GRUPO 4

LA REACCIÓN EUTECTOIDE

Una Reacción eutectoide es un proceso metalúrgico que ocurre en

las aleaciones binarias con cierta concentración de los aleantes.

La aleación con composición eutéctica en estado sólido, al ser

enfriada lentamente, llega a una temperatura de solidificación
denominada temperatura eutectoide, en donde ocurre la reacción:
sólido1→solución sólida alfa + solución sólida beta, llamada reacción
eutéctoide.
 Si calentamos una aleación que contenga la composición eutectoide de 0.77% C por
encima de los 727°C producimos una estructura que solo contendrá granos de austenita.
 Podemos incrementar el numero de erita reduciendo el
Control de tamaño de grano de
tamaño de los granos de austenita utilizando bajas
la austenita
temperaturas para producir la austenita.

Control de la velocidad de Al incrementar la velocidad de enfriamiento reducimos

enfriamiento la distancia ala cual los átomos pueden difundirse.

Control de la temperatura de
transformación
 La reacción Martensitica y el Revenido

La martensita es una fase que se forma como resultado de una transformación de

estado solido sin difusión

Martensita en los aceros

En aceros de mas alto carbono la

reacción martensita ocurre al
transformarse la austenita FCC en
martensita BCT
Las aleaciones con efecto de
memoria de forma (SMA)

Es una propiedad única que poseen ciertas aleaciones

que siguen una transformación martensita.
 MATERIALES ELECTRONICOS

superconductores conductores semiconductores Porcelana , vidriosAl20 3

elemental compuesto
Tipo I Tipo II orgánicos inorgánicos
es s

Hg YBCO Si, Ga,As ITO,YSZ,B

MgB2 BSCCO Ge,Sn,C,a AlAs aTiO3
:Si:H

Lineales No lineales dieléctricos

lineales No lineales aislantes

Ag,AU,Cu, ZnO
Hg,W dispositivos
como Al2O3 Porcelan
SiO2 BaTiO3
diodos a,vidrios,
ZrO2 PZT
Al2O3
 LEY DE OHM Y CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA
V=IR

Voltaje (Voltios)
Corriente (amperios)
ley de ohm se usa para determinar la relación entre tensión,
Resistencia ( ohmios)
corriente y resistencia en un circuito eléctrico.

Donde la intensidad de corriente que atraviesa un circuito es

directamente proporcional al voltaje o tensión del mismo e
inversamente proporcional a la resistencia que presenta.

P: Potencia (Watts)
COMPORTAMIENTOS DE LOS ELECTRONES

a)Los portadores de la carga (electrones) son

desviados por los átomos siguiendo la trayectoria
irregular a través de un conductor.

b)Los electrones de valencia en la unión metálica se

mueven con facilidad.

C) Los enlaces covalentes en los materiales

semiconductores y en los aislantes deben romperse
para que los electrones puedan moverse.

d)En algunos materiales enlazados iónicamente es

necesario que se difundan iones completos para
transportar carga.
 TABLA Conductividad eléctrica de
materiales seleccionados a T=300K°
 Estructura de las bandas en
semiconductores y materiales aislantes

Banda de
Banda de Banda de
conducción
conducción conducción
superpuesta,
vacía vacía
parcial o llena

Eg hasta 4eV Eg>4eV

Banda de Banda de
valencia llena valencia llena

Metales semiconductores Aislantes

 CONDUCTIVIDAD DE OTROS MATERIALES

La conductividad eléctrica por lo general es muy baja en la mayoría de

los materiales cerámicos y polímeros.

Conducción de materiales iónicos.

Ocurre frecuentemente mediante el movimiento de iones completos

dado que la brecha de energía es demasiado grande para que los
electrones entren en la banda de conducción .

La movilidad de los
portadores de carga es:
Cuando a un semiconductor se le aplica un voltaje , los electrones
se mueven a través de la banda de conducción , en tanto que los
huecos de electrones se mueven a través de la banda de valencia
en la dirección opuesta.
Semiconductores intrínsecos

Controlan la cantidad de portadores de carga y como

consecuencia la conductividad eléctrica al controlar la
temperatura.

Conductividad de un
semiconductor intrínseco:

Semiconductores extrínsecos

Depende principalmente del numero de átomos de

impurezas es decir de dopantes y dentro de un cierto
rango de temperaturas dicha conductividad es
independiente de la temperatura..
Semiconductores del tipo n :

El efecto de la temperatura sobre la concentración de portadora de un semiconductor de tipo

n a temperaturas bajas los átomos donadores no están ionizados, conforme se incrementa la
temperatura se completa el proceso de ionización y la concentración de portadores aumenta
hasta un nivel dictado por el grado de dopado.
Semiconductor de brecha de energía directa e indirecta

De brecha de energía directa se puede promover un electrón de la banda de

conducción ala banda de valencia sin cambiar el momento del electrón .

Electrón + hueco hv
 Transistores de
unión bipolar

Un transistor se puede
utilizar como interruptor
o como amplificador.
Manufactura y fabricación de dispositivos semiconductores

Para fabricar estos circuitos se requiere tecnologías especiales , el punto de partida

para los dispositivos mas comunes es el silicio puro monocristalino.
Estos se manufacturan por crecimiento utilizando la técnica de crecimiento
CZOCHRALSKI.
Pasos generales para elaboración del procesamiento de los semiconductores:
 AISLANTES Y SUS PROPIEDADES DIELÉCTRICAS

Estos aislantes se producen a partir de materiales cerámicos y poliméricos en

los cuales existen una gran brecha de energía entre las bandas de valencia y
de conducción.
Como aislantes se utilizan:
Porcelana , alúmina , cordierita ,mica y algunos vidrios y plásticos .

Mecanismo de polarización en los materiales

Dependencia de la frecuencia y la temperatura sobre la constante
dieléctricas y las perdidas eléctricas

La constante dieléctrica esta

dada por :

La constante E0 es la permisividad = 8.85x 10-12f/m

C= capacitancia
A=área
K=constante dieléctrica
t= distancia
 Dieléctricos lineales y no lineales

La polarización dieléctrica :

En los dieléctricos lineales P esta linealmente

relacionada con E y k es constante

Dieléctricos no lineales

Estos materiales en los cuales P y E no están

relacionados por una línea recta .No se pueden
definir como un valor único del modelo de Young.
ELECTROSTRICCIÓN, PIEZOELECTRICIDAD, PIROELECTRICIDAD Y FERROELECTRICIDAD

Electrostricción:

Es cuando cualquier material sufre un polarización se desplazan sus nubes de

iones y de electrones causando el desarrollo de una deformación mecánica en el
material.

La deformación (x) generada

al utilizar el campo eléctrico
(E) esta dada por :
Piezoelectricidad

Es cuando carecen de centro de simetría , exhiben el desarrollo

de polarización dieléctrica cuando están sujetos a un esfuerzo.

Efecto piezoeléctrico

Es cuando se aplica un voltaje eléctrico ,un material

piezoeléctrico muestra el desarrollo de una deformación .

Efecto piezoeléctrico
a) Directo
b) Inverso
 MAGNETIZACIÓN
Clasificación de los materiales
magnéticos

Diamagnéticos Paramagnéticos Ferromagnéticos Ferrimagnéticos Superparamagneticos

Inducidos
tipos de dipolos
magnéticos
Permanentes