TIRISTORES

S.R.C. –TRIAC
INTRODUCCION
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos
semiconductores de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia.
Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor.
Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben
ciertas características y limitaciones.
Pueden soportar altas corrientes en conducción y elevadas tensiones en
bloqueo, pero están limitadas en frecuencia a un máximo valor de 20KHz.
TIPOS DE TIRISTORES
Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de
activación y desactivación, en general los tiristores pueden
clasificarse en ocho categorías:

 Tiristores de control de fase o de conmutación rápida (SCR).

 Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
 Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
 Tiristores de conducción inversa (RTC).
 Tiristores de inducción estática (SITH).
 Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
 Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
 Tiristores controlados por MOS (MCT).
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO –
SCR.
El SCR es un dispositivo de tres terminales que permite el flujo de corriente
hacia la carga en un solo sentido.
Sus terminales son: Ánodo, Cátodo y Compuerta.
La terminal de compuerta permite el control del paso de bloqueo a
conducción.
Una vez que el SCR es activado, se comporta como un diodo en
conducción y ya no hay control sobre el dispositivo.
Para el caso de que la polarización sea inversa, el elemento estará siempre
bloqueado.
Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal y rectificador.
CARACTERISTICAS DEL S.C.R.
El S.C.R. posee una serie de características que lo hacen apto para su
utilización en circuitos de potencia:
 Interruptor casi ideal.
 Amplificador eficaz (pequeña señal de puerta produce gran señal entre A –
K).
 Fácil controlabilidad.
 Características en función de situaciones pasadas (Memoria).
 Soporta altas tensiones.
 Capacidad para controlar grandes potencias.
 Relativa rapidez.
CARACTERISTICAS DEL S.C.R.
La acción regenerativa o
de enganche debido a la
retroalimentación directa
se puede demostrar
mediante un modelo de
tiristor de dos
transistores. Un tiristor
se puede considerar
como dos transistores
ESQUEMA DEL SCR Y MODELO complementarios, un
CONSTITUTIVO DE 4 CAPAS transistor PNP, Q1, y un
transistor NPN, Q2
APLICACIONES DEL SCR
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentación reguladas.
Interruptores estáticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Ciclo convertidores.
Cargadores de baterías.
Controles de fase, etc.
ESTRUCTURA Y CARACTERISTICA V - I
En la fabricación se emplean técnicas de difusión y
crecimiento epitaxial. El material básico es el Si.
ESTRUCTURA Y CARACTERISTICA V - I
Curva característica sin
corriente de puerta
iA [A]
Polarización directa cuando está ya
disparado (como un diodo en
polarización directa)

Disparo por
sobretensión
ánodo-cátodo

-600 V VAK [V]

0 600 V Polarización directa a
tensión menor de la
disparo por sobretensión
Polarización inversa
ánodo-cátodo (como un
(como un diodo)
diodo en polarización
inversa)
ESTRUCTURA Y CARACTERISTICA V - I
Polarización directa cuando está
Curva característica con corriente iA [A] ya disparado (como un diodo en
de puerta polarización directa)

Disparo de la
Disparo por corriente por
puerta la compuerta.

ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VAK [V]

0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4

DISPARO DEL S.C.R.
DISPARO POR PUERTA: Es el modo de disparo deseado
Límite de disipación
iA de potencia
+ A VGK Unión
Para que
mantenga disparado,
se
fría
la corriente ánodo-
VAK Vg cátodo tiene que ser
mayor que el valor
K G ig
- llamado
current”
“latching
o de
Unión caliente
+ enganche.
Rg 0 Vg/Rg ig
VGK Zona de disparo
Vg imposible
- En disparo se realiza con poca potencia
(bajos niveles de corriente y tensión)
PARAMETROS DEL SCR
CARACTERISTICAS ESTATICAS
•Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son
los valores máximos que colocan al elemento en el límite de sus
posibilidades.
•Su análisis permite seleccionar, en una primera aproximación, el tiristor que
mejor se ajusta a las necesidades del problema que se trata de resolver.
•En general, bastará con observar los valores de los siguientes parámetros
de entre los ofrecidos en las hojas de características del fabricante para
seleccionar el elemento: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IR, Tj, IH.
CARACTERISTICAS DE CONTROL
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las
condiciones de disparo.
Para la región puerta - cátodo los fabricantes definen entre otras las
siguientes características: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT (VGD), IGT, IGNT
(IGD), VGNT (VGD) e IGNT (IGD) que dan los valores máximos de corriente y de
tensión, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los
tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.
Entre los parámetros más importantes cabe destacar los siguientes:
 VGT e IGT, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo
semiconductor.
 VGNT e IGNT, muy importantes porque dan los valores máximos de corriente y de
tensión, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores
no basculan a conducción.
CARACTERISTICAS DE CONTROL

CURVA CARACTERISTICA DE COMPUERTA DE UN SCR.

CARACTERISTICAS DE CONTROL

Observar las curvas

y parámetros de
puerta de las hojas
de características
adjuntas( SKT10 de
Semikron)
CARACTERISTICAS DE CONMUTACION

Los SCRs necesitan un tiempo

para pasar de bloqueo a
conducción y viceversa.

A.- Tiempo de Encendido (tON)

El tiempo de encendido (paso

de corte a conducción) tON, se
divide en dos partes:

A1.- Tiempo de retardo. (td)

A2.- Tiempo de subida. (tr)
CARACTERISTICAS DE CONMUTACION

B.- Tiempo de Apagado (tOFF)

Es el tiempo de paso de conducción a
corte
Dividimos el tiempo de apagado en
dos:
• Tiempo de recuperación inversa.
(trr).
• Tiempo de recuperación de
puerta (tgr).
CARACTERISTICAS DE CONMUTACION

Es aconsejable tratar de identificar los parámetros de conmutación en las hojas de

características.
CARACTERISTICAS DE CONMUTACION
La extinción del SCR se producirá por dos motivos:
 Por reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente
de mantenimiento.
 Y por anulación de la corriente de ánodo.
Parámetros que influyen sobre toff:
 Corriente en conducción (IT).
 Tensión inversa (VR).
 Velocidad de caída de la corriente de ánodo dI/dt.
 Pendiente de tensión dVD/dt.
 Temperatura de la unión Tj o del contenedor Tc.
 Condiciones de puerta.
CONDUCCION DEL S.C.R.

Angulo de Conducción
La corriente y la tensión media de
un tiristor variarán en función del
instante en el que se produzca el
disparo, es decir, todo va a depender
del ángulo de conducción.
La potencia entregada y la potencia
consumida por el dispositivo, también
dependerán de él: cuanto mayor sea
éste, mayor potencia tendremos a la
salida del tiristor
Cuanto mayor es el ángulo disparo,
menor es el de conducción.
180º = Ángulo conducción + Ángulo disparo
CIRCUITO DE POTENCIA CON S.C.R.

FORMAS DE ONDA
PRODUCIDAS EN LAS
TERMINALES DEL SCR Y
LA CORRIENTE A TRAVES
DEL SRC PARA UN
ANGULO DE DISPARO.
EJEMPLOS
El circuito de la figura representa un control
simple de potencia con carga resistiva, calcular:
1.- Tensión de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensión media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice o Proteus,
obteniendo las formas de onda para un ángulo de
conducción  = 60º. Comprobar que los apartados
calculados en el ejercicio, coinciden con las
simulaciones.

Datos: Ve (RMS) = 120V f = 50Hz  = 60º RL =

10
FORMAS DE ONDA DE LOS VOLTAJES EN LA CARGA
Y EN LAS TERMINALES ANODO – CATODO DEL SCR
PARA α = 60°, SUPONIENDO UNA CARGA RESISTIVA
METODOS DE DISPARO DEL S.C.R.
• Para que se produzca el cebado de un SCR, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada en
directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir
que el SCR alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir
que el SCR comience a conducir.
• Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente
mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo.

Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:

• Por puerta.
• Por módulo de tensión. (V)
• Por gradiente de tensión (dV/dt)
• Disparo por radiación.
• Disparo por temperatura.

El modo más usado es el disparo por puerta. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no
deseados.
FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO
DEL S.C.R.
•Corriente de Puerta.
•Elevado Voltaje Ánodo – Cátodo (VAK > VDWM) Ruptura.
•Aplicación de voltaje Ánodo – Cátodo positivo antes de que el proceso haya
terminado.
•Elevada derivada del voltaje Ánodo – Cátodo.
•Temperatura elevada. Normalmente no ocurre, aunque si se produce una
combinación de varias causas, podría provocarse la entrada en conducción.
•Radiación luminosa. Solo ocurre en los dispositivos especialmente
construidos para funcionar de esta forma (LASCR).
DISPARO POR COMPUERTA

DISTINTAS FORMAS DE
DISPARO DEL SCR A TRAVES
DE LA COMPUERTA
DISPARO POR GRADIENTE DE VOLTAJE

Disparo indeseado
PROTECCION DEL SCR (TRIAC)
LIMITACIONES DEL S.C.R.
Las más importantes son debidas a:
• Frecuencia de funcionamiento.
• Sobretensiones y pendiente de tensión (dv/dt).
• Pendiente de intensidad (di/dt).
• Temperatura.
 En circuitos donde el valor de dv/dt sea superior al valor dado por el
fabricante, se pueden utilizar circuitos supresores de transitorios. Se
conectan en bornes de la alimentación, en paralelo con el semiconductor o
en paralelo con la carga.

 Una solución muy utilizada en la práctica es conectar en paralelo con el

tiristor un circuito R - C (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas
de tensión en los extremos del semiconductor:
LIMITACIONES DEL S.C.R.
LIMITACIONES DEL S.C.R. - FRECUENCIA

Potencia acumulada en el
dispositivo por cada ciclo
de operación del mismo.
VARIACION BRUSCA DEL VOLTAJE ENTRE
ANODO Y CATODO, dv/dt.
EJEMPLO DE CALCULO DE UN
CIRCUITO DE PROTECCION R – C
El SCR del circuito de la figura puede soportar una dV AK/dt = 50V/µs. La descarga inicial del
condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A. En el momento en que se cierra el interruptor
S es conectada la fuente de tensión VS al circuito.
Si en ese momento se aplica un impulso apropiado a la puerta del elemento, calcular:

1º) Valor del condensador de la red de protección.

2º) Valor de la resistencia de protección.

Datos: dV/dt = 50V/µs; R = 20; Imáx = 3A

MÉTODOS PARA EL CÁLCULO DE LOS
ELEMENTOS DE PROTECCIÓN
A.- Método de la constante de tiempo (más utilizado).
B.- Método resonante.

A.- Método de la constante de tiempo

Con éste método tratamos de buscar el valor mínimo de la constante de tiempo () de la dv/dt
del dispositivo. Para ello, nos basamos en la figura:

K = F de seguridad. (0.4 ... 0.1)

La misión de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce

la descarga instantánea del condensador al inicio de la conducción.
VARIACION BRUSCA DE LA CORRIENTE
DURANTE LA ACTIVACION DEL SCR, di/dt
LIMITACIONES DEL S.C.R.
Limitaciones de la pendiente de intensidad (di/dt)

Una variación rápida de la intensidad puede dar lugar a una destrucción

del tiristor.(creación de puntos calientes)

Un procedimiento posible es añadir una inductancia L para conseguir que la pendiente

de la intensidad (di/dt) no sobrepase el valor especificado en las características del
estado de conmutación.
EJEMPLO DE CALCULO DE R, L y C
Supongamos que el SCR está colocado según la figura.
Calcular aplicando el método de la cte de tiempo el
circuito de protección contra dv/dt y di/dt.

Datos: VRMS = 208V; IL = 58A; R = 5;

SCR: VDRM = 500V; ITSM = 250A;di/dt = 13.5 A/µs; dv/dt = 50V/µs

PARA K = 0.4
EXTINCION DEL S.C.R.
Entenderemos por extinción, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba
en conducción a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir,
perdemos completamente el control sobre el mismo.

Conmutación Natural intensidad por el tiristor se

anula por si misma
- a.-) Libre
- b.-) Asistida

Conmutación Forzada

- a.-) Por contacto mecánico

- b.-) Por circuito resonante
- Serie
- Paralelo

- c.-) Por carga de condensador

- d.-) Por tiristor auxiliar
TIPOS DE SCRs

DISTINTOS TIPOS DE SCRs

TRIAC – TRIODO DE A.C.

Es un dispositivo de tres terminales usado para controlar la

corriente que fluye una carga.
Un triac se diferencia de un SCR en que este puede conducir
corriente en cualquier dirección cuando esta en encendido.
CARACTERISTICAS DEL TRIAC
La principal utilidad de los TRIACS es como regulador de
potencia entregada a una carga, en corriente alterna.
El triac conmuta del modo de corte al modo de conducción
cuando se inyecta corriente a la compuerta.
Para apagar el triac la corriente anódica debe reducirse por
debajo del valor de la corriente de retención.
La corriente y la tensión de encendido disminuyen con el
aumento de temperatura y con el aumento de la tensión de
bloqueo.
DISPARO DEL TRIAC
Existe un gran número de posibilidades para realizar en la
práctica el disparo del TRIAC.
Varios de ellos, los mismos que los utilizados para disparar al
SCR.
Por supuesto, se elige aquella que mas resulte adecuada para
la aplicación concreta de que se trate.
Se pueden resumir en dos variantes básicas:
DISPARO DEL TRIAC
DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.

CORRIENTE CONTINUA CORRIENTE ALTERNA

CURVA CARACTERISTICA DEL TRIAC
FORMAS DE ONDA EN UN CIRCUITO
DE POTENCIA CON TRIAC
DISPARO DEL TRIAC MEDIANTE
DISPOSITIVOS OPTICOS
DISPARO DEL TRIAC MEDIANTE
DISPOSITIVOS OPTICOS
DISPARO DEL TRIAC MEDIANTE
DISPOSITIVOS OPTICOS
Tomando los datos del ejemplo anterior, se pide calcular la potencia promedio
consumida por el SCR cuando está en conducción, suponiendo que VAK en
conducción es igual a 1.2V