Tema7 - Transistores Bipolares

INTRODUCCIÓN
Son dispositivos de estado sólido (semiconductores)

Tienen tres terminales: Emisor, base y colector
Están compuestos por dos uniones PN yuxtapuestas que se
interrelacionan entre sí.
Son la base de muchos circuitos de conmutación y de
procesado de señal.
Los amplificadores operacionales y otros C.I. pueden
contener varias decenas de transistores, cada uno de ellos
con misiones diferentes:
Implementar fuentes de corriente constante
Generar tensiones de referencia
Amplificar señales en modo diferencial y reducir la ganancia en modo común
Implementar etapas de salida, etc....
15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 1
INTRODUCCIÓN (continuación)
En Electrónica de Potencia pueden funcionar como

interruptores de potencia, conmutando corrientes elevadas a
elevadas frecuencias y tensiones.
En Electrónica digital forman parte de muchos
dispositivos lógicos integrados.
Se denominan bipolares porque su funcionamiento
depende del flujo de dos tipos de portadores de carga:
electrones y “huecos”.
También se suelen denominar B.J.T. De las siglas en
inglés “Bipolar Juntion Transistor”

Tipos y modelos del transistor bipolar
Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura:

Transistores bipolares NPN
Transistores bipolares PNP

Tipos y modelos del transistor bipolar (cont)
NPN PNP
Tipos y modelos del transistor bipolar (cont)
NPN PNP
Los sentidos de las flechas del terminal de emisor, y de las
corrientes, indican el sentido real de las mismas cuando el
transistor está polarizado en la R.A.N o en saturación.

Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar
NPN
El modelo muestra al transistor NPN como dos diodos conectados por los ánodos, con
dos fuentes de corriente dependientes en paralelo con cada uno de los diodos, que
modelizan el efecto de las inter-acciones que tienen lugar debido a la configuración
monocristal.
Existen dos uniones:
La unión base-emisor, cuya corriente la denominamos: iDE
La unión base-colector, cuya corriente la denominamos: iDC

NPN (Cont)
La fuente de corriente dependiente αF iDE representa el efecto de la corriente a
través de la unión base-emisor sobre la corriente de colector (efecto “Transistor”).
La fuente de corriente dependiente αR iDC representa el efecto de la corriente a través
de la unión base-colector base sobre la corriente de emisor (efecto dual al anterior).
El circuito no es simétrico, ya que αF tiene unos valores comprendidos entre 0,99 y
0,997 para transistores utilizados en aplicaciones analógicas y digitales.,
mientras que αR es considerablemente menor que 1. Su valor está comprendido
entre 0,05 y 0,5.
En Electrónica Física, se puede demostrar la siguiente relación, denominada
“LEY DE RECIPROCIDAD”:
αF IES= αR ICS=IS
Donde: IES= Corriente inversa de saturación de la unión base-emisor
Y ICS= Corriente inversa de saturación de la unión base-colector.
De donde se deduce que
I S  I SE y que I CS  I ES
NPN (Cont)
Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se
pueden deducir fácilmente las dos ecuaciones no lineales
siguientes :  v  I  v
BE
 BC
iC  I S  e VT  1  S  e VT  1
  R  
   
I S  VT
v BE
  vVBC 
iE  e  1  I S  e  1
T
 F  





Es decir: iC  f1 vBE ,vBC 

iE  f 2 vBE ,vBC 
NPN (Cont)
Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se
pueden deducir fácilmente las dos ecuaciones no lineales
siguientes :  v  I  v
BE
 BC
iC  I S  e VT  1  S  e VT  1
  R  
   
I S  VT
v BE
  vVBC 
iE  e  1  I S  e  1
T
 F  





Es decir: iC  f1 vBE ,vBC 

iE  f 2 vBE ,vBC 
NPN (Cont)
 vVBE  I  vVBC 
S 

iC  I S e  1 
T  e  1
T
  R  
   
I S  VT
v BE
  vVBC 
iE   
e  1  I S e  1
T
 F  





Estas dos ecuaciones definen a un primer nivel ,sin efectos
secundarios, el modelo del transistor bipolar NPN, y
corresponde a un sistema de dos ecuaciones con cuatro
incógnitas.
La otras dos ecuaciones vendrán impuesta por el circuito
exterior, y corresponderán a las ecuaciones de polarización.
NPN (Cont)
El conjunto de las ecuaciones de Ebers-Moll, junto con las
ecuaciones de polarización de continua (impuestas por el
circuito de polarización exterior, darán lugar al régimen de
corrientes y tensiones que se establezcan en los terminales del
dispositivo, denominado punto de operación del transistor.
El modelo de Ebers Moll es un modelo poco manejable, pero
válido en cualquier circunstancia, siempre que no entren e
ruptura ninguna de las uniones.
Según como estén polarizadas las uniones, pueden encontrarse
modelos basados en el anterior, pero mas sencillos y
manejables.
Regiones de Polarización de un transistor bipolar
Existen cuatro posibles regiones, según como estén polarizadas
las uniones base- emisor y base-colector
APLICACIÓN REGIÓN DE POLARIZACIÓN DE LAS UNIONES
POLARIZACIÓN
UNIÓN UNIÓN
BASE-EMISOR BASE-COLECTOR
Funcionamiento REGIÓN ACTIVA DIRECTA. INVERSA
como amplificador VBE  V VBC  V
DIRECTA
(No se utiliza) REGIÓN ACTIVA INVERSA DIRECTA
INVERSA VBE  V VBC  V
Func. como REGIÓN DE INVERSA INVERSA

conmutador (off) VBE  V VBC  V
CORTE
Func. como REGIÓN DE DIRECTA DIRECTA
VBE  V VBC  V
conmutador (on) SATURACIÓN

Modelos simplificados según la región de
polarización
Región Activa Normal (R.A. Directa)
La unión base-emisor polarizada
directamente y la unión base-colector
polarizada inversamente.
De las ecuaciones de Ebers-Moll se
deduce :  vV  I S  vV  BE v BC BE v BE
iC  I S  e T
 1 
V  e T  1  I e T  I S  I e VT
  R   S 
S
    R
I S  VT
v BE
  vVBC  I vVBE I
v BE
iE  e  1  I S  e T  1  S e T  I S  S e VT
F      F F
  

Modelos simplificados según la región de
polarización .- R.A.D. (R.A.N.)
Región Activa Normal (R.A. Directa)
VBE  V VBC  V
 vVBE  I  vVBC  vBE
I
v BE
iC  I S  e T  1  S  e T  1  I S e VT  S  I S e VT
  R   R
   
I  v BE
  v BC
 I
v BE
I
v BE
iE  S  e VT  1  I S  e VT  1  S e VT  I S  S e VT
 F  



 F
 F
iC
Por tanto:  F y teniendo en cuenta que:iC+iB=iE :
iE
iC F
Se deduce que:   F  
iB 1   F
Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.
Por tanto, podemos decir que en la R.A.N. .el transistor bipolar

equivale al siguiente circuito:
(CONT)
0,7
0,7
0,2 0,2
(a) Región activa
Es decir: vBE=VBEQ iC=β iB
Por tanto el transistor funciona como un
amplificador de corriente
(CONT)
La figura d) representa un BJT NPN, en el límite de la

R.A.N
La figura f) representa la exponencial que relaciona iC con
vBE cuya expresión viene dada (pag14) por:
vBE
iC  I S e VT
(CONT)
vBE
En la R.A.N, se verifica que: iC  I S e VT
Esta expresión es muy importante, ya que para transistores

idénticos y a la misma temperatura, si tienen la misma tensión
base-emisor, tendrán la misma corriente de colector.
(Esta propiedad se emplea mucho en C.integrados, para implementar fuentes de corriente constante )
Modelo simplificado del BJT en la
Región de Saturación
La unión base-emisor polarizada directamente y la unión
base-colector polarizada también directamente.
VBE  V 0,2
0,7
0,2
VBC  V 0,7
(b) Región de saturación

Modelo simplificado del BJT en la
Región de saturación (Cont)
La unión base-emisor polarizada directamente y la unión
base-colector polarizada también directamente.
VBE  V VBC  V
En el límite de la región de saturación a la R.A.N., vBE vale
aproximadamente 0,7 voltios, y vBC= tensión umbral=0,5
voltios, por lo que VCE valdrá 0,2 voltios, por eso se modela
la tensión VCE como una fuente de tensión constante de 0,2
voltios, aunque puede ser menor.
La tensión VBE en saturación, debido a que la corriente de
base suele ser bastante elevada, puede llegar a ser de 0,8
voltios en transistores de baja potencia
Modelo simplificado en la región de corte
La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base-

colector polarizada también inversamente.
VBE  V VBC  V
En transistores de Si, a temperaturas no muy elevadas, IB=IC=0

Modelo simplificado en la región de corte (Cont)

colector polarizada también inversamente.
VBE  V VBC  V
Un modelo de mayor exactitud, de las ecuaciones de Ebers Moll, es no despreciar los
términos en IS
IS IS
iC   I S  iE    IS
R F
Un parámetro que suelen dar los fabricantes es ICB0 , (corriente de circulación inversa
entre colector y base , con el emisor abierto.
Se deduce fácilmente que : I I
I CB 0  S  S (Parámetro muy dependiente de la
R F temperatura)
Modelo simplificado en la región activa inversa

colector polarizada directamente.
VBE  V VBC  V

Modelo simplificado en la región activa inversa
(Cont)
VBE  V VBC  V
En funcionamiento activo inverso los papeles
de emisor y colector se invierten, respecto a la
región activa directa.
R
La corriente de emisor es βR iB, donde:  R 
1R
El sentido real de las corrientes iE e iC es ahora

el contrario del indicado en la figura (b)
Como βR es mucho menor que βF, la ganancia en esta región es muy

pequeña, y no tiene ninguna utilidad trabajar en ella.

Ejemplo de análisis del P.O. De un transistor
(a) Circuito real (b) Circuito equivalente (c) Circuito equivalente (d) Circuito equivalente
suponiendo funcionamiento suponiendo funcionamiento suponiendo funcionamiento
en la región de corte en la región de saturación en la región activa

Aplicaciones del transistor
Polarizado en la Región activa directa: Funcionamiento
aproximadamente lineal.
Amplificadores de tensión, de corriente ,fuentes de
corriente, adaptación de impedancias, cargas activas...
Empleo masivo en circuitos integrados lineales y no lineales
Polarizado en corte o en saturación:
Funcionamiento como conmutador de alta frecuencia y de
potencia.
Actualmente la utilización del transistor bipolar discreto está
prácticamente limitada a etapas de salida y como conmutador

Polarización del transistor.
Ecuaciones de polarización. Recta de carga
Para que el transistor funcione en alguna de las regiones, es

necesario polarizarlo mediante una red externa de continua.
El transistor es un dispositivo de tres terminales.
Para definir su estado, o lo que es lo mismo, las corrientes y
tensiones existentes en el dispositivo, debemos conocer seis
variables:
IB, IC, IE, VBE,VBC, y VCE.

Ecuaciones de polarización.(Cont)
De las seis variables, IB, IC, IE, VBE,VBC, y VCE, nada mas son
independientes 4, ya que por las leyes de Kirchof,
IB+IC=IE
VBC+VCE=VBE
Tomaremos normalmente las variables IB, IC,VBE y VCE
Por tanto necesitamos cuatro ecuaciones para resolver las
corrientes y tensiones en el transistor.
Dos ecuaciones nos las proporciona el modelo del dispositivo.
Las otras dos ecuaciones nos las proporcionará la red de
polarización externa
La red de polarización externa es de continua.

Las dos ecuaciones que impone la red de polarización en
continua se denominan:
“ ECUACIONES DE POLARIZACIÓN”
En Régimen de tensiones y corrientes constantes, en ausencia de
señales, el circuito estará compuesto exclusivamente por:
Fuentes de tensión continuas y constantes.
Fuentes de corriente continuas y constantes.
Resistencias
Las capacidades las podremos considerar C.A. Y las autoinducciones C.C.
Cualquier circuito externo de polarización en continua, lo
podemos reducir a otro totalmente equivalente compuesto
por tres resistencias y dos fuentes de tensión constantes, en
una generalización del Teorema de Thévenin aplicado a
triterminales:
VBE=EBE-RBIB-REIE
VCE=ECE-RCIC-REIE
Pero: IB+IC=IE
Por tanto:
VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC
VCE = ECE - RE IB - (RC+RE) IC
Estas son las dos ecuaciones de

polarización:
[1] VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC

[2] VCE = ECE - RE IB - (RC+RE) IC
La ecuación [1] corresponde a la “portada de entrada”
La ecuación [2] corresponde a la “portada de salida”


OBSERVACIONES :
Las ecuaciones de polarización se han desarrollado sin tener en
cuenta para nada las características del dispositivo de tres
terminales, y por tanto son aplicables a cualquier elemento de
tres terminales, sin mas que cambiar los subíndices empleados.
En general, B=1, C=2, E=3.
Las ecuaciones de polarización solo dependen de la
red de polarización externa


Las ecuaciones [1] y [2] pueden ponerse en forma matricial:
VBE   EBE   RB  RE RE  I B 
V    E    R   
RC  RE   I C 
 CE   CE   E

Recta de carga estática

Si en el circuito de polarización normalizado, RE=0, entonces las
ecuaciones de polarización se reducen a :
[2] VBE = EBE - (RB) IB
[3] VCE = ECE - (RC) IC
Entonces la ecuación [2] puede representarse en el plano IB-VBE y es

la denominada recta estática de la portada de entrada.
Entonces la ecuación [3] puede representarse en el plano IC-VCE y es
la denominada recta estática de la portada de salida.
Recta de carga estática (Cont)
La intersección de la R.E.C. de la entrada, con la característica corriente tensión

de la unión base- emisor, es el Punto de operación del diodo base-emisor. IBQ,ICQ
La intersección de la R.E.C. de la salida, con las curvas características de salida
del transistor, es el Punto de operación de la portada de salida: ICQ, VCEQ

Punto de operación del transistor bipolar en la
Región Activa Directa
Si suponemos que el transistor está en la R.A.D.:
vBE=VBEQ=0,7 v. (Si, NPN), y IC=β IB, que junto con las
ecuaciones de polarización, su resolución, nos dará el P.O.
[1] VBEQ = EBE - (RB+RE) IBQ - RE ICQ

[2] VCEQ= ECE - RE IBQ - (RC+RE) ICQ
Sustituyendo IBQ por ICQ/β, y agrupando términos:
EBE  VBEQ   1 
I CQ  VCEQ  ECE   RC  RE 1    I CQ
 1
  
RB
 RE 1   
  
Región Activa Directa (Cont)
EBE  VBEQ
I CQ  1 VCEQ  ECE
  1 
  RC  RE 1    I CQ 2
RB  1
 RE 1      
  
El Punto de operación, tanto de la portada de entrada como de
la portada de salida queda por tanto definido.
VBE=VBEQ. (0,6 a 0,7 voltios en transistores bipolares de Si.
IC=ICQ, viene dado por la expresión [1]
VCE=VCEQ, viene dado por la expresión [2], en función de ICQ
IB=IBQ=ICQ/β

EBE  VBEQ
I CQ  1   1 
RB  1
 RE 1   VCEQ  ECE   RC  RE 1    I CQ 2
      
CONSIDERACIONES IMPORTANTES:
El valor de beta es fuertemente dependiente de la temperatura.
En transistores discretos tiene una dispersión en su valor muy importante,
incluso para transistores del mismo tipo y a igual temperatura.
Para las aplicaciones del B.J.T. en la R.A.D., es necesario garantizar la
estabilidad del P.O. en lo referente a la portada de salida (ICQ y VCEQ )
Es necesario garantizar la estabilidad y reproductibilidad de ICQ y de VCEQ

EBE  VBEQ
I CQ  1   1 
RB  1
 RE 1   VCEQ  ECE   RC  RE 1    I CQ 2
      
Para garantizar un valor de ICQ constante, y que se pueda reproducir y conseguir
que no varíe, deberá hacerse independiente de beta, con una beta mínima lo
suficientemente elevada ya que ésta es muy variable, y por tanto el diseño de la red
de polarización deberá se tal que cumpla:
RB  1
 RE 1    RE ( si   1 )
  
En el diseño, se puede aplicar la relación 1/10 ó 1/20, según el error admisible
RB
RE  10..( 20 )
15-11-06  mínima Tema 7.- Transistores bipolares 39
EBE  VBEQ   1 
I CQ  1 VCEQ  ECE   RC  RE 1    I CQ 2
RB  1
 RE 1      
   R  1
B
 RE 1    RE ( si   1 )
  
Si garantizamos ICQ constante, VCEQ también será constante, siempre que beta>>1
Para garantizar ICQ constante, también es necesario que EBE>> VBEQ, ya que así las
pequeñas variaciones de VBEQ no afectarán de forma importante.
IMPORTANTE: El valor de VCEQ resultante debe ser mayor de 0,2 voltios (Si, NPN),
si no, la hipótesis de R.A.D. no es cierta, y habrá que realizar el análisis suponiéndolo
en la Región de Saturación

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N.
a) Estructura básica de un transistor PNP polarizado en la R.A.N

b) Esquema de un transitor PNP polarizado en la R.A.N. (sentido real de las corrientes)
c) Modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar PNP (sentido real de las corrientes)

EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont)
También se pueden suponer los sentidos de las corrientes igual que en el transistor NPN,
y obtener resultados totalmente válidos, con la salvedad, que las corrientes
resultantes en la R.A.N. serián negativas.

Los transistores PNP pueden polarizarse exactamente igual que los transistores NPN:
R.A.N. VEB> Vγ ó VBE<- Vγ VBEQ=-0,7 voltios (Si)
R.A.N. VCB< Vγ ó VBC > - Vγ ICQ=βF IBQ
R.CORTE VEB< Vγ ó VBE>- Vγ

R.CORTE VCB< Vγ ó VBC > - Vγ ICQ≈ IBQ ≈0
REGIÓN VEB> Vγ ó VBE<- Vγ VBEQ= -0,8 voltios (Si)
SATURA. VCB>Vγ ó VBC < - Vγ VCEQ= -0,2 voltios (Si)

EJEMPLO:
Para que la unión base-emisor esté polarizada
directamente, EBE debe ser menor que -0,5 v.,
prácticamente, menor que -0,7 voltios
Para que el transistor esté polarizado en la
R.A.N., ECE debe ser negativa.
En la R.A.N. , con los sentidos indicados de las
corrientes::
IB<0, Ic<0, IE<0
VBEQ<0 (-0,7 voltios (Si)), VCEQ<-0,2 voltios

ANÁLISIS SIMPLIFICADO DE TRANSITORES:
HIPÓTESIS DE β INFINITA
• Si el transistor se encuentra en la R.A.N, y
tiene un valor de βF suficientemente elevado,
ICQ ≈ IEQ, y en determinadas ocasiones, la
corriente de base se puede despreciar, frente
a la corriente de colector, a efectos del cáculo
del punto de operación
• HIPÓTESIS DE TRABAJO:
1°)VBE=VBEQ (+0,6 v. (NPN Si) ó -0,6 v. (PNP Si) )
2°) IB=0, ICQ ≈ IEQ

HIPÓTESIS DE β INFINITA (cont)
HIPÓTESIS DE TRABAJO:
1°)VBE=VBEQ (+0,6 v. (NPN Si) ó -0,6 v. (PNP Si) )
2°) IB=0, ICQ ≈ IEQ
PRECAUCIONES AL EMPLEAR ESTA HIPÓTESIS:
 El transistor debe estar en en la R.A.N
 La βF debe ser lo suficientemente alta.
 La topología del circuito debe ser compatible
con la hipótesis de trabajo
La topología del circuito debe ser compatible con la hipótesis de

trabajo; Ejemplo de circuito en el que no se puede aplicar la
hipótesis de β infinita:

Ejemplo de circuito que se puede resolver con la hipótesis de β infinita

ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON NIVELES DE
CORRIENTES BAJOS
Cuando asumimos que VBEQ=0,7 voltios,suponemos tácitamente que la
corriente a través de emisor es de varios miliamperios., suposición válida en
la mayoría de los casos.
La suposición falla cuando se trabaja con niveles de corrientes muy bajos.
En estos casos, el modelo que mas se aproxima a la realidad, es el que
presenta a transistor como una fuente de corriente no lineal, gobernada por la
tensión base-emisor:
vBE
 VT
iC  I S e
Una observación: En la R.A.N.,Transistores idénticos a igual temperatura, e
igual tensión base-emisor, tienen la misma corriente de colector

ANÁLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ EN
LA REGIÓN DE SATURACIÓN
Las dos ecuaciones de polarización, junto con el modelo
simplificado del transistor bipolar, en la región de saturación,
dan lugar a un sistema de cuatro ecuaciones con cuatro
incógnitas:
[2] VCE= ECE - RE IB- (RC+RE) IC
que junto con:
VBE= VBES y VCE=VCES
Darán lugar a encontrar IBQ, e ICQ
Nota: en saturación IBQ > ICQ /βF
Es necesario comprobar que se cumple
esta desigualdad,
ANÁLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR ESTÁ EN
LA REGIÓN DE SATURACIÓN
VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC
VCE= ECE - RE IB- (RC+RE) IC
VBE= VBES y VCE=VCES
Darán lugar a encontrar IBQ, e ICQ
Nota: en saturación IBQ > ICQ /βF
Es necesario comprobar que se cumple
esta desigualdad,

Principios de diseño de Circuitos de Polarización
• El objetivo fundamental de la polarización de un

transistor es tener un punto de operación
adecuado para que el transistor funcione en la
R.A.N., si se desea que funcione como
amplificador.

Principios de diseño de Circuitos de Polarización
(Continuación)
• Si el P.O. está muy cerca del eje de abcisas
significa que está próximo a la región de corte
• Si el P.O. está muy cerca de eje de ordenadas,
significa que está próximo a la región de
saturación.

Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Cont.)
Al superponer una señal variable a la corriente de base, el P.O. se
desplazará por la “recta dinámica de carga”
Si el objetivo que perseguimos es obtener la máxima excursión
simétrica posible, el P.O. deberá estar ubicado en la mitad de la
recta dinámica de carga.
Si el objetivo perseguido es tener un consumo bajo en reposo, el
P.O. deberá fijarse cerca del eje de abcisas (ICQ pequeña)

ib  iB  I BQ vbe  vBE  VBEQ
ic  iC  I CQ vce  vCE  VCEQ
Determinación gráfica de las componentes de señal vbe, ib, y vce, cuando se

superpone una componente de señal vi a la tensión VBB de polarización.
Concepto de recta estática de carga y
Recta dinámica de carga
La recta de carga estática viene definida por la ecuación de
polarización de la portada de salida.
La recta de carga dinámica viene definida por la relación que
impone el circuito exterior entre la componente alterna de la
corriente de colector y la componente alterna de la tensión
colector-emisor.(Circuito equivalente de alterna)

R.E.C. (si:IC~IE ) Vcc  ( RL  RE )  I C  VCE
Si C2 es un cortocircuito para la c.a.:
R.D.C. : 0  ( RL  ic  vce )
(Recta Dinámica de Carga)
C.F.D.=R.D.C.
(Camino de funcionamiento dinámico )
El C.F.D es una recta que pasa por el P.O y en este caso tiene mayor
Pendiente
Al superponer la c.a. , el P.O se desplazará a través del C.F.D.

Diseño Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.
vce
R.D.C. Referida a los ejes centrados en Q: ic  0
RL
Donde RL es la resistencia equivalente del circuito de alterna
Pero ic=iC-ICQ , y vce=vCE-VCEQ

Diseño Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.
(Continuación)
• La ecuación de la R.D.C. , Referida a los ejes principales es:
iC  I CQ  
1
vCE  VCEQ 
RL
Para obtener la máxima excursión simétrica, el P.O debe estar

Situado en la mitad de la recta dinámica de carga
Diseño del P.O. Para fijarlo en la mitad de la
R.D.C. (Continuación)
• La ordenada en el origen es (para vCE=0) :
iCmáx  I CQ 
1
VCEQ 
RL
Si deseamos que la excursión máxima del P.O sea simétrica:
ICMáx debe ser igual a 2 ICQ , y por tanto se debe de cumplir:
1
I CQ  VCEQ
RL
Que es la condición de diseño buscada para obtener
la máxima excusión simétrica del P.O.

EJEMPLOS :

Potencia disipada en un Transistor
La potencia instantánea absorbida o entregada por un transistor, al
igual que en cualquier otro dispositivo tri-terminal, será:
p(t )  vCE (t )  iC (t )  vBE (t )  iB (t )

Normalmente la potencia de la portada de entrada es despreciable
frente a la potencia de la portada de salida.
El valor medio de la potencia será:
1 t T
p(t )   (vCE (t )  iC (t )  vBE (t )  iB (t )  dt
T t
1 t T
p(t )   (vCE (t )  iC (t )  dt
T t
Potencia disipada en un Transistor (Cont)
1 t T
p(t )   (vCE (t )  iC (t )  dt
T t
Donde si estamos en la R.A.N: iC=ic+ICQ , y vCE=vce+VCEQ
Sustituyendo y operando:
t T
 (v (t )  ic (t )  dt
1
p(t )  I CQ VCEQ  ce
T t
vce (t )
Pero:   RL (Resistencia dinámica de carga)
ic (t )
Por tanto: p (t )  I CQ  VCEQ 

1 1 t T 2

RL T t
(vce (t ) dt  
Potencia disipada en un Transistor (Cont)
p (t )  I CQ  VCEQ 
1 1 t T 2

RL T t
(vce (t ) dt  
Valor eficaz al cuadrado
O bien: p(t )  I CQ VCEQ  RL

1 t T 2

T t
(ic (t ) dt  
Donde :ICQ VCEQ es la potencia disipada en ausencia de señal (En reposo)
CONCLUSIÓN IMPORTANTE:
La potencia disipada por un transistor en la R.A.N
es máxima en ausencia de señal

Amplificadores con Transistores
Principios de análisis en pequeña señal
Introducción:
Concepto de linealización de un dispositivo no lineal

Condiciones para la aplicación de un modelo linealizado
Dependencia de los parámetros lineales
con el P.O del dispositivo
Concepto de señal incremental ó pequeña señal

Modelo Incremental Del BJT
El transistor bipolar, es un dispositivo triterminal no lineal
Trabajando en la R.A.N.su modelo aproximado es:
(npn)
(pnp)
Donde las variables de tensiones y corrientes son las totales

(Componente continua + componente alterna)

Modelo incremental del BJT (Cont)
El circuito equivalente a efectos solamente de la componente alterna

de pequeña señal de la unión base-emisor polarizada directamente
es una resistencia rπ:
la resistencia dinámica del diodo Base-emisor,
que es fuertemente dependiente del P.O., es decir de la corriente de base
La fuente de corriente, a efectos de la componente variable,
seguirá teniendo el mismo modelo y el mismo signo

Modelo incremental del BJT (Cont)
Es decir, siempre que se cumpla que la excursión de P.O.,
es lo suficientemente pequeña, como para considerar que r¶
permanece constante, el modelo incremental de alterna
para el transistor bipolar ideal,ya sea npn o pnp será:
1 iB (t )

r vBE (t ) PuntoQ
vT v
r   T
I BQ I CQ
Ideal= sin considerar efectos secundarios
Transistor previamente polarizado en un P.O.,dentro de la R.A.N

Modelos Incrementales Híbridos En Pi
Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente
dependiente de la corriente incremental de base ,es sustituirla por:
una fuente de corriente dependiente de la tensión incremental
base-emisor

Modelos Incrementales Híbridos En Pi
Los dos modelos alternativos que podemos emplear

en el análisis de circuitos incrementales con transistores ideales:
vπ=vbe

Modelo Incremental Del Transistor Bipolar
Considerando Efectos Secundarios
Efecto Early, Resistencia de salida

Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada
Efecto de las resistencias de los bloques de base, colector y emisor
Efecto de las capacidades de las uniones(de difusión y de deplexión)
Efecto de capacidades parásitas
Efecto de la temperatura en los valores de los parámetros

Efecto Early, Resistencia de salida
La ganancia βF depende también del valor de VCE, según la expresión:

ic vCE , iB   1  vCE
VA
 iF B

Efecto Early, Resistencia de salida (cont)
ic vCE , iB   1   vCE
VA
 i F B
Fue Early el que estudiando este efecto, observó y comprobó que todas las
características de salida en la R.A.N, tendían a converger en un punto del eje
de abcisas , -VA
En el circuito incremental equivalente, el citado efecto se modela por una

resistencia en paralelo con la fuente de corriente
1 iC  I CQVA
  I BQ   ro 
ro vCE VCEQ , I CQ
VA VA I CQ

Efecto de realimentación interna
de la salida a la entrada
γ vce recoge el efecto de la realimentación interna de salida a
entrada.
vA
ro 
I CQ

Resistencia de base, colector y emisor
rb= Resistencia de difusión de base (resistencia del bloque de base),

relativamente elevada. Valor típico 100 ohmios.
rc = Resistencia de colector. Valores típicos entre 10 y 100 ohmios. (en
transistores de baja potencia).
Re= Resistencia de emisor, que es sensiblemente mas baja, (1 ohmio)

Modelo estático SPICE,
incluidos efectos secundarios

Modelo Incremental Del Transistor Bipolar Considerando Efectos Secundarios
(Cont)
Efecto de realimentación interna de la salida a la entrada

Una alternativa al empleo de la fuente dependiente (γ vce),
es la utilización de una resistencia rμ entre base y colector

Capacidades parásitas
Al igual que vimos en los diodos, en las dos uniones del

transistor bipolar, aparecen los mismos fenómenos de
acumulación de cargas, las llamadas capacidades de
difusión y de deplexión, predominando la de difusión en
las uniones que estén polarizadas directamente, y la de
deplexión en las que las uniones estén polarizadas
inversamente .
El concepto de capacidades incrementales de difusión y
de deplexión es perfectamente aplicable aquí.

Modelo dinámico del transistor bipolar
El circuito de la figura es el
modelo dinámico del transistor
bipolar, donde aparece también la
capacidad de deplexión entre
colector y sustrato en circuitos
integrados.

Modelo de alta frecuencia del transistor bipolar
rb resistencia del bloque de base
rμ efecto de realimentación interna (normalmente despreciable)
cπ Capacidad incremental de difusión
(La unión base-emisor polarizada directamente)
cμ Capacidad incremental de deplexión .
(La unión base-colector polarizada inversamente)
rμ
rb

Variación de las parámetros con la temperatura
La tensión de la unión base-emisor polarizada directamente, tal como vimos

en diodos, disminuye a razón de -2mV/ºC,
La características de salida aumentan su separación, y se desplazana hacia
arriba, debido al incremento de la temperatura, según la expresión:
XTB
T 
 T    TR    XTB es una constante denominada
exponente de temperatura
 TR  (con XTR 1,7 β se duplica de 27 a 175ºC)
Funcionamiento del transistor
como interruptor estático
Con la señal vc(t), el transistor, idealmente pasa de saturación a corte instantáneamente.

Debido a los efectos de acumulación de cargas, el proceso de conmutación en el
transistor, tiene parecidas características que el de conmutación de diodos, limitando la
velocidad de conmutación, y por tanto la frecuencia útil de trabajo, en función de las
características dinámicas del transistor.
En el proceso de conmutación dinámica de un transistor, existe una pérdida de energía,
que habrá que limitar a valores admisibles.

Conmutación dinámica del transistor bipolar
En la figura se aprecia como la tensión a la salida no cambia instantáneamente,

siguiendo a la señal de control, debido a los efectos de las capacidades de difusión
y deplexión. (consulte bibliografía (pag 267 Malik)

Modelo dinámico SPICE del transistor bipolar

Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales Lineales
La linealización de dispositivos no lineales de tres terminales, es un proceso de aproximación
del modelo no lineal ,
a un modelo lineal, truncando los correspondientes desarrollos en serie de Taylor a partir de los
términos de 2º Orden
Aunque el proceso es válido para cualquier dispositivo de tres terminales, vamos a
particularizarlo para el transistor bipolar
 
vBE  f 5 iB , vCE   f 5 I BQ , VCEQ   f 5 iB , vCE  I ,V  iB  f 5 iB , vCE  I ,V  vCE  ...
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ
 
iC  f 6 iB , vCE   f 6 I BQ , VCEQ   f 6 iB , vCE  I ,V  iB  f 6 iB , vCE  I ,V  vCE  ...
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ
Donde: vbe  vBE  VBEQ

f 5 I BQ ,VCEQ   VBEQ
ic  iC  I CQ
f 6 I BQ , VCEQ   I CQ
Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales (Cont)
Llamando:
 
f 5 iB , vCE  I ,V  hie f 5 iB , vCE  I ,V  hre
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ
 
f 6 iB , vCE  I ,V  h fe f 6 iB , vCE  I ,V  hoe
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ
vbe  hie ib  hre vce

ic  h fe ib  hoe vce
Donde los hje son los denominados:
Parámetros incrementales híbridos h referidos a emisor común
Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales (Cont)
vbe  hie ib  hre vce

ic  h fe ib  hoe vce
De estas ecuaciones lineales, podemos
deducir el circuito incremental equivalente:
vbe vbe
hie  hre 
ib vce  0
vce ib  0
ic ic
h fe  hoe 
ib vce  0
vce ib  0

Parámetros incrementales Híbridos h
vbe vbe
hie  hre 
ib vce  0
vce ib  0
ic ic
h fe  hoe 
ib vce  0
vce ib  0

Condiciones que debe de cumplir la señal aplicada para
poder emplear el circuito incremental equivalente del B.J.T:
Límite inferior:La señal mínima que se podrá aplicar ,

depende del ruido eléctrico inherente al circuito
Límite superior:La señal máxima aplicada, depende de
la máxima distorsión admisible
vT
En teoría, se demuestra que : vbe 
(véase bibliografía) 5
Donde vT es la tensión térmica
¡ a 27ºC, vbe debe ser menor o igual que 5 mv.!
Transistores conectados como diodos
 I CQ
Ya que: r  y gm 
gm VT
Por tanto: Un transistor conectado como diodo (uniendo
base con colector),equivale incrementalmente a una
resistencia de valor :
1 1
r 
gm gm
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
Una vez polarizado el transistor en un P.O. en la R.A.N., el siguiente
paso es superponer una señal variable,aplicándola en un punto del
circuito, y extraer la respuesta en algún otro punto, sin que el
acoplamiento de la fuente se señal modifique el punto de operación
del transistor cuando la fuente de señal es nula.
También, en el acoplamiento de la señal de salida de una etapa , a la
entrada de otra etapa, no se puede alterar el P.O. de los transistores,
si la señal variable de entrada es nula.
El acoplamiento de las señales, y el de etapas, puede realizarse de
dos formas: Circuitos de acoplamiento directo, y circuitos de
acoplamiento a través de capacidades

CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO
En la mayoría de los integrados, el acoplamiento de las señales, y

entre etapas es directo.
Los circuitos de polarización deben diseñarse adecuadamente para
que dicho acoplamiento no altere sensiblemente el P.O. de los
transistores en ausencia de señal, (vs=0) (cortocircuito).
Además, en ausencia de señal, interesa normalmente que la tensión
de salida sea también nula. Si el acoplamiento es directo, la única
posibilidad es emplear alimentaciones dobles y/o fuentes de
corriente constantes.

CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO (CONT)
En la figura a) vemos como al cerrar en interruptor, aún cuando la

señal sea nula, el punto de operación del transistor se altera.
En la figura b), una alternativa poco práctica, superponer a la
fuente de señal un nivel de continua igual a VBQ

CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO (CONT)
VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS CIRCUITOS CON
ACOPLAMIENTO DIRECTO:
VENTAJAS: Pueden procesar señales que varíen muy lentamente,
amplificando tanto niveles de continua como de alterna.
Hay muchas magnitudes físicas en el entorno industrial, cuyas
variaciones son muy lentas, como por ejemplo, temperatura, presión ,
deformaciones, humedad relativa, velocidad del viento, luminosidad
ambiental,
INCONVENIENTES: Cualquier desviación del P.O. De alguno de los
transistores del circuito, afecta a la salida en mayor o menor grado,
provocando tensiones de desplazamiento a la salida en ausencia de señal.
CIRCUITOS CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO
C1 es un condensador de acoplo de la señal de entrada a la base del transistor

C2 es un condensador de desacoplo de la componente alterna, para conseguir mas
ganancia
C3 es un condensador de acoplo de la señal variable de salida a la carga
CIRCUITOS CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO (CONT)
Al ser las capacidades circuitos abiertos para la
componente continua, los puntos de operación no
se ven afectados.
Normalmente las capacidades se diseñan para que a
las frecuencias de trabajo se puedan considerar
cortocircuitos
El procedimiento de análisis y diseño de las mismas
es sencillo, aplicado análisis frecuencial en módulo
y argumento
El mayor inconveniente del empleo de capacidades es que la
frecuencia inferior de corte viene limitada por éstas, no pudiéndose
emplear si se desea procesar señales de muy baja frecuencia o que
varíen muy lentamente

PROCEDIMIENTO DE ANÁLISIS DE CIRCUITOS
CON TRANSISTORES EN PEQUEÑA SEÑAL
ANÁLISIS DEL CIRCUITO DE POLARIZACIÓN:
1º) Anular “las fuentes de señal”; dejar las fuentes de polarización de
continua, ya sea de tensión o de corriente
2º) Sustituir los condensadores por circuitos abiertos, y las
autoinducciones por cortocircuitos (salvo su resistencia interna).
3º) Utilizar el modelo de gran señal del transistor
4º) Hallar el P.O. De cada transistor, utilizando las ecuaciones de
polarización, y el modelo del transistor de gran señal en la R.A.N..
En muchos casos el proceso se simplificará mucho utilizando la

hipótesis de β infinito.

PROCEDIMIENTO DE ANÁLISIS DE CIRCUITOS
CON TRANSISTORES EN PEQUEÑA SEÑAL
MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL:
5º) De los datos del punto de operación de cada transistor, así como de
las características suministradas por los fabricantes, calcular los
parámetros incrementales de los transistores.
ANÁLISIS EN PEQUEÑA SEÑAL (SEÑAL INCREMENTAL)

6º) Anular las fuentes de polarización (fuentes ideales de tensión
constantes cortocircuitos, fuentes ideales de corriente constante
circuito abierto). En el caso de no ser ideales habrá que considerar su
correspondientes resistencias equivalentes en alterna.

ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
EN PEQUEÑA SEÑAL (cont)
ANÁLISIS EN PEQUEÑA SEÑAL (SEÑAL INCREMENTAL)

7º) Sustituir los condensadores de acoplo y desacoplo por
cortocircuitos,(si se han diseñado para ello)
8º) Sustituir los transistores por su modelo de pequeña señal.
9º) Aplicar la señal de entrada , y analizar su respuesta en la salida.
Evaluando en cada caso lo que interese:
Impedancias de entrada
Ganancia en tensión
Ganancia en corriente
Ganancia en potencia
Impedancia de salida
AMPLIFICADORES BÁSICOS CON
TRANSISTORES BIPOLARES
De los tres terminales del transistor, normalmente se empleará
uno como referencia, común a la entrada y a la salida.
La señal de entrada se aplicará a uno de terminales, mediante el
acoplamiento correspondiente (directo , capacitivo...), y se
obtendrá la respuesta en el terminal restante
Dependiendo del terminal de referencia que se emplee, el
amplificador básico se denominará
En emisor común, entrada por base, salida por colector
En colector común. Entrada por base, salida por emisor
En base común, entrada por emisor, salida por colector

AMPLIFICADORES BÁSICOS CON
TRANSISTORES BIPOLARES (CONT)
De los tres terminales del transistor, normalmente se empleará
uno como referencia, común a la entrada y a la salida.
La señal de entrada se aplicará a uno de terminales, mediante el
acoplamiento correspondiente (directo , capacitivo...), y se
obtendrá la respuesta en el terminal restante
Dependiendo del terminal de referencia que se emplee, el
amplificador básico se denominará
En emisor común, entrada por base, salida por colector
En colector común. Entrada por base, salida por emisor
En base común, entrada por emisor, salida por colector

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN
a) Circuito completo b) Circuito equivalente en alterna

El amplificador en emisor común(Cont)
r in rp r R p r
vo  ( RC RL )  g m v   RC RL  g m  vi
R p r  R i
v prueba
Ro  vi 0  RC
i prueba
El amplificador en emisor común(Cont) Efecto de la
resistencia de emisor

ETAPA AMPLIFICADORA EN BASE COMÚN
Circuito completo

ETAPA AMPLIFICADORA EN BASE COMÚN (cont)
Si consideramos ro infinita, es fácil demostrar las siguientes expresiones:

(se propone como ejercicio las demostraciones)

ETAPA EN COLECTOR COMÚN

ETAPA EN COLECTOR COMÚN (CONT)

RESUMEN DE CONFIGURACIONES
(Consulte apuntes manuscritos)

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Tema7 - Transistores Bipolares

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INTRODUCCIÓN

Son dispositivos de estado sólido (semiconductores)

En Electrónica de Potencia pueden funcionar como

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 2

Existen dos tipos de transistores bipolares según su estructura:

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 3

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 5

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 6

Es decir: iC  f1 vBE ,vBC 

Es decir: iC  f1 vBE ,vBC 

Func. como REGIÓN DE INVERSA INVERSA

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 12

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 13

Por tanto, podemos decir que en la R.A.N. .el transistor bipolar

La figura d) representa un BJT NPN, en el límite de la

Esta expresión es muy importante, ya que para transistores

(b) Región de saturación

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 19

La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base-

En transistores de Si, a temperaturas no muy elevadas, IB=IC=0

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 21

La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base-

La unión base-emisor polarizada inversamente y la unión base-

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 23

El sentido real de las corrientes iE e iC es ahora

Como βR es mucho menor que βF, la ganancia en esta región es muy

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 24

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 25

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 26

Para que el transistor funcione en alguna de las regiones, es

IB, IC, IE, VBE,VBC, y VCE.

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 27

La red de polarización externa es de continua.

Estas son las dos ecuaciones de

[1] VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 31

[1] VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 32

[1] VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 33

[1] VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC

Entonces la ecuación [2] puede representarse en el plano IB-VBE y es

La intersección de la R.E.C. de la entrada, con la característica corriente tensión

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 35

[1] VBEQ = EBE - (RB+RE) IBQ - RE ICQ

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 37

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 38

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 40

a) Estructura básica de un transistor PNP polarizado en la R.A.N

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 41

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 42

R.CORTE VEB< Vγ ó VBE>- Vγ

REGIÓN VEB> Vγ ó VBE<- Vγ VBEQ= -0,8 voltios (Si)

SATURA. VCB>Vγ ó VBC < - Vγ VCEQ= -0,2 voltios (Si)

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 43

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 44

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 45

La topología del circuito debe ser compatible con la hipótesis de

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 47

Ejemplo de circuito que se puede resolver con la hipótesis de β infinita

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 48

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 49

15-11-06 Tema 7.- Transistores bipolares 51