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AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE AB


Resumen
Resumen de amplificadores clase A y B:
Amplificador
Clase AB Clase A • Eficiencia muy bajas,
consume potencia aún sin
Circuitos señal de entrada.
Prácticos
• No tiene problemas en
Par Darlington cruces por cero, muy baja
distorsión.
MOSFET de
Problemas en los cruces
potencia
por cero.
Clase B

•Alta eficiencia, no
consume potencia cuando
no hay señal de entrada

•Alta distorsión.
Punto de operación
en la región de corte
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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen

Amplificador
Clase AB
Circuitos
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia
 La señal de salida circula más de un semiciclo y menos de un ciclo de la señal
de entrada.

 Es un caso intermedio entre la clase A y la B.

 Con señales de alto nivel, su comportamiento tiende al de clase B con menor


rendimiento. En reposo circula una pequeña corriente estática.

 Se elimina la distorsión de cruce.

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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen

Amplificador
Clase AB
Circuitos
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia

La distorsión de cruce que se produce en los amplificadores en clase B, puede


eliminarse si previamente se polarizan ligeramente ambos transistores. De
esta forma, la señal de entrada oscilará en torno a un nivel de polarización
distinto de cero y se conseguirá eliminar la zona muerta.

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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen
Con un voltaje de polarización
Amplificador de la unión BE un poco mayor
Clase AB al voltaje Vγ, se elimina el
problema del cruce por cero.
Circuitos
Prácticos Los dos transistores son
complementarios y la
Par Darlington polarización de Q2 debe ser
similar a la de Q1
MOSFET de
potencia Para observar el trabajo
conjunto de los dos
transistores, debemos unir sus
curvas características de
manera que coincida sus
puntos de operación

Ante una entrada senoidal, obtenemos una salida amplificada sin distorsión
por cruce en cero.

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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen
Malla :
Amplificador 30  ( R1  R2  R3  R4 )i  30  0
Clase AB (29.4k  600  600  29.4k )i  60v
Circuitos (60k )i  60v
Prácticos
60v
i  1mA
Par Darlington 60k
MOSFET de R1i  29.4v
potencia
R2i  0.6v
R3i  0.6v
R4i  29.4v

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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen

Amplificador
Clase AB
Circuitos
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia
Amplificadores
de potencia

Se elimina el efecto del cruce por cero. pero ligeramente


baja la eficiencia del circuito

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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen
Voltaje promedio de las fuente de CC: 2Vcc
Amplificador
2
Clase AB 1
Circuitos
I DC 
2  i(t )dt
0

Prácticos 
1
I DC 
2 i
0
m senwtdt
Par Darlington
I DC 
im
 cos wt 0  I DC  im
2 
im Vcc I m VccI m
Pin( dc)  2Vcc Pout( ac)  
 2 2 2
VccI m
Pout( ac)
%  x100%  2 x100%
Pin( dc) VccI m


 x100%  78.5%
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AMPLIFICADOR CLASE AB
Resumen
Ejercicio: Encuentre la eficiencia del amplificador “push pull” clase AB
Amplificador
de la figura:
Clase AB
Circuitos a.) No tenga en cuenta las perdidas por polarización del amplificador.
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen Diodos para la
compensación de Características:
Amplificador la temperatura
Clase AB Pequeñas resistencias de
emisor (Mejora la estabilidad
Circuitos del punto de operación)
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia

Realimentación (todas las


ventajas de la realimentación
negativa)

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
Análisis en DC:
Amplificador Voltaje de salida del
Clase AB I1
amplificador operacional
igual a 0V
Circuitos
Prácticos Caída de voltaje en los
I diodos de 0.7V
Par Darlington
VR 3 5.3v
I   9.46mA
MOSFET de R3 560
potencia
VE1 0.1v
I c1  I c 2    10mA
R5 10

I IN  I1  I  I c
I IN  1.7mA  9.46mA  10mA
I IN  21.2mA

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
Análisis en DC:
Amplificador PIN ( reposo)  2VccI IN
Clase AB
 (12v)( 21.2mA)
Circuitos
Prácticos PIN ( reposo)  254mW

Par Darlington

MOSFET de
potencia

Para disminuir el consumo de potencia del Ampl. Cuando esta en reposo es:
- Disminuir la corriente de polarización de los diodos.
- Disminuir la corriente del operacional reemplazándolo por uno de menor
consumo (ej LM324).

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
Ganancia del amplificador
Amplificador
R7
Clase AB Av  1 
R8
Circuitos
Prácticos 82k
 1
10k
Par Darlington Av  9.2
MOSFET de
potencia Vo  AvVi
 (9.2)(0.108v)
Vo  1v p

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen

Amplificador
Clase AB
Circuitos
Prácticos

Par Darlington
2
MOSFET de VOUT( PICO ) 
potencia  
 2  V 2 OUT( PICO )
pOUT( AC )  
RL 2 RL
V 2 OUT( PICO ) (1V ) 2
pOUT( AC )    0.0625W
2 RL 2(8)
VOUT( PICO ) 1V
I OUT ( PICO )    125mApico
RL 8

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen

Amplificador La corriente que circula por cada transistor es: I c  I OUT( PICO)  I C( reposo)
Clase AB
Circuitos I OUT( PICO )
Prácticos
La corriente promedio:
I c( AVG )   I C( reposo)

Par Darlington
I OUT( PICO )
I c( AVG )   I C( reposo)
MOSFET de 
potencia
125mA
I c( AVG )   10mA  49.8mA

La corriente total que entrega las fuente:

I IN  I1  I diodos  I C( AVG )
I IN  1.7mA  9.46mA  49.8mA  61mA

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen

Amplificador La potencia de entrada de DC es: PIN ( DC )  I IN (2Vcc)


Clase AB
PIN ( DC )  (61mA)(12v)
Circuitos
Prácticos PIN ( DC )  732mW
Par Darlington
Y la eficiencia:
MOSFET de
potencia
Pout( ac) 62.5mW
%  x100%  x100%
Pin( dc) 732mW
%  8.54%

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen 2.25Vp

Amplificador
Clase AB
ON
Circuitos
Prácticos
Ve1 pico  iOUT pico RE  RL 
Par Darlington 125mA

MOSFET de
potencia
OFF
1Vp

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen

Amplificador
Clase AB
OFF
Circuitos -1Vp
Prácticos

Par Darlington 125mA

MOSFET de
potencia
ON

-1Vp

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen 2.95v
2.25v
Amplificador
Clase AB
-1.55v
Circuitos -1v
Prácticos Vb1  Ve1  0.7 2.25v

Par Darlington

MOSFET de 1v
potencia
-2.25v
1.55v
1v -1v

-2.25v
-2.25

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen

Amplificador Cuál es la máxima excursión de señal en la salida?


Clase AB
Circuitos
Prácticos Existen tres posibles causas:
Par Darlington
1. La saturación de los transistores de potencia.
MOSFET de
potencia 2. La polarización de los diodos.

3. La salida del amplificador operacional

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
1. La saturación de los transistores de potencia.
Amplificador
Clase AB
Circuitos Vcc
icSAT 
Cuando se supone el caso
Prácticos RE enRque
extremo L
Q1 esta saturado
ON y Q2 esta en corte.
Par Darlington 6v
icSAT   333.3mA
MOSFET de Ic(SAT) 10  8
potencia
VOUT( pico)  icSAT RL
VOUT( pico)  (333.3mA)(8)
OFF
VOUT( pico)  2.67v

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
2. La polarización de los diodos.
Amplificador
Clase AB iC i
Circuitos iB   OUT
iOUT PICO  hFE hFE
Prácticos ib(max)  iC≈iE
hFE(min)
La máxima corriente de base
Par Darlington B1 ocurre cuando hFE es mínima:

Durante el semiciclo iOUT


positivo de
MOSFET de i B MAX
la señal, la 

salida
potencia hdel
FE min 
ib amplificador operacional es
iE=iOUT
positiva, lo que causa:
Para el transistor TIP41C el
hFE mínima es de 30
ID a.) Disminución de la corriente
a través de D1 (ID).
La corriente de base es suministrada
ab.)Elevación
través de la R3.del voltaje en el
nodo B1

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
2. La polarización de los diodos.
Amplificador
Clase AB
Circuitos VOUT( pico)  Vcc  iB R3  VBE1  iOUT ( pico) R5
Prácticos
VOUT( p ico)
iOUT ( pico) 
Par Darlington RL

MOSFET de vOUT( pico)


potencia iOUT( pico) RL VOUT( pico)
iB MAX    
hFE min  hFE min  hFE min  RL

Vcc  VBE1
VOUT(pico) 
1  hFER3 RL  R5
6v  0.7v (min)
RL
VOUT(p ico ) 
1  560
30 8  8 
 10

VOUT(p ico )  1.16v


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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
3. La salida del amplificador operacional
Amplificador
Clase AB Para determinar la corriente pico demandada por el amplificador operacional
hay que realizar un análisis de AC
Circuitos
Prácticos

Par Darlington
rIN(base)
MOSFET de
potencia
iE  iC  iB  hFEiB  iB
 hFE  1iB

vB  vE  REiE  hFE  1iB RE


rIN(base)
=vB/iB

 hFE  1RE
vB
r IN

iB

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
3. La salida del amplificador operacional
Amplificador
Clase AB
Circuitos
Prácticos

Par Darlington

Req  R4  RD 2  || RD1  R3 || r IN (base) 
MOSFET de RE  R5  RL  10  8 Req  561  || 1  560 || 558 
potencia Req  187
r IN
 hFE  1RE  30  118

El amplificador 741 puede suministrar una corriente de salida entre 10mA y


30mA. Esta corriente es suministrada por la hoja característica del dispositivo
como “Corriente de salida de corto circuito” ISC
v1( pico)  I SC Req
v1( pico)  (10mA)(187)
v1( pico)  1.87v pico
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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen 2.57v
1.87v
Amplificador
Clase AB
-1.17v
Circuitos -0.83v
Prácticos Vb1  Ve1  0.7 1.87v

Par Darlington

MOSFET de 0.83v
potencia
-1.87v
1.17v
0.83v -0.83v

-2.57v
-1.87V

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
3. La salida del amplificador de potencia:
Amplificador
Clase AB
Circuitos
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen
OBSERVACIONES
Amplificador
Clase AB
La mayores limitaciones son debido a:
Circuitos
Prácticos 1. La polarización de los diodos.
Par Darlington 2. La corriente de salida máxima del amplificador
operacional.
MOSFET de
potencia

Ambas limitaciones estas directamente relacionadas con la


hFE del los transistores de potencia. Para hFE bajos se
necesita mayor corriente de base en los transistores y se
disminuye la máxima señal de excursión de salida del
amplificador de potencia

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CIRCUITOS PRÁCTICOS
Resumen EJERCICIO 2:
Para el amplificador clase AB de la
Amplificador figura, asuma que la Rl = 16, la fuentes
Clase AB de voltaje ±12v, Ic = 10mA y la caida de
voltaje Vbe=0.7v. (hFEmin=30)
Circuitos
Prácticos a.) Encuentre la máxima potencia de
salida que puede suministrar el circuito
Par Darlington sin distorsión y la eficiencia bajo esta
condición.(solo tenga en cuenta la
máxima distorsión debida a los
MOSFET de transistores)
potencia
b.) Cual es el voltaje pico de entrada bajo
esta condiciones?

c.) Repita el apartado a.) pero tenga en


cuenta la máxima distorsión debida a los
diodos.

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PAR DARLINGTON
Resumen

Amplificador
Clase AB Dos posible soluciones para cumplir con los requerimientos
de minimizar las exigencias de excitación de Q1 y Q2:
Circuitos
Prácticos
a.) Incluir una etapa de excitación (driver) entre la salida del
Par Darlington amplificador operacional y los transistores de potencia.

MOSFET de b.) Utilizar transistores de potencia que requieran menos


potencia excitación de entrada

La configuración de transistores Darlington


representa una alternativa de primera mano.

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PAR DARLINGTON
Resumen

Amplificador I C1  I C 2
Clase AB IC1 IC2
Q1 : 2 N 3904 
hFE  100
Circuitos Q3 : 2 N 3906
Prácticos IB1 Q2 : TIP 41C 
IE1=1B2 hFE  30
IE2 Q4 : TIP 42C 
Par Darlington

MOSFET de
potencia I C1  hFE I B1 I B 2  I E1  hFE1 I B1
I E1  I C1  hFE1 I B1 I C 2  hFE 2 I B 2  hFE 2 hFE1I B1 
I C 2  hFE 2 hFE1

IC 2
hFE(TOTAL)   hFE1hFE 2
I B1
hFE(TOTAL)  30 100   3000

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PAR DARLINGTON
Resumen Limitaciones por los transistores
de potencia:
Amplificador RLVcc (8)(6v)
vo p ico    4.8v
Clase AB R2  R5 8  2
Circuitos
Prácticos
Limitaciones por los diodos
Par Darlington Vcc  (VBE1  VBE 2 )
vo pico 
R3 R
MOSFET de 1  5
potencia hFEtotalmin RL RL
vo pico  3.45v

Limitación por la ISC del operacional:


La Req vista por el AO: R  R || R4 || Ri Este resultado es teórico
eq 3 pues el amplificador
Donde:  
Ri  1  hFEtotalmin R5  RL 
operacional esta
alimentado con ±6v,
Asi: Req  938i vo pico  I SC Req  9.68v
Vsat= 4.5v

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PAR DARLINGTON
Resumen Ejemplo: El amplificador clase AB con configuración par Darlington
tiene un VOUT = 3.2Vpico. Determine la potencia de salida de AC. El
Amplificador pico de corriente de salida, la potencia de entrada (sin tener en cuenta la
Clase AB corriente de polarización) y la eficiencia.
 3.2V 
2 2
Circuitos VOUT
POUT( AC )  ( pico)
  0.64W
Prácticos 2 RL 28
Par Darlington
I OUT( AC ) 
VOUT( pico)

3.2V 
 400mA
RL 8
MOSFET de
potencia I OUT( PICO ) 400mA
IC    127mA
 

Pin( dc)  2Vcc I c  (2)(6v)(127mA)  1.53W


POUT( a c) 0.64W
%  x100%  x100%  42%
Pin( d c) 1.53W
Tarea: Encuentre la eficiencia teniendo en cuenta la corriente de polarización.
(Res: n =37.4%)
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PAR DARLINGTON
Resumen EJERCICIO: Determine el máximo voltaje pico de salida que puede
entregar el amplificador de poder de la figura, si el hFEtotal min =5000, las
Amplificador fuentes de voltaje Vcc= ±12v, R3 y R4 son incrementados a 3.3k y R5 y R6
Clase AB se reduce a 1
Circuitos
Prácticos

Par Darlington

MOSFET de
potencia

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