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Dispositivos Electrónicos

•Materiales semiconductores
•Semiconductores intrínsecos y extrínsecos
Materiales semiconductores (I)
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
- Compuestos IV: SiC y SiGe
- Compuestos III-V: Binarios:
GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son materiales de conductividad intermedia entre la


de los metales y la de los aislantes, que se modifica
en gran medida por la temperatura, la excitación
óptica y las impurezas.
Materiales semiconductores (II)

•Estructura atómica del Carbono (6 electrones)


1s2 2s2 2p2
•Estructura atómica del Silicio (14 electrones)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

•Estructura atómica del Germanio (32 electrones)


1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

4 electrones en la última capa - 4 estados


vacios
4 estados vacíos

- - 2p2
- - 2s2

- - 1s2
Distancia interatómica

Banda de estados Estados discretos


(átomos aislados)
Energía

- -
- -
- - - -
- - - -
- -
Distancia interatómica

Diamante: Átomos de C, Grafito: Átomos de C


estructura Cúbico, Hexagonal, negro, blando
transparente,duro y y conductor
aislante
Diagramas de bandas (I)
Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/átomo Banda de
Energía

conducción

Banda prohibida
Eg=6eV

- - Banda de valencia
- - 4 electrones/átomo
Si un electrón de la banda de valencia alcanzara la energía
necesaria para saltar a la banda de conducción, podría moverse al
estado vacío de la banda de conducción de otro átomo vecino,
generando corriente eléctrica. A temperatura ambiente casi ningún
electrón tiene esta energía.
Es un aislante.
Diagramas de bandas (II)
Diagrama de bandas del Carbono: grafito

4 estados/átomo Banda de
Energía

conducción

- -
- - Banda de
4 electrones/átomo valencia

No hay banda prohibida. Los electrones de la banda de


valencia tienen la misma energía que los estados vacíos
de la banda de conducción, por lo que pueden moverse
generando corriente eléctrica. A temperatura ambiente
es un buen conductor.
Diagramas de bandas (III)
Diagrama de bandas del Ge

4 estados/átomo
Energía

Banda de
conducción
Eg=0,67eV Banda prohibida

- - Banda de valencia
- - 4 electrones/átomo

Si un electrón de la banda de valencia alcanza la energía necesaria


para saltar a la banda de conducción, puede moverse al estado
vacío de la banda de conducción de otro átomo vecino, generando
corriente eléctrica. A temperatura ambiente algunos electrones
tienen esta energía. Es un semiconductor.
Diagramas de bandas (IV)
Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de


valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg

A 0ºK, tanto los aislantes como los semiconductores no conducen,


ya que ningún electrón tiene energía suficiente para pasar de la
banda de valencia a la de conducción. A 300ºK, algunos electrones
de los semiconductores alcanzan este nivel. Al aumentar la
temperatura aumenta la conducción en los semiconductores (al
contrario que en los metales).
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e e e
- - -
- - - -
- - - - -
G
- G - G - G
e
- e
- e e
- -

No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a


que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar a la banda de conducción.
Situación del Ge a 0ºK
300º K (I)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e e e
- - - -
- - - -
-
G
-
-
G
+ -
-
G -
-
G
-
e
- e
- e e
- -
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
Situación del Ge a 300º K (II) -
- - -
Generación -
- Muy
importante
- - - +
-
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
- -
Generación - -
-
G
-
-
G
+ -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e- e
- e e
- -
Siempre se están rompiendo (generación) y
reconstruyendo (recombinación) enlaces. La vida media
de un electrón puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
Aplicación de un campo externo (I)
-

+++++++
- - - -
- -
G -
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- - e
- -
e
-- -
e
- -
-
- - - -
- - + - - -
- G
- G - G - G
e
- e
- e e

-
- -

- -
•El electrón libre se mueve por acción del campo.
+
•¿Y la carga ”+” ?.
ATE-UO Sem 12
Aplicación de un campo externo (II)
-

+++++++
- - - -
- -
G
Muy
importante
-
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- e
- - e
-- e
-
-
- - - -
- + - + - - -
- G
- G - G - G
e
- e
- e e

-
- -

- -
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo
+
portador de carga, llamado “hueco”.
Mecanismo de conducción. Interpretación
en diagrama de bandas
Átomo 1 Átomo 2 Átomo 3

- -

- +- -
+ - - -
- - - - - -

- Campo eléctrico +
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior (I)

E
-

+++++
- - - - -
- + + + + +
- - - - - -
- +

+ + + +

- jp jn
Existe corriente eléctrica debida a los dos portadores de carga:
 
jp=q·p·p·E es la densidad de corriente de huecos.
 
jn=q·n·n·E es la densidad de corriente de electrones.
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior (II)
   
jp=q·p·p·E jn=q·n·n·E ( A / cm 2 )
q = carga del electrón (1.602 x 10 - 19 coulomb)
p = movilidad de los huecos ( cm 2 / V.s )
n = movilidad de los electrones ( cm 2 / V.s )
p = concentración de huecos ( h / m3 )
n = concentración de electrones ( e- / m3 )
E = intensidad del campo eléctrico ( V / cm )
Ge Si As Ga
(cm2/V·s) (cm2/V·s) (cm2/V·s)
Muy
n 3900 1350 8500 importante
p 1900 480 400
Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden modificarse estos valores?


¿Puede desequilibrarse el número de electrones y de
huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrínsecos
Semiconductores Extrínsecos (I)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- -
- 1
- - 5 - 0ºK -
2
-
- - - - -
G Sb
- G - G
e
- - 4 e e
3
- -
Tiene 5 electrones en la A 0ºK, habría un electrón
última capa adicional ligado al átomo
de Sb
Semiconductores Extrínsecos (II)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e e e e
- - 5 - -
- 1 5
- 300ºK
0ºK
- - - -
2
-
- - - - -
G Sb
- G - G
e
- Sb+ - 4 e
- e
3 -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están
desligados de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente
eléctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay más electrones
que huecos. Es un semiconductor tipo N.
Semiconductores Extrínsecos (III)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo N

3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía

- 1
0 electr./atm.
-
+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.

El Sb genera un estado permitido en la banda


prohibida, muy cerca de la banda de conducción. La
energía necesaria para alcanzar la banda de
conducción se consigue a la temperatura ambiente.
Semiconductores Extrínsecos (IV)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- -
- - 1 - 0ºK -
2
-
- - - - -
G Al G - G
e
- - e e
3
- -
Tiene 3 electrones en la A 0ºK, habría una “falta de
última capa electrón” adicional ligado
al átomo de Al
Semiconductores Extrínsecos (V)
- - -
-
- - - - -
G - G -
+ G - G
e
- e
- e e
- 300ºK
0ºK -
- - 1 - -
2
-
- - - - -
G Al G - G
Al-
-
e- - 4 (extra) e e
3
- -
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de
Al están cubiertas con un electrón procedente de un
átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es
un semiconductor tipo P.
Semiconductores Extrínsecos (VI)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo P

300ºK
0ºK
Energía
4 est./atom.

EAl=0,067eV Eg=0,67eV
-
+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

El Al genera un estado permitido en la banda prohibida,


muy cerca de la banda de valencia. La energía necesaria
para que un electrón alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco
en la banda de valencia.
Resumen Muy
Semiconductores intrínsecos: importante
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
Diagramas de bandas del cristal
Cristal de Ge con m átomos

4·m estados 0ºK


300ºK
Banda de
Energía

conducción
- -

- - +- - - - - +- - - Banda
- - de
- - - - - - - - - - valencia
- -
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
4·m electrones ¿Cómo es la distribución de
electrones , huecos y estados
en la realidad?
1 .- Bandas de energía 3:50 min
https://www.youtube.com/watch?v=NBec-K3yjAA

2 .-Semiconductores 3:40 min


https://www.youtube.com/watch?v=RDlkBNPmpjU

3 .- Semiconductores Intrínsecos y Extrínsecos 10:13 min


https://www.youtube.com/watch?v=x5bn7dXhB6Q

4.- Estudio de semiconductores I Univ. Politec. Valencia 7:00 min


https://www.youtube.com/watch?v=p727_9bflkY

5.- Estudio de semiconductores II Univ. Politec. Valencia 14.10 min


https://www.youtube.com/watch?v=4d28DRlrCGs
Densidad de estados en las bandas
de conducción y valencia
gc(E)= densidad de estados en
E gc(E) los que puede haber electrones
en la banda de conducción
Ec
Banda prohibida Eg=0,67eV (Ge)
Ev

E1 dE gv(E)= densidad de estados en


gv(E) los que puede haber electrones
en la banda de valencia

Significado: gv(E1)·dE = nº de estados, por unidad de


volumen, con energía entre E1 y E1+dE, en los que puede
haber electrones en la banda de valencia. Lo mismo se
define para la banda de conducción.
Función de Fermi f(E)
f(E) es la probabilidad de que un estado de
energía E esté ocupado por un electrón, en
equilibrio
1
f(E) = (E-EF)/kT
f(E)
1
1+e
T=0ºK
EF=nivel de Fermi
0,5 k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta
T=300ºK T=500ºK
0
0 EF E
Calculamos la concentración de electrones en
la banda de conducción, “n”.
Estados vacíos
Estados posibles
completamente En general:

E
E
n = gc(E)·f(E)·dE
gc(E)
c
Ec
A 0ºK:
EF
f(E)b. cond.=0,
Ev luego n = 0
gv(E)

f(E)
0 0,5 1
Estados completamente
Estados posibles
llenos de electrones
Semiconductor intrínseco a alta temperatura
(para que se puedan ver los electrones)

n electrones/vol.
Estados posibles

gc(E)
E n=
Egc(E)·f(E)·dE 
c
Ec

EF
Ev
huecos
gv(E)
f(E)
Estados posibles 0
Electrones 0,5 1
Calculamos la concentración de huecos en la
banda de valencia, “p”.
Ev


Electrones
Estados posibles
p= gv(E)·(1-f(E))·dE = n
E -
gc(E) 1-f(E)
Ec El nivel de Fermi tiene
que ser tal que las
EF áreas que representan
huecos y electrones
Ev sean idénticas (sem.
intrínseco)
gv(E) f(E)

Huecos posibles 0
Estados 0,5 1
Concentración de electrones y huecos en sem.
intrínsecos, extrínsecos tipo N y extrínsecos tipo P

nn 1-f(E)
n 1-f(E)
1-f(E)
Sube el nivel
Baja el nivel
de Fermi
de Fermi

pp p
f(E)
f(E)
f(E)

Semiconductor
Semiconductor
Semiconductor extrínseco
intrínseco
extrínseco tipotipo
P N
Relaciones entre “n”, “p” y “ni”

E
(EF-Ec)/kT
n= gc(E)·f(E)·dE  Nc· e Nc es una constante
que depende de T3/2
c

Ev

-
(Ev-EF)/kT Nv es otra constante
p= gv(E)·(1-f(E))·dE  Nv· e que depende de T3/2

Particularizamos para (Ev-EFi)/kT (EFi-Ec)/kT


el caso intrínseco: ni = pi = Nv·e = Nc·e
(EF-EFi)/kT (EFi-EF)/kT
Eliminamos Nc y Nv: n = ni·e p = ni·e
Muy
Finalmente obtenemos: p·n =ni2 importante
Ecuaciones en los semiconductores extrínsecos
ND= concentr. donador NA= concentr. aceptador

Neutralidad eléctrica (el semiconductor intrínseco era


neutro y la sustancia dopante también, por lo que
también lo será el semiconductor extrínseco):
Dopado tipo N: n = p + ND
Dopado tipo P: n + NA = p
Ambos dopados: n + NA = p + ND
Muy
importante
Producto n·p p·n =ni2
Simplificaciones si ND >> ni Simplificaciones si NA >> ni
n=ND ND·p = ni2 p=NA NA·n = ni2
Diagrama de bandas con campo eléctrico interno y en equilibrio

- +
- +
- + - - -

++++
- +
+ + -
- - - - - +
- -
+ + + + + -
1 
1 2 V1 E V2 2

DE21 = EFi2-EFi1 = (V2 - V1)·(-q)

Ec
Ec n > ni EFi2
EFi EFi1 p > ni EF
Ev
Ev
2
1
1 2
Difusión de electrones (I)

- - - - - -

- - - - jn - -
- - - - - -

1 - - - - - - 2

n1  n2< n1
jn
Los electrones se han movido por difusión (el
mismo fenómeno que la difusión de gases o de
líquidos).
Difusión de electrones (II)
- - - - Mantenemos la
concentración distinta
- - - - - -
- - - -

1 - - - - 2

n1   n2< n1
D
jn n
La densidad de corriente a la que dan origen es proporcional al
gradiente de la concentración de electrones:
  D
jn=q·Dn· n
Difusión de huecos (I)

+ + ++ + + +
+ + + + + + +

+ + + + + +

1 + + + + + + 2

p1  p2< p1
jp
Los huecos se han movido por difusión (el mismo
fenómeno que la difusión de electrones).
Difusión de huecos (II)

+ + + + Mantenemos la
concentración distinta
+ + + + + +

+ + + +
1 2
+ + + +

p1 
D 
p2< p1
p jp
La densidad de corriente es proporcional al gradiente de la
concentración de huecos, aunque su sentido es opuesto:
  D
jp=-q·Dp· p
Resumen de la difusión de portadores
 
D  
D
jn=q·Dn· n jp=-q·Dp· p
Dn = Constante de difusión de electrones
Dp = Constante de difusión de huecos

Ge Si As Ga
2 2
(cm /·s) (cm /·s) (cm2/·s)

Dn 100 35 220
Muy
Dp 50 12,5 10 importante

Nótese que las corrientes de difusión no dependen


de las concentraciones, sino de la variación
espacial (gradiente) de las concentraciones.
Equilibrio difusión-campo para electrones (I)

1 - - - - 2 -
+++++

- - - - - -
-
-
- - - -
-
- - - -
 -
n1 E n2< n1
jn difusión=q·Dn·dn/dx 
jn difusión

jn campo=q·n·n·E jn campo

Equilibrio: jn difusión+ jn campo=0


Equilibrio difusión-campo para electrones (II)

1 - - - - 2 -
+++++

- - - - - -
V1
-
- V2
- - - -
-
- - - -
 -
E
n1 n2< n1
Sustituimos e integramos:
jn difusión=q·Dn·dn/dx jn campo=q·n·n·E E=-dV/dx
V21=V2-V1=-(Dn/n)·ln(n1/n2)
Equilibrio difusión-campo para huecos (I)

- + + + +

+++++
- + + + + +
-
+ + + + +
-

- + + + +
E
p1 p2< p1
jp difusión=-q·Dp·dp/dx 
jp difusión

jp campo=q·p·p·E jp campo

Equilibrio: jp difusión+ jp campo=0


Equilibrio difusión-campo para huecos (II)

- 1 + 2

+++++
+ + +
- + + + + +
V1 - V2
+ + + + +
-
- + + + + 
E
p1 p2< p1
Sustituimos e integramos:
jp difusión=-q·Dp·dp/dx jp campo=q·p·p·E E=-dV/dx

V21=V2-V1=(Dp/p)·ln(p1/p2)
Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (I)
1 2
- -

+++++
+ +
- - -
+ +
- +
-
+ +
-
+
- -
V1 - V2
- + - -
+ + + +
-
- - - -
- + +
- +

p1, n1 E p2, n2

Partimos de: V21 = V2-V1 = (Dp/p)·ln(p1/p2)


V21 = V2-V1 = -(Dn/n)·ln(n1/n2)
p1.n1 = ni2 p2.n2 = ni2
Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (II)
se obtiene: p1/p2 = n2/n1 Dp/p = Dn/n
(EF-EFi1)/kT (EF-EFi2)/kT
Partimos de: n1 = ni·e n2 = ni·e
EFi2-EFi1 =q·(V1-V2)
q·(V2-V1)/kT
se obtiene: n2/n1 = e y, por tanto:
V2-V1 = (Dn/n)·ln(n2/n1) = (Dn/n)· q·(V2-V1)/kT

Dn/n = kT/q = VT (Relación de Einstein)


también: Dn/n = Dp/p = kT/q = VT
(VT = 26mV a 300ºK)
Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (III)
1 2
-

+++
- - - -
+ + + +

V1
- +
- - - -
+ + + V2
-
+ + +
-  + - +
-
p2<p1
p1, n1 E
n2>n1
Resumen:
(V2-V1)/ VT
V2-V1 = VT·ln(p1/p2) p1/p2 = e
ó (V2-V1)/ VT
V2-V1 = VT·ln(n2/n1) n2/n1 = e
Muy
(VT = 26mV a 300ºK) importante
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (I)
Partimos de un semiconductor tipo N. Dibujamos los pocos huecos

En t<0, p(t) = p p
+ + + + +
N

+ + + +
p0
+ + + + +
+ + + +
N
En t=0, incide luz (por ejemplo), por lo que:
Dp=Dn p(0)=p0>>p n(0)=n0 n
(Hipótesis de baja inyección: p0<<n)
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (II)
Definimos el “exceso de minoritarios”:
p’(t)=p(t)- p p’0= p0-p

+ + + +
p0
+ + + + +
+ + + +
N
Cesa la luz. Hay un exceso de concentración de
huecos con relación a la de equilibrio térmico. Se
incrementan las recombinaciones.
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (III)
t=0 , p0 + + + +
p0
+ + + + +
+ + + +
N
t=t1 , p1<p0 + + + +
p01
+ + + + +
+ + + +
N
t= , p<p1 +
p1
+
+ + + + +
+ +
N
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (IV)
¿Cómo es esta
p(t)
p0 curva?
p1 p2
p p
t1 t2 t
Representamos el exceso de concentración

p’(t)
p’0
p’1 p’
2

t1 t2 t
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (V)
La tasa de recombinación de huecos debe ser
proporcional al exceso en su concentración:
-dp/dt = K1·p’ (nótese que dp/dt = dp’/dt)
Integrando:
p(t) = p +p- p)·e-tp
donde p = 1/K1 (vida media de los huecos)

p0 Muy
p(t) importante
p p
t
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (VI)
Interpretaciones de la vida media de los huecos p
Tangente en el origen
p0 Mismo área

p p(t) p
t
p
p0 Idea aproximada
p p(t) p
t
p Lo mismo con los electrones
Ecuación de continuidad (I)
Objetivo: relacionar la variación temporal y
espacial de la concentración de los portadores.
El cálculo se realizará con los huecos

¿Por qué razones puede cambiar en el tiempo la


concentración de huecos en este recinto?

1º Acumulación de huecos al entrar y


salir distinta densidad de corriente
jp1 jp2

1 2
Ecuación de continuidad (II)
¿Por qué razones puede cambiar en el
tiempo la concentración de huecos en este
recinto?

+ -
+ -
1 2

2º Recombinación de los huecos o


electrones que pueda haber en exceso
Ecuación de continuidad (III)
¿Por qué razones puede cambiar en el tiempo
la concentración de huecos en este recinto?

Luz

-
-
+ +
1 2
3º Generación de un exceso de concentración
de huecos y electrones por luz
Ecuación de continuidad (IV)
1º Acumulación de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente
A
A
jp(x)

jp(x+dx)
dx
Carga eléctrica que entra por unidad de tiempo: jp(x)·A

Carga eléctrica que sale por unidad de tiempo: jp(x+dx)·A

Variación de la concentración de huecos en el volumen


A·dx por unidad de tiempo:
jp(x)·A-jp(x+dx)·A
q·A·dx
Ecuación de continuidad (V)
1º Acumulación de huecos al entrar y salir distinta densidad de
corriente (continuación)
Si la corriente varía en 3 dimensiones, la variación
de la concentración de huecos por unidad de
tiempo en el volumen A·dx, será :   D-
· jp/q
2º Recombinación de los huecos que pueda haber en exceso
La variación de la concentración de huecos por unidad
de tiempo en el volumen A·dx, será : -[p(t)- p]/p
3º Generación de un exceso de concentración de huecos por luz

La variación de la concentración de huecos por unidad


de tiempo en el volumen A·dx debida a luz: GL
Ecuación de continuidad (VI)

Ecuación de continuidad para los


huecos:

p/t = GL- [p(t)-p]/p D- ·jp/q

Muy
importante
Igualmente para los electrones:

n/t = GL- [n(t)-n]/n
D+
·jn/q
Caso de especial interés en la aplicación
de la ecuación de continuidad
Admitiendo:
• 1 dimensión (solo x)
• estudio de minoritarios (huecos en zona N y
electrones en zona P)
• campo eléctrico despreciable (E=0)
• bajo nivel de inyección (siempre menos
minoritarios que mayoritarios)
Queda: d(jp zonaN )/dx = -q·Dp·2p/x2
d(jn zonaP )/dx = q·Dn·2n/x2

pN’/t = GL-pN’/p+Dp·2pN’/x2
nP’/t = GL-nP’/n+Dn·2nP’/x2
Inyección continua de minoritarios por una
sección (régimen permanente) (I)
+ + +
+ + N
+ +
+ + + + + +
+ + + +
+ + +
+
x xN
Hay que resolver la ecuación de continuidad en este caso:
0 = -pN’/p+Dp·2pN’/x2
La solución es:
pN’(x) = C1·e-x/Lp + C2·ex/Lp
donde Lp=(Dp· p)1/2 (Longitud de Difusión de huecos)
Inyección continua de minoritarios por una
sección (régimen permanente) (II)
Si XN>>Lp ,entonces:
C2=0 C1=pN(0)-pN()=pN0-pNp’N0
Por tanto:
pN(x) = pN +pN0- pN)·e-xLp

A esta conclusión también se llega integrando:


-dpN’(X)/dx = K2·pN’(x)
y teniendo en cuenta que:
Lp = 1/K2 , pN()= pN sin inyección
(proceso paralelo al seguido para calcular la
evolución en el tiempo en vez de en el espacio)
Interpretación de la longitud de difusión
de los huecos Lp Muy
Tangente en el origen importante
pN0 Mismo área

pN pN(x) pN


x
Lp
pN0 Idea aproximada
pN(x)
pN pN
x
Lp
Con los electrones minoritarios de una zona P sucede lo mismo