Síntesis de LEDs basado en materiales inorgánicos mediante técnicas de bajo costo.

Heraclio Heredia Ureta1, Miguel Aguilar-Frutis1, Francisco Ramos-Brito2, Gilberto Alarcón-Flores1 , Arturo Ismael Garduño Wilches1.

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Legaria, IPN, Calzada Legaria No. 694 Col. Irrigación, Del. Miguel
Hidalgo, Ciudad de México, C.P. 11500
2Facultad de Ciencias Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Sinaloa, Ciudad Universitaria S/ N, Culiacán, Sinaloa, México.

E-mail: heracliohu@gmail.com, Estudiante de Doctorado en Tecnología avanzada en CICATA-Legaria Instituto Politécnico Nacional.

Resumen
En el trabajo de Tesis se planea trabajar una estructura de LED que emplee una capa emisora de luz en forma de puntos cuánticos (QDs) inorgánicos. En las capas de
inyección de portadores se pretende utilizar ZnO en la capa de transporte de electrones (ETL) y NiO (o algún otro óxido semiconductor tipo p) en la capa de transporte de
huecos (HTL). Se pretende utilizar la ingeniería de bandgap para optimizar la inyección de portadores tanto de electrones y huecos. Además, se desea implementar el
concepto de plasmones de superficie localizados (LPS) para mejorar la fotoluminiscencia en el intervalo de emisión elegido para los QDs. Se aplicarán métodos conocidos
para aumentar la eficiencia de extracción de luz. Se emplearán métodos de síntesis baratos de química suave contemplando los métodos de spin coating, hidrotérmal e
hidrotérmal asistido por microonda. La caracterización de la propuesta del LED se llevará a cabo mediante espectroscopia fotoluminiscente. Adicionalmente se recurrirá a
la caracterización por difracción de rayos x y Microscopía electrónica de transmisión y de barrido de alta resolución, entre otras caracterizaciones complementarias.
Antecedentes. Propuesta de investigación. Resultados esperados:
El desarrollo de la electrónica moderna a mediados del Se pretende hacer una estructura de LED que emplee una * Artículos en Revistas Internacionales.
siglo XX ha cambiado el curso de la sociedad humana. capa emisora de luz en forma de puntos cuánticos (QDs) * Memorias en Congresos Internacionales.
Los cristales semiconductores, típicamente de Silicio inorgánicos. En las capas de inyección de portadores se * Diferentes propuestas de LEDs basados materiales
(Si), se utilizan para construir circuitos electrónicos de pretende utilizar ZnO en la capa de transporte de inorgánicos mediante técnicas de bajo costo.
alto rendimiento, células solares y detectores de luz. Sin electrones (ETL) y NiO (o algún otro óxido * Reporte de los resultados de la investigación en tesis
embargo, el Si tiene procesos de fabricación costosos semiconductor tipo p) en la capa de transporte de huecos doctoral.
cuando se aplican a dispositivos con un factor de forma (HTL) como se muestra en la figura 3A. Se usará la
grande. En contraste, las aplicaciones emergentes a ingeniería de bandgap, para lograr una inyección
menudo requieren dispositivos electrónicos baratos y que eficiente de electrones (huecos) en la capa de QDs en la
se puedan integrar en superficies flexibles. En esta línea, banda de conducción (valencia) y bloquear la salida de
los QDs de semiconductores coloidales abren los huecos (electrones) en la banda de valencia
oportunidades para integrar semiconductores (conducción) como se muestra en la figura 3B. En la
inorgánicos, en dispositivos flexibles y de alto ETL se trabajará con ZnO y ZnO dopado con Mg (Zn1 −
rendimiento mediante el uso de métodos basados en xMgxO) para realizar la ingeniería de bandgap. Algo
soluciones de baja temperatura, escalables a gran área, similar se buscará hacer con el NiO en la HTL. Para
baratos y no necesitan un alto vacío. La superficie de los mejorar fotoluminiscencia en el intervalo de emisión
QDs sintetizados se recubre con una capa de ligandos elegido para los QDs, se introducirá partículas de Cu, Au
moleculares. Estos ligandos estabilizan las QD coloidales o Ag, en la capa de ETL de ZnO para lograr plasmones
contra la precipitación, lo que permite que las tintas de de superficie localizados (LPS) similar a lo realizado en
Fig 1. A) Evolución de la estructura electrónica de un
QDs puedan procesarse en dispositivos electrónicos y el figura 4. Se aplicarán métodos conocidos para semiconductor inorgánico a granel a QDs de diferentes
optoelectrónicos de película delgada mediante técnicas aumentar la eficiencia de extracción de luz, un ejemplo tamaños, B) Enlaces químicos incompletos en la superficie
de recubrimiento e impresión [3]. Después de la sería, la aplicación de nanoestructuras de ZnO por del QD introducen estados de superficie dentro del bandgap,
evaporación del solvente portador, las matrices de QDs encima del cristal por donde escapa la luz (Fig. 3A). C) La interacción de los átomos ligandos con la superficie
forman un material sólido cuya estructura depende del Todas las capas que se muestran en la figura 3A se del QD empuja la energía de los estados de la superficie por
tamaño y la uniformidad de la forma de los QDs realizarán por medio de métodos de síntesis baratos de encima de los estados correspondientes del núcleo QD.
individuales y las características del solvente y la química suave, contemplando los métodos de spin
velocidad de evaporación [4, 5]. La estructura electrónica coating, hidrotérmal e hidrotérmal asistido por
de los QDs de semiconductores difiere microonda.
fundamentalmente de la del material a granel Objetivo General:
correspondiente como resultado de los efectos de Sintetizar y caracterizar diferentes configuraciones de
confinamiento cuánticos y dieléctricos (Fig. 1A) [7, 8]. LEDs basados en materiales inorgánicos mediante
La superficie de los QDs puede exponer diferentes técnicas de bajo costo.
facetas de cristal y crear enlaces incompletos. Los Objetivo específico 1:
Fig 2. Esquema de una heteroestructura núcleo / cubierta y
átomos de superficie sin ligandos (con ligandos) a Analizar el desempeño de la configuración de nanohilos
(de izquierda a derecha) alineaciones de borde de banda de
menudo contribuyen con estados electrónicos con de ZnO tipo n/QDs de CsPbBr3 /Óxido semiconductor núcleo a cubierta de tipo I, cuasi tipo II y tipo II. Las líneas
energías que se encuentran dentro (fuera) del bandgap tipo p, y elegir el óxido semiconductor tipo p que se discontinuas en el tipo II designan un potencial de interfaz
del núcleo del QD como se muestra en la Fig. 1B (Fig pueda integrar por métodos de química suave, que sea suave en el caso de un límite aleado.
1C). Además de la ligadura de la superficie, la superficie económico y que dé el uno de los mejores EQE.
de los QDs se puede diseñar sintetizando los QDs en Objetivo específico 2:
forma de nano-heteroestructuras inorgánicas que Analizar el desempeño de la configuración nanohilos de
comprenden un núcleo semiconductor cubierto por otro ZnO tipo n/Zn1 − xMgxO tipo n/QDs de CsPbBr3 /Óxido
semiconductor como una capa epitaxial, formando semiconductor tipo p elegido, variando la concentración
configuraciones de tipo I y tipo II (Fig. 2). Los QDs con de dopaje del Mg (parámetro x).
núcleo/cubierta de tipo I son beneficiosas para lograr Objetivo específico 3:
altos rendimientos cuánticos de fotoluminiscencia Analizar el desempeño de la configuración nanohilos de
necesarios para una electroluminiscencia eficiente, ZnO tipo n/Nano partículas de metales/Zn1 − xMgxO tipo
Fig 3. A) Evolución de la estructura electrónica de un
mientras que las de tipo II proporcionan una separación n/QDs de CsPbBr3 / Óxido semiconductor tipo p elegido, semiconductor inorgánico a granel a QDs de diferentes
de carga beneficiosa para dispositivos fotovoltaicos o variando el tipo de metal utilizado para realizar el LPS. tamaños, B) Enlaces químicos incompletos en la superficie
fotodetectores. Los dispositivos emisores de luz (Fig. Objetivo específico 4: del QD introducen estados de superficie dentro del bandgap,
3A) basados en QDs inorgánicos (QLED) como capa Analizar el desempeño de las configuraciones antes C) La interacción de los átomos ligandos con la superficie del
emisora y con óxidos metálicos inorgánicos en las capas mencionadas con métodos conocidos para aumentar la QD empuja la energía de los estados de la superficie por
de ETL y HTL, proporcionan una mejor estabilidad [xx] eficiencia de extracción de luz. encima de los estados correspondientes del núcleo QD.
y son de gran interés para su aplicación en pantallas en Objetivo específico 5:
vista de su capacidad espectralmente estrecha y la Realizar la caracterización de las diferentes
capacidad de ajuste de una amplia gama de colores. Un configuraciones de LEDs propuestos mediante
primer requisito para una alta eficiencia cuántica externa espectroscopia fotoluminiscente, difracción de rayos x,
(EQE) en un QLED con alta eficiencia radiactiva dentro Microscopía electrónica de transmisión y de barrido de
de la capa emisora de luz. Los recientes avances alta resolución, entre otras caracterizaciones
sintéticos han producido excelentes rendimientos complementarias.
cuánticos (QY) superiores al 97% para los QDs en Fig 4. Pasos de procesamiento para la preparación de la
solución [111]. arquitectura de la heterounión coaxial de Nanohilos de ZnO
tipo n/Nano partículas de Au/ZnO dopado con Mg/QDs/NiO
tipo p.