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ELECTRONICA DE POTENCIA

ES LA PARTE DE LA ELECTRÓNICA ENCARGADA DEL


ESTUDIO DE DISPOSITIVOS, CIRCUITOS, SISTEMAS Y
PROCEDIMIENTOS PARA EL PROCESAMIENTO, CONTROL Y
CONVERSIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA.

TIENE COMO OBJETIVO EL CONTROL DE TRANSFERENCIA


DE ENERGÍA ELÉCTRICA CON MÁXIMO RENDIMIENTO
POSIBLE
1.- DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
1.1.-RELÉS
• Funcionacomo un interruptor controlado por un circuito eléctrico en el que,
por medio de una bobina y un electroimán, se acciona un juego de uno o
varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos eléctricos
independientes. Fue inventado por Joseph Henry en 1835.
1.1.2.- FUNCIONAMIENTO
• El electroimán hace girar la armadura verticalmente al ser alimentada,
cerrando los contactos dependiendo de si es N.A o N.C (normalmente
abierto o normalmente cerrado). Si se le aplica un voltaje a la bobina
se genera un campo magnético, que provoca que los contactos
hagan una conexión. Estos contactos pueden ser considerados como
el interruptor, que permite que la corriente fluya entre los dos puntos
que cerraron el circuito.
1.1.3 SÍMBOLO ELÉCTRICO DE UN RELÉ EN
UN CIRCUITO
DIAGRAMA ELECTRÓNICO DEL CIRCUITO
1.1.4 TIPOS DE RELÉ
 Relés electromecánicos convencionales.
• Son los más antiguos y también los más utilizados. El
electroimán hace vascular la armadura al ser excitada,
cerrando los contactos dependiendo de si es NA o NC
(normalmente abierto o normalmente cerrado). Estos
son los que hemos visto anteriormente.
Partes de un relé electromecánicos convencionales
RELÉS DE NÚCLEO MÓVIL
• Éstos tienen un émbolo en lugar de la armadura anterior. Se utiliza un
solenoide para cerrar sus contactos, debido a su mayor fuerza atractiva (por
ello es útil para manejar altas corrientes). Este modelo se utiliza mucho en
automoción.
RELÉS POLARIZADOS
• Llevan una pequeña armadura, solidaria a un imán permanente. El extremo
inferior puede girar dentro de los polos de un electroimán y el otro lleva una
cabeza de contacto. Si se excita al electroimán, se mueve la armadura y cierra
los contactos. Si la polaridad es la opuesta girará en sentido contrario,
abriendo los contactos ó cerrando otro circuito (o varios).
RELÉ TIPO REED
• Formados por una ampolla de vidrio, en cuyo interior están situados los
contactos (pueden se múltiples) montados sobre delgadas láminas metálicas.
Dichos contactos se cierran por medio de la excitación de una bobina, que
está situada alrededor de dicha ampolla.
RELÉ ESTADO SOLIDO:
• Su funcionamiento es idéntico al de los relés tradicionales, la única diferencia es
que en su interior lleva un circuito electrónico para abrir y cerrar los contactos de
salida en lugar de una bobina.
DIODOS DE POTENCIA
• Presentan algunas diferencias estructurales respecto a los diodos de
pequeña señal. Pueden bloquear tensiones de varias decenas de miles
de volts. Se aplican en rectificadores, diodos volante en reguladores
conmutado, inversión de en reguladores conmutados, inversión de
carga de capacitores, aislamiento de voltaje, recuperación de energía
atrapada.
• Es un semiconductor diseñado para conducir corriente en una sola
dirección
CURVA CARACTERÍSTICA
El diodo responde a la ecuación:
𝑸𝑽ൗ
𝑰= 𝑰𝑺 𝒙(𝒆 𝑲𝑻 − 𝟏)

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior,


donde:
VRRM: tensión inversa máxima
VD: tensión de codo.
I: intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
IS: Es la corriente de saturación (aproximadamente 1012 )
K:constante de Boltzmann
T: temperatura absoluta de la unión pn
Q: magnitud de la carga de un electrón (la carga elemental).
VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
SÍMBOLO

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del


diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
 Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
MODELOS ESTÁTICOS DEL DIODO
 Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
 Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
 Características térmicas.
Protección contra sobreintensidades.
TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
• Diodos rectificadores
Estos dispositivos se basan en la unión semiconductora tipo P-N, tiene dos terminales
en el que se conecta al P que es el ánodo(A) y el que se conecta al material N que es
el cátodo (k). Se caracterizan por poseer rangos de tensión y de corrientes muy
elevados:
• Corriente de 1A a miles de ampers
• Tensión de 50v a 5Kv
Simbolo
CURVAS REAL E IDEAL DE UN DIODO
 Diodos rápidos
En esta categoría están los diodos de recuperación rápida y suave estos diodos de
recuperación rápida y suave, estos se caracterizan por tener rangos de voltaje y corriente
más reducidos:
 Corrientes de 1A a cientos de ampers
 Tensión de 50v a 3KV
 Se diseñan para aplicaciones de alta frecuencia, tales choppers y convertidores DC-DC.

 Aplicaciones
Conmutación a alta frecuencia (>20kHz),Inversores, UPS, Accionamiento de motores
CA
 Diodo Schottky.
Estos diodos están formados por la asociación de un metal y un
semiconductor.
 Frecuencias muy elevadas (de Khz a MHz).
 Caídas de tensión muy bajas.
 No pueden bloquear tensiones superiores a los 100v.

Aplicaciones: Fuentes conmutadas, Convertidores, Diodos de libre


circulación, cargadores de baterías.
• Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)
• Características
• IFAV: 0,45A – 2 A
• VR: 7,5kV – 18kV
• VRRM: 20V – 100V
• trr: 150 ns
• Aplicaciones
• Aplicaciones de alta tensión.
• Transistores de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
• Transistor BJT
Es un dispositivo de tres terminales. Formado por dos uniones PN creadas en un único
cristal semiconductor. Esta disposición junto con la polarización adecuada, permite
utilizar el transistor como amplificador de corriente
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
• Tipos de un transistor BJT
• NPN
Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares
usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
• PNP
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través
de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la
base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia
el colector
Circuito de tipos de transistores
. Circuito de conmutación de un BJT
Del circuito mostrado derivan las siguientes ecuaciones
 Por ley de Kirchhoff
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0
Despejando 𝐼𝑐
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
= 𝐼𝑐
𝑅𝐶
 La potencia de disipación está dada por
𝑃 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶
 Para garantizar que el transistor opere en la región de saturación se
aplica un factor de sobreexcitación, el cual se define como
𝐼𝐵
= 𝑂𝐷𝐹
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡
Regiones de operación
 Zona de corte
Es aquella donde la corriente de base es nula y la de colector es de un valor
muy pequeño, en esta se pueden soportar altos voltajes de colector a emisor.
 Zona lineal
En esta el transistor actúa como amplificador, no es utilizada en aplicaciones de
potencia porque produce pérdidas.
 Zona de quiasi-saturación
En esta zona se tienen bajos voltajes de colector a emisor pero la ganancia del
transistor no es constante.
 Zona de saturación
Aquí la corriente de colector es elevada y se producen caídas de tensión entre
colector y emisor muy pequeñas, por lo que la potencia a disipar es muy
pequeña.
Tiristor
Los tiristores son interruptores electrónicos utilizados en circuitos
de potencia donde es necesario controlar la activación del
interruptor.
Son dispositivos de tres terminales (Ánodo, cátodo y puerta)
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de
cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes
cantidades de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo
consumo de potencia.
Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor
Estructura interna de un tiristor, símbolo y forma constructiva
Característica real e ideal de un tiristor
Tipos de tiristores
 Tiristores de conmutación rápida.
Estos son usados principalmente en aplicaciones de conmutación de alta velocidad
con conmutación forzada. Tienen un tiempo corto de p desactivación (5 a 50 s),
dependiendo del rango de voltaje. A este tipo se le conoce también como de grado
inversor.

 Aplicaciones
 Se utilizan como rectificadores de onda.
 Convertidores de CA-CA
 Reguladores de Potencia mediante el disparo
en cierto Angulo de conducción.
 Convertidores de CD e inversores.
 Tiristor de tríodo bidireccional (TRIAC).
El TRIAC es un dispositivo electrónico aproximadamente igual a dos SCR,
unidos en paralelo-inverso y sus compuertas conectadas.
Este un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el
flujo de corriente a una carga, conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado
por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento.

 Símbolo
 Funcionamiento de un triac
 Modelo de un triac

 Forma constructiva
 Curva característica de voltaje- corriente
La figura muestra la curva característica TRIAC, en ella se observa el punto
VBD (tensión de ruptura) que corresponde al observa el punto VBD (tensión
de ruptura) que corresponde al punto en cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, esta crece con un pequeño
cambio en la tensión entre los ánodos.
 Aplicaciones
Se utilizan TRIAC, de baja potencia en muchas aplicaciones
como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores
eléctricos, y en los sistemas de control computarizado de
muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las
precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se
apague correctamente al final de cada semiciclo de la onda
de Corriente alterna.
 Tiristor de desactivación por compuerta (GTO).
Puede pasar al estado de conduccion encendido aplicando un impulso positivo a la
corriente de puerta, al igual que en los tiristores convencionales, pero tienen la ventaja
a estos ultimos de que pueden desconectarse tambien aplicando a la puerta impulso
impulso de corriente pero en signo negativo.deve destacarse, sin embargo , que la
corriente debe aplicarse a la puerta para producir el apagado GTO es uy elevada, y
𝐼𝐴
corresponde a una relación pequeña y en la practica varia de 3 y 5.
𝐼𝐺
Principios de operación
Un GTO puede ser encendido con un voltaje de polarización directo
aplicado al ánodo y por un pulso de corriente positiva directo
aplicado al ánodo y por un pulso de corriente positiva en la terminal
“gate”, como en el SCR, pero a diferencia de este, también puede ser
apagado por un pulso de corriente negativa en la misma terminal.
Ambos estados, son g, controlados por la corriente de dicha termina
Graficas de encendido