DIFUSION

ADRIANA TOFIÑO VILLAFAÑE

I NG E N IE R Í A E N E L EC TRÓ N I C A
 Proceso de la difusión

Vamos a denominar “Difusión”, al

proceso mediante el cual un conjunto
muy grande de partículas que
constituyen un gas, se desplaza dentro
del sistema que lo contiene, sin otra
fuerza que la provocada por la
probabilidad de movimiento que produce
la energía térmica que le provee el
medio.

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 • la energía térmica confiere a las
partículas un movimiento aleatorio
Browniano.
• las partículas se mueven en cualquier
dirección y sentido.
• una velocidad instantánea distinta de
cero.
• no experimenta ningún
desplazamiento neto.

TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 Pastilla semiconductora iluminada
uniformemente de manera que la
concentración de excesos n’=p’ es
constante y no hay desplazamiento neto
en el sentido del eje x.

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 • Se
  ha elegido un plano que corta trasversalmente a la pastilla para
x=a y hemos considerado un elemento de volumen “I” hacia la
izquierda de “a” y “D” hacia la derecha de dicho plano.
• L longitud y volumen =A L siendo A área trasversal de la patilla.
• Si es p’ la cantidad de lagunas en exceso por cm3 de cristal, la
cantidad de lagunas en exceso contenidas en el elemento de
volumen por consiguiente p’ AL.
• Nvi particulas contenidas en “I”
• Nvd a las contenidad en D.

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 La distribución de n’=p’ no es
homogénea, las partículas en exceso
se desplaza de la zona de mayor
concentración hacia la de menor
concentración

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 • La concentración de excesos a lo largo de la pastilla no es constante.
• Cantidad de partículas que contiene el volumen “I” es mayor que la
que contiene D.
• Se producirá un desplazamiento neto de partículas atreves del
plano x =a de izquierda a derecha. Fenómeno llamado difusión

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 “la mayor probabilidad de pasaje de izquierda en el caso
mencionado se sabe a que, si bien cada partícula tiene la misma
probabilidad de desplazarse hacia la derecha que hacia la izquierda,
el pasaje neto se produce de izquierda a derecha simplemente
porque el elemento de volumen que esta situado a la izquierda del
plano x=a contiene mas partículas que el que esta a la derecha”.

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 Expresión matemática de la ley de difusión

En la figura se muestra la distribución de la concentración de lagunas

en exceso p’ en función de x. Dicha distribución no es homogénea y si
tomamos a partir de una abscisa x=a arbitraria una longitud L hacia la
izquierda y una igual hacia la derecha, la cantidad de portadores
alojados en el volumen representado por “I” es mayor que la que se
encuentra dentro de “D”.

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 • Movilidad
  coincide con el tiempo de relajación
• Su velocidad será la de agitación térmica vt
• La mitad de las partículas contenidas en “I” atraviesan el plano de
derecha izquierda en un tiempo c, y la mitad de partículas en “D”
atraviesa al mismo tiempo de derecha a izquierda. 
La cantidad de lagunas contenidas en “I” será:
N° de lagunas en “I” =
Y siendo que p’ solamente varia según “x” y que dV = dxdydz entonces
la ecuación anterior queda
N° de lagunas en “I” =
=
INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA
 • En
  donde A es el área transversal de la pastilla y la integral, el área
I.
• Si consideramos que la mitad de dichas partículas se desplazan
hacia la derecha; solamente esa mitad atravesara el plano x=a.
• Como solamente pasará la mitad, esa cantidad habrá pasado al
otro lado en la mitad de tiempo ósea.
TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 • La
  cantidad de lagunas que atraviesan al plano mencionado de izquierda a derecha
será la mitad de las contenidas en I y la pastilla tiene un área A = 1cm2, será:
 

En donde  el signo negativo de la derivada se debe a que la curva es decreciente.

Como el tiempo.
La cantidad de lagunas que atraviesan el plano de izquierda a derecha en la unidad del
tiempo (Pi)
Pi =
La cantidad de lagunas que atraviesan el plano de derecha a izquierda en la unidad del
tiempo (Pd)
Pd =
TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 • La
  cantidad de lagunas que en forma neta atraviesa el plano por unidad
de tiempo será la diferencia entre las expresiones
 
Pi =
Pd =
 
Pi – Pd = =-Dp en donde Dp = la constante de proporcionalidad entre
la derivada (gradiente) y la cantidad de partículas que atraviesan el plano
de la pastilla semiconductora por unidad de tiempo que vamos a llamar
“constante de difusión”.
TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 •  Si multiplicamos el número de lagunas +q* Pi – Pd =-Dp
• Pasa de representar número de partículas por unidad de tiempo a
cantidad de carga por unidad de tiempo que es corriente.
• Una sección de pastilla unitaria, la carga por unidad de tiempo
representa densidad de corriente J.

 Jp =-qDp = -qDp

• Si las partículas fueran electrones –q

  Jn =+qDn = +qDn

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 RELACION DE EINSTEIN
•La  velocidad de agitación termica vt es el cociente entre el recorrido
libre medio y el tiempo libre medio o tiempo de relajación, luego
aplicando esta relación en la expresión Dp = queda
Dp= vt2
• vt es la velocidad de agitación térmica, es la que confiere energía
cinética a las partículas, que debe ser igual a la energía térmica que
tiene el sistema por estar a una temperatura T°K; luego :

TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 • Según
  la teoría cinética de los gases, la energía térmica de la
partícula es de aproximadamente por lo cada grado de libertad
(movilidad de los portadores)

Reemplazamos y en Dp= vt2 quedando:
Dp=  Dp=
RELACION DE EINSTEIN que permite ver que la constante de difusión y
la movilidad son proporcionales.

TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 ECUACION DE LA DIFUSION

Cuando iluminamos a la pastilla en forma transversal, a fin de lograr que la

luz penetre su cavidad, la misma deberá ser prácticamente transparente,
por unas pocas capas atómicas.
 
• La longitud es en general muy grande, cuando la luz penetra esas pocas
capas, la longitud de dicha penetración será despreciable comparada
con el largo total.
TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 • Trataremos de hallar la ecuación diferencia que rige el proceso de la
difusión de portadores minoritarios dentro del cristal
semiconductor.
• Para ello llevamos a considerar un volumen elemental de cristal,
constituido por el área transversal de la pastilla que supondremos
unitaria y por una longitud diferencial “dx”.

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 •El  número de lagunas que sale del volumen elemental será
La variación del número de lagunas que se produjo dentro del volumen
elemental será . y como la luz se aplicó en un extremo de la pastilla, el
volumen incremental bajo estudio no estará iluminado por ser interno; la
generación de excesos deberá ser allí nula y solamente existirá
recombinación de los mismos. Dicha recombinación se expresa, por la
relación la derivada de Jp en el interior del volumen elemental tendrá que
ser negativa, dado que por ser la recombinación mayor que la generación,
el número de excesos debe disminuir. En consecuencia:
TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 •   +
Pero: Jp = -qDp, de donde
Luego:  p’-
Que es la ecuación de la difusión

TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
 •p’-  esta ecuación es tema de análisis matemático y nosotros
solamente diremos que la mencionada ecuación es del tipo: 
y- cuya solución es y = C
para esto derivamos dos veces y -  
y’ = - y’’=  
reemplazando y - la y = C y y’’= vemos que satisfacen la ecuación.
Aplicando la solución p’-

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 •P’  = C en donde  Lp =

Como consecuencia de la relación  Lp = , vemos que las

tres constantes  halladas hasta este momento y que caracterizan a
un cristal semiconductor tales como la longitud de difusión “L”, el
tiempo de vida “” y la constante de difusión “D” no son
independientes.

TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA
Gracias
POR SU ATENCIÓN N I CA
R Ó
C T
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E N
R ÍA
N IE
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