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Electrónica

General
Señales Eléctricas

Señal.- Es todo aquello que contiene


información acerca de la naturaleza o el
comportamiento de algún fenómeno físico
(electromagnético, acústico, mecánico,
biológico, etc.). Una señal se representa
matemáticamente por medio de una función
que depende de una o más variables
independientes
 Componente continua: VDC, IDC ( valor promedio)

 Componente alterna:

Vrms , Irms (cuadrante, eficaz)

Vp, Ip (valor máximo)

Vpp, Ipp (valor máximo (+),


valor máximo (-))
Valor eficaz.- Denominado también RMS (root
mean square) corresponde el valor cuadrático
medio de una magnitud eléctrica.
Valor de pico.- Es la amplitud o valor
máximo de la señal.

Valor pico a pico.- Es la diferencia entre el valor


máximo y el valor mínimo de la señal y es igual al
doble del Valor Pico.

𝑉𝑝
𝑉𝑅𝑀𝑆 =
2
𝑉𝑝𝑝
𝑉𝑅𝑀𝑆 =
2 2
Materiales Semiconductores
MATERIALES CONDUCTORES

• Materiales o elementos que permiten el flujo


de corriente eléctrica fácilmente (se
caracterizan por tener electrones libres)
Materiales Aislante
• No conduce corriente eléctrica en
condiciones normales
• Poseen entre cinco y siete electrones
fuertemente ligados a su última órbita.

Resinas sintéticas / porcelana


MATERIALES SEMICONDUCTORES
• Conduce energía bajo ciertas circunstancias, los
semiconductores de un solo elemento están
caracterizados por átomos de cuatro electrones de
valencia.

ºT cercana a cero no hay


electrones libre  aislante.

ºT altas electrones se
convierten en electrones
libres (dentro del cristal),
por lo que deja una vacante
(hueco) y este proceso se
conoce como producción
térmica de un par electrón-
hueco.
Clases
1. Un solo cristal: Ge(germanio) y
Si(silicio)
es un sólido formado por una
combinación de átomos.
2. Compuesto: GaAs (arseniuro de galio)
y GaN(nitruro de galio)
Se compone de dos o más
materiales semiconductores
de diferentes estructuras
atómicas

Los más usado en dispositivos electrónicos son:


• Ge (sensible a °T, limitadas áreas)
• Si (más usado)
• GaAs (Costoso, difícil de fabricar a altos
niveles de pureza, para procesos específicos)
Átomo de Silicio y Germanio

 Ambos átomos tiene cuatro


electrones de valencia,
diferenciándose entre ellos
por el número de protones.

 El Si es el más utilizado
soporta altas temperaturas
Ionización: Cuando un átomo absorbe
energía de una fuente calorífica los
niveles energéticos de los (e-) se elevan ,
al proceso de perder un electrón de
valencia se le conoce ionización, el
átomo ión positivo , y el (e-) que se
escapo se denomina (e-) libre.

Enlace covalente: Enlace de átomos


reforzado por compartir electrones.
Intrínseco: Material semiconductor
cuidadosamente refinado (puro). Los
electrones libres presentes en un
material debido solo a causas externas se
conoce como portadores intrínsecos.

Dopado: Adición controlada de impurezas a


un semiconductor puro, incrementando así el
número de portadores de corriente ( 𝑒 − y
huecos), elevando la conductividad y
disminuyendo la resistividad
Materiales Extrínsecos: Es un material
semiconductor que ha sido sometido al
proceso de dopado.

 Impurezas  Impurezas
pentavalentes con trivalentes con
átomos donadores As, átomos aceptadores
P, Sb B, In, Ga
Tipo N
 Se crea introduciendo
elementos de impurezas
de valencia 5

Tipo P

 Se crea dopando aun


cristal de Ge o Si con
elementos de valencia 3
Capa de empobrecimiento
 Se forma una región de empobrecimiento a partir de la unión, esta región
se forma por ionización

 La existencias de iones positivos y negativos sobre caras opuestas crea el


potencial de barrera
 Polarización en directa es la condición que permite la circulación de corriente a
través de la unión pn
La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente energía a los
electrones libres para que venzan el potencial de barrera de la región de
empobrecimiento y continúen moviéndose hacia la región p.

La energía que requieren los electrones para pasar a través de la región de


empobrecimiento es igual al potencial de barrera.
 La polarización en inversa es la condición que en esencia evita la circulación
de corriente a través del diodo.

 El lado positivo de VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado


negativo está conectado a la región p.

 La región de empobrecimiento se muestra mucho más ancha que la


condición de polarización en directa o equilibrio.
• A medida que los electrones fluyen hacia el lado positivo de
la fuente de voltaje, se produce el ensanchamiento de la
región de empobrecimiento y el consecuente
empobrecimiento de los portadores mayoritarios.

• Si el voltaje de polarización en inversa externo se incrementa


a un valor llamado voltaje de ruptura, la corriente en inversa
se incrementará drásticamente
Curva Característica del
Diodo
 I Cuadrante P.D., una vez que el
voltaje alcanza el potencial de
barrera la 𝐼𝐷 se incrementa
drásticamente, se limita con un
resistor en serie
 III Cuadrante  P.I., el voltaje en
inversa 𝑉𝑅 permanece cerca de cero
hasta que alcanza el voltaje de
ruptura 𝑉𝐵𝑅 ,si no se limita puede
destruir al diodo
 El 𝑉𝐵𝑅 depende del nivel de
dopado, está establecido por el
fabricante según el tipo de diodo.
Aplicaciones
con diodo
Rectificadores de media onda
Rectificadores de Onda
Completa
 Permite corriente unidireccional hacia la carga durante todo el ciclo de entrada, el
resultado de la rectificación de onda completa es un voltaje de salida con una
frecuencia del doble de la frecuencia de entrada, por lo tanto el valor promedio
es:

2𝑉𝑝
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 = ó 𝑉𝑐𝑑 = 0.636𝑉𝑚
𝜋
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

• Rectificador de onda completa en configuración puente

• Durante t=0 para T/2, los diodos actúan como se muestra en la figura
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

• Considerando las características ideales de los diodos, la


configuración del rectificador es:

𝑣𝑜 = 𝑣𝑖
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

• Durante el semi-ciclo negativo, la configuración es:

• La forma de onda de salida es: