Es un dispositivo semiconductor de dos terminales que se comporta como un interruptor comn que permite el paso de la corriente elctrica en una

nica direccin.

 Anodo.-

la

es el extremo p, se representa con letra A. es el extremo n, se representa con laetra C o K.

Ctodo.-

la

Tiene un estado encendido parece ser simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el que sus caractersticas terminales son similares a las de un circuito abierto. Cuando el voltaje tiene valores positivos de VD (VD > 0 V) el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado (R= 0 ) y la corriente que circula a travs de este, est limitada por la red en la que este instalado el dispositivo. Para la polaridad opuesta (VD < 0 V), el diodo se encuentra en el estado de circuito abierto (R= ) e ID = 0 mA

Tensin umbral, de codo o de partida (V ): Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ): la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En

Consta de tres zonas: Zona P: semiconductora con una resistencia RP. Zona N: semiconductora con una resistencia RN. Regin de Agotamiento: En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.

 Gr Z Z Z

fi

t ir t . I v rs . t r .

s r:

 Cuando

se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

 el

diodo polarizado directamente conduce la electricidad, disminuyendo la barrera de potencial. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo.

 El

polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera

Presenta la propiedad de ser unidireccional, esto es, si se aplica un voltaje con polaridad determinada, el diodo permite el flujo de corriente con resistencia despreciable y con un voltaje de polaridad opuesta no permitir el paso de corriente. En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partculas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas Cuando se aplica un voltaje de paralizacin directa (voltaje de corriente directa) la regin inica en la unin se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial aplicado. Las caractersticas reales del dispositivo no son ideales, y la grafica nos muestra como se comporta el diodo con el tipo y cantidad de voltaje suministrado al mismo

El hecho de que la grafica sea una curva nos dice que la resistencia del diodo cambia en cada punto diferente de la curva, esto es, mientras ms inclinada sea la curva la resistencia cera menor y tendera a aproximarse al valor ideal de 0

 Shockley,

en honor a William Bradford

Shockley Permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. Existe una relacin exponencial entre la corriente del diodo y en potencial aplicado.

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19 T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann 1.38 x 10-23 J/ k n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

 Conforme

aumenta la temperatura, disminuye la tensin de encendido V . Un descenso en la temperatura provoca un incremento en V . Por lo tanto V varia linealmente con la temperatura de acuerdo con la siguiente ecuacin donde se supone que la corriente del diodo iD se mantiene constante:

 Donde:

= temperatura ambiente T1 = temperatura del diodo V (T0) = tensin del diodo a temperatura ambiente V (T1) = tensin del diodo a la nueva temperatura k = coeficiente de temperatura en V/ c
T0

tradicional para hallar el punto de operacin de un circuito alineal Distribuir el circuito en un grupo de fuentes y una carga y encontrar soluciones para ambos de manera simultnea Se deben modificar las tcnicas estndar de anlisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones slo son vlidas dentro de una regin particular
Mtodo

 Si

la corriente y tensin del diodo son las dos incgnitas del circuito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incgnitas para encontrar el punto de operacin. Su resolucin debe ser simultnea y se puede realizar de manera grfica Obteniendo la ecuacin:

 Es

necesario combinarla con la caracterstica del diodo y resolver para el punto de operacin La interseccin de las dos grficas da la solucin simultnea de las ecuaciones y se denomina como Q (quiescent) o punto de operacin, en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero, denota condicin de reposo.

Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. La potencia instantnea disipada por un diodo se define por medio de la expresin de la ecuacin:

El circuito equivalente del diodo incluye un pequeo capacitor. El tamao de este capacitor depende de la magnitud y moralidad de la tensin aplicaba al diodo. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF. Est capacitancia puede llegar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta corriente (baja velocidad).

Es un punto sobre la curva de V-I del diodo, al que le corresponde un valor especfico de tensin y de corriente.

 Aplicando

la ley de voltaje de Kirchoff, se puede

escribir: i?? Y vD?? Para encontrar las soluciones se requiere una segunda ecuacin, sta corresponde o est presente en la caracterstica V-A grfica del diodo.

Dos puntos simples para graficar se encuentran anulando, una a la vez, una y otra variable. As, si iD = 0 se tendr vD = VS y, si vD = 0, se tendr i=VS/R. Desde el punto Q se obtienen los valores de i (ID) y vD (VD).