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Circuitos Integrados (Integrated Circuits - IC)

En un IC se implementa un circuito
electrónico completo (Resistencias,
condensadores, diodos, transistores, etc)
realizado sobre el mismo circuito
semiconductor (Substrato).
DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO

A ENCAPSULADO

74 D,P: Plástico

FABRICANTE
1 IP
J, N: Cerámico
M: Metálico

AD Analog Devices
A Fairchild
CR RCA RANGO TEMPERATURA
LM National Semiconductor
MC Motorola C: Comercial 0ºC hasta 70ºC
NE/SE Signetics
OP Precision Monolithics I: Industrial -40ºC hasta 85 ºC
RC/RH Raytheon
SG Silicon General M: Militar -55ºC hasta 125 ºC
TL Texas Instrument
DESIGNADOR

Nombre/función del dispositivo

741 Amplificador de propósito general


081 Amplificador entrada FET
311 Comparador rápido
DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO

Pin 5
1
número 1 4 Orden
2 para
3 numerar
los pines

Encapsulado típico
DIL - 6

DIL = Dual In Line


SIL = Serial In Line
Transistor 2 Transistores 2.300 Transistores 42 millones de transistores

1945 1948 1958 1960 1971 2001


ENIAC Transistor Primer IC MOSFET Primer P Pentium IV
1er Computador Lab. Bell Kilby 4004 INTEL
válvulas Schokley, INTEL
Brattain,
Bardeen

La evolución del tamaño de los circuitos integrados ha


sido espectacular.

Teniendo sus máximos de capacidad de integración,


en el mundo de la Electrónica Digital
(Microprocesadores)
LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PUEDEN LLEGAR
A TENER MUCHÍSIMOS COMPONENTES
REALIZADOS SOBRE EL MISMO CIRCUITO
INTEGRADO

Buscando errores
sobre un esquema de
un Circuito Integrado
CIRCUITOS INTEGRADOS: UNA AUTENTICA REVOLUCIÓN

Hoy día podemos considerar a los circuitos integrados como componentes electrónicos.

El diseño de aplicaciones con componentes sueltos (o discretos) (diodos, transistores,


resistencias, condensadores, etc) cada vez está mas restringido a aplicaciones muy
especiales (Electrónica de potencia, muy altas frecuencias, etc).

Hoy día podemos decir que existen una variedad de circuitos integrados "casi" específicos
para nuestra aplicación:

Electrónica Analógica (amplificadores, comparadores, multiplicadores, generadores


de señal, etc)

Electrónica Digital (microprocesadores, conversores A/D y D/A, etc)

Comunicaciones (Emisores, receptores, etc)

Electrónica de Potencia (Circuitos de control de motores, Drivers, etc)

Y una multitud de ejemplos mas (solo hay que ver las páginas web de los distintos
fabricantes (MOTOROLA, TEXAS, IR, SGS, NATIONAL, etc).

ES PRÁCTICAMENTE IMPOSIBLE CONOCER TODOS LOS CIRCUITOS INTEGRADOS


EXISTENTES EN EL MERCADO. DEBEMOS SABER BUSCAR EL NECESARIO PARA NUESTRA
APLICACIÓN
NUESTRA LABOR COMO INGENIERO/DISEÑADOR CONSISTIRÁ EN :

1.- Identificación y comprensión del problema

2.- Selección y búsqueda del Circuito Integrado mas adecuado

3.- Comprensión del funcionamiento del integrado. Estudio de sus hojas


características (Datasheet)

4.- Diseño del interface con el mundo exterior

MUNDO
INTERFACE Selección
EXTERIOR del Circuito
Integrado
Procesos de fabricación de circuitos integrados
Ejemplo: secciones transversales de bipolar y MOSFET
Procesos de fabricación de circuitos integrados
PROCESOS:
1) Preparación de la oblea
2) Fabricación de las máscaras
3) Litografía
4) Adición de material
5) Eliminación de material
6) Test de la oblea, separación y encapsulado

1) Preparación de la oblea:
Crecimiento
(Czochralski)
Conformado
Cortado
Grabado
Pulido
Procesos de fabricación de circuitos integrados
2) Fabricación de máscaras

(a) Máscara completa de una (b) Máscara de dado individual


oblea x1, con patrón de con una copia del dado
dado repetido para cada amplificado en x5 o x10
posición
Procesos de fabricación de circuitos integrados
2) Fabricación de máscaras
(a) Litografía de proyección óptica (b) Litografía directa sobre oblea
de la oblea completa
Cinta PG Cinta PG
Fabricación de máscaras

Fabricación de máscaras
Fabricación Proyección
óptica de la óptica de la
retícula retícula
mediante haz
Retícula de electrones
x10

Reducción y Retícula x5 o
repetición x10

Máscara x1
Reducción
óptica y
Litografía

Litografía
Proyección repetición de
óptica la retícula
directa sobre la oblea
Procesos de fabricación de circuitos integrados
3) Litografía
Exposición de máscaras y revelado empleando resina fotosensible positiva
Procesos de fabricación de circuitos integrados
4) Adición de material Dimensiones típicas:
4.1.) Crecimiento epitaxial Capa epitaxial (epi):
2 a 25 m
- Se introducen dopantes B(P)
y As(N)
- Proceso LPCVD Sustrato:
SiCl4+2H2 - >Si+4HCl 100 a 300 m
- En torno a 1000-1200ºC
4.2.) Deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD)

Usado en:

- Polisilicio
(SiH4 ->Si+2H2)
- Óxido de aislamiento
(SiH4+O2->SiO2+2H2)
En torno a 400-500ºC
Procesos de fabricación de circuitos integrados
4) Adición de material
4.3.) Oxidación térmica

- Calentamiento a 700-1300ºC
- Usado para realizar el óxido
de campo

4.4.) Difusión e implantación iónica

Implantación iónica:
- Aceleración de partículas e implantación 1-2 micras bajo la superficie
- Proceso de recocido (calentamiento) para uniformizar
Difusión:
- Calentamiento en atmósfera de impurezas
- Se generan “huecos” por el movimiento y penetran las impurezas
Procesos de fabricación de circuitos integrados
4) Adición de material
4.5.) Metalizaciones (interconexiones)
Formas de interconectar (dos niveles):
- Un nivel de polisilicio + Un nivel de metal
- Un nivel de polisiliciuro (polisilicio+metal) + Un nivel de metal
- Dos niveles de metal
- Resistividades:
- Polisilicio es aproximadamente 3 veces la del metal
- Polisilicio es aproximadamente 10 veces la del polisiliciuro
Procesos de fabricación de circuitos integrados
5) Eliminación de material
5.1) Litografía y grabado

Máscara

3) Después del atacado


1) Vista transversal de partida

4) Después de eliminar la película


2) Después de la litografía
Procesos de fabricación de circuitos integrados
5) Eliminación de material
5.2) Atacado húmedo

- Se sumerge en un baño
de disolvente
- Limitado a tamaños
mayores de 2 micras
- Aparece efecto de ataque
lateral
- Para evitarlo se usan 1) Después del atacado
materiales anisótropos
para el atacado

2) Después de eliminar la película


Procesos de fabricación de circuitos integrados
5) Eliminación de material
5.3.) Atacado seco

CF4(gas inerte)+Si +Temperatura -> SiF4

Una descarga elimina el Si

Sistema de ataque por plasma


mediante placas paralelas
Procesos de fabricación de circuitos integrados
6) Test de la oblea, separación y encapsulado
Test con puntas de prueba
Se somete a un conjunto de “vectores de test”

Oblea

Dados defectuosos
(marcaje con tinta)

Cortado
Procesos de fabricación de circuitos integrados
6) Test de la oblea, separación y encapsulado
Encapsulado: hilos de conexión y formatos
EJEMPLO ILUSTRATIVO DE CIRCUITO INTEGRADO
Es un circuito ficticio con propósito educativo, que tiene como único objetivo el visualizar de
una forma sencilla los pasos y procesos físico/químicos que se siguen para obtener un IC.

La explicación esta muy simplificada.

OBJETIVO
B

NC 1 8 B

A 2 B 7 NC A
C
A
NC 3 6 NC
NC 4 5 C

DIP 8 C

PASOS A DAR PARA OBTENER UN IC CON ESTE CIRCUITO BÁSICO


PUNTO DE PARTIDA: OBLEA DE SILICIO

"DADO" DE UN
SE FABRICAN MUCHOS CIRCUITOS
CIRCUITO INTEGRADO
INTEGRADOS A LA VEZ SOBRE LA
MISMA OBLEA.

Lugar: SALA BLANCA.


MICROELECTRÓNICA.

PROCESOS FÍSICO-QUÍMICOS
Oblea de silicio
DETALLE DE UNO DE LOS DADOS

P
ESPESOR TÍPICO 150 

SUBSTRATO
SILICIO MONOCRISTALINO TIPO P

P
CRECIMIENTO EPITAXIAL

N CAPA EPITAXIAL 25 

P
150 

CAPA EPITAXIAL

P
PROCESOS DE DIFUSIÓN PELICULA FOTOSENSIBLE

CAPA DE OXIDO (Si O2)


N

P
LUZ

MASCARA 1: ISLAS, ZONA DE COLECTOR


1º REVELADO PELÌCULA (ELIMINACIÓN DONDE HA DADO LA LUZ)
2º DECAPADO DE LA CAPA DE OXIDO QUE NO ESTA PROTEGIDA

N
B
PROCESO DE DIFUSIÓN CON DOPANTE P (Grupo III: In, Al, Ga, B) B B
B
B

B B B
B B B B
B B B B
B

N ISLA
P N N P
P P

P
LIMPIEZA DE LA PELÍCULA FOTOSENSIBLE Y OXIDACIÓN COMPLETA DE LA SUPERFICIE

N
P N N P
P P

P
NUEVA PELÍCULA FOTOSENSIBLE

N
P N N P
P P

P
LUZ

N
P N N P
P P

MASCARA 2
MÁSCARA 2: ZONAS DE BASE
P

N
B
PROCESO DE DIFUSIÓN CON DOPANTE P (Grupo III: In, Al, Ga, B) B B B
B
B B B B
B B B B B
B B
B

P P
P N N N

N
LIMPIEZA DE LA PELÍCULA FOTOSENSIBLE Y OXIDACIÓN COMPLETA DE LA SUPERFICIE

P P
P N N N

N
NUEVA PELICULA FOTOSENSIBLE

P P
P N N N

N
LUZ

P P
N
P N N P
P P

MASCARA 2
MÁSCARA 3: EMISOR
P P
N
P N N P
P P

P
Sb
PROCESO DE DIFUSIÓN CON DOPANTE N (Grupo V: Sb, As, Bi) Sb Sb
Sb
Sb Sb Sb Sb
Sb Sb Sb
Sb

P P
N
P N N P
P P

P
LIMPIEZA DE LA PELICULA FOTOSENSIBLE Y OXIDACIÓN COMPLETA DE LA SUPERFICIE

P P
N
P N N P
P P

P
LUZ

P P
N
P N N P
P P

MÁSCARA 4: METALIZACIONES
P P
N
P N N P
P P

P
P P
N
P N N P
P P

P
P N P
N
P N N P
P P

P
P N P
N N N
P

SUBSTRATO
UNIDO AL PUNTO
MAS NEGATIVO
DEL CIRCUITO
(PARA QUE NO
B MOLESTE)
P

A
N
P P
N N

C
B
ACABADO FINAL: CORTE, ENCAPSULADO Y CONEXIONADO

NC 1 8 B A
A 2 B 7 NC
A
C DETALLE DEL CONEXIONADO
NC 3 6 NC
NC 4 5 C
C

DIP 8
"WIRE-BONDING"

OTROS ENCAPSULADOS
DETALLE DE UN CIRCUITO REAL
EJEMPLO TÍPICO DE CIRCUITO INTEGRADO DE PROPÓSITO GENERAL:

DIP-8

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