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Componentes Electrónicos
Componentes Electrónicos
2.CLASIFICACIÓN.
3.MEDIDAS E
IDENTIFICACIÓN.
1. DEFINICIÓN.
Electrónic
a.
Estudio y aplicación del comportamiento
de los electrones en diversos medios
materiales
y vacío, sometidos a la acción de campos
Eléctricos y Magnéticos.
Se suelen usar tensiones e intensidades
relativamente más pequeñas que en
Electricidad.
2. CLASIFICACIÓN.
COMPONENTES PIEZOELÉCTRICOS:
RESONADORES DE CRISTAL.
2. 2. COMPONENTES
ELECTRÓNICOS ACTIVOS.
(Son esencialmente los
SEMICONDUCTORES).
RECTIFICADOR.
DIODOS. ZENER.
LED.
NPN.
TRANSISTORES.
PNP.
2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ACTIVOS.
CIRCUITOS INTEGRADOS.
REGULADORES.
LINEALES.
OPERACIONALES.
SEÑAL ANALÓGICA
PUERTAS LÓGICAS.
COMBINACIONALES.
NO LINEALES. MEMORIAS.
SEÑAL DIGITAL MICROPROCESADORES.
MICROCONTROLADORES.
3. MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN.
Componentes a
tratar:
Resistencias.
Condensadores.
Bobinas.
Diodos.
Transistores.
Circuitos Integrados.
3.1.RESISTENCIAS ELÉCTRICAS.
Componente que ofrece una oposición al
paso de la corriente eléctrica, ya sea corriente
alterna o continua.
Símbolo:
R
V1
12 V 1.0Ohm_5%
R V
R= ——
I
Ohmio. Relación entre la
Múltiplos: Kilo Ohmio K d.d.p y la
Mega Ohmio M
Intensidad.
3.1.1. ASOCIACIONES de
RESISTENCIAS.
SERIE. Re = R1 +
R1 R2 RE
R2
R1
R1 x R2
PARALELO. Re =
RE R1 +
R2 R2
R2
Re = Hay que
MIXTO. analizar el
R1 R4
circuito y aplicar
R3 relaciones
serie/paralelo
particulares.
3.1.2. CÓDIGO DE COLORES.
COLOR NOMBRE VALOR
NEGRO 0
MARRÓN 1
ROJO 2 PRIMERA CIFRA SIGNIFICATIVA (a).
NARANJA 3 SEGUNDA CIFRA SIGNIFICATIVA (b).
AMARILLO 4
FACTOR DE MULTIPLICACIÓN (C).
VERDE 5
TOLERANCIA EN % (X).
AZUL 6
VIOLETA 7
GRIS 8 R = a b 10c
BLANCO 9
NADA 20%
En este caso R =
PLATA 10%
ORO 5% 6.500 5%
3.1.3. CLASIFICACIÓN DE LAS
RESISTENCIAS.
• Metálicas.
Fijas
• Carbón.
Lineales
• Ajustables.
Respuesta Variables
Lineal. R=Cte. • Potenciómetros.
Dependientes de la
Temperatura
NTC y PTC
No Lineales Dependientes de la Luz.
Respuesta no LDR
Dependientes de la Tensión.
Lineal. R Cte.
VDR
3.2. CONDENSADORES.
• Dispositivos utilizados para el almacenamiento de cargas eléctricas.
• Comportamiento diferente según el tipo de corriente
Alterna o Continua.
• Constituido por dos placas conductoras o armaduras y entre ellas un
aislante o dieléctrico. Para un condensador plano:
Q C Capacidad.
C = Q Carga 1 Culombio = 1
Ampere/Segundo.
V
V d.d.p. entre Armaduras.
3.2. CONDENSADORES.
(Continuación)
El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan
Submúltiplos:
• miliFaradio mF. 10 F. -3
0,001F.
• microFaradio F. 10-6 F. 0,000001F.
• nanoFaradio nF. 10-9 F. 0,000000001F.
• picoFaradio pF. 10-12 F.
0,000000000001F.
TIPOS DE CONDENSADORES:
• NO POLARIZADOS:
• Independiente del sentido de la corriente.
• “Cerámicos, Poliéster, Mica, etc”.
• SI POLARIZADOS:
CE
PARALELO. C2 Ce = C1 + C2
C2 Re = Hay que
analizar el circuito y
C1 C4 aplicar relaciones
MIXTO. serie/paralelo
C3
particulares.
3.3.INDUCTANCIAS O BOBINAS.
• Componente formado por una serie de espiras arrolladas.
• Almacenan energía en forma de campo magnético.
• Se oponen a los cambios bruscos de corriente.
– A bajas frecuencias tienen una baja resistencia o inductancia.
– A altas frecuencias tienen una alta resistencia o inductancia.
• Unidad de medida el Henrio (H).
• Su valor depende de:
– Número de espiras. A mayor número de vueltas mayor inductancia.
– Diámetro de las espiras. A mayor diámetro mayor inductancia.
– Longitud del hilo y naturaleza.
– Tipo de material del núcleo. Aire, ferrita, etc.
• Se aplican como filtros de corriente alterna y transformadores.
3.3.1. ASOCIACIONES de
BOBINAS.
L1 L2 Le
SERIE. Le = L1 + L2
L1
L1 x L2
Le
Le =
PARALELO. L2 L1 + L2
L2
Le = Hay que analizar
L1 L4 el circuito y aplicar
MIXTO. L3 relaciones
serie/paralelo
particulares.
3.4. DIODO.
Componente formado por la unión de dos materiales semiconductores,
uno tipo N y otro tipo P.
Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento.
Germanio Z = 0,3 Voltios.
Silicio Z = 0,6 Voltios.
POLARIZACIÓN INVERSA.
Cuando la corriente DESEA CIRCULAR en sentido opuesto a la flecha,
es decir del CÁTODO al ÁNODO.
TRANSISTOR NPN.
TRANSISTOR PNP.
3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS
Operacionales.
Lineales
Manejan señales Reguladores y
ANALÓGICAS. Estabilizadores.
T.T.L. CMOS
Tensión Alimentación +5 V. +3 a 15 V.
Temperatura de trabajo 0ºC a 70ºC -40ºC a +85ºC
Valor Nivel Alto De 2 a 5 V. 70% V. Alim.
Valor Nivel Bajo De 0 a 0,8 V. 30% V. Alim.
Tiempo Propagación por Puerta a +5V. 10 nS. 35 nS.
Margen Ruido Típico 0,4 V. ~ 40% V. Alim.
3.6.3. PUERTAS LÓGICAS T.T.L.
Los más comunes utilizados son:
OR NOR EXOR
3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES.
Los circuitos integrados combinacionales, se forman a partir de la
combinación de varias puertas lógicas. Los más destacables son:
REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO.
ALU
Encargada de realizar procesos matemáticos, como sumar Bytes,
rotarlos, desplazarlos, etc.
Los microprocesadores están constituidos
por millares de transistores en un chip y
realizan una determinada función de los
computadores electrónicos digitales.
Chip con 100 millones de transistores.
3.6.7. MICROCONTROLADORES.
Los microcontroladores se caracterizan por tener en su interior el
Microprocesador y la Memoria.
Son, los más habituales, reprogramables electricamente (EEPROM).
PERIFÉRICOS
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