Circuitos de excitación y

protección.

Dispositivos de potencia
Introducción
 Minimizar las pérdidas de potencia en los interruptores
electrónicos.
• Pérdidas en conducción
• Pérdidas en conmutación.
• Solución: acelerar las transiciones.

 Los circuitos de protección se diseñan para alterar la forma de

onda de conmutación, de forma que se reduzcan las pérdidas
de potencia y se proteja el interruptor.
Circuitos de excitación de transistores bipolares.

 Dispositivo controlado por corriente.

 Tiempo de puesta en conducción depende de la rapidez con la
que se inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.
 Velocidades de conmutación de entrada se pueden reducir
aplicando inicialmente un pico elevado de corriente de base y
disminuyendo la corriente hasta la necesaria para mantener el
transistor en conmutación. Igualmente se necesita un pico de
corriente negativa en el apagado.
Esquema
Formulación.
Cuando la señal pasa a nivel alto
R2 estará cortocircuitada
inicialmente. La corriente de base Vi  VBE
inicial será IB1. I B1 
R1
Cuando C se cargue, la corriente
de base será IB2. Vi  VBE
I B2 
Se necesitará de 3 a 5 veces la
R1  R2
constante de tiempo de carga del  R .R 
condensador para considerarlo   RE .C   1 2  .C
totalmente cargado.  R1  R2 
La señal de entrada pasa a nivel
bajo en el corte y el condensador
cargado proporciona el pico de
corriente negativa.
Forma de onda de la IB
Ejemplo.
 Diseñar un circuito de excitación de un BJT (TIP31C). Que tenga un
pico de 1A de corriente de base y de 0.2A en conducción. La tensión
de excitación es de 0 a 5V, cuadrada, con un ciclo de trabajo del 50%
y una frecuencia de conmutación de 25Khz.

Vi  VBE 5  1
I B1    1A  R1  4
R1 R1
Vi  VBE 5 1
I B2    0, 2 A  R2  16
R1  R2 4  R2
 R .R   4.16  20u
  RE .C   1 2  .C    .C   C  1, 25uF
 R1  R2   4  16  5
Simulación del ejemplo
Potencias perdidas en ambos casos
Enclavador Baker
 Se usa para reducir los tiempos de conmutación del transistor bipolar.
 Mantiene al transistor en la región de cuasi-saturación.
 Evita que VCE sea muy baja. Vcc

 Las pérdidas son mayores.

VCE  VBE  nV
. D  VDs
Ds

D1 Dn

D0
Darlington

Incrementar la Beta del

transistor equivalente, con
el fin de mejorar la
excitación
Circuitos de excitación de MOSFET
 Es un dispositivo controlado por tensión.
 Estado de conducción se consigue cuando la tensión puerta-fuente
sobrepasa la tensión umbral de forma suficiente.
 Corrientes de carga son esencialmente 0.
 Es necesario cargar las capacidades de entrada parásitas.
 Velocidad de conmutación viene determinada por la rapidez con que la
carga de esos condensadores pueda transferirse.
 Circuito de excitación debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rápidamente para conseguir una conmutación de alta velocidad.
Esquema

Vcc
Vcc
Carga
Carga

Vi Carga
R
Circuito de Control

Totem-Pole

Totem-Pole con Buffer

 Ejemplo
 Calcular la excitación de un Mosfet de
potencia que tiene las siguientes
características:
• VTH=2 a 4V.
• VGSmáx=20V
• VDSmáx=100V
• Capacidades parásitas= las de la figura.
 Se precisa que el Mosfet conmute al
cabo de 50ns o menos. Si la tensión de
excitación es de 12V y la de
alimentación es de 100V calcular la
corriente necesaria y la RB que la limite.
Solución
 Vemos que las capacidades de entrada y salida a más de 60V es
de 300pF y 50pF respectivamente. Como ambas se tienen que
cargar, necesitaremos:

dVDG 100V  12V

I DG  CDG .  50 pF .  88mA
dt 50ns
dV 12V  2V
I G  CGS . GS  300 pF .  60mA
dt 50ns
Total  148mA
Circuito propuesto.
RB 
 12V  4V   54 50  normalizado 
148mA
+100V
+12V

Carga

RB
Simulación.
Esquemas de excitación con CI
Etapas Push-Pull y medio puente con CI
Circuitos Bootstrap
VCC

Cuando se requiere que el

circuito de excitación sea
flotante con respecto a la masa
del circuito. Se llaman “…de
lado alto”. Uno de ellos podría
ser el bootstrap.
M1

Vi

T1

RL

M2
Circuitos Bootstrap con CI
VCC

IR2110

L
Circuitos de Aislamiento de la
excitación
 Muchas veces resulta necesario aislar las excitaciones de dos interruptores
para evitar cortocircuitos o perturbaciones.
• Aislamiento óptico: Optoacopladores.
• Aislamiento magnético: Transformadores.

1:1 ITr

ID
Forma de onda de salida del acoplador
inductivo.
Optoacopladores
Optoacopladores
 Circuitos de protección.
 Protegen al transistor
reduciendo sus
pérdidas de potencia
en la conmutación. IL

 No reducen las
pérdidas totales de
conmutación.
P P
 Protegen al
dispositivo del stress
al que se ve sometido v
durante la
conmutación debido a
las altas tensiones y
corrientes.
Circuito de protección de transistor

i
DL
IL

Ds

v
v
i

P
 Formulación.
 1 t I Lt I Lt 2
 0 dt  ..................................0  t  t f
 C t f 2 Ct f

 1 t I I t
VC  t     I L dt  vc  t f   L  t  t f   L f ....t f  t  t x
C C 2C
tf

VS ..................................................................t  t x


Si la corriente del interruptor llega a cero El condensador se elige a veces de
antes de que el condensador se cargue por forma que la tensión del interruptor
completo la tensión del condensador se alcance su valor final al mismo tiempo
calcula a partir de la primera ecuación, que la corriente vale cero
saliendo:

I L .t f I L .t f
C C
2V f 2VS
Formulación.
 Para calcular el valor de la resistencia, ésta se elige de forma
que el condensador se descargue antes de que el transistor
vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo
para que se descargue el condensador.

tON
tON 5 RC , R 
5C
1
W  CVS2
2
1
CVS2
1
PR  2  CVS2 f
T 2
Formulación.
 Las pérdidas en el transistor varían con el circuito que se añade. La
primera fórmula se refiere a las pérdidas en el transistor sin circuito
de protección.

1
PQ  I LVS  ts  t f  f
2
tf  I t    I L2t 2f f
2
1 T t
PQ   vQ iQ dt  f   L
 L 
I 1   dt 
T 0 0  2Ct
 f   tf  24C