ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA

MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD AZCAPOTZALCO

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

UNIDAD I DIODO SEMICONDUCTOR

DIODO RECTIFICADOR

Elaborado por : M en E Ing. Carlos Adrián Amezcua Magaña

Academia de Eléctrica – Electrónica
Enero 2020
 UNIDAD I

TEMARIO:
1. Diodo semiconductor
 Dopamiento de semiconductores

 Símbolo

 Diodo ideal, Diodo real

 Polarización y curva característica

 Fuentes de voltaje con Rectificador de media onda

 Fuentes de voltaje con Rectificador de onda completa con 2

diodos

 Fuentes de voltaje con Rectificador de onda completa tipo puente

2
 TEORÍA DE LOS SEMICONDUCTORES

MATERIALES AISLANTES
Se denomina al material con escasa
conductividad eléctrica, no existen cuerpos
absolutamente aislantes o conductores, sino
mejores o peores conductores, son materiales
muy utilizados para evitar cortocircuitos, forrando
con ellos los conductores eléctricos, para
mantener alejadas del usuario determinadas
partes de los sistemas eléctricos que, de tocarse
accidentalmente cuando se encuentran en
tensión, pueden producir una descarga, para
confeccionar aisladores los materiales utilizados
más frecuentemente son los plásticos y las
cerámicas.

3
 MATERIALES CONDUCTORES
Son aquellos materiales que ofrece poca resistencia al flujo de electrones o
electricidad dejando pasar fácilmente la corriente eléctrica, de manera
semejante como las tuberías conducen agua a través de un circuito hidráulico.
Para que un cuerpo sea conductor necesita tener átomos con muchos
electrones libres, que se puedan mover con facilidad de un átomo a otro.
La diferencia entre un conductor y un aislante, que es un mal conductor de
electricidad o de calor, es de grado más que de tipo, ya que todas las sustancias
conducen electricidad en mayor o en menor medida. Un buen conductor de
electricidad, como la plata o el cobre, puede tener una conductividad mil
millones de veces superior a la de un buen aislante, como el vidrio o la mica. El
fenómeno conocido como superconductividad se produce cuando al enfriar
ciertas sustancias a una temperatura cercana al cero absoluto su conductividad
se vuelve prácticamente infinita. En los conductores sólidos la corriente eléctrica
es transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases,
lo hace por los iones.

4
TEORÍA DE LOS SEMICONDUCTORES
MATERIALES SEMICONDUCTORES

• Es un material que se comporta como conductor o como aislante

dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

• Material sólido o líquido capaz de conducir la electricidad mejor que un

aislante, pero peor que un metal.

• La conductividad eléctrica, que es la capacidad de conducir la corriente

eléctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las
propiedades físicas más importantes.

Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes

conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son
muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros
se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con
impurezas o en presencia de luz la conductividad de los semiconductores puede
aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los
metales.
5
 Las propiedades de los semiconductores se estudian en la física del
estado sólido. Tiene 4 electrones en su orbita de valencia.
El semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II
y III con los de los grupos VI y V de la tabla periódica.

6
 Conceptos básicos

 Orbital de valencia: es la última orbita del átomo, allí se encuentran

definidas las características eléctricas del elemento

 Electrón libre: es el electrón ubicado en la orbita de valencia y que tiene

muy poca fuerza de atracción con el núcleo por lo que es muy fácil de
arrancarse por una fuerza externa

 Hueco: es el espacio que deja un electrón en un átomo cuando es

arrancado por una fuerza externa

 Ión positivo: es un átomo que ha perdido uno o mas electrones

 Ión negativo: es un átomo que ha ganado uno o mas electrones

7
• Recombinación: es el proceso en el cual un electrón libre llena un hueco
• Tiempo de vida de un electrón libre: es el tiempo que transcurre entre la creación de
un electrón libre y su desaparición al ocupar un hueco
• Flujo de electrones: al colocar un cristal de Si entre 2 placas metálicas cargadas
eléctricamente un electrón de la orbita de valencia es repelido por el potencial
negativo y llena un hueco que encuentra más próximo a la placa positiva, este
desplazamiento genera un hueco en el átomo que a su vez es ocupado por otro
electrón que fue repelido también por la placa con potencial negativo, generando un
flujo de electrones de la placa con potencial negativo y hacia la placa con potencial
positivo. La circulación de corriente en ésta dirección se le conoce como corriente
electrónica.
• La dirección convencional de corriente viaja de potencial positivo al potencial
negativo, en sentido contrario a la corriente electrónica; para efectos de análisis
siempre se considera la dirección de corriente convencional
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
- 8
+
-
 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Los materiales semiconductores intrínsecos, son aquellos que se han
refinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las impurezas hasta un
nivel muy bajo, tan puros como sea posible mediante la utilización de la
tecnología moderna

En este tipo de material, los electrones libres generados exclusivamente por

causas naturales se denominan portadores intrínsecos. A esta misma
temperatura, el material intrínseco de germanio contiene aproximadamente
2.5 X 1013 portadores libres por centímetro cúbico. La proporción de
portadores libres en el germanio comparada con la del silicio es mayor que
103, lo que podría indicar que el germanio es mejor conductor a temperatura
ambiente. Esto puede ser cierto, sin embargo ambos materiales se
consideran conductores deficientes en estado intrínseco. 9
 DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES
Dopamiento de un material tipo P:

Se parte de un semiconductor intrínseco, que es

un semiconductor químicamente puro y puede
ser de Silicio (Si) o de Germanio (Ge) que
tienen 4 electrones libres en su órbita de
valencia, éste material se dopa, es decir se le
agregan impurezas deliberadamente con el fin
de modificar su conductividad eléctrica,
convirtiéndolo en un material extrínseco; para
generar un semiconductor tipo P, es decir con
exceso de huecos, se dopa con impurezas
trivalentes (aceptores), como pueden ser el
Aluminio (Al), Galio (Ga) o Boro (B); en este
dopamiento los portadores mayoritarios son los
huecos, ya que superan a los electrones los
cuales son los portadores minoritarios.
10
 DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES
Dopamiento de un material tipo N:

Se parte de un semiconductor intrínseco, que

es un semiconductor químicamente puro y
puede ser de Silicio o de Germanio que
tienen 4 electrones libres en su órbita de
valencia, éste material se dopa, es decir se
le agregan impurezas deliberadamente con el
fin de modificar su conductividad eléctrica,
convirtiéndolo en un material extrínseco; para
generar un semiconductor tipo N, es decir con
exceso de electrones, se dopa con impurezas
pentavalentes (donadores), como pueden ser
el Arsénico (AS), Antimonio (Sb), Fósforo (P);
en este dopamiento los portadores
mayoritarios son los electrones, ya que
superan a los huecos los cuales son los
portadores minoritarios.

11
 UNIÓN PN
Se forma por la unión metalúrgica de dos
cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque
también se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N según su composición a nivel
atómico.
Los electrones libres que se encuentran en el
material N, se recombinan con los huecos que
están próximos del material P, solo hasta
alcanzar un equilibrio cerca de la unión de los 2
cristales.
Una vez alcanzado este equilibrio se dice que
se ha creado una barrera de potencial. Una
barrera de potencial es simplemente una
oposición a que sigan pasando los electrones y
huecos de un lado a otro.
Esta situación permanecerá inalterable mientras
no hagamos nada externo para modificarla, es
decir, compensar el efecto de esa barrera de
potencial con otro potencial aportado por
nosotros, por ejemplo, conectándolo a una
12
batería.
Polarización directa
UNIÓN PN
Cuando se juntan los semiconductores tipo P y tipo N, forman lo que se conoce como
diodo semiconductor, justo en la frontera de los dos materiales se forma la unión PN y en
esa unión se forma una área conocida como zona de Depleción, que es una barrera de
potencial equivalente a 0.3V cuando es material es Ge y de 0.7V cuando se usa Si;
Para polarizar en sentido directo esta unión se conecta el potencial positivo de la fuente
en el material P y el potencial negativo en el material N, en ésta condición, si la tensión
de la batería es menor a la barrera de potencial, los electrones no tienen la suficiente
energía para atravesar la zona de Depleción y no se genera ningún flujo de corriente a
través del diodo, cuando la fuente de alimentación es mayor a la barrera de potencial, los
huecos y los electrones son empujados hacia la unión PN recombinándose con los
electrones libres y los huecos libres generando un flujo de corriente a través del diodo.

13
 UNIÓN PN
Polarización inversa
Para polarizar en sentido inverso ésta unión se conecta el potencial negativo de la fuente
en el material P y el potencial positivo en el material N, en ésta condición los electrones,
portadores mayoritarios, del material N son atraídos por el potencial positivo de la fuente
y los huecos, portadores mayoritarios, del material P son atraídos por el potencial
negativo de la fuente generando un ensanchamiento de la zona de Depleción, la cual
depende de la magnitud del voltaje inverso aplicado, la zona de Depleción deja de
aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa
aplicada. Cuando la tensión inversa aplicada al diodo es más grande al especificado, el
diodo sufre un daño irreversible, se abre y deja de ser útil.

14
 Diodo ideal
Símbolo y Curva Característica

ID

Voltaje
de Zona directa
ruptura
inverso
Curva característica
de un Diodo ideal
Zona inversa
VD

15
 Diodo Real
• Circuito equivalente

Diodo real

16
 Detección de averías en un diodo
semiconductor usando un Óhmetro
Polarización directa:
Impedancia muy baja, Polarización inversa:
En la función de diodo, voltajes Impedancia muy alta o infinita
entre los 500 a 700 mV

17
 Datasheet de diodos
• Voltaje Directo (VF): Caída de voltaje entre ánodo y cátodo al estar
el diodo en polarización directa y conduciendo corriente de ánodo a
cátodo.
• Voltaje inverso continuo (VR): voltaje máximo en continuo que
soporta el diodo conectado en sentido inverso
• Voltaje pico inverso (VRRM): Voltaje máximo de pico inverso
repetitivo que soporta el diodo polarizado en sentido inverso.
• Potencia disipada (PD): potencia máxima de disipación que
soporta el diodo en sentido directo
• Corriente en sentido directo (IF): corriente máxima que circula en
el componente en polarización directa.
• Corriente inverso (IR): corriente máxima en sentido inverso
permitida a través del componente sin que dañe el dispositivo
• Temperatura de almacenamiento (TSTG): Máxima temperatura de
almacenamiento del componente en conducción.
18
 Tipos de encapsulado:
Cristal,
Plástico,
Metálico,
SM: surface mounted,
SOT: Small Outline
Transistor.

Datasheet de diodo semiconductor serie 1N4000

19
FUENTE DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA
200.0 V V inst

150.0 Vrms

100.0

50.0

0.0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180

195

210

225

240

255

270

285

300

315

330

345

360
Grados
-50.0

-100.0

-150.0

-200.0
180.0
V V
160.0 i…

140.0

120.0

100.0

80.0

60.0

40.0

20.0

Grados
0.0 20
0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180

195

210

225

240

255

270

285

300

315

330

345

360
 FUENTE DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA

• Voltaje pico

• Voltaje de salida

• Frecuencia de salida Fout=Fin

• Potencia de salida PL=IL*Vout Escriba aquí la ecuación.

• Corriente de diodo Id=1.2IL

• Voltaje inverso del diodo Vd=Vsp+20%Vsp=1.2 Vsp

21
FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA
COMPLETA CON DOS DIODOS

22
FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA
COMPLETA CON DOS DIODOS
200.0
V V…
V…
150.0

100.0

50.0

0.0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180

195

210

225

240

255

270

285

300

315

330

345

360
-50.0 Grados

-100.0

-150.0

-200.0

180.0 V…
V V…
160.0

140.0

120.0

100.0

80.0

60.0

40.0

20.0

0.0 Grados
0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180

195

210

225

240

255

270

285

300

315

330

345

360
23
 FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA
COMPLETA CON DOS DIODOS

• Voltaje pico

• Voltaje de salida

• Frecuencia de salida Fout=2Fin

• Potencia de salida PL=IL*Vout

• Corriente de diodo Id=1.2IL

• Voltaje inverso del diodo Vd=Vsp+20%Vsp=1.2 Vsp

24
FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE

25
FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE
200.0
V V…
V…
150.0

100.0

50.0

0.0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180

195

210

225

240

255

270

285

300

315

330

345

360
-50.0 Grados

-100.0

-150.0

-200.0

180.0 V…
V V…
160.0

140.0

120.0

100.0

80.0

60.0

40.0

20.0

0.0 Grados
0

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150

165

180

195

210

225

240

255

270

285

300

315

330

345

360
26
 FUENTE DE VOLTAJE DE ONDA
COMPLETA TIPO PUENTE

• Voltaje pico

• Voltaje de salida =

• Frecuencia de salida Fout=2Fin

• Potencia de salida PL=IL*Vout

• Corriente de diodo Id=1.2IL

• Voltaje inverso del diodo Vd=Vsp+20%Vsp=1.2 Vsp

27
 Circuitos de filtrado de señal
para fuentes de voltaje
• Los circuitos de filtrado de señal para las fuentes de voltaje tienen
como objetivo el disminuir al mínimo las variaciones del voltaje de
salida para presentar una señal lo mas constante posible.
• A esta variación de voltaje se le conoce como voltaje de rizo, voltaje
de fluctuación o ripple voltage (del inglés), es la pequeña
componente de alterna que queda tras rectificarse una señal a
corriente alterna. El rizado puede reducirse notablemente mediante
un filtro de condensador, este proceso es llamado a veces "filtrar", y
debe entenderse como la reducción a un valor mucho más pequeño
de la componente alterna remanente tras la rectificación, pues, de
no ser así, la señal resultante incluye un zumbido a 60 Hz muy
molesto.

28
 FILTRO DE CHOQUE

• El objetivo del filtro de choque es el evitar las

variaciones que presenta una corriente
continua.
• Reactancia de la bobina
• Reactancia del capacitor
• Principio de diseño XL ›› RL y XL › XC
• Si la frecuencia tiende a 0 Hz, entonces XL
tiende a ser un cortocircuito y XC tiende a ser
circuito abierto; por lo que la corriente de
carga pasa con pocas perdidas
• Desventaja: para frecuencias bajas, 60 ó 120
Hz, la reactancia inductiva tiende a ser muy
grande por lo que las bobinas son muy
grandes y caras, no son costeables para su
aplicación.

29
 Filtro capacitivo
• Voltaje de Rizo: son las variaciones
que presenta una señal rectificada
respeto del valor medio de la onda; su
valor esta dado en voltaje pico a pico

Vrc=

• Voltaje de salida fuente con dos

diodos:
Vcc=VOUT=Vs1p-Vd
• Voltaje de salida fuente tipo
puente:
Vcc=VOUT=Vsp-2Vd
30
Fuente de Voltaje de media
onda

31
 FUENTES DE VOLTAJE CON FILTRO CAPACITIVO

Fuente de Voltaje
de onda completa
con 2 diodos

Fuente de Voltaje
de onda completa
tipo puente

32
 Diseño de fuentes de voltaje
• Diseñar una fuente de voltaje de onda completa con 2
diodos y con filtro capacitivo que cumpla con los
siguientes requisitos:
• Vout=12
• Pout= 2W
• Vr<2%vout

Considerar el factor de seguridad (FS) del 20%

33
 𝑃𝑜𝑢𝑡 2
• Corriente de salida 𝐼𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 12 = 166.66mA
12
• Resistencia de salida máxima RL = 166.66 = 73W
𝑉2 122
• Potencia de la resistencia 𝑃= 𝑀𝑆 𝑅 = 1.2 73 = 2.3671Ω valor
próximo comercial 4W
𝐼𝐿
• Cálculo del capacitor: voltaje de rizo 𝑉𝑟 = < 2%𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐶∗𝐹𝑜𝑢𝑡
por lo que 𝑉𝑅 < 2% ∗ 12 < 0.24𝑉
𝐼𝑙 0.1666
• Valor de capacitor 𝐶 = 𝐹𝑜𝑢𝑡∗𝑉𝑟 = 120∗0.24 = 0.0057847𝐹 = 5784.7𝜇𝐹 →
6800𝜇𝐹
• Cálculo del valor de voltaje con margen de seguridad (MS) del 20%
Vc=1.2Vout=14.4V→16V
• Por lo que se requiere un capacitor de 6800𝜇𝐹@ 16V

34
Cálculo del transformador Vout=Vsp1-0.7 Vsp1=Vout+0.7=12+0.7=12.7Vp

Vsp1 12.7
Vs1= = =8.98V→Vs=2 Vs1=2*8.98=17.96V transformador comercial de 18 V C/T
√2 √2

𝑃𝑜𝑢𝑡 2
Pin = Pout = Vs ∗ Is = 2W Is= = 𝐴 = 0.2222A → 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑝𝑟𝑜𝑥𝑖𝑚𝑜 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 300𝑚𝐴
𝑉𝑠 9

por lo que el T1 comercial 18 V c/t @ 300𝑚𝐴

Definición de diodos

Voltaje inverso máximo VR=1.2*VSP=1.2* 2 ∗ 18 = 30.54 𝑉

Corriente máxima en sentido directo IF=1.2IL=1.2*166.66=199.992mA

Por lo que un diodo 1N4001 cumple especificaciones IF= 1A, VF=50 V máximo

35
Calcular las características de una fuente de voltaje de
onda completa tipo puente y con filtro capacitivo que tiene
los siguientes elementos:
• Transformador de 120:18 Vca
• Diodo 1N4002
• C=1,000µF
• RL= 560W

36
El voltaje del secundario es 𝑉𝑝 = 2𝑉𝑟𝑚𝑠 = 2 ∗ 18 = 25.4558𝑉
El voltaje Vout es Vout=Vp-2Vd=25.4558 − 2(0.7)=24.0558V
𝑉𝐿 24.0558
Corriente de salida 𝐼𝐿 = = = 42.95 𝑚𝐴
𝑅𝐿 560

Potencia de salida 𝑃𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐿 ∗ 𝐼𝐿 = 24.0558 ∗ 42.95𝑚 = 1.0334𝑊

𝐼𝐿 42.95
Voltaje de rizo de salida 𝑉𝑟 = = = 357.9167 𝑚𝑉𝑝𝑝
𝐶∗𝐹𝑜𝑢𝑡 1000𝜇∗120

37