• SEMICONDUCTORES

• DIODOS Y SENSORES
SEMICONDUCTORES

https://www.youtube.com/watch?v=71ldBAJAz3I
SEMICONDUCTORES

Los materiales pueden dividirse en tres grandes clases según

la conducción de la corriente:

1) Aislantes: no permiten un buen flujo de corriente, cumplen

la ley del octeto son eléctricamente estables.

2) Conductores: pueden sustentar un flujo de corriente.

3) Semiconductores: son moderadamente buenos para el flujo

de corriente.
CONDUCTORES

ATOMO DEL COBRE, DADO QUE TIENE UN SOLO

ELECTRON DE VALENCIA ES DADOR DE CARGAS LIBRES Y
ENLACES IONICOS POR CUAL CONSTITUYE EN UN
EXCELENTE CONDUCTOR
 semiconductores

Metales Semiconductores
 SEMICONDUCTORES
Los elementos semiconductores son aquellos
elementos que se ubican en el grupo IV de la
tabla periódica de los elementos, es decir, el
germanio, el silicio, el plomo y el estaño.
Estos elementos son cristales de alta pureza, se
caracterizan por tener cuatro electrones en su
órbita de valencia, esto los distingue de todos los
demás elementos En este sentido, los mejores
conductores (plata, cobre y oro) tienen un
electrón de valencia, mientras que los mejores
aislantes poseen ocho electrones de valencia
 SEMICONDUCTORES

INTRODUCCION
En electrónica, lo único que importa es el orbital
exterior, el cual determina las propiedades eléctricas
del átomo. Para subrayar la importancia del orbital de
valencia, se define la parte interna de un átomo como
el núcleo, más todos los orbitales internos.
 GERMANIO

Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color

blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que
conserva el brillo a temperaturas ordinarias.
Presenta la misma estructura cristalina que
el diamante y resiste a os ácidos y álcalis.
 USOS ACTUALES

Hace varios años, el germanio era el único

material adecuado para la fabricación de
dispositivos semiconductores, sin embargo,
estos dispositivos tenían un grave
inconveniente que no pudo ser resuelto por
los ingenieros: su excesiva corriente
inversa. Esto propició que otro
semiconductor, el silicio, se hiciera más
práctico, dejando obsoleto al germanio en la
mayoría de las aplicaciones electrónicas.
 SILICIO

Después del oxigeno, el silicio es el elemento más

abundante de la Tierra”. Se presenta en forma
amorfa y cristalizada; el primero es un polvo
parduzco, más activo que la variante cristalina, que
se presenta en octaedros de color azul grisáceo y
brillo metálico.
SILICIO
los cristales de silicio tienen cuatro
electrones y al combinarse con otro
átomo de silicio, tendrán ocho
electrones en la última capa y
opondrán gran resistencia a ser
desplazados, esa es una característica
de los semiconductores, son malos
conductores de la corriente eléctrica.
CARATERISTICAS ELECTRONICAS DEL SILICIO
SEMICONDUCTOR PURO = INTRÍNSECO
 Los semiconductores puros se les llama intrínsecos ,
los cristal es puros hacen enlaces covalentes siendo
estables y de características aislantes , solo la
incidencia del calor y diferencias de potencial afectan
su comportamiento.
 Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor sería aislante porque todos
los e- están formando enlaces. Pero al crecer la temperatura, algún
enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para
moverse en la estructura cristalina.
 El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia
positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del
semiconductor encontramos el electrón libre (e-), pero también hay
un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
 SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Semiconductor intrínseco: acción de un campo eléctrico

- +
Si Si Si
- +

- + + +
Si Si Si
- +

- +
Si Si Si

- +
La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de
carga: HUECOS y ELECTRONES

La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los

semiconductores:
mayor temperatura  más portadores de carga  menor resistencia
 CORRIENTES PRESENTES
 SE PRESENTAN DOS TIPOS DE CORRIENTES :

CORRIENTES DE HUECOS: LOS HUECOS SON ESPACIOS QUE

DEJA EL UN ELECTRON , NO SE DEBE CONFUNDIR COMO
UNA CARGA ELECTRICA AUNQUE TIENE UN
COMPORTAMIENTO SIMILAR A UNA CARGA POSITIVA. EL
FLUJO DE HUECOS SE DA EN LA BANDA DE VALENCIA.

CORRIENTES DE ELECTRONES: LOS ELECTRONES

INICIALMENTE TIENE UN MOVIMIENTO LLENANDO LOS
ESPACIOS QUE DEJAN LOS HUECOS Y LUEGO COMO
ELECTRONES LIBRES EN LA BANDA DE CONDUCCION
SEMICONDUCTORES Extrínseco.

 Un semiconductor se puede dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un

exceso de huecos. Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados
 Semiconductores tipo n
El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se denomina
semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo . Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de portadores
mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios.
 Semiconductor tipo p
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se denomina semiconductor
tipo p, donde p hace referencia a lo positivo
Semiconductor extrínseco: TIPO N
+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb
Sb: antimonio
+
Sb +
Sb
Impurezas grupo V
Si Si Si +
Sb +
Sb
Impurezas del grupo V de +
Sb +
Sb
la tabla periódica +
Sb
+
Sb
+
Sb
300ºK
+
Sb +
Sb +
Sb
Es necesaria muy poca
Si Sb
Si Si energía para ionizar el
átomo de Sb
+ Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Si Si Si Electrones libres

Semiconductor extrínseco: TIPO P

-
Al -
Al -
Al
-
Al
-
Al -
Al
Al: aluminio
-
Al -
Al
Si Si Si Impurezas del grupo III de -
Al -
Al
la tabla periódica -
Al
-
Al
-
Al
300ºK
-
Al -
Al -
Al
Es necesaria muy poca
energía para ionizar el
Si Al
Si Si átomo de Al Huecos libres Átomos de impurezas ionizados
+ -
A temperatura ambiente Los portadores mayoritarios de carga en un
todos los átomos de
impurezas se encuentran semiconductor tipo P son
Si Si Si ionizados Huecos. Actúan como portadores de carga
positiva.
DIODO SEMICONDUCTOR UNION PN
 Cuando se unen 2 materiales extrinsecos uno tipo p y otro tipo
n, ocurren algunas combinaciones que dan origen a una
ausencia de portadores en la región cercana a la unión, debido
a lo cual a esta región se le llama de agotamiento por la falta de
portadores.
Tip o p Tip o n

R e g ió n d e
a g o t a m ie n t o
 CASOS EN DIODO SEMICONDUCTOR
 En ausencia
de un voltaje
de
polarización
aplicado, el
flujo neto de
la carga en
cualquier
dirección es
cero.
 POLARIZACION INVERSA
 VD < 0 El número de iones positivos en la región de agotamiento
del material tipo n se incrementa debido a el gran número de e-
libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado, por lo
que la región de agotamiento crece y la barrera de potencial es
demasiado grande para que haya un flujo de portadores
mayoritarios.
 Pero el número de portadores minoritarios que están entrando a la
región de agotamiento sigue igual por lo que se tienen vectores de
flujo de portadores minoritarios que provoca una pequeña corriente
llamada de saturación
p inversa (Is) n
 POLARIZACION DIRECTA
 VD  0 El potencial presiona a los e- en el material n y a los
huecos en el material p para que se recombinen con los iones
cercanos a la unión y se reduzca la región de agotamiento.
 El flujo de portadores minoritarios no ha cambiado pero
la reducción de la región de agotamiento ha incrementado en
forma importante el flujo de portadores mayoritarios través de
la unión.
p n

Conclusiones:
Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente.
Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de
corriente eléctrica
 CARACTERISTICAS
i [mA]
ánodo cátodo 1
p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo 0
-0.25 0.25 0.5
Silicio
Germanio
IS = Corriente Saturación Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensión diodo
 VKDTq  q = carga del electrón
I D  I S   e  1 T = temperatura (ºK)
  ID = Corriente diodo
MODELOS
I I
Solo tensión
Ideal de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
V V

I I
Curva real
Tensión de codo y (simuladores,
Resistencia directa análisis gráfico)

V V
 CURVAS

Característica tensión-
corriente
La figura muestra la
característica V-I (tensión-
corriente) típica de un diodo
real.

 Región de conducción en polarización directa (PD).

 Región de corte en polarización inversa (PI).
 Región de conducción en polarización inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, VON está sobre los 0,7 V.
LIMITACIONES
I
Tensión inversa
máxima Corriente máxima

Ruptura de la Unión Límite térmico,

por avalancha sección del conductor

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
VR = 100V Tensión inversa máxima Se sugiere con un buscador obtener
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima las hojas de características de un
VF = 1V Caída de Tensión directa diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
IR = 25 nA Corriente inversa aparecerán varios fabricantes para el
mismo componente.
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperación inversa

iS
U E

+
U R
E
Bajafrecuencia
Alta frecuencia

iS

trr = tiempo de recuperación inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce
corriente inversa.
DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode) La ruptura no es destructiva.

(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

Tensión I como una fuente de tensión
Zener (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.

V Podemos añadir al modelo lineal

la resistencia Zener.

Límite máximo Aplicaciones en pequeñas

fuentes de tensión y referencias.
Normalmente, límite
de potencia máxima
DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

A K
 DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V,
Fotodiodos (Photodiode) presentan una corriente de fugas proporcional a
la luz incidente (siendo sensibles a una
determinada longitud de onda).

i Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

Siendo su aplicaciones principales:
V Sensores de luz (fotómetros)
0 Comunicaciones
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura
y pueden ser usados como sensores térmicos
i
El modelo puede ser una fuente
I = f(T)
V
de corriente dependiente de la T1 0
luz o de la temperatura según el
caso T2>T1
 ASOCIACIÓN DE DIODOS
Puente rectificador

Monofásico +
Diodo de alta tensión
(Diodos en serie)

-
Trifásico
+

DISPLAY
-
APLICACIONES REALES DE DIODOS

Detectores reflexión de objeto

Detectores de barrera
 APLICACIONES REALES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
Funcionamiento de una válvula anti-retorno comparación

Caudal
h1 h2

h1 - h 2
Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco: TIPO N

+ + +
+
+ +
Impurezas grupo V
+ +
+ +
+
+
+ +
300ºK
+ +

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco: TIPO P

- - -
-
- -
- -
- -
-
-
- -
300ºK
- -

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actúan como portadores de carga positiva.
La unión P-N
La unión P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unión P-N
La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay

circulación de corriente.
La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.
La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentración de huecos Concentración de electrones

+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unión.
 DIODOS ESPECIALES
Cuando incide luz en una unión PN, la
Células solares (Solar Cell) característica del diodo se desplaza hacia el
4º cuadrante.
i
En este caso, el dispositivo puede usarse
como generador.
VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
El diodo Zener

El símbolo y el comportamiento de un diodo Zener son los que se muestran en el

siguiente esquema:

+
+

+
Vz Vz V

“encendido” “apagado”(Vz > V > 0V)

El diodo estará “encendido” cuando está polarizado inversamente a un diodo

normal, y cuando el voltaje sea superior a Vz. Para que esto suceda, es necesario
que la corriente esté en la zona indicada a continuación:
El diodo Zener

La siguiente representa la curva característica de un diodo Zener:

ID
Vz
VD
Zona de trabajo
Izmín
del diodo Zener

Zona de ruptura
del diodo Zener
Izmáx
Curva del zenner
El diodo Zener

El diodo Zener se utiliza para mantener un voltaje de referen-cia constante,

mientras que la corriente que circula a través suyo esté comprendida entre Izmín e
Izmáx. El valor de R para que el regulador trabaje
S
adecuadamente (sin carga) será:

RS
+

Ve Iz Vz MÁXIMO MíNIMO
Ve  Vz Ve  Vz
RS máx  RS mín 
I Z mín I Z máx
donde RSmín  RS  RSmáx.
El diodo Zener

La situación más común es que el circuito opere con carga, tal como se muestra a
continuación:

RS
Las condiciones de carga pueden
variar. El diodo Zener debe mantener
+

I IC Vz
Ve RC sus condiciones de regulación,
Iz independiente de la carga.
usos
https://www.youtube.com/watch?v=N73txERy5Fs
 CONVERSIÒN AC A DC
La corriente alterna (AC) es la forma más eficiente de suministrar energía
eléctrica. Sin embargo, los aparatos electrónicos microcontrolados o con CI
necesitan corriente directa (DC) para funcionar.
 RECTIFICACION DE MEDIA ONDA
APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION

La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna

sinusoidal.
En ocasiones es necesario una tensión contínua.

Esquema general de la rectificación.

Vi: tensión de entrada.

Vo:tensión de salida.
RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.
 EL TRANSFORMADOR

 El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar

o reducir el voltaje de CA, según como sea necesario.
 V1 = Voltaje en el devanado primario
 V2 = Voltaje en el devanado secundario
 N1 = # de vueltas en devanado primario
 N2 = # de vueltas en el devanado secundario
El Objetivo del transformador es cambiar el nivel de Tensión (Voltaje)
de la red, al valor deseado.

Con derivación central (Tap

Central)
Ejemplo:

Si la razón de vueltas es 12:1 y Vin es el voltaje de la línea:

V2 n2 V2 100
V1  120 VRMS   
V1 n1 120 1200
n1  1200
n2  100 V2  10 VRMS
 ESQUEMA BÁSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA

VO = Vi -VON
Para Vi< 0 el diodo está en corte = no existe
corriente
Se intenta que esta onda de salida se
parezca lo más posible a una línea
horizontal.
Siempre existe desviación de la ideal. Se
cuantifica por el rizado de la onda de
salida
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrónicos encargados de
realizar una conversión de potencia de ac, en potencia de dc.
DE: MEDIA ONDA

20V

0V

D2
1 2
V1
-20V
1k V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(D1:2)
Time
20V

0V

2 1
-20V
120 1k V1(V2)
20V

0
0V

SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(R1:1)
Time
 Rectificador de onda completa: primera opción

DA
+
vEA = vE vEA
– RL
– – v +
vEB = -vE vEB S

+
DB
Rectificador de onda completa: primera opción
circuito básico

+ +
v EA DA RL vS
– –
–
v EB DB
+
SENTIDO DE LA CORRIENTE Y RECTIFICACION
DA
1.- VEA> 0 y VEB < 0
+
vEA + RL
vS
– –

2.- VEA< 0 y VEB > 0 +

R
L v
S
–
–
v
EB
+
D
B
FORMA DE ONDA DE SALIDA

vE T vEA
v
EB

¶ ¶
t

vS

t
Aunque la onda resultante de un rectificador de media onda es continua (no
cambia de signo), dista mucho de ser un valor constante, como interesa tener en un
circuito eléctrico de CC. Una forma de mejorar la “calidad” de la onda continua
resultante es a través del “rectificador de onda completa”:
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO
PUENTE
 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO
PUENTE
Rectificador onda completa

En semiciclo positivo de la señal: VA es mayor que VC: D1 y D3 no conducen

Circuito equivalente
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO
PUENTE

Rectificador de onda completa

durante los semiciclos negativos

Mejora con filtrado por

condensador
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO
PUENTE
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO
PUENTE

~ Para las dos entradas de tensión alterna.

+ Para la salida positiva.
- Para la salida negativa.
FILTROS CAPACITORES
 CAPACITORES

Condensador.
Es un componente electrónico capaz de almacenar
carga.
Consiste en dos placas o armaduras metálicas
separadas por un aislante llamado dieléctrico.

Cuando la armadura – se llene de e y la + ceda

todos los que pueda se dice que el condensador
está cargado.
Un condensador se carga casi instantáneamente.
 Definimos la capacidad de un condensador como la cantidad
de carga eléctrica que es capaz de almacenar un condensador
por unidad de tensión.

Su unidad es el Faradio.
El faradio es muy grande por eso se emplean submúltiplos del
faradio: milifaradio, microfaradio, nanofaradio y picofaradio.

Símbolo:
SIMBOLOS DE CAPACITORES
 Tipos de condensadores
 No polarizados: Cualquier armadura puede ser positiva o negativa.
Pueden ser de plástico, de papel o cerámico según sea el aislante.

 Polarizados: están señaladas las armaduras positiva y negativa. Son

cilíndricos. También aparece la V máxima que pueden soportar. Son de
mayor capacidad.
 Carga y descarga del condensador
Conmutador en la posición superior: carga del condensador;
aumenta su tensión hasta los 10v de la pila.
Conmutador en la posición inferior: descarga del
condensador; su tensión disminuye hasta cero.
Capacitor de cerámica
CAPACITOR ELECTROLITICO

MAXIMA TENSION EN DC ES
LA MITAD DE SU VOLTAJE
NOMINAL
SUMA DE CONDESADORES
3. Filtro

Entrada D Filtro Salida

+ Rectificador +
vE vS =vR
C
– –
 Filtro con rectificador de media onda
vS

t
T 5T
4 vE 4

vE = vC vE = vC
 Filtro con rectificador de onda completa
v
S

t
T
3T
4
4 v v
EA EB
v =v v =v
EB C EA C
El objetivo de esta etapa es eliminar, al máximo, las variaciones de la
señal rectificada.

El condensador se carga al valor pico de la señal de entrada.

Cuando la entrada disminuye, los diodos quedan polarizados en
inversa y el condensador suministra la corriente a la resistencia de carga.
 Al variar el Capacitor o la Carga, el rizado también varía
 El rizado de la onda
será:

1
V0  VMax .
f RL C

Factor de rizado se expresa VMax  Vmin

Fr  .100%
como: VMax

Para un rectificador de onda completa y un porcentaje de rizado del 10%,

se recomienda:
IL 1 5I
C . 
VMax 0.1* 2 f r VMax . f
PARAMETROS

El Voltaje de Rizado debe especificarse

indicando la carga de la
Fuente con la que se ha realizado la
VOLTAJE DE RIZADO medición, entendiendo por "carga"
la cantidad de corriente que dicha Fuente
debe suministrar al circuito
conectado a ella. Usualmente el Voltaje de
Rizado se especifica para la
máxima carga que puede manejar la
Fuente de Voltaje DC.
FACTOR DE RIZADO
Se denomina Factor de Rizado a la
relación porcentual entre el
Voltaje de Rizado y el valor máximo de la
Fuente de Voltaje DC

REGULACION DE CARGA
La Regulación de Carga es una medida de la capacidad de la
Fuente de Voltaje DC de mantener constante su voltaje de salida
cuando varía la carga conectada a ella, es decir, la cantidad de
corriente que debe proporcionarle al circuito que está alimentando. Se
define utilizando la siguiente expresión:

VoImin = Voltaje de salida a máxima carga

VoImax = Voltaje de salida sin carga
(corriente cero)
REGULACION DE LINEA
La Regulación de Línea es una medida de la capacidad de la
Fuente de Voltaje DC de mantener constante su voltaje de salida
cuando varía el valor del voltaje AC máximo aplicado a la entrada del
rectificador. Se define utilizando la siguiente expresión

VoVimax = Voltaje de salida cuando el voltaje AC pico a

la entrada es máximo
VoVimin = Voltaje de salida cuando el voltaje AC pico a
la entrada es mínimo
FILTRADO
PARA UN BUEN FILTRADO Y
REGULACION DE CARGA SE
ACONSEJA USAR 1000uF POR
AMPERIO DE REGULACIÓN

Tc= TIEMPO DE
CONDUCION DEL DIODO
REGULACION DE TENSION
Es diseñado con el objetivo de proteger aparatos eléctricos y
electrónicos delicados de variaciones de voltaje descargas eléctricas y
"ruido" existente en la corriente alterna de la distribución eléctrica.
Este dispositivo electrónico que acepta una tensión de voltaje variable
a la entrada, dentro de un parámetro predeterminado y mantiene a la
salida una tensión constante (regulada).
Cuando usamos los reguladores de tensión ajustables, como
el LM317 y elLM337, la entrada de tensión tiene que ser de un valor
entre 1,2 y 1,25 V por encima de la tensión de salida deseada. Esto
es debido a que la tensión en la entrada (ADJ) se compara
internamente con una tensión de referencia (Vref) que tiene ese valor.
La tensión de referencia siempre existe en los extremos de la
resistencia R1. Esta junto a la resitencia R2 determinan la corriente
que va a pasar por el terminal ADJ. Esto está determinado por la
siguiente fórmula:
 
Vout =Vref [1+(R2/R1)] + (iADJ)(R2)
Luego de despejar y considerando que
iADJ toma siempre un valor muy bajo nos queda:

R2 = (R1/Vref) (Vout - Vref)

R2 = (R1/1,2) (Vout - 1,2)

Ejemplo:    Si
queremos una tensión en la salida del 317 de 25 V y
tomamos aR1=240 ohms:
R2 = (240/1,2) (25 - 1,2) = 4760
Y nos quedaría así el circuito.