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EFECTO FOTOELCTRICO

Ing: Lisberto Ortega.

Introduccin
Ciertos lugares cuentan con un sistema mediante el cual las puertas se abren o cierran automticamente.

Tambin, hemos notado que los postes de alumbrado pblico se enciende y apagan automticamente a determinadas horas. Cmo ocurren estos fenmenos? Para poder explicar estos fenmenos y otros ms, estudiaremos el Efecto Fotoelctrico!

Antecedentes histricos
Descubrimiento del Efecto Fotoelctrico
El primer indicio del efecto fotoelctrico fue descubierto accidentalmente en 1887 por el cientfico alemn Heinrich Hertz, mientras realizaba experimentos acerca de la produccin y recepcin de ondas electromagnticas.

Heinrich Rudolf Hertz 1857 - 1894

Teora cuntica
En 1900, el fsico terico alemn Max Planck postul que la energa de la radiacin electromagntica est cuantizada; es decir, la radiacin electromagntica esta constituida por corpsculos que llevan la energa de la radiacin. A estos corpsculos se les denomin cuantos y posteriormente se les llam fotones.

Max Planck 1858 - 1947

Segn Planck, la energa ( E ) de cada fotn es proporcional a la frecuencia ( f ) de la radiacin electromagntica. En base a ello se establece que:

Fuente de luz

E = hf
Donde

E
h

:
:

Energa asociada al fotn (J)


Constante de Planck ( h=6,62510-34 Js )

Fotn o paquete de energa

Adems, cada fotn, en el vaco, se propaga con una rapidez igual al de la luz en el vaco: C = 3108 m/s!

: Frecuencia de la radiacin electromagntica (Hz) Tambin:

C=f
Longitud de onda de la radiacin electromagntica

Qu es el Efecto Fotoelctrico?
Es un fenmeno que consiste en el desprendimiento (emisin) de electrones de la superficie de un metal, debido a un haz de luz (radiacin electromagntica) de alta frecuencia que incide sobre esta superficie.

Intento de explicacin del Efecto Fotoelctrico en base a la fsica clsica


La mecnica clsica considera a la luz (radiacin electromagntica) como ondas electromagnticas. I. Los campos elctricos oscilantes de la O.E.M., ejercen una fuerza elctrica al electrn el cual empieza a oscilar hasta ganar energa suficiente para desprenderse del tomo. Todo ello ocurrira transcurrido un intervalo de tiempo considerable, lo cual NO ocurre en la experiencia. II. Si aumentamos el nmero de fuentes de radiacin infrarroja, el electrn experimenta un mayor fuerza elctrica y en algn momento tendra que desprenderse del tomo, pero en la prctica esto NO ocurra. Por lo tanto la mecnica clsica no poda explicar el efecto fotoelctrico!

Explicacin del Efecto Fotoelctrico en base a la teora cuntica


En el ao 1905 el fsico alemn Albert Einstein utiliza la teora propuesta por Max Planck (la cual postulaba que la energa de la radiacin electromagntica est cuantizada) para explicar el Efecto Fotoelctrico. Einstein propuso que la luz (radiacin electromagntica) transporta la energa en paquetes (corpsculos de energa) denominados fotones, los cuales viajan a la rapidez de la luz: C = 3108 m/s. Albert Einstein obtuvo el premio Nobel de Fsica en 1921 por su explicacin del Efecto Fotoelctrico! Albert Einstein (1879 - 1955)

En base a la teora cuntica podemos plantear lo siguiente: El electrn absorbe SLO un fotn y esta energa es empleada para poder vencer la atraccin del ncleo y la de los otros tomos (para lograr escapar del material) y la parte restante le permite adquirir cierta rapidez (energa cintica). Del principio de la conservacin de la energa:

Efotn = o + ECmx
Ecuacin de Einstein

Donde: Efotn : o :

Energa del fotn incidente

(J)

Funcin trabajo o Energa umbral. Es la energa necesaria (mnima) para que el electrn pueda escapar del material (J) En algunos casos la o se expresa en electrn-voltio (eV) Equivalencia: 1 eV =1,610-19 J Energa cintica mxima del fotoelectrn. La ecuacin (I) se utiliza para los primeros electrones que logran escapar, por lo tanto requieren menor energa y saldrn con mayor rapidez.

ECmx :

Tambin :

ECmx

1 2 = me vmx 2
(m/s) (9,110-31Kg)

vmx me

: :

rapidez mxima del fotoelectrn masa del electrn

Qu caractersticas presenta el Efecto Fotoelctrico?

Conclusiones
1. La energa de los electrones emitidos (fotoelectrones) no depende de la intensidad de la radiacin incidente, depende exclusivamente de la frecuencia de la radiacin incidente.

2. A mayor frecuencia de la radiacin incidente, los fotones tendrn mayor energa, entonces los electrones emitidos tendrn mayor rapidez y por ende mayor energa cintica.

3. A mayor intensidad de la radiacin incidente (mayor nmero de fotones), entonces el nmero de electrones emitidos es mayor, pero todos abandonarn el metal con la misma energa cintica, ya que cada electrn slo absorbe ntegramente la energa de un fotn.

Clculo de la Funcin Trabajo


La Funcin Trabajo es la mnima energa que deben tener los fotones de la radiacin incidente (luz) para arrancar al electrn sin trascender la superficie del metal, es decir, el electrn llega a la superficie del metal con energa cintica nula (EC=0). Para cada tipo de metal existe una funcin trabajo definida. Podemos hacer incidir una radiacin electromagntica (luz) cuya frecuencia sea fo, de tal manera que los electrones desprendidos (fotoelectrones) logren escapar con las justas (v=0).

Efotn = o + 0

hfo = o
Aquella frecuencia que cumple con la ecuacin anterior se le conoce como frecuencia umbral (fo)

La Frecuencia Umbral es la frecuencia necesaria (mnima) de la radiacin incidente para que se produzca el efecto fotoelctrico
Si la radiacin incidente posee una frecuencia f , se cumple que: No se produce el efecto fotoelctrico.

f < fo

f > fo

Si se produce el efecto fotoelctrico.

Adems

C=0 f0

Donde

: 0 es la longitud de onda umbral (mxima longitud de onda, de la radiacin incidente, que permite la emisin de electrones) m

Clculo de la ECmx de los fotoelectrones


Para ello empleamos la fuente, luego de incidir la radiacin en una de las placas y desprender electrones invertimos rpidamente la polaridad de la fuente, con la intencin de frenar al electrn y que llegue con las justas a la otra placa. E
FEL

F WABEL EC

qe VAB EC f ECo
ECmx

qe VAB = ECmx
Donde : VAB se denomina voltaje de frenado o potencial de frenado Voltios (V)

E
FEL

Luego, en la ecuacin de Einstein:

E fotn = o + ECmx

hf = hf0 + qe VAB

VAB

h = (f - f 0 ) qe

Frecuencia de la radiacin o luz incidente

Ejercicios

1. Un haz de fotones de luz ultravioleta incide sobre una superficie fotosensible arrancando electrones. Si el nmero de fotones de luz ultravioleta se duplica, determine la veracidad (V) o falsedad (F) de las siguientes proposiciones. I. II. III. IV. La ECmx de los electrones arrancados se duplica. La funcin trabajo del metal se duplica. El nmero de electrones arrancados se duplica. La ECmx de los electrones arrancados y la energa umbral del metal no cambian.

RESOLUCION: Si el nmero de fotones incidentes se duplica, el nmero de electrones arrancados de la superficie del metal tambin se duplican pero sin modificar su energa ECmx. La energa umbral depende del material del cual esta hecho la superficie metlica.

Rpta.: F F V V

2. Determinar la energa cintica mxima de los fotoelectrones, si la funcin trabajo del material es 2,010-19 J y la frecuencia de la radiacin incidente es 31015 Hz. (1 eV=1,610-19 J ; h=6,6210-34 Js) RESOLUCION:

Piden

ECmx

De la ecuacin de Einstein:

Efotn = 0 + ECmx hf = 0 + ECmx (6,6210-34)(31015)=2,010-19 + Ecmx


ECmx (17,86 1019 J )
1eV 1, 6 1019 J

ECmx=11,162511,2eV

3. La funcin trabajo para los electrones del Cadmio es de 4,08 eV. Encuentre la longitud de onda de la radiacin si los fotoelectrones de Cadmio salen con 7,2105 m/s (me-=9,110-31 Kg ; h=6,6210-34 Js). RESOLUCION:

Piden De la ecuacin de Einstein:

Efotn = 0 + ECmx
1 hf 0 me ve2 2 c 1 h 0 me ve2 2
(6, 62 x10
34

(3x108 )

1, 6 x1019 J 1 (4, 08eV ) (9,1x1031 )(7, 2 x105 ) 2 1eV 2

=223,48nm

4. Respecto del efecto fotoelctrico, indique verdadero (V) o falso (F).

I. Si aumentamos el nmero de fuentes luminosas, entonces, electrones escapan con mayor energa cintica.

los

II. Cuando aumenta la frecuencia de la radiacin incidente, aumenta el nmero de fotoelectrones que escapan. III. La energa cintica de los fotoelectrones depende de la intensidad de la radiacin. IV. Si el umbral fotoelctrico de algn metal es 3000 , una radiacin de 3800 tambin genera el efecto fotoelctrico. RESOLUCION: I. Falso Si se aumenta el nmero de fuentes, aumenta el nmero de electrones emitidos. Pero los electrones salen con la misma energa cintica.

II.

Falso

Si aumenta la frecuencia de la radiacin incidente aumenta la energa cintica de los fotoelectrones, pero el nmero de fotoelectrones no vara.
III. Falso La energa cintica de los fotoelectrones depende de la frecuencia de la radiacin incidente. IV. Falso

c = 0 f0
3108 = (300010-10)f0 = > f0=1015 Hz

Para la radiacin incidente: c=f 3108 = (380010-10)f => f=0,781015 Hz

Como f < f0 no se produce el efecto fotoelctrico!

5. Una luz de =5800 que incide sobre una superficie metlica genera efecto fotoelctrico. Si el potencial de frenado es de 0,36 V, determinar la frecuencia umbral. (c=3108 m/s ; qe-=1,610-19 C ; h=6,6210-34 Js) RESOLUCION:

Piden fo El potencial de frenado es:

VAB = VAB

h (f - f 0 ) qe

h c = ( - f0 ) qe

6,62 10 -34 3 10 8 0,36 = ( - f0 ) -19 -10 1,6 10 5800 10

f0 = 431013 Hz

6. Sobre una superficie de un metal incide una radiacin de 400 nm de longitud de onda. Si se emiten fotoelectrones que luego son frenados por un voltaje de 0,8 V, determine la funcin trabajo del metal. (h=6,6310-34 Js)

RESOLUCION:

Piden

Se tiene que:

o = h fo = > o = 6,6310-34 fo

()

Aplicamos:

VAB

h = (f - f 0 ) qe

VAB =

h c ( - f0 ) qe

6,63 10 -34 3 10 8 0,8 = ( - f0 ) -19 -9 1,6 10 400 10


Reemp. () en ():

f0 = 431013 Hz ()

o = 3,692510-19 J

Aplicaciones del Efecto Fotoelctrico


El efecto fotoelctrico se aprovecha en numerosos campos de la ciencia y la tcnica.
Las clulas fotoelctricas: Usadas para la deteccin de presencia y los equipos fotovoltaicos de los paneles de energa solar.

Es la base de la produccin de energa elctrica por radiacin solar y del aprovechamiento energtico de la energa solar.

Para la fabricacin de clulas utilizadas en los detectores de llama de las calderas de las grandes termoelctricas.

Aplicaciones del Efecto Fotoelctrico


Fotodiodo es un semiconductor
construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.

Fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente.

Se llama fotomultiplicador a un tipo de detector ptico de vaco que aprovecha el efecto de emisin secundaria de electrones para responder a niveles muy bajos de iluminacin, manteniendo un nivel de ruido aceptable.