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Átomo

Es la unidad más pequeña de un elemento químico que


mantiene su identidad o sus propiedades, y que no es
posible dividir mediante procesos químicos.

Su denso núcleo representan el 99.9% de la masa del


átomo.

El átomo esta constituido por un núcleo conformado


por protones que tienen carga eléctrica positiva y por
neutrones que tienen carga eléctrica neutra. Rodea al
núcleo una envoltura de electrones, de carga negativa,
cuyo numero es igual al de protones en el núcleo.
Conductividad

La conductividad eléctrica es la capacidad de un cuerpo o


medio para conducir la corriente eléctrica, es decir, para
permitir el paso a través de él de partículas cargadas, bien
sean los electrones, los transportadores de carga en
conductores metálicos o semimetálicos, o iones, los que
transportan la carga en disoluciones de electrolitos.

La conductividad es la inversa de la resistividad, por tanto


, y su unidad es el S/m (siemens por metro) o Ω-1·m-1.
EL CONDUCTOR DE CORRIENTE ELÉCTRICA

Conductores son todos aquellos materiales o elementos que permiten


que los atraviese el flujo de la corriente o de cargas eléctricas en
movimiento. Si establecemos la analogía con una tubería que contenga
líquido, el conductor sería la tubería y el líquido el medio que permite el
movimiento de las cargas.

Cuando se aplica una diferencia de potencial a los extremos de un trozo


de metal, se establece de inmediato un flujo de corriente, pues los
electrones o cargas eléctricas de los átomos que forman las moléculas del
metal, comienzan a moverse de inmediato empujados por la presión que
sobre ellos ejerce la tensión o voltaje.

Esa presión procedente de una fuente de fuerza electromotriz (FEM)


cualquiera (batería, generador, etc.) es la que hace posible que se
establezca un flujo de corriente eléctrica a través del metal.
El cobre es un buen conductor. La razón es su estructura
atomica.

El nucleo o centro del atomo contiene 29 protones


(cargas positivas) y 29 electrones (cargas negativas)
alrededor del nucleo.

Los electrones viajan en distintas orbitas (tambien


llamadas capas).

Hay 2 electrones en el primer orbital, 8 electrones en el


segundo, 18 en el tercero y 1 en el orbital exterior.

Cantidad electrones en capa n = 2 * n2


Cuanto mas lejana es la orbita de un electron menor es
la atraccion del nucleo.

Los electrones de l0s orbitales mas alejados del centro


se mueven a menor velocidad, produciendo menos
fuerza centrifuga.

El electron mas externo viaja muy lentamente y


practicamente no se siente atraido hacia el nucleo.

Como el electron de valencia es atraido muy


debilmente por la parte interna del Atomo, una fuerza
externa puede arrancar facilmente este electron, al que
se le conoce como electron libre, y, por eso mismo, el
cobre es un buen conductor
Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta


como un conductor o como aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo
eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre.
Un Atomo de silicio aislado tiene 14 protones y 14 electrones.
Cuando l0s Atomos de silicio se combinan para formar un
solido, lo hacen en una estructura ordenada llamada
cristal. Cada atomo de silicio comparte sus
electrones de valencia con 10s Atomos de silicio vecinos,
de tal manera que tiene 8 electrones en el orbital de
valencia.
Cada atomo en un cristal de silicio tiene 8 electrones en su
orbital de valencia. Estos 8 electrones producen una
estabilidad quimica que da como resultado un cuerpo
compact0 de material de silicio.

L0s ocho electrones de valencia se llaman electrones ligados


por encontrarse fuertemente unidos a l0s atomos.

Debido a estos electrones ligados, un cristal de silicio es casi


un aislante perfecto a temperatura ambiente
Al aumentar la temperatura ambiente , la energia termica del
aire circundante hace que l0s atomos en un cristal de silicio
vibren dentro del cristal. Cuanto mayor sea la temperatura, mas
intensas seran las vibraciones mecanicas de estos atomos.
Si se toca un objeto, el calor que transmite proviene de la
vibracion de l0s atomos.
Las vibraciones de 10s Atomos de silicio pueden,
ocasionalmente, hacer que se desligue un electron del orbital
de valencia. Cuando esto sucede, el electron liberado gana la
energia suficiente para situarse en un orbital de nivel energetico
mayor.
En dicho orbital, el electron es un electron libre. La salida del
electron deja un vacio, que se denomina hueco, en el orbital de
valencia, y que se comporta como una carga positiva porque la
perdida de un electr6n produce un ión positivo.
Un semiconductor intrinseco es un
semiconductor puro. Un cristal de silicio es un
semiconductor intrinseco si cada atomo del
cristal es un atomo de silicio.

A temperatura ambiente, un cristal de silicio se


comporta mas o menos como un aislante, ya que
tiene solamente unos cuantos electrones libres y
sus huecos correspondientes producidos por la
energia termica que posee dicho cristal.
DOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS O
DOPADOS

Un semiconductor se- puede dopado para que tenga un exceso


de electrones libres o un exceso de huecos.

Debido: a ello existen dos tipos de semiconductores dopados.

Tipo N
Tipo P
Semiconductor tip0 n
El silicio que ha sido dopado con una impureza de material pentavalente
como Antimonio, fosforo o arsenico se llama semiconductor tipo N.

Donde los ectrones superan a 10s huecos, reciben el nombre de portadores


mayoritarios, mientras que a 10s huceos se les denomina portadores
minoritarios.
Al aplicarse una tension, 10s e1ectrones libres dentro del semiconductor
se mueven hacia la izquierda y los huecos hacia la derecha.

Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de 10s electrones
del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.
Los electrones libres circulan hacia el extremo izquierdo,del cristal donde
etran a1 conductor para circular hacia el terminal positivo de la bateria.
Semiconductor tip0 p
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes del tipo
Boro, galio o Indio
Como el numero.de huecos supera al numero de electrones libres,
10s huecos son 10s portadores mayoritarios y 10s electrones libres
son 10s minoritarios.
A1 aplicarse una tension, 10s electrones libres se mueven hacia la
izquierda y 10s huecos lo hacen hacia la derecha.
Los huecos que llegan a1 extremo derecho del cristal se
recombinan con 10s electrones libres del circuito externo.
Tambien hay un flujo de portadores minoritarios. Los electrones
libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda.
Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi
despreciable en este circuito.