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Transistor UJT

04/07/2011

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Contenido.
‡ ‡ ‡ ‡ ‡ Historia Estructura Modelo Equivalente. Funcionamiento. Aplicaciones.

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Transistor uniunión UJT 04/07/2011 3 .

04/07/2011 4 . as integrated circuits became more popular.Transistor UJT Historia de UJT Unijunction transistor circuits were popular in hobbyist electronics circuits in the 70s and early 80s because they allowed simple oscillators to be built using just one active device. oscillators such as the 555 timer IC became more commonly used. Later.

‡Es un dispositivo semiconductor unipolar. Es un dispositivo de disparo 04/07/2011 5 .El Transistor UJT (transistor de unijuntura) ‡Tambien llamado transistor monounión. ununión. ‡Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura. con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos.

Transistor UJT Estructura El transistor de uni-unión ( unijuntion transistor) o UJT está constituido por dos regiones contaminadas. con tres terminales externas: ‡2 bases ‡1 emisor 04/07/2011 6 .

Transistor UJT Estructura El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello. RBB o resistencia interbase. la resistencia entre las dos bases. es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). 04/07/2011 7 .

a) Estructura física. b) modelo equivalente. c) circuito equivalente.Transistor UJT Esquemáticos Transistor UJT. 04/07/2011 d) símbolo 8 .

Transistor UJT Modelo equivalente El modelo equivalente está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas. la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como: 04/07/2011 9 . que verifican RBB=R1+ R2. Cuando el diodo no conduce. R1 y R2.

Transistor UJT Modelo equivalente en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca. 04/07/2011 10 .

Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en R1 es muy baja. 04/07/2011 11 .Transistor UJT Modelo equivalente El modelo de este dispositivo utilizando transistores tiene una estructura muy similar a un diodo de cuatro capas.

04/07/2011 12 . La gráfica describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).Transistor UJT Funcionamiento El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.

ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. región de resistencia negativa y región de saturación.Transistor UJT Funcionamiento Se definen dos puntos críticos: Punto de pico o peak-point (VP. IP) y punto de valle o valleypoint (VV. Estos punto a su vez definen tres regiones de operación: Región de corte. IV). que se detallan a continuación: 04/07/2011 13 .

En esta región.7 V con un valor típico de 0. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: donde la VF varía entre 0.5 V . 14 . la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. El UJT en esta región se comporta como un 04/07/2011 elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.Transistor UJT Funcionamiento ‡ Región de corte.35 V a 0.

Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación: donde la VF varía entre 0. la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor.Transistor UJT Funcionamiento ‡ Región de corte. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. En esta región.5 V . El UJT en esta región se comporta como un 04/07/2011 elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0. 15 .

04/07/2011 16 . VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.Transistor UJT Funcionamiento Región de resistencia negativa. es decir. la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Desde el emisor. En esta región. se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor.

04/07/2011 17 . En esta región. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. Si no se verifica las condiciones del punto de valle. el UJT entrará de forma natural a la región de corte.Transistor UJT Funcionamiento Región de saturación. la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV).

y más importante aún.Transistor UJT Aplicaciones Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos industriales. osciladores. incluyendo temporizadores. 04/07/2011 18 . generadores de onda. en circuitos de control de puerta para SCR y TRIACs.

Transistor UJT Aplicaciones Oscilador de relajación con UJT Una de las aplicaciones más típicas del UJT es la construcción de osciladores de relajación que se utilizan en muchos casos como circuito de control de SCRs y TRIACs. 04/07/2011 19 .

Transistor UJT Aplicaciones Rectificador de media onda controlado por UJT Control de una onda completa en la carga 04/07/2011 20 .