualquier
fenómeno o suceso periódico en una unidad de tiempo.
Fuentes de energía: son elaboraciones naturales más o menos complejas de las que el
hombre puede extraer energía para realizar un determinado trabajo u obtener alguna
utilidad.
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Glosario
Galvanómetros: son aparatos que se emplean para indicar el paso de corriente
eléctrica por un circuito y para la medida precisa de su intensidad.
Interruptor: es un dispositivo para cambiar el curso de un circuito.
Lámpara incandescente: llamada también lamparita, bombilla, bombillo, bombita de
luz, ampolleta o foco, es un dispositivo que produce luz mediante el calentamiento
por efecto Joule de un filamento metálico, hasta ponerlo al rojo blanco, mediante el
paso de corriente eléctrica. En la actualidad, técnicamente son muy ineficientes ya
que el 90% de la electricidad que utilizan la transforman en calor.
El invento de la lámpara es atribuido habitualmente a Thomas Alva Edison, quien
contribuyó a su desarrollo produciendo, el 21 de octubre de 1879, una bombilla
práctica y viable, que lució durante 48 horas ininterrumpidas.
Oscilador: es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios periódicos o
cuasiperiódicos en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campo
electromagnético (ondas de radio, microondas, infrarrojo, luz visible, rayos X, rayos
gamma, rayos cósmicos).
Polarización: es el proceso por el cual en un conjunto originariamente indiferenciado
se establecen características o rasgos distintivos que determinan la aparición en él de
dos o más zonas mutuamente excluyentes, llamadas polos.
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Glosario
Radiofrecuencia: también denominado espectro de radiofrecuencia o RF, se aplica
a la porción menos energética del espectro electromagnético, situada entre unos 3 Hz
y unos 300 MHz. Las ondas electromagnéticas de esta región del espectro se pueden
generar aplicando corriente alterna a una antena.
Rectificador: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna
en corriente continua.
Relé: es un dispositivo electromecánico, que funciona como un interruptor controlado
por un circuito eléctrico en el que, por medio de un electroimán, se acciona un juego
de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos eléctricos
independientes
Semiconductor: es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre
un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilización de energía externa,
magnifica la amplitud o intensidad de un fenómeno físico.
Tensión eléctrica: diferencia de potencial o voltaje, es una magnitud física que
impulsa a los electrones a lo largo de un conductor en un circuito cerrado. La tensión
entre dos puntos de un campo eléctrico es igual al trabajo que realiza dicha unidad
de carga positiva para transportarla desde dos puntos.
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Glosario
Unipolar: que tiene un solo polo

Válvula: artefacto o mecanismo que permite que algo circule en un solo sentido,
pues impide el retroceso del fluido que circula por un conducto. La misma función
desarrolla la válvula termoiónica, ya que permite que, en su interior, el flujo de
electrones circule solamente en un sentido.
Walter Schottky: El nombre de este científico alemán se encaja en la física de estado
sólido (efecto de Schottky, barrera de Schottky, contacto de Schottky, diodo de
Schottky). Llevado en 1878, él era un contemporáneo de Einstein y del máximo
Planck. El suyo trabaja receptores estupendos incluidos del heterodino, teoría del
ruido, y el trabajo de radio del tubo tal como invención del tetrodo, pero su
contribución más importante a las microondas no es ninguna duda su investigación
del metal-semiconductor que rectifica las ensambladuras (publicadas en 1938), que
es la base para el contacto de la puerta de todo el MESFETs.
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Galería
Imágenes

Representación de circuitos m
ediante transistores
 TRANSISTORES

Circuitos con Transistores

TRANSISTORES

Transistor
 TRANSISTORES

Diversos transistores
 TRANSISTORES

Se desea utilizar una salida de un sistema digital para

gobernar un relé. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptación
que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que
aseguran que ambos transistores trabajan siempre en corte o saturación
sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensión de codo base-emisor de
0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensión entre 0 y
0,4V para el “0” lógico y entre 3,8 y 5V para el “1” lógico.
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Con nivel lógico alto ambos

transistores deberán estar en
saturación. Con nivel bajo ambos
estarán en corte.

Funcionamiento a nivel bajo:

Observando el transistor Q1
vemos que la tensión de entrada
es insuficiente para hacerlo
conducir.

Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base

por lo que también se encuentra en corte.
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Funcionamiento a nivel alto:

Para que Q2 esté saturado se debe
cumplir:

IC < ß.IB

IB= 15 – UBE
R2

R2 < ß2. 15 – UBE

IC2

Tomamos R2= 27 k
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Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre también en saturación:

La situación más desfavorable

se tiene para la tensión de entrada de 3.8 IC < ß.IB
V
IB2= 15 – 0.6 = 533 µA
27.103

R1 < ß1. 3.8 – 0.6 = 600 k

IB2

Tomamos R1= 560

k