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FET
FET
Electrónica I
Características
1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos óhmicos
Canal-n
p n p
Compuerta (G)
Región de
agotamiento
Fuente (S)
VGS = 0 y VDS > 0
D +
Región de
ID
agotamiento
VDS
G
VDD
p n p
S IS -
Potencial dentro de FET
Nivel de saturación
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene características de
fuente de corriente con ID = IDSS.
VGS < 0
ro
rd
1 - VGS / VP
2
2
VGS
I D I DSS 1 -
VP
Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = -1 V
-1
2 2
1
I D I DSS 1 - 8mA1 - 4.5mA
-4 4
La relación inversa de la ecuación de Shockley se obtiene con
facilidad
ID
VGS VP 1 -
I Dss
4.5
VGS -41 - -1V
8
Método manual rápido
Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Más los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.
Ejemplo
Trazar la curva para un FET de canal-p definida por IDSS = 4 mA y
VP = 3V
Ejemplo
Trazar la curva definida por IDSS = 12 mA y VP = -6V
Hojas de especificación
Valores máximos
Área de operación
Trazador de curvas
Comparación con el BJT
ID = IDSS(1 – VGS/VP)2 IC = bIB
ID = IS IE = IC
IG = 0 VBE = 0.7V
MOSFET de tipo decremental
No existe conexión
eléctrica entre la
compuerta y el canal de
MOSFET.
Se debe a la capa
aislante SiO2 explica la
alta impedancia de
entrada.
Operación básica
Aplicando 0V entre
compuerta y fuente, se
obtiene una corriente IDSS
entre drenaje y fuente.
Características de transferencia
Reducción de portadores libre sen el canal debido al potencial
negativo en la terminal de la compuerta.