Dispositivos de Potencia:

Diodo
Scr
Transistor BJT(Bipolar Junction Transition)
Mosfet
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Componentes Semiconductores de
Potencia
Diodo
Diodo
Diodo : Encapsulados

jfarfan.ings
Diodo : Pruebas
Scr
Scr: Encapsulados
Scr
Scr: Prin. Caract.
Scr: Pruebas
Transistor BJT
Transistor BJT: Func.
Bipolar Junction Transition
Dispositivo
controlado por
3 corriente
2 1 : Zona lineal o de amplificación.
2 : Zona de cuasi-saturación
1 3 : Zona de fuerte saturación

Vce Corte Activa Saturación

Vcc

Vce(sat)
Ib

• Manejan menores tensiones y corrientes que el SCR, pero son más rápidos.
• Fáciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control
consume más energía que en SCR.
• ventaja es la baja caída de tensión en saturación.
• Inconvenientes, poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento
y el fenómeno de avalancha secundaria
BJT: Prin. Caract.
Transistor BJT: Carac.
Transistor BJT: Carac. Dina.
Transistor Darlington
Transistor : Encapsulados
Transistor : Pruebas
Transistor Mosfet
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor
Mosfet
Dispositivo controlado por tensión

•Alta impedancia de entrada

•Coef. Tª positivo : paralelizables
•rapidez en las conmutaciones
•Rds(on)
Mosfet : Caract.
Mosfet : Caract.
Mosfet : Encapsulados.
Mosfet : Pruebas
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor
Insulated Gate Bipolar Transistor
• Controlado por tensión
• Conduce elevadas corrientes con Vf menor
• Tamaño IGBT = 1.2 BJT = 2.2 MOSFET