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Resumen
INDICE
I. Introduccíon
a. La Matriz de Transferencia (MT) y su relación con la matriz S
b. La MT de la barrera rectangular y el pozo cuántico. Efecto tunel y cuantización
V. Conclusiones
Sistemas Periódicos
Teoría Standard
V(z)
……
z0 z1 z2 z3 zn-1 zn
lc
�a b �
M =�* *�
�b a �
Si conocemos la MT de una celda unitaria, podemos describir al sistema completo
Mn (zn ,z0 ) = M(zn ,zn-1 ) M(zn-1 ,zn-2 ) … M(z3 ,z2 ) M(z2 ,z1 ) M(z1 ,z0 )
n
�a n b n�
�a b � �a b � �a b � �a b �
Mn = �
�b * d=*�
�
�b *
a *�
�*
b a
...
*��*
b a
=
*� �*
b a *�
�n n�
� �
� �� �� �
* PP, J. Math Phys. 36, 1166 (1995), PP, Phys. Rev. Lett. 80, 2677 (1998), PP, J Phys. A 31,4521
(1998), PP & E. Castillo Phys. Rev. B 65, 205120 (2002).
Sistemas Periódicos
V(z)
……
z0 z1 z2 z3 zn-1 zn
lc
Mn = M Mn-1
�a n b n � �a b � �a n-1 b n -1 �
� �= �b * a * �
�b * a * � �
�b * * � �
�n n� � � n-1 a n-1 �
�
……
z0 z1 z2 z3 zn-1 zn
lc
Mn = M Mn-1
�a n b n � �a b � �a n-1 b n -1 �
� �= �b * a * �
�b * a * � �
�b * * � �
�n n� � � n-1 a n-1 �
�
an=pn-a pn-1
a n=b bn-1 + a a n-1
pn - a pn-1 =bbp
bb-1n-2b+ n-1
a+(p
an-1
(p–n-1a–pan-2p) n-2) an=pn-a pn-1
……
z0 z1 z2 z3 zn-1 zn
lc
Mn = M Mn-1
�a n b n � �a b � �a n-1 b n -1 �
� �= �b * a * �
�b * a * � �
�b * * � �
�n n� � � n-1 a n-1 �
�
bn=b pn-1 1 1
1 tn = † =
t= † an pn - a pn -1
an=pn-a pn-1 a
1 2 1
pn = Un(ar)
r = - * b* T = tn = 2
a pn - a pn -1
* PP, J. Math Phys. 36, 1166 (1995), PP, Phys. Rev. Lett. 80, 2677 (1998), PP, J Phys. A 31,4521
(1998), PP & E. Castillo Phys. Rev. B 65, 205120 (2002).
Sistemas Periódicos
T1
T 0 .5
1 Tn =
T U n -1 a R (1 - T ) n=1
0 .1 0 .2 0 .3 E
1.
T2
1 2 0 .5 n=2
0 .1 0 .2 0 .3 E
1.
T3
1 2 3 n=3
0 .5
0 .1 0 .2 0 .3 E
1.
T10
1 2 10 n=10
0 .5
…
0 .1 0 .2 0 .3 E
Eigenvalores y eigenfunciones
a) Sistemas abiertos. Niveles y Estados Resonantes
V(z)
……
z0 z1 z2 z3 zn-1 zn
lc
1 |an|2 -|bn|2 =1 1 1
Tn = Tn = 2
= 2
an
2
1 bn 1 b U n2-1
1.
np
0 .5 a r = cos
n
0 .1 0 .2 0 .3
Eigenvalores y eigenfunciones
a) Sistemas abiertos. Modelo de Kronig-Penney. Niveles y Estados Resonantes
1 2 3 n
…
z0 z1 z2 z3 zn-1 zn
1 1 1
Tn = |an|2 -|bn|2 =1 Tn = 2
= 2
an
2 1 bn 1 b U n2-1
np
a r = cos
n
kn2 - qn2 np
cos kn a cosh qn b - sin kn a sinh qn b = cos
2kn qn n
Eigenvalores y eigenfunciones
a) Sistemas abiertos. Modelo de Kronig-Penney. Niveles y Estados Resonantes
kn2 - qn2 np
cos kn a cosh qn b - sin kn a sinh qn b = cos
2kn qn n
Eigenvalores y eigenfunciones
Estados de Superficie
Eigenvalores y eigenfunciones
b) Eigenvalores de la energía en sistemas cerrados
Estados de Superficie
V w 0.44 eV
V o0.23 eV l c13 nm
zo zn
q 2w - k 2 q 2w k 2
U n a I -aR - bI U n -1 = 0
2qw k 2qw k
y ( z , E ,n ) = A a p p a j b p d p b j 1 - i
* qw
k
*
j
qw
a p p b j b p d p a 1 i
k
Eigenvalores y eigenfunciones
b) Eigenvalores de la energía en sistemas cerrados
Estados de Superficie
Aplicaciones de la TSPF
2 The Transfer Matrix Approach*
For finite periodic systems (D or D), with arbitrary potential profile,
il tnil
…
z0 z1 z2 zn-1 zn
we have developed the TMA and the Theory of Finite Periodic Systems (TFPS)
…
�a b � �a n b n � a n = pn - a * pn -1
M =�* *�
Mn = � * *�
�b a � b
�n a n �
b n = b -1 pn -1
1 1
tn = =
an †
pn - a pn-1
* †
Jt
� G=
2e 2
Tr t n t n†
Tn = t n t n
†
t ph =h
�E
T 1
Tn = Gn = G
T U n -1 a R (1 - T ) U n (a R )
2
resonant energies
U n -1 (a R ) = 0 a R n = cos
np
E ,n
n
1. Cálculo de tiempos de tunelaje y transmisión. Efecto superlumínico
15 time
fs
n
n 5
10
5 f
Tn 1
500 900
(PP, Phys. Rev. Lett. 84, 1772 (2000), H. Simajuntak, PP. Phys. Rev. B, 67, 045301 (2003),
2. Láseres.
El láser azul
V(z) V(z)
z z
+ +
V(z)
z
+ + + + +
La periodicidad permite es fundamental en la metamorfosis del potencial que
utilizaremos para los electrones de valencia en las estructuras semiconductoras
V(z)
z
V(z)
z
Eg
En un cristal los electrones se mueven como si fueran partículas libres y además
como si tuvieran una masa menor.
En un cristal los electrones se mueven como si fueran partículas libres y además
como si tuvieran una masa menor.
En la física del estado sólido existe toda una colección (zoologico) de masas para
los electrones. Las masas efectivas están definidas como
1 1 d 2E
*
= 2 con ,n = x, y, z
m ,n dk dkn
GaAs AlAs
gap de energía
Si tenemos una heteroestructura semiconductora homogénea estudiamos al
sistema como si los electrones percibieran únicamente las variaciones del gap.
Es decir en un potencial seccionalmente constante. Con masas efectivas que
generalmente cambiaran de una capa a otra. En 1D, para una capa dada
2 2
- y Vsc ( z ) y = Ey
2m z
* 2
sustrato
crecimiento epitaxial
A B A
heteroestructura
E
Si EgA < EgB
m*A m*B m*A
EgA EgB
Si sobre la estructura cristalina del tipo A se crece otra del tipo B y sobre esta
otra vez una capa cristalina tipo A
A B A
E
Si EgB < EgA
m*B m*A m*B
EgA EgB
Las técnicas de crecimiento de estructuras semiconductoras cristalinas
permiten crear diferentes perfiles de potencial.
De esta forma se producen también estructuras periódicas artificiales, las
superredes, con parámetros de red y materiales escogidos a voluntad
lc
lc
subbandas
lc