Transistores

Transistores
 Objetivos
Objetivos

• Entender la distribución y movimientos de carga en los

transistores
• Conocer las estructuras, funcionamiento y características
de los diferentes tipos de transistor
• Ser capaz de explicar les diferencias entre el transistor de
unión, el JFET y el MOSFET
• Conocer algunas aplicaciones

Presentación por José Quiles Hoyo

 Transistores
Transistores
• El transistor de unión
– Polarización
– El amplificador
– Modelos
• El transistor de efecto campo
– El JFET
– El MOSFET
– Circuitos lógicos, memorias, CCDs, TFTs

– Fundamentos físicos de la informática, cap. 10

– L. Montoto, Fundamentos físicos de la informática y las comunicaciones,
Thomson, 2005
– A.M. Criado, F. Frutos, Introducción a los fundamentos físicos de la informática,
Paraninfo, 1999

Presentación por José Quiles Hoyo

Presentación por José Quiles Hoyo
Transistores
Transistores

Presentación por José Quiles Hoyo

El
El transistor
transistor bipolar
bipolar de
de unión
unión (BJT)
(BJT)
Emisor Base Colector

Emisor P N P Colector
Base

- -
- I Emisor Base Colector
--
e
Emisor N P N Colector

Base

Base poco dopada

Emisor más dopado que colector
Presentación por José Quiles Hoyo
Unión
Unión no
no polarizada
polarizada

p n p

 
E E

V V0

Presentación por José Quiles Hoyo

El
El transistor
transistor polarizado
polarizado (saturación)
(saturación)

IE p n IB p IC

 
E E

V V0
IB + IC = IE

similar a dos diodos con polarización directa

Presentación por José Quiles Hoyo
 El
El transistor
transistor polarizado
polarizado (corte)
(corte)

p n p

 
E E

V
IE = IC = IB = 0
V0

similar a dos diodos con polarización inversa

Presentación por José Quiles Hoyo
Transistor
Transistor polarizado
polarizado en
en forma
forma activa
activa

p n p

 
E E

(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IE
IpB

IC
IC   IB
InB InC
IBB

IB

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistor
Transistor polarizado
polarizado en
en forma
forma activa
activa
(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB

IE IC
InB InC
IBB

IB

BC inversa puede conducir si BE directa

Los huecos que se difunden de E a B llegan a C

IC   IB  factor de ganancia
Presentación por José Quiles Hoyo
 (P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB, huecos que por difusión IpB

pasan del emisorIEa la IC
base. InB InC
IBB
InB, electrones que pasan
de la base al emisor. IB

IBB, electrones procedentes del InC, débil corriente de electrones

circuito para cubrir las del colector a la base.
recombinaciones.

IE = IpB + InB IB = -InC + IBB +InB IC = IpB - IBB + InC

Presentación por José Quiles Hoyo

 Configuraciones
Configuraciones del
del transistor
transistor

Hay 4 variables que dependen el tipo de conexión:

Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.

E C
B C B E

E C
B

Base común Emisor común Colector común

Variables: Variables: Variables:
VBE, VCB, IE, IC VBE, VCE, IB, IC VCB, VCE, IB, IE
Presentación por José Quiles Hoyo
 Configuración
Configuración en
en emisor
emisor común
común

IC = 99 mA
RC
C
RB C
B IC n
RC
IB VBE VCE
VBB VCC RB
E 99 %
B p
1% VCC
IB = 1 mA

VBB n
100 % E
IE = 100 mA
Ic
  99
IE

Presentación por José Quiles Hoyo

 Curva
Curva característica
característica de
de entrada
entrada

IB

RC
C
RB
B IC

VCE
IB VCC
VBB VBE
E

0,7 V VBE
VBE = VBB - IB RB

VBE  0,7 V
Presentación por José Quiles Hoyo
 Curva
Curva característica
característica de
de salida
salida

IC
RC (mA) IB = 60 µA
C
RB
B IC IB = 40 µA
VCE
IB VCC IB = 20 µA
VBB VBE
E

VCE (V)

VCE = VCC - IC RC

Presentación por José Quiles Hoyo

 Emisor
Emisor común:
común: variables
variables

RC
Variables: VBE, VCE, IB, IC
RB
IC

VBE  0,7 V para silicio VBB IB VBE VCE

VCC

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC
IC = IB RC

RB
Vsalida
VCE = VCC - IC RC IB
Ventrada

Presentación por José Quiles Hoyo

Curvas
Curvas características
características del
del transistor
transistor CE
CE
IB = 80 µA
   Región de saturación
IC ( mA)

„
IB = 60 µA  Región activa
IB = 40 µA  Región de corte
IB = 20 µA
„Ruptura
RC
RB
IB = 0 µA
 VBB VBE VCE
VCC

VCE (V)
• En región activa: unión EB con polarización directa, BC con
polarización inversa. Aplicación en amplificación.
• En región de corte: las dos uniones polarizadas inversamente:
circuito abierto.
• En región de saturación: las dos uniones polarizadas
directamente: cortocircuito.
Presentación por José Quiles Hoyo
Línea
Línea de
de carga
carga yy punto
punto de
de funcionamiento
funcionamiento
= 100 VBE  0,7 V
RC =1 k

RB=16 k VBE = -IB RB+ VBB

IC
VBB  VBE 2  0,7
VBB = 2 V IB    81,25 mA
IB VBE VCE RB 16000
VCC=10 V
Ic = IB = 8,125 mA

IC VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

VCC Q IB4
RC VBB (V) VCE (V) Ic (mA) IB (mA)

Q IB3
0,7
0,8
10
9,375
0
0,625
0
6,25
Corte

0,9 8,75 1,25 12,5

Región activa
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
1,4 5,625 4,375 43,75
IB2 lín 1,6 4,375 5,625 56,25
ea 1,8 3,125 6,875 68,75
d e 2 1,875 8,125 81,25
ca 2,2 0,625 9,375 93,75
rg
IB1 a 2,3 0 10 100 Saturación
Q
VCE
V = 10
Presentación
CC V
por José Quiles Hoyo
Línea
Línea de
de carga
carga yy punto
punto de
de funcionamiento
funcionamiento
V BE 0,7 V VCE (V) Ic (mA)
5,55 V 14
0 12,00 5,550 6,450
RC

Ic (mA)
1000 12 0,00
RB C 12
100k
 150 V CC 10
B
VB E
12 V 8
B
6,49 mA
5V 43,00 µA 6,45 mA 6

2
43,000 IB 43,00 µA 30,1 PEB 30,10 µW
6,450 Ic 6,45 mA 35,7975 PCE 35,80 mW
6,493 IE 6,49 mA PT 35,83 mW 0
5,550 VCE 5,55 V 0 2 4 6 8 10 12 14
4,850 VCB 4,85 V Vcc (V)

Presentación por José Quiles Hoyo

Línea
Línea de
de carga
carga yy punto
punto de
de funcionamiento
funcionamiento
RC
RB
IC
VCC
VBB VBE VCE
VCC
RC IB4

IB3 VCE = -IC RC+ VCC

Q
IB2 lín VCC  VCE
ea
d e IC 
ca
rg
a
RC
IB1

O VCC VCE

VCE IC RC

Presentación por José Quiles Hoyo

 Punto
Punto de
de funcionamiento:
funcionamiento: IIBB

IC

VCC IB4
RC RC
IB3
RB
IC

IB2 IB VBE VCE

VBB VCC

IB1

VCC VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

 Punto
Punto de
de funcionamiento:
funcionamiento: RRCC

IC

VCC IB4
RC1 RC
IB3
VCC RB
RC 2 IC

VCC IB2 IB VBE VCE

VBB VCC
RC 3

IB1

VCC VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

 Punto
Punto de
de funcionamiento:
funcionamiento: VVCCCC

IC
VCC 3
IB4
RC
RC
VCC 2 IB3
RB
RC IC
VCC1 IB2 IB VCE
VBB VBE VCC
RC

IB1

VCC1 VCC2 VCC3 VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

 El
El transistor
transistor como
como conmutador
conmutador
Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC
zona de saturación
C
cortocircuito CE VCE = 0 B
IC

B E

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC  0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC
VCC VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

 Circuito
Circuito inversor
inversor simple
simple

+VCC VBB (V) VCE (V) Ic (mA) IB (mA)

0,7 10 0 0
RC 0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
RB 1,4 5,625 4,375 43,75
Vsalida 1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
Ventrada 2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
2,3 0 10 100

INVERSOR Y = not A

A Y

Ventrada Vsalida

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistor
Transistor de
de unión:
unión: amplificador
amplificador
IE IC
P N P
Emisor Base Colector A
E C

B
IB
RL
D

VEB V
VAD = RLIC
(-IC) = gm VEB VAD
 RL g m
gm : transconductancia VEB
Presentación por José Quiles Hoyo
Transistores
Transistores de
de efecto
efecto campo
campo

• Transistor de efecto campo de unión

(JFET)

• Transistor de efecto campo metal-

óxido-semiconductor (MOSFET)

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistores
Transistores de
de efecto
efecto de
de campo
campo de
de unión
unión
(JFET)
(JFET)

Contactos óhmicos
Drenador D

Región de agotamiento

p n p Puerta G

Fuente S

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistor
Transistor de
de efecto
efecto campo
campo de
de unión
unión (JFET)
(JFET)

a) G Puerta b) G

S p D S n D
n p
p n
Fuente Drenador

-VDD
+VDD

IG IG
D D

G G
VG
VG
S S

Canal n Canal p
Presentación por José Quiles Hoyo
 de
campo de

n p
D
de campo

S ID ID

p
VDD
efecto de
de efecto

G
unión
unión

ID IDSS
Al aumentar la tensión entre
Drenador y Fuente VDS, la
Transistores de

intensidad ID aumenta, al tiempo

que se estrecha el pasillo debido
Transistores

al incremento de la de las uniones

p-n y la ampliación de la región de
agotamiento.
El pasillo se cierra para VDS = VP;
tensión para la que ID deja de
aumentar.
VP Voltaje de estrechamiento
VDS
Presentación por José Quiles Hoyo
Transistores
Transistores de
de efecto
efecto de
de campo
campo de
de unión
unión
(JFET)
(JFET)

D D
p ID p
S n ID S n ID ID

p VDD p VDD
VGS=0
G G

Manteniendo nula la tensión entre la fuente y G, VGS, al aumentar la

tensión entre Drenador y Fuente VDS, la intensidad ID aumenta, al
tiempo que se estrecha el pasillo debido al incremento de la de las
uniones p-n y la ampliación de la región de agotamiento .

Presentación por José Quiles Hoyo

 Estrechamiento
Estrechamiento del
del canal
canal
D
Para
S n ID p ID
VGS=0
Corriente de saturación, IDSat
p VDD
ID IDSS

Estrechamiento del canal, G

aumento de la resistencia

Al aumentar la tensión entre

Región de comportamiento óhmico
Voltaje de estrechamiento, VP
VP
Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
VDS p-n y la ampliación de la región de
agotamiento
El pasillo se cierra para VDS = VP

Presentación por José Quiles Hoyo

 Estrechamiento
Estrechamiento del
del canal
canal
D
Con valores negativos de VGS el S n ID p ID
pasillo se cierra antes, siendo la
corriente de saturación menor p VDD

IDSS G
ID VGS= 0 V
VGS< 0

IDSat3
VGS= -1 V
2
 VGS 
IDsat  IDSS 1  
 VP 
IDSat2 VGS= -3 V
IDSat1 VGS= -VP
VPP (para VGS=0) VDS
V
Presentación por José Quiles Hoyo
 Intensidad
Intensidad de
de saturación
saturación IIDS =f(V GS))
D
DS=f(VGS G

ID (mA) IDSS
VGS= 0 V

2
 V 
IDsat  7,81  GS 
 5  5
VGS= -1 V

VGS= -2 V
VP
1
VGS= -3 V
VGS (V) -5 -4 -3 -2 -1 0 5 10 15 VDS (V)
VP = 5 V
VGS= -VP

Presentación por José Quiles Hoyo

 metal-
campo metal-
(MOSFET) Metal
S G D S G D
óxido-semiconductor (MOSFET)
Óxido

Semiconductor
efecto campo

n n n n
p p

Metal
óxido-semiconductor

de enriquecimiento de agotamiento
de efecto

Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de óxido del semiconductor -
por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. Posee cuatro electrodos:

•Compuerta, gate en inglés, simbolizado con G; que se conecta a la placa metálica.

•Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simétricos, que se internan en el sustrato.
•Sustrato (Body), generalmente conectado eléctricamente con la fuente.
Transistor de

D D D D
Transistor

G sustrato G sustrato G sustrato G sustrato

p n p n

nMOS-FET pMOS-FET nMOS-FET pMOS-FET

S S S S
de enriquecimiento de enriquecimiento de agotamiento de agotamiento

Presentación por José Quiles Hoyo

MOSFET
MOSFET de
de enriquecimiento
enriquecimiento nn D

G sustrato
p

G S

Contactos metálicos

S D
SiO2

n n

Presentación por José Quiles Hoyo

Formación
Formación del
del canal
canal en
en el
el MOSFET
MOSFET de
de D

enriquecimiento
enriquecimiento nn G sustrato
p

VGS>VT G e- atraídos por la puerta +

ID
S +++++++++++++
D
-----------------
n n

p VDS

Región de agotamiento
Presentación por José Quiles Hoyo
Formación
Formación del
del canal
canal en
en el
el MOSFET
MOSFET de
de D

enriquecimiento
enriquecimiento nn G sustrato
p

VGS>VT G
ID
S +++++++++++++
D
-----------------
n n

p VDS

Al aumentar VDS, se estrecha el canal, alcanzándose la I de

saturación, IDS
Presentación por José Quiles Hoyo
 En ausencia de canal para VGS = 0, no hay corriente ID. Es necesario un valor
mínimo de voltaje umbral VT positivo de VGS para que se forme el canal.
Aumentando VGS aumenta el valor de la corriente de saturación

+ VG + VG + VDS=VDsat
Característica MOSFET de

+ VD + VDS
enriquecimiento de canal n
G G D G D
S D S S
+ + + + + + + + + + +
n+ n+ n+ -- -- -- -- -- -- -- -- -- n+ n+ -- -- -- -- -- -- -- -- - n+

p p p

ID (mA) ID (mA)
VGS= 7 V

ID Sat  K (VGS  VT )2
VGS= 6 V

VT VGS= 5 V
VGS= 4 V

1 2 3 4 5 6 7 8 VGS= VT VDS
Presentación
V (V) por José Quiles Hoyo
GS
MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento nn
D

G sustrato
p

S
D

n n n

Presentación por José Quiles Hoyo

MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento nn
D

G sustrato
p

VGS = 0 G
ID
S
D
- - - - - - - - -n
--------
n n
VDS
p

Con VGS=0 ya existe canal y los e- del canal son

atraídos porPresentación
D por José Quiles Hoyo
 D

MOSFET
MOSFET de
de agotamiento
agotamiento nn G sustrato
p

VGS < 0 G-
ID
S ——————
D

n - -- -- -- -- -- -- -n- - - - - - - n
- - - - - -
+ + ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ ++ + + +
VDS
p

Con VGS<0, los e- del canal son repelidos hacia la zona p,

recombinándose con huecos. La corriente de saturación
disminuye. Presentación por José Quiles Hoyo
 agotamiento
de agotamiento
- VG + VDS=VDsat
+ VDS D
G G D
S D S
- - - - - - - G sustrato
- - - - - - - - - p
n+ n n+ n+ - - - - - - - - - n+
p p S
MOSFET de
canal nn
Característica MOSFET
de canal

ID (mA) ID (mA)
2 VGS= 1 V
 VGS 
ID  IDSS 1  
 Vp  10 10
de

 
IDSS
 V 
2 VGS= 0 V
Característica

ID  81  GS 
 4 
5 5
VGS= -1 V
VP
VGS= -2 V
VGS= -3 V
-4 -3 -2 -1 0 1 VGS (V) 5 10 15 VDS (V)
Presentación por José Quiles Hoyo
 Aplicaciones:
Aplicaciones: circuitos
circuitos lógicos
lógicos
puertas
puertas AND
AND yy OR,
OR, lógica
lógica de
de diodos
diodos
Puerta “AND” con diodos Puerta “OR” con diodos
10 V

A
Vs

B Vs
R
R

1N914

1N914

Presentación por José Quiles Hoyo

 Del
Del vacío
vacío al
al CMOS
CMOS

1950: Abandono de las válvulas de vacío y sustitución

por transistores individuales

1960: Circuitos integrados en sustrato de silicio

1980: Transistores de efecto campo

1993: Tecnología CMOS

Presentación por José Quiles Hoyo

Aplicaciones:
Aplicaciones: circuitos
circuitos lógicos
lógicos
tecnología
tecnología CMOS
CMOS

Inversor (NOT)
Presentación por José Quiles Hoyo
 Aplicaciones:
Aplicaciones: memorias
memorias RAM
RAM

DRAM BIT
Se almacena un “1” en la celda cargando el
D condensador mediante una VG en fila y VD en bit
G
La lectura se hace aplicando VG en fila y midiendo la
S corriente en la línea bit

La lectura es un proceso destructivo. Hay que

FILA restaurar el valor leído

SRAM

Presentación por José Quiles Hoyo

Aplicaciones:
Aplicaciones: memorias
memorias ROM
ROM

EPROM

MOSFET ROM

Presentación por José Quiles Hoyo

Aplicaciones:
Aplicaciones: CCD
CCD

CMOS sensor
CCD

Presentación por José Quiles Hoyo

 Aplicaciones:
Aplicaciones: TFT
TFT

Estructura DRAM con celda

LCD i LED
RGB
Presentación por José Quiles Hoyo