Contacto metal semiconductor

Medición de la barrera de potencial

Variación de la altura de la
barrera a diferentes
temperaturas para diferentes
materiales.
Contacto metal semiconductor
estructura de dispositivos

Pequeña área de contacto Oxido de

aislamiento

Cono truncado
Anillo metálico de
protección
Contacto metal semiconductor
estructura de dispositivos

Frecuencia de corte en función de la

cantidad de dopantes en la capa
epitaxial, para diferentes valores de
diámetro de la unión.
 Dispositivos unipolares
contacto metal semiconductor
contacto óhmico

Con alto dopado

Poca altura de la barrera

 Dispositivos unipolares
Jfet características básicas

Modelo Schockley de una Curva característica básica

unión del transistor de efecto del Jfet
de campo
Dispositivos unipolares el Jfet y el
Mesfet. Distribución de la carga

Carga uniforme Carga arbitraria

 Dispositivos unipolares
Fet en modo de enriquecimiento

Normalmente on Normalmente off

 Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet
Modelo de dos regiones

La Región I muestra constante

movilidad y la región II muestra
velocidad saturada. La velocidad inicia
la saturación para la anchura de la
región de vaciamiento
Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet
modelo de la velocidad saturada

Dependiendo de la distribución del dopado por el material la corriente varia.

Con una distribución gradual, se aprecia que la corriente de comporta de
manera lineal
Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet
comportamiento bidimensional

Sin polarizacion en
compuerta

Se ha sobrepasado el punto de
saturación y se crea una zona
bipolar en el canal, se mantiene
relativamente constante la
corriente a corriente de
saturación
Se alcanza el punto
de saturación
Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet
comportamiento bidimensional
Velocidad de
arrastre del
electrón

Campo Distribución
eléctrico de carga
espacial

Se observa el campo eléctrico, la velocidad de arrastre y la distribución de

carga cuando opera en la región de saturación, se ha creado la región bipolar
en el canal y se observa como afecta al campo, velocidad, y distribución.
Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet
comportamiento bidimensional
Curva característica
para mesfet de Si y
GaAs.

Cuando la compuerta aumenta de dimensión, aumenta la corriente Id.

Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet

Modelo equivalente en
pequeña señal

Respuesta en frecuencia

Para longitudes de compuerta mas pequeña mejora la respuesta en frecuencia,

es decir, puede operar a frecuencias mas altas.
Dispositivos unipolares Jfet, Mesfet
Comportamiento a ruido.
Circuito equivalente para el análisis de
ruido.

Las resistencias que aparecen por las características propias de los

materiales hacen que se produzca ruido. Debido a que estas resistencias
dependen de la longitud del dispositivo (menor tamaño menor resistencia), al
disminuir el tamaño del dispositivo se mejora la relación señal a ruido.
Al fluir solo corriente por arrastre se obtiene mejor relación señal a ruido en
comparación a los BJT.