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G A

A K
G K
SCR
GTO

ELEMENTOS DE
ELECTRONICA DE
POTENCIA
vd
Vm

+
+_ wt
Vm sen(wt)
vd
α  +α 2
_

-
Vm

Departamento de Electricidad y Electrónica


UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER

Ing. M.Sc. Germán Enrique Gallego R


1
PREFACIO
Este libro tiene como propósito servir de apoyo a los estudiantes de
Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Electromecánica que se inician en el
estudio de la electrónica de potencia y su realización consultó una extensa
bibliografía del área.

La electrónica de potencia se puede definir como un saber de la ingeniería


, que integra los métodos y conceptos de la electrotecnia, el control y la
electrónica, para el control y conversión de la energía eléctrica.

Dado el carácter integrador de saberes de la electrónica de potencia se


presentan serias dificultades a los estudiantes en la comprensión de sus
conceptos y métodos, que se reflejan en bajos niveles de aprobación en la
asignatura. Una de las intenciones para elaborar este texto, es poner al
alcance de los estudiantes los contenidos básicos de la asignatura,
desglosando conceptos y métodos, con la esperanza de mejorar el nivel de
desempeño estudiantil

Este material se ha utilizado por 6 semestres con los estudiantes de


Ingeniería Electromecánica y Electrónica de la Universidad Francisco de
Paula Santander en la ciudad de Cúcuta (Colombia), quienes han ayudado
con sus preguntas, a mejorar didácticamente el texto

Mis agradecimientos al Dr. Alfonso Alzate Gomez, profesor y director


del grupo de investigación en electrónica de potencia en la Universidad
Tecnológica de Pereira, por la revisión y sugerencias hechas al texto.

También es oportuno reconocer la gran colaboración de los estudiantes de


Ingeniería Electromecánica U.F.P.S. Jackson Yulyan Ramírez Parra y
Merielen Ardila Triana ,en la elaboración de los dibujos y gráficos del texto.

El autor dedica este trabajo a los grandes amores de su vida, en especial a


Dexy y Anahy, y a sus estudiantes, compañeros en el camino del
aprendizaje

2
CONTENIDO

Pág.

INTRODUCCIÓN 24

UNIDAD 1
CONCEPTOS BÁSICOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA
1.1 NATURALEZA Y APLICACIONES DE ELECTRÓNICA 34
DE POTENCIA
1.2 SISTEMA DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (SEP) 35
1.2.1 Diagrama de bloques 35
1.2.2 Funciones y elementos de los bloques de un SEP 35
1.3 FUENTES DE ENERGÍA PRIMARIA 36
1.3.1 Red de suministro de voltaje alterno 36
1.3.2 Baterías 37
1.3.3 Generador eólico 38
1.3.4 Generador fotovoltaico 39
1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELÉCTRICOS Y 40
MAGNÉTICOS
1.4.1 El capacitor 40
1.4.1.1 Generalidades 41
1.4.1.2 Modelo circuital del capacitor 41
1.4.1.3 Clases de capacitores 42
1.4.2 El transformador 43
1.4.2.1 Aspectos constructivos y operacionales 43
1.4.2.2 El transformador ideal 45
1.4.2.3 Acoplamiento de impedancias 45
1.4.2.4 Material magnético real 46
1.4.2.5 Modelo del transformador de permeabilidad finita 46
1.4.2.6 Transformador de pulsos
47
1.4.3 El inductor 48

3
Pág.

1.4.3.1 Aspectos constructivos y operacionales 48


1.4.3.2 Comportamiento del inductor 49
1.4.3.2.1 Excitación sinusoidal 49
1.4.3.2.2 Excitación alterna cuadrada 49
1.4.3.3 Pérdidas de potencia en componentes magnéticos 50
1.4.3.4 Modelo circuital del inductor 51
1.4.3.5 Cálculo de la inductancia sin entrehierro 51
1.5 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES IDEALES 52
1.5.1 Diodos-tiristores 52
1.5.2 Transistores de potencia 53
1.5.3 Características de control de los semiconductores de potencia 54
1.6 CIRCUITOS EXCITADOS POR FUENTES CONTINUAS 55
1.6.1 Circuito RC 55
1.6.2 Circuito RL 56
1.6.3 Circuito LC 57
1.6.4 Circuito LC de funcionamiento libre 58
1.7 MODELAMIENTO DE INTERRUPTORES 59
1.7.1 Características de un interruptor ideal 59
1.7.2 Características de un interruptor real 59
1.7.3 Características de un interruptor en conmutación 59
1.8 CIRCUITOS CONMUTADOS CON EXCITACIÓN CONSTANTE 60
1.8.1 Circuito resistivo 60
1.8.2 Circuito capacitivo 60
1.8.3 Circuito inductivo 61
1.8.4 Circuito R-L 62
1.8.5 Circuito R-C 63
1.9 CARACTERÍSTICAS DE SEÑALES 64
1.9.1 Señales periódicas bipolares 64
1.9.2 Señal periódica unipolar 65

4
Pág.

1.9.3 Señal periódica PWM 65


1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIÓN SINUSOIDAL Y 66
CARGA LINEA
1.10.1 Circuito R-L 66
1.10.2 Circuito R-L-C 68
1.11 FLUJO DE POTENCIA EN REDES NO LINEALES 69
Y EXCITACIÓN NO SINUSOIDAL
1.12 FACTOR DE POTENCIA Y DISTORSIÓN DE 70
CIRCUITOS CON FUENTE SINUSOIDAL Y CARGA LINEAL
1.13 FILTROS 71
1.13.1 Filtro de entrada 71
1.13.2 Filtro de salida 71
1.14 TOPOLOGÍAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES 72
1.14.1 Convertidor CA/CD no controlado con cuatro interruptores 72
1.14.2 Convertidor CA/CD no controlado con dos interruptores 73
1.14.3 Convertidor CA/CD controlado 74
1.14.4 Convertidor CD/CA de conmutación a baja frecuencia 75
1.14.5 Convertidor CD/CA con modulación de ancho de 76
pulso (PWM)
1.14.6 Convertidor CD/CA resonante 77
1.14.7 Convertidor CD/CD de alta frecuencia de conmutación 78
1.14.7.1 Convertidor CD/CD directo 78
1.14.7.2 Convertidor CD/CD indirecto 79
1.14.7.3 Convertidor CD/CD con encadenamiento CA 80
1.14.8 Convertidor CA/CA 81
1.14.8.1 Convertidor CA/CA controlador CA 81
1.14.8.2 Convertidor CA/CA ciclo convertidor 82
1.14.8.3 Convertidor CA/CA con encadenamiento en CD 83
1.15 IMPLEMENTACIÓN DE UN INTERRUPTOR POR UN 84
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR
Bibliografía 85

5
Pág.

Actividades: teoría y problemas 86


UNIDAD 2
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA 97
2.1 CLASIFICACIÓN 97
2.2 DIODOS DE POTENCIA 99
2.2.1 Generalidades 99
2.2.2 Características nominales 100
2.2.3 Conexión serie de los diodos 101
2.2.3.1 Cálculo del resistor 102
2.3 DIODOS BIDIRECCIONALES DE DISPARO 103
CONTROLADOS POR VOLTAJE
2.4 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) 104
2.4.1 Características constructivas y operativas 104
2.4.2 Características nominales del SCR 105
2.4.3 Modelo del SCR
106
2.4.4 Encendido del SCR 108
2.4.5 Apagado del SCR(conmutación) 109
2.4.6 Circuito de compuerta 110
2.4.7 Inter-fases de disparo 111
2.4.7.1 Introducción 111
2.4.7.2 Transformadores de pulso 112
2.4.7.3 Opto- acopladores 113
2.4.7.4 Diseño del circuito de disparo con transformador de pulsos 114
2.4.8 Circuito snubber de voltajes y corriente 115
2.4.8.1 Circuito snubber de voltaje 115
2.4.8.2 Circuito snubber de corriente 116
2.4.9 Circuitos de disparo del SCR 117
2.4.9.1 Oscilador de relajación 117

6
Pág.

2.4.9.2 Dispositivos de resistencia negativa 117


2.4.9.2.1 Características del UJT 118
2.4.9.2.2 Oscilador con UJT 119
2.4.9.3 El PUT 120
2.4.9.3.1 Oscilador con PUT 121
2.4.9.3.2 Sincronización de la fuente del oscilador con la 122
fuente de corriente alterna
2.4.9.3.3 Aplicaciones del oscilador con PUT 123
2.4.9.3.3.1 Controlador de media onda 123
2.4.9.3.3.2 Controlador de onda completa 124
2.5 Tiristor de apagado por compuerta 125
2.5.1 Características constructivas y operativas 125
2.5.2 Modelo del GTO 126
2.5.3 Encendido y apagado del GTO 127
2.5.4 Circuitos de protección en la conmutación (snubber) 129
2.5.5 Circuito de disparo del GTO 129
2.6 TRIAC 130
2.6.1 Características constructivas y operativas 130
2.6.2 Circuitos de disparo del triac 131
2.7 Transistor bipolar de unión (BJT) 132
2.7.1 Características constructivas y operativas 132
2.7.2 Características de encendido 133
2.8 Transistor de efecto campo 134
2.8.1 Características constructivas y operativas 134
2.8.2 Modelamiento 135
2.8.3 Circuito de disparo 136
2.9 Transistor bipolar de compuerta aislada 137
2.9.1 Características constructivas y operativas 137
2.9.2 Modelamiento 138
2.9.3 Circuito de disparo 139

7
Pág.

Actividades: teoría y problemas 142

UNIDAD 3
CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS 146
3.0 Introducción 146
3.1 Rectificador de media onda y carga resistiva 147
3.2 Rectificador de media onda y carga resistiva-inductiva 148
3.3 Rectificador de media onda y carga resistiva-inductiva
con diodo de rueda libre 149
3.4 Rectificador de media onda y carga resistiva-inductiva 150
con diodo de rueda libre e inductancia en la fuente
3.5 Rectificador de media onda y carga resistiva-capacitiva 151
3.6 Rectificador monofásico tipo semi-puente 152
3.7 Rectificador monofásico tipo puente con carga muy inductiva 153
3.8 Rectificador monofásico tipo puente con carga muy inductiva 154
e inductancia en la fuente
3.9 Rectificador trifásico de tres pulsos 155
3.10 Rectificador trifásico de seis pulsos 156
3.10.1 Formas de onda de la corriente en la fuente del 157
rectificador de seis pulsos
3.11 Rectificador de doce pulsos 158
3.12 Filtros CA y CD para rectificadores monofásicos con carga 159
muy inductiva
3.12.1 Filtro CD capacitivo para rectificador monofásico 160
3.12.2 Filtro CD inductivo-capacitivo para rectificador monofásico 161
3.12.3 Filtro CA para rectificador monofásico 162
Bibliografía 163
Actividades :teoría y problemas 164

8
Pág.

UNIDAD 4
CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS 170
4.0 Introducción 170
4.1 Rectificador controlado de media onda y carga resistiva 171
4.2 Rectificador controlado monofásico tipo semi-puente 172
4.3 Rectificador controlado monofásico tipo puente con carga 173
muy inductiva
4.4 Rectificador controlado monofásico tipo puente y carga con 174
fuerza electromotriz
4.5 Factor de potencia del Rectificador controlado monofásico 175
tipo puente y carga muy inductiva
4.6 Rectificador tipo puente con inductancia de conmutación 176
4.7 Rectificador controlado monofásico tipo semi-puente con 177
carga muy inductiva
4.8 Factor de potencia del rectificador controlado tipo semi-puente 178
con carga muy inductiva
4.9 Rectificador controlado tipo semi-puente con inductancia de 179
conmutación y carga muy inductiva
4.10 Circuitos de control para rectificadores monofásicos 180
4.10.1 Introducción 180
4.10.2 Control tipo rampa 181
4.10.3 Control cosenoidal con componente CD 182
4.10.4 Control cosenoidal puro 183
4.10.5 Control de lazo cerrado para rectificadores 184
4.11 Rectificador trifásico controlado de serie pulsos 185
4.11.1 Voltaje de salida 185
4.11.2 Corriente de la fuente y factor de potencia 186
4.11.3 Control rampa para rectificadores trifásicos 187
Bibliografía 188
Actividades: teoría y problemas 189

9
Pág.
UNIDAD 5

5.1 FUENTES CD LINEALES VS FUENTES CONMUTADAS 195


5.2 INTRODUCCIÓN A LOS CONVERTIDORES CD/CD 196
CONMUTADOS
5.3 CELDA CANÓNICA DE CONMUTACIÓN. 197
5.4 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO REDUCTOR. 198
5.4.1 Modo de conducción continuo . 198 5.4.2
Implementación de interruptores. 199
5.5 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO ELEVADOR. 200
5.5.1 Modo de conducción continuo. 200
5.5.2 Implementación de interruptores. 201
5.6 MODELO CIRCUITAL DEL CONVERTIDOR DIRECTO. 202
PARA RIZADO DE VOLTAJE Y CORRIENTE
5.6.1 Cálculo de L y C mínimos . 202
5.6.2 Inductancia crítica. 204
5.7 CONDUCCIÓN DISCONTINUA CON V1 CONSTANTE
DEL CONVERTIDOR DIRECTO REDUCTOR. 205
5.8.CONVERTIDOR INDIRECTO(REDUCTOR/ELEVADOR). 206
5.8.1 Modo de conducción continuo . 207
5.8.2 Implementación de interruptores. 208
5.8.3 Modelo circuital para rizado de voltaje y corriente. 209
5.8.5 Inductancia crítica. 210
5.9 VARIANTES TOPOLÓGICAS DEL CONVERTIDOR 211
INDIRECTO.
5.10 CIRCUITOS DE CONTROL-CONVERTIDOR NO AISLADO 212
5.11 CONVERTIDORES AISLADOS “BUCK-DERIVED” 213
5.12 CONVERTIDORES AISLADOS. 214
5.13 CONVERTIDOR AISLADO FLY-BACK. 215
Bibliografía 216
Actividades: teoría y problemas 217

10
Pág.

UNIDAD 6: CONVERTIDORES CD/CA


6.0 INTRODUCCIÓN. 222
6.1 INVERSOR DE VOLTAJE CON BAJA FRECUENCIA DE 223
CONMUTACIÓN
6.1.1 Carga resistiva. 223
6.1.2 Carga resistiva-inductiva. 224
6.1.3 Carga con f.e.m. 225
6.2 INVERSOR DE CORRIENTE DE BAJA FRECUENCIA
DE CONMUTACIÓN. 226
6.3 ANÁLISIS DE ARMÓNICOS EN INVERSORES DE
BAJA FRECUENCIA . 227
6.4 INVERSORES CON MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO. 228
6.4.1 Del convertidor CD/CD al inversor PWM 228
6.4.2 Convertidor CD/CD y “desrectificador 230
6.4.3 Inversor puente PWM. 231
6..4.4 Generación de la relación de trabajo. 232
6.5 INVERSORES TRIFÁSICOS. 233
6.5.1 Configuración. 233
6.5.2 Inversor trifásico –carga delta o estrella. 234
Bibliografía 235
Actividades: teoría y problemas 236

UNIDAD 7: ANÁLISIS Y DISEÑO DE LOS COMPONENTES


MAGNÉTICOS.
7.1 INTRODUCCIÓN A LOS COMPONENTES MAGNÉTICOS 240
7.2 COMPORTAMIENTO DE UN COMPONENTE MAGNÉTICO. 241
7.3 MODELO MATEMÁTICO DE LA INDUCTANCIA. 242
7.3.1 Cálculo de la inductancia 242
7.3.2 Cálculo de la inductancia del toroide 244
7.4 APLICACIÓN DEL CONCEPTO DE RELUCTANCIA AL 245
CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA DE UN NÚCLEO DE
TRES RAMAS.
7.5 INDUCTOR DE NÚCLEO CON ENTREHIERRO. 247

11
Pág.

7.6 EL TRANSFORMADOR. 249


7.6.1 Aspectos constructivos y operacionales. 249
7.6.2 Modelamiento del transformador. 251
7.6.2.1 Transformador ideal. 251
7.6.2.2 Transformador con permeabilidad finita. 253
7.6.3 Saturación del transformador . 255
7.7 FENÓMENO DE HISTÉRESIS EN NUCLEOS 256
MAGNÉTICOS.
7.8 CORRIENTES PARÁSITAS Y SUS EFECTOS 257
EN NÚCLEOS.
7.9 EFECTO PIEL EN CONDUCTORES. 258
7.10 SOLUCIONES AL EFECTO PIEL. 260
7.11 MODELAMIENTO DE LAS PÉRDIDAS EN UN INDUCTOR. 261
7.12 MODELAMIENTO DEL INDUCTOR. 262
7.12.1 Excitación constante 262
7.12.2 Excitación alterna sinusoidal 263
7.12.3 Excitación alterna cuadrada
264
7.13 CLASES DE NÚCLEOS Y PARÁMETROS GEOMÉTRICOS. 265
7.14 DIMENSIONES ÓPTIMAS DE LOS NÚCLEOS. 266
7.15 MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DE CALOR 268
7.15.1 Transferencia por conducción. 268
7.15.2 Transferencia por convección. 269
7.15.3 Transferencia de calor por radiación. 270
7.16 CONSIDERACIONES TÉRMICAS PARA EL DISEÑO. 271
7.17 PÉRDIDAS EN EL BOBINADO POR RESISTENCIA. 273
7.18 PÉRDIDAS DE POTENCIA EN UN COMPONENTE 274
MAGNÉTICO.
7.19 RELACIÓN ENTRE Puv Y “ J” CON LA GEOMETRÍA DEL
NÚCLEO. 275
7.20 CÁLCULO DEL VALOR PICO DE “B” EN EL NÚCLEO. 277
7.21 CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA SIN ENTREHIERRO. 278
7.22 DISEÑO DE UN INDUCTOR SIN ENTREHIERRO. 279

12
Pág.

7.23 APLICACIONES Y CARACTERÍSTICAS DE LAS


FERRITAS. 280
7.24 EFECTO DEL ENTREHIERRO EN LA CURVA DE
HISTÉRESIS. 281
7.2.5 EFECTO DEL ENTREHIERRO EN LA DISTRIBUCIÓN 283
DE “B”.
7.2.6 NÚCLEO EQUIVALENTE. 284
7.2.7 CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA CON ENTREHIERRO. 285
7.2.8 DETERMINACIÓN DEL ENTREHIERRO. 286
7.2.9 DISEÑO DE UN INDUCTOR CON ENTREHIERRO 287
7.3.0 EJEMPLO DE DISEÑO DE UN INDUCTOR CON
ENTREHIERRO 288
7.3.1 ARROLLAMIENTOS DEL TRANSFORMADOR. 295
7.3.2 POTENCIA APARENTE DEL TRANSFORMADOR. 297
7.3.3 CÁLCULO DEL INCREMENTO DE TEMPERATURA . 298
7.3.3.1 Áreas de disipación de transformadores. 299
7.3.4 DISEÑO DEL TRANSFORMADOR. 300
7.3.4.1 Diseño de un transformador en baja frecuencia. 301
7.3.4.2 Diseño de un transformador en alta frecuencia 307
7.3.5 TRANSFORMADORES DE INSTRUMENTOS 309
7.3.6 ANÁLISIS DEL TRANSFORMADOR DE CORRIENTE. 310
Bibliografía 313
Actividades: teoría y problemas 314

13
LISTA DE FIGURAS
Pág.

Fig. 1.01 Electrónica de potencia


34
Fig. 1.02 Diagrama de bloques de un SEP 35
Fig. 1.03 Acometidas subterráneas 36
Fig. 1.04 Estructura de la batería 37
Fig. 1.05 Elementos de un generador 38
Fig. 1.06 Conexión del aerogenerador a la red 38
Fig. 1.07 Panel solar 39
Fig. 1.08 Sistema de generación fotovoltaico 39
Fig. 1.09 Geometría del capacitor de placas paralelas 40
Fig. 1.10 Circuito equivalente del capacitor 41
Fig. 1.10.1 Clases de capacitores 42
Fig. 1.11 El transformador 43
Fig. 1.12 Modelo circuital del transformador ideal 45
Fig. 1.13 Transformación de impedancias 45
Fig. 1.13.1 Curva de magnetización 46
Fig. 1.14 Flujos con μ finito 46
Fig. 1.15 Modelo circuital con μ finito 46
Fig. 1.16 Transformador de pulsos 47
Fig. 1.17 Núcleos magnéticos 48
Fig. 1.18 Inductor toroidal 48
Fig. 1.19 Excitación sinusoidal 49
Fig. 1.20 Excitación alterna cuadrada 49
Fig. 1.21 Lazo de histéresis 50
Fig. 1.22 Corrientes parásitas 50
Fig. 1.23 Efecto piel 50
Fig. 1.24 Modelo circuital 51
Fig. 1.25 Caracterización del núcleo 51

14
Pág.

Fig. 1.26 Circuito RC. 55


Fig. 1.27 Circuito RL. 56
Fig. 1.28 Circuito LC . 56
Fig. 1.29 Circuito LC oscilante . 58
Fig. 1.30 Interruptor ideal . 59
Fig. 1.31 Interruptor real . 59
Fig. 1.32 Interruptor conmutado . 59
Fig. 1.33 Circuito resistivo . 60
Fig. 1.34 Circuito capacitivo . 60
Fig. 1.35 Circuito inductivo . 61
Fig. 1.36 Circuito R-L. 62
Fig. 1.37 Circuito RC conmutado . 63
Fig. 1.38 Señal periódica bipolar . 64
Fig. 1.39 Señal periódica unipolar . 65
Fig. 1.40 Señal periódica PWM . 65
Fig. 1.40.1 Circuito RL excitación sinusoidal 66
Fig. 1.41 Circuito RLC con excitación sinusoidal . 68
Fig. 1.42 Formas de onda de un circuito no lineal con 69
excitación no sinusoidal
Fig. 1.43 Formas de onda de un circuito no lineal con 70
excitación sinusoidal .
Fig. 1.44 Filtro de entrada. 71
Fig. 1.45 Filtro de salida de un SEP . 71
Fig. 1.46 Convertidor CA/CD no controlado . 72
Fig. 1.47 Convertidor CA/CD no controlado con dos 73
interruptores .
Fig. 1.48 Convertidor CA/CD controlado . 74
Fig. 1.49 Convertidor CD/CA conmutado a baja frecuencia . 75
Fig. 1.50 Convertidor CD/CA PWM 76
Fig. 1.51 Convertidor CD/CA resonante 77

15
Pág.

Fig. 1.52 Convertidor CD/CD directo 78


Fig. 1.53 Convertidor CD/CD buck-boost 80
Fig. 1.54 Convertidor CD/CD con encadenamiento CA 81
Fig. 1.55 Controlador CA 82
Fig. 1.56 Ciclo convertidor 83
Fig. 1.57 Convertidor CA/CA con encadenamiento CD 84
Fig.1.58 Implementación del interruptor N en un convertidor 85
CD/CD directo reductor
Fig. 2.01 Símbolos de los dispositivos semiconductores 99
Fig. 2.02 Diodos de potencia 100
Fig. 2.03 Parámetros del diodo 101
Fig. 2.04 Conexión serie de los diodos 102
Fig. 2.05 Conexión serie de los diodos 103
Fig. 2.06 DIAC y SIDAC 104
Fig. 2.07 Rectificador controlado de silicio 105
Fig. 2.08 Modelamiento del SCR en régimen permanente 106
Fig. 2.09 Modelamiento del SCR en régimen transitorio 108
Fig. 2.10 Encendido del SCR 109
Fig. 2.11 Conmutación natural 110
Fig. 2.12 Conmutación forzada 110
Fig. 2.13 Circuito de compuerta 111
Fig. 2.14 Interfaces de disparo 112
Fig. 2.15 Transformador de pulsos 113
Fig. 2.16 Opto acopladores 114
Fig. 2.17 Circuito de disparo con transformador de pulsos 115
Fig. 2.18 Circuito snubber de voltaje 116
Fig. 2.19 Circuito snubber de corriente 117
Fig. 2.20 Oscilador de relajación 118

16
Pág.

Fig. 2.22 PUT 120


Fig. 2.23 Oscilador con PUT 121
Fig. 2.24 Sincronización del pulso del oscilador con la fuente 122
Fig. 2.25 Control de media onda 123
Fig. 2.26 Control de onda completa 124
Fig. 2.27 GTO 125
Fig. 2.28 Modelo del GTO 126
Fig. 2.29 Forma de onda de la corriente de la compuerta del GTO 127
Fig. 2.30 Conmutación del GTO 128
Fig. 2.31 Circuito de disparo del GTO 129
Fig. 2.32 TRIAC 130
Fig. 2.33 Circuitos de disparo del triac 131
Fig. 2.34 BJT 132
Fig. 2.35 Encendido y apagado del BJT 133
Fig. 2.36 MOSFET canal N 134
Fig. 2.37 Modelo del MOSFET 135
Fig. 2.38 Disparo del MOSFET 136
Fig. 2.39 IGBT 137
Fig. 2.40 El IGBT
138
Fig. 2.41 Circuito de disparo 139
Fig. 3.0 Procesos de voltaje DC 146
Fig. 3.01 Rectificador monofásico con carga resistiva 147
Fig. 3.02 Rectificador monofásico con carga resistiva -inductiva 148
Fig. 3.03 Rectificador de media onda con carga resistiva -inductiva 149
y diodo de rueda libre
Fig. 3.04 Rectificador de media onda, diodo de rueda libre e 150
inductancia en la fuente

17
Pág.

Fig. 3.05 Rectificador monofásico con carga resistiva capacitiva 150


Fig. 3.06 Rectificador de onda completa 151
Fig. 3.07 Rectificador de onda completa 152
Fig. 3.08 Rectificador de onda completa 153
Fig. 3.09 Rectificador trifásico de tres pulsos 154
Fig. 3.10 Rectificador de seis pulsos 155
Fig. 3.11 Corrientes en un rectificador de seis pulsos 156
Fig. 3.12 Rectificador doce pulsos 157
Fig. 3.13 Filtros CA/CD 158
Fig. 3.14 Filtro DC capacitivo 159
Fig. 3.15 Filtro inductivo capacitivo 160
Fig. 3.16 Filtro CA 161
Fig. 4.0 Aplicaciones de convertidores CA/CD controlados 169
Fig. 4.01 Rectificador controlado de media onda con carga resistiva 170
Fig. 4.02 Rectificador controlado semi-puente con carga resistiva 171
Fig. 4.03 Rectificador controlado de onda completa 172
Fig. 4.04 Rectificador controlado de onda completa y carga con 173
fuerza electromotriz
Fig. 4.05 Factor de potencia en un rectificador de onda completa 174
Fig. 4.06 Rectificador puente con inductancia de conmutación 175
Fig. 4.07 Rectificador controlado semipuente 176
Fig. 4.08 Factor de potencia en un rectificador en semi-puente 177
Fig. 4.09 Rectificador semipuente con inductancia de conmutación 178
Fig. 4.10 Tipos de control de convertidores CA/CD 179
Fig. 4.11 Control tipo rampa 180
Fig. 4.12 Control cosenoidal con componente DC 182
Fig. 4.13 Control cosenoidal puro 183

18
Pág.
Fig.4.14 Control de lazo cerrado 184
Fig. 4.14 Rectificador trifásico controlado 185
Fig. 4. 15 Corriente de línea del rectificador de seis pulsos 186
Fig. 4.16 Control rampa para rectificador trifásico 187
Fig. 5.1 Fuentes CD lineales y conmutadas 195
Fig. 5.2 Diagrama de bloques de un convertidor C/DCD 196
conmutado(3)
Fig. 5.3 Topología mas elemental del convertidor CD/CD 197
Fig. 5.4 Convertidor directo
198
Fig. 5.5 Implementación de interruptores 199
Fig. 5.6 Convertidor elevador
200
Fig. 5.7 Implementación de interruptores 201
Fig. 5.8 Modelos circuitales para los rizados de voltaje y 202
corriente del convertidor directo
Fig. 5.9 Modelos circuitales para los rizados de voltaje 203
y corriente del convertidor directo.
Fig. 5.10.Límite de operación continua del convertidor directo 204
Fig. 5.11 Convertidor directo operación discontinua 205
Fig. 5.12 Convertidor indirecto 206
Fig. 5.13 Implementación de interruptores 207
Fig. 5.14 Modelos circuitales para los rizados de voltaje
y corriente del convertidor indirecto 208
Fig. 5.15 Modelos circuitales para los rizados de voltaje
y corriente del convertidor indirecto 209
Fig. 5.16 Límite de operación continuo en el convertidor 210
indirecto
Fig. 5.17. Modelos circuitales para los rizados de voltaje 211
y corriente del convertidor indirecto
Fig. 5.18 Control de modo voltaje de convertidores no aislados 212
Fig. 5.19 Convertidores aislados derivados del convertidor 213
reductor
Fig. 5.20 Convertidores aislados derivados del convertidor reductor 214
Fig. 5.21 Convertidor fly-back 215

19
Pág.

Fig. 5.23 Convertidor fly-back 218


Fig. 6.01 Aplicaciones de los convertidores CD/CA 222
Fig 6.02 Inversor tipo puente con carga resistiva 223
Fig. 6.03 Inversor puente con carga resistiva-inductiva 224
Fig 6.04 Puente inversor con carga con f.e.m.
Fig 6.05 Fuente inversora de corriente 226
Fig 6.06 Reducción de armónicos en inversores de baja frecuencia 227
de conmutación
Fig. 6.07 Convertidor reductor con relación de trabajo variable 228
Fig. 6.08 Convertidor reductor con relación de trabajo sinusoidal 229
Fig. 6.09 Convertidor CD/ CD y “desrectificador ’’ 230
Fig. 6.10 Inversor PWM 231
Fig. 6.11 Generación de la relación de trabajo sinusoidal PWM 232
Fig. 6.12 Inversor trifásico 233
Fig. 6.13 Inversor trifásico 234
Fig. 7.1 Inductor 240
Fig. 7.2 Transformador 240
Fig. 7.3 Relación v – i.(7) 241
Fig. 7.4 Curva de magnetización del núcleo.(7) 241
Fig. 7.5 Inductor toroidal 242
Fig. 7.6 Cálculo de la inductancia 244
Fig. 7.7 Núcleo de tres ramas 245
Fig. 7.8 Inductor con entrehierro 247
Fig. 7.9 Transformador de dos arrollamientos. 249
Fig. 7.10 Transformador Ideal. 251
Fig. 7.11. Transformador con permeabilidad finita. 253
Fig. 7.12 Saturación en el transformador. 255
Fig. 7.13 Histéresis. 256
Fig. 7.14Corrientes parásitas en el núcleo y sus efectos. 257
Fig. 7.15 Efecto piel en conductores. 258
Fig. 7.16 Efecto de la frecuencia de la corriente en la densidad 259
de la corriente (efecto piel).(4)
Fig. 7.17 Optimización de los conductores. 260
Fig. 7.18 Modelamiento de las pérdidas. 261
20
Pág.

Fig. 7.19 Inductor con excitación constante. 262


Fig. 7.20 Inductor con excitación sinusoidal. 263
Fig. 7.21 Inductor con excitación alterna cuadrada. 264
Fig. 7.22 Clases de núcleos 265
Fig. 7.23 Dimensiones del núcleo y formaleta de la bobina. 266
Fig. 7.24 Bobina ensamblada. 267
Fig. 7.25 Transferencia de calor por conducción. 268
Fig. 7.26 Flujo de calor por convección de una placa vertical. 269
Fig. 7.27Flujo de calor por radiación. 270
Fig. 7.28 Inductor con entre-hierro y núcleo E-E. 271
Fig. 7.28 Inductor con entre-hierro y núcleo E-E. 272
Fig. 7.29 Pérdidas por resistencia. 273
Fig. 7.30 Pérdidas de potencia. 274
Fig. 7.31 J y Puv en función de la dimensión a . 275
Fig. 7.32 Campo magnético en un inductor con corriente 277
CA y CD.
Fig. 7.33 Inductor sin entrehierro. 278
Fig. 7.34 Efecto del entrehierro en la curva B - H. 281
Fig. 7.35 Efecto del entrehierro en B. 283
Fig. 7.36 Núcleo equivalente. 284
Fig. 7.37 Inductor con entrehierro distribuidos. 285
Fig. 7.38 Inductor con entrehierro. 287
Fig. 7.39 Inductor con entrehierro y núcleo E-E. 288
Fig. 7.40 Factor de desempeño (PF) de las ferritas vs. frecuencia. 288
Fig. 7.41 Geometría del inductor y la bobina. 289
Fig. 7.42 Geometría del inductor y la bobina. 290
Fig. 7.43 Entrehierro en un núcleo E-E. 291
Fig. 7.44 J en función de “a” para el núcleo 3F3 E-E. 293
Fig. 7.45 Bobina. 293
Fig. 7.46 Geometría del entrehierro. 294
Fig. 7.47 Equivalente eléctrico del circuito magnético 294
Fig. 7.48 Arrollamientos del transformador. 295
Fig. 7.49 Potencia aparente del transformador. 297
Fig. 7.50 Nomograma del incremento de la temperatura en 298
función del área de disipación.

21
Pág.

Fig. 7.51 Área de disipación de transformadores. 299


Fig. 7.52 Transformador de núcleo seco 300
Fig. 7.53 Geometría del núcleo(3) 301
Fig. 7.54 Bobinado 304
Fig. 7.55 Área de refrigeración 306
Fig. 7.56 Transformador. 307
Fig. 7.57 J y Psp del núcleo E-E en función de a. 307
Fig. 7.58 Arrollamiento del transformador. 308
Fig. 7.59 Transformadores de instrumentación. 309
Fig. 7.60 Transformador de corriente. 310

22
LISTA DE TABLAS
Pág.

Tabla 1. Funciones y elementos de los bloques de un SEP 35


Tabla 1.1 Símbolos y característica v-i ideal de diodos 52
y tiristores
Tabla 1.2 Símbolos y característica v-i ideal de transistores 53
Tabla 1.3 Característica de control de dispositivos 54
semiconductores
Tabla 2. Características del SCR 105
Tabla 5.1 Tabla de permitividad de materiales 243
Tabla 7.1 Características del alambre magneto. 276
Tabla 7.3 Características de las ferritas. 280

23
INTRODUCCION

La electrónica de potencia se puede definir como un saber de la Ingeniería


, que integra los métodos y conceptos de la electrotecnia, el control y la
electrónica, para el control y conversión de la energía eléctrica.
Debido al propósito de la electrónica de potencia, esta asignatura se incluye
en el pensum de las carreras de ingeniería electromecánica y electrónica, en
la Universidad Francisco de Paula Santander de Cúcuta. Se imparte con el
nombre de electrónica IV, y electrónica de potencia I, un curso inicial de
electrónica de potencia en el semestre VIII de la carrera de ingeniería
electrónica, y en la carrera de ingeniería electromecánica un segundo curso
sobre convertidores CD/CD, CD/CA y convertidores resonantes en el
semestre VIII .
Este texto tiene como propósito servir de apoyo a los mencionados cursos
Los objetivos del curso de electrónica de potencia I son:
1) Interpretar las características nominales eléctricas y térmicas de los
tiristores y sus híbridos
2) Analizar y describir las 4 topologías básicas de los convertidores de la
electrónica de potencia.
3) Analizar y diseñar los circuitos de disparo de los tiristores
4)Simular y diseñar convertidores CA/CD controlados y no controlados,
monofásicos y trifásicos.
Estos objetivos se cumplen con 2 horas de clase magistral,1 hora de taller
y 2 horas de laboratorio semanales, durante 14 semanas
Los objetivos del curso de electrónica de potencia II son:
1) Interpretar las características nominales eléctricas y térmicas de los
transistores de potencia y sus híbridos.
2) Analizar y diseñar los circuitos de disparo de los transistores de potencia
3) Simular y diseñar convertidores CD/CD, no aislados y aislados.
4) Simular y diseñar convertidores CD/CA.
5)Desarrollar suficiencia en inglés instrumental

24
Estos objetivos se cumplen con 2 horas de clases magistrales y 2 horas de
laboratorio semanales, durante 14 semanas
.
El autor ha tenido a cargo la asignatura de electrónica de potencia desde el
año 1999, cuando se impartió por primera vez en la carrera de ingeniería
electrónica en la universidad Francisco de Paula Santander (UFPS), y desde
entonces se organiza el curso consultando libros de texto y documentos de
la Internet.

Se utilizaron para organizar el curso y los contenidos en los primeros años,


libros clásicos como los de Kassakian (5), un excelente libro del M.I.T. que
lamentablemente desapareció del mercado del libro, Rashid (6), una
referencia obligada en la enseñanza de la Electrónica de Potencia,
Mohan(7),el libro más referenciado en los programas de Electrónica de
Potencia a nivel mundial y en el 2000 el de Krein(8), un buen libro que hace
énfasis en los conceptos físicos, utiliza herramientas computacionales(
Matlab, Mathcad) y con un capítulo muy didáctico sobre el modelamiento
de elementos activos y pasivos .

La organización y contenidos del material que se presenta en power point,


se realizó con base en las conclusiones presentadas por Burdío (1), en
consonancia con los debates en foros internacionales acerca de la
enseñanza de la electrónica de potencia. Estas conclusiones son:

“a) Existe un acuerdo prácticamente unánime , que desde los puntos de


vista de metodología didáctica, la asimilación de conceptos y motivación del
alumno, resulta más aconsejable estudiar las topologías convertidoras antes
que los dispositivos de potencia, haciendo una introducción previa rápida de
los mismos con antelación a las topologías.

b) El tiempo invertido tradicionalmente en el estudio tecnológico de los


dispositivos semiconductores de potencia, debe ser reducido, debido a la
evolución cambiante de sus estructuras cada vez más complejas, en favor
de criterios de selección y utilización dentro de las topologías.

25
c) Es importante revisar y aclarar conceptos básicos electrónicos y
circuitales, como características idealizadas de dispositivos,
semiconductores de potencia, comportamiento transitorio de inductancias y
condensadores, definiciones de factor de potencia, distorsión armónica,
valores medios y eficaces, etc.

d) Debe reducirse el tiempo dedicado tradicionalmente a circuitos


rectificadores no controlados y controlados, sobre todo en los aspectos
matemáticos. Se ha constatado que resulta desmotivador para el alumno y
de reducida asimilación conceptual.

e) Por su escasa utilización actual, se deben eliminar del programa los


conceptos de conmutación forzada con tiristores, y reducir a una breve
presentación los ciclo-convertidores.

f) Se aconseja compaginar sesiones prácticas de laboratorio de simulación


por computador, y de montaje o ensayos experimentales en equipos”.

De acuerdo con los diferentes enfoques de los libros antes mencionados, y


a las conclusiones presentadas por Burdío (1), el autor elaboró en power
point, para sustituir las diapositivas, tan necesarias en una asignatura de
esta naturaleza, y para condensar conceptualmente los diferentes temas
de esta asignatura, el material docente de apoyo a las asignaturas de
electrónica de potencia de las carreras de ingeniería electrónica y
electromecánica de la U.F.P.S. Este material no es un libro en versión de
monografía, y requiere del apoyo del instructor de la materia.

El orden de presentación de los temas es el siguiente:

Electrónica de potencia I: Unidad I: Conceptos básicos; Unidad II:


Dispositivos semiconductores de potencia; Unidad III: Convertidores CA/CD
no controlados; Unidad IV: Convertidores CA/CD controlados.

26
La unidad de conceptos básicos se organiza de acuerdo a las conclusiones
a) y c) de Burdío.

Se incluyen unos temas para repaso de conceptos y teorías estudiadas en


asignaturas anteriores, y otros nuevos relacionados con la electrónica de
potencia.

Se incluye en esta unidad el tema de circuitos conmutados. La secuencia de


estos temas es la siguiente: Naturaleza de la Electrónica de Potencia;
Sistema de Electrónica de Potencia; Fuentes de energía: Redes de
distribución de voltaje alterno, Baterías, Generador eólico, Generador
fotovoltaico; modelamiento de componentes eléctricos y magnéticos: El
capacitor, El transformador. El inductor ; Dispositivos semiconductores
ideales: características v-i, símbolos, características de control; Circuitos
excitados por fuente continua: Circuito R-C,R-L,L-C; Modelamiento de
interruptores :ideal, real, conmutado; Circuitos conmutados con excitación
constante: Circuito R,L,R-L,R-C; Características de las señales; Circuitos
con excitación sinusoidal y carga lineal: R-L,R-L-C ;Flujo de potencia en
redes sinusoidales y carga no lineal; Factor de potencia y de distorsión en
redes sinusoidales y carga no lineal; Filtros AC/DC; Topologías de circuitos
convertidores: Convertidor CA/CD no controlado de 2 y 4 interruptores;
Convertidor CA/CD controlado tipo puente; Convertidor CD/CA de baja
frecuencia de conmutación; Convertidor CD/CA de modulación del ancho de
pulso; Convertidor CD/CA resonante serie; Convertidor CD/CD directo e
indirecto; Convertidor CD/CD con encadenamiento en CA; Convertidores
CA/CA: Controlador CA, Ciclo-convertidor, con encadenamiento CD;
Implementación de un interruptor por un dispositivo semiconductor.

La Unidad I incluye las actividades de teoría y problemas, que el estudiante


debe realizar para la preparación del examen teórico.

Se finaliza la unidad con la bibliografía, que debe consultar el estudiante que


desea profundizar en los temas tratados.

27
En la Unidad II se estudian los dispositivos semiconductores reales teniendo
en cuenta la conclusión b) de Burdío(1), Se limita a lo básico el estudio de la
física del semiconductor y se hace énfasis en las características operativas
y criterios de selección, y en los circuitos de disparo que permiten aplicar
estos dispositivos en los convertidores de la electrónica de potencia.

El contenido de esta unidad es el siguiente: Dispositivos semiconductores:


Clasificación. Díodo de potencia: Generalidades; Características nominales;
Conexión serie: Cálculo de R; Dispositivos bidireccionales de disparo
controlados por voltaje: díac, sidac; Rectificador de silicio controlado (SCR):
Características constructivas y operativas, modelamiento, características
nominales, encendido, apagado, circuito de compuerta; Interfases de disparo
del SCR: Transformador de pulso, Opto-acoplador; Diseño del circuito de
disparo con transformador de pulso; Circuitos snubber de voltaje y de
corriente; Circuitos de disparo del SCR: Oscilador de relajación, UJT;
Oscilador con UJT, PUT, Oscilador con PUT. Aplicaciones del oscilador con
PUT: Controlador de media onda, Controlador de onda completa. Tiristor
apagado por compuerta (GTO): Características constructivas y operativas,
modelamiento, encendido y apagado, Circuitos de protección en la
conmutación, Circuito de disparo. Triac: Características constructivas y
operativas, Circuitos de disparo. Transistor bipolar de unión (BJT):
Características constructivas y operativas, Modelamiento, Circuito de
disparo. Transistor de efecto de campo: Características operativas y
constructivas, Modelamiento, Circuito de disparo. Transistor bipolar de
compuerta aislada (IGBT): Características constructivas y operativas,
Modelamiento, Circuito de disparo. La unidad termina con la bibliografía y las
actividades de teoría y problemas que debe realizar el estudiante.

En la unidad III se estudian los convertidores CA/CD no controlados


minimizando el análisis matemático ( Burdío (1) conclusión d)), haciendo
algunas aproximaciones que permitan tener una mejor comprensión física de
los fenómenos estudiados .Este es el tratamiento que se da a los
rectificadores en la referencia 5( Kassakian y otros).

28
El contenido de esta unidad es el siguiente: Rectificador de media onda:
carga R, R-L, R-L con diodo de rueda libre con y sin inductancia en la
fuente, R-C. Rectificador de onda completa en sus modalidades tipo puente
y semi-puente, con carga: Resistiva ; altamente inductiva, con y sin
inductancia de conmutación .Rectificador trifásico de tres pulsos.
Rectificador de 6 pulsos con carga altamente inductiva: Operación, voltaje
promedio, forma de onda de la corriente. Rectificador serie de 12 pulsos:
Operación, voltaje promedio. Filtros AC y DC para rectificador monofásico
de onda completa y carga altamente inductiva.
La unidad termina con las referencias bibliográficas y las actividades a
realizar por el estudiante

La unidad IV versa sobre convertidores CA/CD controlados y se estudia


con el mismo criterio que la unidad III, minimizando el análisis matemático.

El contenido de esta unidad es el siguiente: Introducción. Rectificador de


media onda con carga resistiva. Rectificador de onda completa semi-puente
con transformador y carga resistiva. Rectificador tipo puente, con y sin
inductancia en la fuente, con carga altamente inductiva: Operación, voltaje
promedio, factor de potencia. Rectificador tipo puente con carga con fuerza
electromotriz. Rectificador semi-puente sin transformador: Operación,
voltaje promedio, factor de potencia, proceso de conmutación. Circuitos de
control de rectificadores monofásicos: Introducción, control rampa, control
cosenoidal puro, control cosenoidal con componente CD, control de lazo
cerrado.

El curso de electrónica de potencia II es obligatorio en el pensum de


ingeniería electromecánica, y opcional en el de ingeniería electrónica. El
número de créditos asignado es de 3 .
La teoría se imparte en 2 horas semanales y el laboratorio en una sesión
semanal de 2 horas.

El curso de electrónica potencia II está conformado por 3 unidades:


convertidores CD/CD, convertidores CA/CD ,y convertidores resonantes.

29
La unidad V (convertidores DC/DC de alta frecuencia de conmutación) se
estudian siguiendo la orientación de la referencia 5( Kassakian y otros) que
toma como unidad fundamental de estos convertidores la celda canónica de
conmutación.

El contenido de esta unidad es el siguiente: Fuentes DC lineales vs Fuentes


conmutadas. Introducción a los Convertidores DC/DC de alta frecuencia de
conmutación. Celda canónica de conmutación. Convertidor directo reductor:
Operación en modo de conducción continuo, implementación de
interruptores. Modelo circuital del convertidor directo para el rizado de
voltaje y de corriente. Cálculo de L y C mínimos para el convertidor directo.
Inductancia crítica. Conducción discontinua con V1 constante del
convertidor directo reductor. Convertidor indirecto (reductor-elevador):
Modo de conducción continuo; Modelo circuital para el rizado de voltaje y de
corriente; Cálculo de L y C mínimo. Variantes topológicas del convertidor
indirecto. Circuitos de control. Convertidores aislados.

La unidad VI trata a los convertidores CD/CA de baja frecuencia de


conmutación y de alta frecuencia (PWM).
Los contenidos de esta unidad son los siguientes: Introducción a los
convertidores CD/CA; Convertidor CD/CA de baja frecuencia de
conmutación con carga: R, R-L, con f.e.m. Inversor de corriente. Análisis de
armónicos en los convertidores de baja frecuencia de conmutación.
Inversores PWM: Evolución del convertidor CD/CD de alta frecuencia de
conmutación al inversor PWM. Operación del inversor puente PWM.
Generación de la relación de trabajo. Inversores trifásicos: Configuración,
Operación con carga en delta o en estrella.

La unidad VII versa sobre el análisis y diseño de los componentes


magnéticos que se utilizan en la electrónica de potencia. El enfoque del
análisis se realiza utilizando la teoría circuital y la teoría de campos. El
diseño se realiza adaptando e interpretando el enfoque de la referencia 6
(Mohan y otros), para facilitar al estudiante la comprensión de este tema, de
naturaleza compleja.

30
Los contenidos de esta unidad son los siguientes : Introducción;
Comportamiento de un componente magnético; Cálculo de la inductancia;
Aplicación del concepto de Reluctancia al cálculo la inductancia de un
núcleo de tres ramas; Inductor de núcleo con entrehierro; El transformador:
Aspectos constructivos y operacionales, Modelamiento del transformador
ideal y del transformador con núcleo de permeabilidad finita, operación bajo
saturación; Fenómenos de histéresis y corrientes parásitas; Efecto piel en
conductores y sus soluciones; Modelamiento de las pérdidas; Modelamiento
del inductor: Excitación constante; Excitación alterna sinusoidal; Excitación
alterna cuadrada; Clases de núcleos y parámetros geométricos; Dimensiones
óptimas de los núcleos; Mecanismos de transferencia de calor: Conducción,
convección radiación; Consideraciones térmicas para el diseño; Pérdidas en
el bobinado por resistencia; Pérdidas de potencia en un componente
magnético; Relación entre las pérdidas por unidad de volumen y J(densidad
de corriente)con la geometría del núcleo; Características del alambre
magneto; Cálculo del valor pico de la densidad de campo magnético(B) en el
núcleo; Cálculo de la inductancia sin entrehierro; Diseño de un inductor sin
entrehierro; Aplicaciones y características de las ferritas; Efecto del
entrehierro en la curva de histéresis; Efecto del entrehierro en la
distribución de B en el núcleo; Núcleo equivalente; Cálculo de la inductancia
con entrehierro; Determinación del entrehierro; Diseño de un inductor con
entrehierro; Ejemplo de diseño; Arrollamientos del transformador; Potencia
aparente del trasformador en función de la geometría; Cálculo del
incremento de temperatura ; áreas de disipación del transformador; Diseño
del transformador; Diseño de un transformador en baja frecuencia; Diseño de
un transformador en alta frecuencia; Transformadores de instrumentos;
Análisis del transformador de corriente.
Los dibujos y gráficos tomados de otros autores se señalan referenciando la
fuente con un número de la bibliografía de cada unidad.
Es la intención del autor presentar este material , para que el estudiante de
la Universidad Francisco de Paula Santander, mayoritariamente de estratos
1 y 2 , pueda tener acceso fácil y económico a un material de estudio, y lo
más importante es condensar la información requerida para cursar las
asignaturas de electrónica de potencia

31
BIBLIOGRAFÍA

1. Burdío J.M.. NUEVAS TENDENCIAS EN LA ENSEÑANZA DE LA


ELECTRÓNICA DEPOTENCIA .Departamento de Ingeniería Electrónica y
Comunicaciones. Centro Politécnico Superior. Universidad de Zaragoza.
María de Luna, 3. 50015 Zaragoza, España.
taee.euitt.upm.es/Congresosv2/2004/papers/2004S2G05.pdf.Consulta a
Internet Enero 17, 2009

2. Aguilar J. D; Olid M, F.Baena ; Muñoz F. MATERIAL DOCENTE PARA


ELECTRONICA DE POTENCIA ,ADAPTADO A LOS CREDITOS ECTS.
Departamento de Ingeniería Electrónica .Escuela Politécnica de lla
Universidad de Jaen. espacio uned.es/fez/view.php?pid=taee . :congreso-
2008-1057.Consulta a Internet Enero 17 ,2009

3.Bauer P.;Kolar .J.W. TEACHING POWER ELECTRONICS IN THE 21 ST


CENTURY.EPE Journal Vol. 13 n° 4 November 2003.

4. Dudrik J.NEW METHODS IN TEACHING OF POWER ELECTRONICS


DEVICES. Iranian Journal of Electrical and Computer Engineering Vol.4 N°
2 2005

5-Kassakian J.G. Schlecht M.F. Verghese G. C. PRINCIPLES OF POWER


ELECTRONICS . Editorial Addison-Wesley 1991
.
6.Rashid M. H. POWER ELECTRONICS: CIRCUITS, DEVICES, AND
APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall

32
UNIDAD I

CONCEPTOS BASICOS
DE ELECTRONICA DE
POTENCIA

33
THE ELECTRIC UTILITY SYSTEM

Figure 1..0 shows a typical hierarchy of voltages and loads. Transmission lines carry the
power over the longer distances to substations that step the transmission voltage down to
a sub-transmission level. Some high-voltage transmission lines are also the interconnect
points between utilities in a regional grid. High-power loads, such as electric arc furnaces
and electrochemical plants, may be fed directly from the transmission system. Others are
fed from the subtransmission system or from distribution feeders that supply small
industries as well as commercial and residential loads. The electric utility systems in this
country have grown to a generation capacity of more than 1000 GW at this date. Steam
turbines, coal or nuclear powered, and hydraulic turbines supply the vast majority of the
motive power for generators, but natural gas fired combustion turbines are growing rapidly
as environmental concerns limit additional coal and nuclear power. Much lower levels of
power are produced by wind farms, although this area is expanding as the art progresses.
Still lesser amounts of power are produced by reciprocating diesel engines in small
municipal utilities.

Figure 1.0 Typical section of a utility.

34
1.1 NATURALEZA Y APLICACIONES DE LA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

La electrónica de potencia es un
saber de la ingeniería, que utiliza
los conceptos, métodos y teorías
de la electrónica (analógica y
Electrónica
De digital), la teoría de control y la
Potencia electrotecnia (circuitos
eléctricos, medidas, y máquinas
Circuitos eléctricas, sistemas de
Semiconductores
componentes distribución y transmisión), para
Electrónica convertir y controlar la energía
Y
Dispositivos eléctrica disponible, generalmente
alterna trifásica o monofásica con
diferentes niveles de voltaje, en la
clase de energía requerida por la
carga.
Fig. 1.01.La Electrónica de Potencia 6.

La electrónica de potencia moderna se origina con la invención del SCR en


1958, por General Electric. En años sucesivos aparecen el TRIAC y otros
tiristores, y se desarrollan los transistores de potencia (BJT, MOSFET,
IGBT). Finalizando la década de los 80’s aparece el MCT.
Los circuitos de control se optimizan en la década de los 90’s con las
tecnologías FPGA y ASIC.

El propósito de la electrónica de potencia se obtiene mediante los sistemas


de electrónica de potencia, que se caracterizan por una alta eficiencia.
La alta eficiencia repercute en ahorro en el consumo de energía, y además
las bajas pérdidas de potencia permiten reducir el volumen y el peso del
sistema de electrónica de potencia(S.E.P.)

35
1.2 SISTEMA DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (SEP) 5
1.2.1 DIAGRAMA DE BLOQUES Energía eléctrica
modificada y
Energía controlada
eléctrica Flujo de
Filtro Convertidor Filtro
disponible Potencia
De Circuito de De Carga
Entrada potencia Salida

Actuadores
De los DSP

Circuito de Control Transductores

Fig. 1.02 Diagrama de bloques de un SEP(5)


1.2.2 FUNCIONES Y ELEMENTOS DE LOS BLOQUES DE UN SEP
DENOMINACION FUNCION ELEMENTOS
Reducir la cantidad de armónicos Capacitores
de corriente en la fuente y Inductores
Filtro de Entrada minimizar las inter ferencias
electromagnéticas.
Transformar la naturaleza de la Dispositivos semiconductores de
Convertidor energía eléctrica, utilizando potencia
(circuito de potencia) dispositivos semiconductores de Tiristores
potencia(DSP) como Transistores de potencia
interruptores. Híbridos
Adecuar la forma de onda de Capacitores
Filtros de Salida voltaje del convertidor, al Inductores
requerido por la carga
Adecuar en voltaje y corriente Transformador de pulso
Actuadores de los DSP las señales de control , a los Optoacopladores
requerimientos de los DSP. Transistores
Circuito de control Implementar la estrategia de Microcontroladores
control del convertidor Electrónica discreta
Transformar las variables Transformadores de instrumentos
mecánicas,eléctricas, térmicas, Termistores
Transductores etc, de la carga, en señales Tacómetros
eléctricas. Encoders

Transformar la energía eléctrica Motores, Hornos, Lámparas,


Carga en energía mecánica, química, Procesos electroquímicos, etc.
lumínica, térmica.

36
1.3 FUENTES DE ENERGÍA PRIMARIA 10

1.3.1 RED DE SUMINISTRO DE VOLTAJE ALTERNO

Se dispone de una red de voltaje


LINEAS DE DISTRIBUCION alterno de f= 60 hz, en los países
americanos, con diferentes niveles de
CASCO
voltaje; En baja tensión se normalizan
los siguientes voltajes; 120, 120/240,
208/120,440/254 voltios.
H MINIMA DE 3M CONTADOR KW-h

La alimentación en baja tensión se


DUCTO DE ACOMETIDA
realiza mediante acometida aérea o
PROFUNDIDAD MAXIMA DE 0.15 M
subterránea. Los conductores aéreos
de la acometida, van desde un poste
hasta el contador eléctrico.

En la acometida subterránea, se
conectan los conductores a las líneas
a)Acometida subterránea(10) áreas de distribución, y se bajan por
una tubería hasta tierra, y se llevan
en forma subterránea hasta el
contador de energía.

En las instalaciones industriales se


dispone a través de una subestación
de 13,2 o 34,5kv, de voltajes en media
tensión de 440/254 o 480/277 v. El
valor límite de perturbación del
voltaje es ±10% del valor nominal, el
de la frecuencia es ±1Hz y el
b) Acometida aérea(10) desequilibrio admitido es 2%.

Fig. 1.03 Acometidas en baja


tensión

37
1.3.2 BATERÍAS 6
Son fuentes de energía recargables.
BORNE
BORNE Las más comunes son las de plomo –
NEGATIVO
POSITIVO
ácido y la de níquel-cadmio;por
TAPAS DE
SALIDA consideraciones económicas, la más
DISOLUCIÓN utilizada es la de plomo-ácido,
CONECTOR ELECTROLITICA
DE CELULAS conformada por un ánodo de bióxido
ELECTRODO
REVESTIMIENTO
PROTECTOR de plomo, cátodo de plomo y
POSITIVO
(dióxido de electrolito de ácido sulfúrico diluido
plomo)

ELECTRODO SEPARADOR en agua.


NEGATIVO
(plomo)
DE LAS
CELULAS El circuito equivalente para modo
pasivo lo conforman: Vint= potencial
a) Estructura física electroquímico interno; depende de
Rw Lw Rint la temperatura y la concentración del
electrolito; Rd, modela el proceso de
iB
descarga interna; Rint , modela la
Cint Rd resistencia del electrolito y la
Vint
estructura interna (celdas) , depende
de la temperatura y concentración
del electrolito. Cint modela la
b) Circuito equivalente para el capacitancia de las placas; Rw y Lw,
modo pasivo (carga)(6). son la resistencia y la inductancia de
Rint Rw Lw
los cables externos.
En el circuito equivalente en modo
iB activo,Vint representa la fuerza
electromotriz interna de la batería,
Vint Rd
de naturaleza, electroquímica ;
depende de la temperatura y de la
concentración del electrolito. Un
c) Circuito equivalente para el valor típico de Rint= 0,1Ω, para la
modo activo (fuente)(6). batería de 12 voltios. Lw tiene un
valor de 500nH/m, cuando la
relación D/r = 10; D= distancia entre
Fig. 1.04 Circuitos equivalentes de cables, r = radio de cable.
la batería de ácido – plomo.

38
1.3.3 GENERADOR EÓLICO 2

Se utiliza la energía del viento, para


generar energía eléctrica. España y
Holanda son líderes en esta
energía alternativa.
36 rpm 180 rpm Los elementos de un aerogene
rador son:
CT Generador
GA
Palas del rotor (PR): El diseño, es
similar al ala de un avión, su longitud
depende de la potencia (20 metros
para 600Kw).
Fig. 1.05 Elementos de un
aerogenerador.(2) Caja de transmisión (CT) o tren de
engranajes, multiplica por casi 50 la
velocidad de las palas. La tendencia
RED es a eliminarlas para reducir peso y
ELECTRICA
mejorar eficiencia.

El generador asíncrono (GA) o


generador de inducción: las
CA
Micro
controlador Driver potencias actuales están en el
CD orden de hasta 20Mw.

CD La conexión del aerogenerador a la


sensor
CA
red (fig.1.06), se realiza rectificando
el voltaje trifásico del generador
eólico, y acoplando el voltaje CD
Generador eólico mediante un convertidor
CD/CA(inversor), a la red alterna de
suministro eléctrico.
El control del proceso de
Fig. 1.06 Conexión del acoplamiento se hace mediante un
aerogenerador a la red (2) microprocesador.

39
1.3.4 GENERADOR FOTOVOLTAICO

Utiliza la energía solar para generar


energía eléctrica (CD), mediante
muchas celdas solares asociadas en
serie y en paralelo. Esta energía
alternativa tiene un gran futuro.

La tecnología actual de las celdas


es en base a semiconductores, y la
eficiencia es del 14 al 20%. Se
investiga la utilización de materiales
orgánicos.

Una limitación del sistema es su


Fig. 1.07 Panel solar
costo superior, con respecto a
otras alternativas de generación.

Un elemento esencial del sistema


Cargas de generación fotovoltaico (fig. 1.08)
G. F. C. A.
es el acondicionador de potencia
(A.P.) cuyas funciones son la
Cargas conversión CD/CA y la regulación
A. P. C. D. de carga de la batería.

El generador auxiliar (GA),es un


Red C. A. grupo electrógeno, en la mayoría de
G. A. Baterías los casos, que sirve de respaldo al
generador fotovoltaico (GF) y las
baterías tienen como función,
regular la producción de energía de
Fig.1.08 Sistema de generación acuerdo a la demanda.
fotovoltaico(2)

40
1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELÉCTRICOS
Y MAGNÉTICOS
1.4.1 EL CAPACITOR
1.4.1.1 GENERALIDADES El capacitor está conformado por 2 placas
conductoras, separadas por un material
dieléctrico, en donde se establece una
polarización dieléctrica. El valor de la
capacitancia ideal es:
Aislamiento ∈𝐴 𝑄
𝐶= =
(1.01) 𝑑 𝑉

Placa
Є = permitividad eléctrica del aislamiento.
A = área de las placas paralelas.
d = distancia entre placas.
Q = carga eléctrica de cada placa.
V = voltaje aplicado a las placas.
ρ= resistividad del dieléctrico
d
La corriente que un capacitor intercambia
con un circuito
𝑑𝑞 es:𝑑(𝐶𝑣) 𝑑𝑣
𝑖𝑐 = = =𝐶
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
(1.02)
a) Geometría del capacitor de
placas paralelas Se conocen tres clases de capacitores: de
dieléctrico normal, electrolíticos y de doble
capa.
El capacitor real difiere del ideal en 4
aspectos: ,
Fig. 1.09 El capacitor
a)Existe i para V = Vdc.
b)Existe una L que puede generar
resonancia.
c)Se descarga naturalmente, al
desconectarlo de la fuente
c) Presenta pérdidas de potencia.
41
1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y
MAGNETICOS
1.4.1.2 MODELO CIRCUITAL DEL CAPACITOR(6)
Las características reales del capacitor
se representan, en el circuito
Rf equivalente general (fig.1.10 a).
Rw y Lw modelan la resistencia e
Rw Lw
inductancia, de los alambres
C
conductores de conexión.
Rf modela la resistencia de fuga,
responsable de la descarga del
capacitor y C es la capacitancia.

a) Circuito equivalente Mediante asociaciones serie y paralelo


general de un capacitor del circuito equivalente general, se
puede reducir al circuito equivalente
serie normalizado(fig. 1.10 b)

1 𝑡𝑎𝑛𝛿
𝐸𝑆𝑅 = 𝑅𝑤 + ≅ 1.03
𝑤2 𝑅 𝑓 𝐶2 𝑤𝐶
ESR ESL C

ESR=Resistencia equivalente serie


𝜌𝑑
𝐸𝑆𝐿 = 𝐿𝑤 ; 𝑅𝑓 = (1.04)
𝐴
ESL=Inductancia equivalente serie
b) Circuito serie normalizado 𝐸𝑆𝑅 1
𝑡𝑎𝑛𝛿 = = (1.05)
𝑋 𝑤𝜌𝜀

𝛿 =ángulo de pérdidas=Diferencia
entre el desfase ideal de la
Fig. 1.10 Modelo circuital corriente(90°) y el desfase real.
del capacitor 1
Para w ≥ 𝐿 𝐶 el capacitor se
𝑊
comporta como un inductor.

42
1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELÉCTRICOS Y
MAGNÉTICOS
1.4.1.3 CLASES DE CAPACITORES
Los capacitores se caracterizan por los
siguientes valores nominales : Cn, tole
rancia de Cn, Vn, Vp, In , Ifuga, y factor de
pérdidas(tan δ).

Los capacitores electrolíticos tienen como


dieléctrico óxido de aluminio(figura 1.10 a1)
o de tántalio(figura 1.10 a2).
1) Electrolíticos de óxido de
aluminio Los capacitores electrolíticos son
polarizados, y al utilizarlos se debe respetar
la polaridad indicada en la carcasa, pues de
lo contrario pueden explotar. El capacitor
de tantalio presenta una mayor
capacitancia por volumen y tiene una
ESR muy baja que reduce las pérdidas
en el sistema.

Se caracterizan por tener valores bajos de


2)Electrolítico de tantalio resistencia de fuga , y su voltaje nominal es
hasta de 500V, con capacitancias de
cientos de miles de µF. Y son de baja
confiabilidad

Los capacitores electrolíticos de doble


capa alcanzan valores altos de
capacitancia. Los que se muestran en la
figura 1.10 a3),presentan capacitancias de
3) Electrolíticos de doble capa
2600 faradios(F).Se aplican en filtros CD de
a)Electrolíticos entrada y salida, y en procesos que
requieran tiempos cortos de
Fig.1.10 Clases de capacitores almacenamiento de energía.

43
1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELÉCTRICOS Y
MAGNÉTICOS
1.4.1.3 CLASES DE CAPACITORES
Los capacitores de plástico tienen alta
resistencia de aislamiento (pequeñas
corrientes de fuga) y alta temperatura. No
están polarizados y presentan valores
muy bajos de ESR y ESL. Y, si bien son
muy grandes, tienen capacidad de
sobretensión y de carga altas. .

Dependiendo de la armadura, pueden ser


tipo M(metal) o MKT(metal vaporizado).Los
metalizados de poliéster (fig. 1.10 b)
presentan bajos valores de capacitancia
(hasta 10µF) y valores altos de Vn
(40Kv).Se aplican en circuitos de corriente
b)Plástico alterna.

Se aplican en filtros CD, para suprimir los


transitorios de conmutación. El MKT se
utiliza en aplicaciones hasta de 600V.Los
metalizados de polipropileno tienen valores
altos de Vn e In y se aplican en
convertidores resonantes.

Los capacitores cerámicos(fig.1.10c)


tienen un rango de capacitancia entre 1p y
1µF, pero varían considerablemente con la
c)Cerámico temperatura, el voltaje y el tiempo.

Se aplican en circuitos de corriente alterna


.
Fig.1.10 Clases de capacitores

44
IMPEDANCIA IDEAL Y REAL DE UN CAPACITOR CON LA
FRECUENCIA DE UN CAPACITOR ELECTROLÍTICO DE 220 𝝁𝑭

45
Datasheet for electrolytic, ceramic and tantalum

capacitors.

46
Comparison among several types of capacitors with regard to their
expected lifetime versus
ambient temperature

47
Examples of applications of different types of capacitors in different
sections of a power
electronics circuit.

48
1.4.2 EL TRANSFORMADOR
1.4.2.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES
Se forma con 2 circuitos eléctricos,
acoplados con un circuito de material
lm
ferro-magnético de permeabilidad µ.
Фm El flujo encadenado (λ)al circuito 1 de N1
i1(t) i2(t)
+ + espiras es:
Фd2
N1 N2 λ = 𝑁1 ϕ1 ; ϕ1 = ϕ𝑚 + ϕ𝑑1 (1.06)
v1(t) v2(t)
_ Фd1 _ φm =flujo mutuo ;
núcleo φd1=flujo de dispersión del devanado1

Para el circuito 2
λ2 = 𝑁2 ϕ2 ϕ2 = ϕ𝑚 + ϕ𝑑2 (1.06𝑏)
a) Circuito
Aplicando la ley de Ampere al circuito
Фm Rm magnético, sobre la trayectoria media 𝑙𝑚 ,
se obtiene:

+ N1i1 + ‫𝐻 𝑙ׯ‬. 𝑑𝑙 = ‫ 𝐽 𝑠׬‬. 𝑑𝑠 (1.07)


_ N2i2 _
𝐵 ℓ𝑚

𝜇 𝑚
= 𝑁1 𝑖1 − 𝑁2 𝑖2 = 𝐵𝐴
𝜇𝐴
=
ϕ 𝑚 ℜ𝑚 =
𝑁1 𝑖𝑚 1.08

b) Modelo del circuito


magnético 𝑖𝑚 =corriente de magnetización
ℜ𝑚 =Reluctancia del circuito magnético
A=área seccional del circuito magnético

Fig. 1.11 El transformador


El circuito equivalente de la ecuación 1.08
se muestra en la fig. 1.11b

49
1.4.2 EL TRANSFORMADOR
1.4.2.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES

Se define: 𝑁1 ϕ𝑑1 = 𝐿𝑑1 𝑖1 (1.09)


lm
De las ec.1.06, y 1.08
Фm
i1(t) i2(t) 𝑁1
+ Фd + λ1 = 𝑁 𝑖 − 𝑁2 𝑖2 + 𝑁1 ϕ𝑑1 (1.10)
N1 2 N2 ℜ𝑚 1 1
V1(t) V2(t)
𝑑λ1 𝑑λ2
_ Фd1 _ 𝑣1 = ; 𝑣2 = (1.11)
𝑑𝑡 𝑑𝑡
núcleo
De la ley de Faraday , y 1.10 y 1.11
𝑑ϕ1 𝑑ϕ2
𝑣1 = 𝑁1 ; 𝑣2 = 𝑁2 (1.12)
𝑑𝑡 𝑑𝑡
a) Circuito
De la ec. 1.08,1.09 , 1.10 y 1.11

𝑁12 𝑑𝑖1 𝑁1 𝑁2
𝑣1 = + 𝐿𝑑1 −
i1
ℜ𝑚 𝑑𝑡 ℜ𝑚
i2
L12 𝑑𝑖2
+
+ 𝑑𝑡
𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
𝑣1= 𝐿𝑚 + 𝐿𝑑1 − 𝐿12
𝑑𝑡 𝑑𝑡
v1(t) v2(t)

𝑁12 𝑁1 𝑁2
𝐿𝑚 = 𝐿12 =
- - ℜ𝑚 ℜ𝑚
L21 𝐿11 = 𝐿𝑚 + 𝐿𝑑1
Se define
𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
𝑣1 = 𝐿11 − 𝐿12 (1.13𝑎)
c) Circuito equivalente 𝑑𝑡 𝑑𝑡
Por analogía se obtiene

𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
Fig. 1.11. El transformador 𝑣2 = − 𝐿21 + 𝐿22 (1.13𝑏)
𝑑𝑡 𝑑𝑡

50
1.4.2.2 EL TRANSFORMADOR IDEAL
i1 i2 Conductor ideal:𝑟𝑐𝑢 = 0 Material magnético
+ + ideal:µ=∞.
N1 N2 Los puntos de polaridad ( )representan los
V1 V2
puntos del transformador, cuyos potenciales
_ _
tienen simultáneamente la misma polaridad.
Si 𝜇 → ∞ ∴ 𝐿𝑚 → ∞ ∴ ℜ𝑚 → 0 ∴ 𝑖𝑚 → 0
𝑁1 𝑉1 𝑖2 𝜇 → ∞ ∴ 𝜑𝑑1 = 𝜑𝑑2 → 0 ∴ 𝜑1 = 𝜑2
𝑎= = =
𝑁2 𝑉2 𝑖1
𝑁1 𝑖2
a)Modelo circuital De 1.09 𝑎= = (1.14)
𝑁2 𝑖1

𝑁1 𝑣1
De 1.12 𝑎= = (1.15)
Fig.1.12 El transformador 𝑁2 𝑣2
ideal El modelo circuital del transformador ideal se
muestra en la fig.1.12 a)

1.4.2.3 ACOPLAMIENTO DE IMPEDANCIAS


i1 i2
Se analiza el efecto del transformador,
+ sobre la carga reflejada en la fuente.
V1 N1 N2 Z2
V2
_ De la fig.1.13 y las ec. 1.14 y 1.15, se
obtiene:
i1 𝑉1 𝑎𝑉2 𝑉2
+
𝑍1 = = = 𝑎2 = 𝑎2 𝑍2 (1.16)
𝐼1 𝐼2ൗ 𝐼2
𝑍2 (𝑁1/𝑁2 )^2 𝑎
V1
_ En el primario se refleja la impedancia del
secundario, multiplicada por el cuadrado de
la relación de transformación. El
Transformación de transformador le modifica a la fuente la
impedancias. impedancia de la carga, dependiendo de la
Fig.1.13 El transformador relación de transformación .
ideal

51
1.4.2.4 MATERIAL MAGNÉTICO REAL
B El material magnético real (μ finito) se
caracteriza por la curva B-H (línea media
de la curva de histéresis).B es
Bs proporcional al voltaje inducido y H a
∆𝐵
I m; 𝜇= (1.17)
∆𝐻
μ, pendiente de la curva , es variable.
H (ni) La curva se linealiza (línea en rojo) a una
recta de pendiente μ promedia, y otra
Fig. 1.14. Curva de de pendiente nula para B=Bs.(fig. 1.14)
magnetización.
1.4.2.5 TRANSFORMADOR DE PERMEABILIDAD FINITA
Se modela el transformador con material
magnético real( μ finito), pero sin pérdidas
de energía en el hierro , (se ignoran
Фm corrientes parásitas y el fenómeno de
i1(t) i2(t) histéresis ) y conductor eléctrico ideal..
+ De 1.09   finito   m finito  i m y L  0
V1 Фd1 + d
V2
𝑁1 𝑖1 − 𝑁2 𝑖2
_ 𝑖𝑚 =
Фd2 _ 𝑁1
(1.18)
𝑑𝑖𝑚 1
𝑣1′ = 𝐿𝑚 ∴ 𝑖𝑚 = න 𝑣1′ 𝑑𝑡
𝑑𝑡 𝐿𝑚
𝑇 (1.19)
𝑑𝐵 𝐵𝑠 1
Fig. 1.14 Flujos con μ finito. 𝑣1′ =𝑁1 𝐴 ∴ ‫׬‬0 𝑑𝐵=𝑁 ‫׬‬02 𝑣1′ 𝑑𝑡
Ld1 i1' i2 𝑑𝑡 1
N1 N2 Ld2
𝑇ൗ
2
+ + + +
im
න 𝑣1 𝑑𝑡
V1 V1' V2' V2
Lm (1.19 a) 0
_ _ _ _
Si los voltio-segundo ( ) que se aplican
al primario, durante medio ciclo sobrepasan
Fig. 1.15 Modelo circuítal un límite, B se incrementa hasta alcanzar la
con μ finito. 𝑆𝑖 𝐿𝑚 → 0de
saturación(condición ∴ 𝑖corto
𝑚 →∞ circuito)
(
1.20)
52
1.4.2. 6 TRANSFORMADOR DE PULSOS 1

Ca/2
Ld1 Ld2 R2
Se utiliza para aislar eléctricamente el
R1
Lmag1
circuito de control, del circuito de
C
A
potencia de un convertidor de E.P.
V1 Rp1 C1 C2 V2
Generalmente el número de espiras del
R
G
A
N1 N2
primario, es igual al del secundario.

Ca/2 La función del transformador es la de


a) Circuito equivalente. transmitir el pulso de control, y
𝑅1+𝑅2 (𝑁1/𝑁2 )^2 convertirlo en un pulso de disparo para
el tiristor
R
V1 Rp2 Lmag1 V2 𝑁1/𝑁2 El voltaje aplicado al transformador
durante el tiempo que dure la señal de
control, debe satisfacer la ecuación
b) Circuito equivalente a BF. 1.21,para que el núcleo no se sature
2 2
𝑁1 N1
𝑅1 + 𝑅2 Ld1 + Ld2
𝑁2 N2

𝑡
R
N1 1
V1 Rp 1 C V2 N න 𝑣1 𝑑𝑡 ≤ 𝐵𝑠𝑎𝑡 (1.21)
2 𝑁 𝐴
Al aplicar
1 0 el pulso, el transformador se
comporta de acuerdo al circuito
2 2
C1 + C2
N1
+
Ca
1+
N1
+
N1 equivalente para alta frecuencia (HF), y
N2 3 N2 N2
pasado el período transitorio, la salida
c) Circuito equivalente a HF. del transformador corresponde al
Flanco circuito equivalente de baja
N1
V1 V 2
N2
frecuencia.(BF)
10v
C1 y C2 son capacitancias propias de
cada bobinado, y Ca es la capacitancia
∫ v.dt= 100 v .μs
t interdevanado. Estos parámetros
0 2v ∫ v.dt= 100 v .μs
60 intervienen en el modelo de alta
10 μs
μs frecuencia
d) Formas de onda
Fig. 1.16 Transformador de pulsos

53
1.4.3 EL INDUCTOR

1.4.3.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES


Un inductor es un circuito eléctrico
(bobina) arrollado sobre un núcleo
magnético, de láminas de acero al
silicio (baja frecuencia), o ferrita (alta
frecuencia). Los núcleos pueden ser de
diferente forma: toroidal, E-E, EI, C,
etc.
TOROIDAL E-E Aplicando la ley de Ampere al inductor
toroidal(fig. 1.18).

න 𝐻. 𝑑𝑙 = න 𝐽 . 𝑑𝑠
ℓ𝑚 𝑠
𝐵
E-I 𝐻ℓ𝑚 = 𝑁𝑖 = ℓ𝑚 (1.22)
U-U 𝜇
Definición:

Fig. 1.17 Núcleos magnéticos λ 𝑁𝐵𝐴𝑛 𝑁 2 𝐴𝑛 𝜇


𝐿= = = (1.23)
𝑖 𝑖 ℓ𝑚

μ = 𝑓 𝐵 → 𝐿 = 𝑓(𝑖)
VL(t)
Ley de Faraday :

An 𝑑λ 𝑑𝐵
𝑣𝐿 𝑡 = = 𝑁𝐴
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑𝑖
R =𝐿 (1.24)
lm 𝑑𝑡
N
L se opone a los cambios temporales
de corriente (inercia electromagnética)
.
Fig. 1.18 Inductor toroidal Si :
𝑑𝐵
𝐵 → 𝐵𝑠 𝑠𝑎𝑡 → = 0 → 𝑉𝐿 = 0
𝑑𝑡
La saturación del núcleo magnético
equivale a cortocircuitar el inductor 54
1.4.3.2 COMPORTAMIENTO DEL INDUCTOR

1.4.3.2.1 EXCITACIÓN SINUSOIDAL


𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡
VL(t) 𝐵 = 𝐵𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡
𝑑𝐵
𝑣𝐿 = 𝑁𝐴𝑛 = 𝑤𝑁𝐴𝑛 𝐵𝑚 cos 𝑤𝑡
𝑑𝑡
An
𝑉𝐿 = 4.44𝑓𝑁𝐴𝑛 𝐵𝑚 ; 𝐵𝑚 ≤ 𝐵𝑠 (1.25)
lm R
N
Si L representa un motor de AC, la
relación 𝑉𝐿ൗ𝑓 debe permanecer
constante , para impedir saturación del
Fig. 1.19 Excitación sinusoidal núcleo.

1.4.3.2.2 EXCITACIÓN ALTERNA CUADRADA


VL(t)
𝑣 𝑡 =𝑉 0 < 𝑡 < 𝑇 Τ2
An
𝑣 𝑡 = −𝑉 𝑇 Τ2 < 𝑡 < 𝑇

lm R 𝑑λ ∆λ
N 𝑣 𝑡 = 𝑣𝐿 𝑡 = ≈
𝑑𝑡 ∆𝑡
a) Circuito
V(t) para ∆𝑡 = 𝑇Τ2 , 𝑣𝐿 = 𝑉
V
t ∆λ = λ𝑚𝑎𝑥 − λ𝑚𝑖𝑛
T

∆λ = 2λ𝑚𝑎𝑥
λ(t
λMAX
)
t λ𝑚𝑎𝑥 = 𝑁𝐴𝑛 𝐵𝑚𝑎𝑥
T
λMIN
2𝑁𝐴𝑛 𝐵𝑚𝑎𝑥
𝑣𝐿 ≅ 𝑇Τ =𝑣 𝑡 =𝑉
b) Formas de onda 2

Fig.1.20 Excitación alterna cuadrada


𝑉𝐿 = 4𝑁𝐴𝑛 𝑓𝐵𝑚𝑎𝑥 (1.26)

55
1.4.3.3 PÉRDIDAS DE POTENCIA EN COMPONENTES
MAGNÉTICOS
PÉRDIDAS POR HISTÉRESIS
Se genera por el proceso de inversión
B no elástico, de los dipolos magnéticos, al
invertirse H.
Area
∫𝐻𝑑𝐵
W disipada por ciclo = (volumen del
núcleo)*(área del lazo de histéresis)
H
α
𝑃ℎ = 𝐾ℎ 𝑓𝐵𝑚 * Volumen núcleo
(1.27)
Fig. 1.21 Lazo de histéresis
1.6 < α < 2.0
PÉRDIDAS POR CORRIENTES PARÁSITAS

iparásita Las generan las corrientes inducidas


dentro del núcleo ferro-magnético, por el
flujo variable del componente magnético.
Para reducir las pérdidas, se incrementa
la resistividad del material magnético(se
adiciona silicio).
En alta frecuencia se utilizan cerámicas
magnéticas (ferritas), que presentan alta
Fig. 1.22 Corrientes parásitas resistividad y permiten reducir las
pérdidas parásitas, que aumentan mucho
PÉRDIDAS EN EL COBRE con la frecuencia
Se generan por efecto Joule en la
resistencia del conductor. La
-
- --
-
resistencia varía con la frecuencia
+ + ++ -
++
+
+
+
-
- --
-
(efecto piel)debido a la inductancia
++ +
+ + interna de los hilos centrales del
conductor. La corriente se concentra
en la periferia del conductor, al
Fig. 1.23 Efecto Piel aumentar la frecuencia.

56
1.4.3.4 MODELO CIRCUITAL DEL INDUCTOR
R cu: modela las pérdidas en el cobre
Rcu (efecto Joule).
i
R n : modela las pérdidas en el núcleo
magnético, debido al fenómeno
Rn 𝑉𝐿 de histéresis y corriente parásita.
V
: f ( B m, ,frecuencia)
L : modela el almacenamiento de
energía en forma de campo
magnético.
Fig. 1.24 Modelo circuital L : f (geometría, i)

1.4.3.5 CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA SIN ENTREHIERRO


𝐴𝑐𝑢
𝑊𝑎 = 𝐿𝑊 𝐻𝑊 = 𝑁 (1.28)
𝐾𝑢
HW 𝐴𝑐𝑢 = Área del conductor de cobre
𝐾𝑢 = Factor de utilización de la ventana
N= Número de espiras
|| ||||
|

||

LW De 1.28
𝑊𝑎 𝐾𝑢 𝑊𝑎 𝐾𝑢 𝐽
𝑁= = (1.29𝑎)
𝐴𝑐𝑢 𝐼𝑒

λ 𝑁φ 𝑁𝐴𝑛 𝐵 𝑁𝐴𝑛 𝐵𝑚𝑎𝑥


An 𝐿= = = = (1.29𝑏)
𝑖 𝑖 𝑖 𝑖𝑚𝑎𝑥

Fig.1.25 Caracterización Se asume lineal, la curva de magnetización


del núcleo. .De 1.28 y 1.29

Wa=Lw *Hw=área de la ventana 𝑊𝑎 𝐴𝑛 𝐾𝑢 𝐵𝑚𝑎𝑥 𝐽


𝐿= (1.30)
𝑖𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑒
An = área seccional del
núcleo ferromagnético La ecuación 1.29 a) establece un
requerimiento geométrico y la 1.29 b) un
Wa*An= área producto del núcleo
requerimiento electromagnético.

57
1.5 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES IDEALES

1.5.1 DIODOS - TIRISTORES


DISPOSIT CARACTERÍSTICAS v-i CONDICIONES OPERATIVAS
SÍMBOLO
IVOS IDEAL COMO INTERRUPTOR

i
DIODO
VAK v AK  0 i0 Son
A K
v AK  0 i0 Soff
i

i
G
SCR
VAK v AK  0 iGK  0 i0
A i K v AK  0 iGK  0 i0

VMT1MT2  0 ig  0 i  0 Son
_ i ig  0
TRIAC +
_ + ig
VMT1-MT2 VMT1MT2  0 ig  0 i  0 Son
i
ig  0
Soff
MT1 MT2 VMT1MT2  0 ig  0 i  0

i
G
GTO V AK  0 iGK  0 i  0 Son
i VAK
V AK  0 iGK  0 i  0 Soff
A K V AK  0 iGK  0 i  0 Soff

i
MCT V AK  0 VGK  0 i  0 Son
VAK S
A K V AK  0 VGK  0 i  0 off
V AK  0 VGK  0 i  0 Soff
G

Tabla 1.01 Símbolo, Característica v-i ideal de diodos y tiristores.

58
1.5.2 TRANSISTORES DE POTENCIA

CONDICIONES
DISPOSITI CARACTERÍSTICAS v-i
SÍMBOLO OPERATIVAS COMO
VOS IDEAL
INTERRUPTOR

C
iC iC
BJT(NPN) iB iB  0 iC  0 Son
B VCE iB  0 iC  0 Soff

D iD
iD
MOSFET VGS  0 iD  0 Son
CANAL N G VDS
VGS  0 iD  0 Soff
S

C
iC iC

IGBT G VGE  0 iC  0 Son


VCE
E VGE  0 iC  0 Soff

D iD iD

SIT G VGS  0 iD  0 Son


VDS
VGS  0 iD  0 Soff
S

Tabla 1.02 Símbolo, Característica v-i ideal de transistores

59
1.5.3 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE LOS
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA 14

IG
TIRISTOR(SCR)
I
Vg
+ + CONMUTACIÓN DEL I
R VR TIRISTOR VR
Vs
- VS
-
I

G D
SIT CONMUTACIÓN DEL IG
S
G SIT,GTO Y MCT
GTO Vg t
(La lógica de operación
+ A K + del MCT es inversa a la
A K R
del GTO ) I
Vs VR
G - VR
- MCT Vs

t
t1
Ib

Vb I
+ + CONMUTACIÓN t
R VR DEL TRANSISTOR
Vs t1 T
- VR
-

t
t1 T

D Vgs
+ V
G
S
CONMUTACIÓN DEL
MOSFET, IGBT t
C +
Vs t1 T
G
Vo
E
VO
- Vs
-
t
t1 T
Tabla 1.03 Característica de control de dispositivos semiconductores.

60
1.6 CIRCUITOS EXCITADOS POR FUENTES CONTINUAS
1.6.1 CIRCUITO RC
S t=0 1
𝐸 = 𝑉𝑠 = 𝑖𝑅 + න 𝑖𝑑𝑡 + 𝑉𝐶 (𝑡 = 0)
+ 𝐶
+ Si 𝑉𝐶 𝑡 = 0 = 0
E VR R
Vs -
𝑉𝑠 −𝑡ൗ (1.31)
+
i= 𝑅
𝑒 𝑅𝐶
VC C
_ −𝑡ൗ
- 𝑉𝑅 = 𝑉𝑠 𝑒 𝑅𝐶

a) Circuito. −𝑡ൗ
𝑉𝑐 = 𝑉𝑠 1 − 𝑒 𝑅𝐶 (1.32)
vc
Vs Definición: τ  RC=Constante de tiempo
−𝑡ൗ
0.63Vs 𝑉𝑐 = 𝑉𝑠 (1 − 𝑒 𝜏)

Para t = , vc = 0.632Vs
t
RC 𝑉𝑠 −𝑡 𝑉𝑠
𝑖= 𝑒 𝜏 𝐼𝑚 =
𝑅 𝑅
b) Forma de onda de vc.
En t=0+ el capacitor se comporta como
i un corto circuito.
Im
Para 𝑡 = 𝜏, 𝑖 = 0,368𝐼𝑚

0.36Im 𝑡 = 5𝜏, 𝑖 = 7 × 10−3 𝐼𝑚

t Se considera 𝑡 = 5𝜏 , el fin del


RC proceso transitorio
c) Forma de onda de i En 𝑡 = 5𝜏 , el capacitor se
Fig. 1.26 Circuito RC. comporta como un circuito abierto

61
1.6.2 CIRCUITO R-L

𝑑𝑖
S t=0 𝐸 = 𝑉𝑠 = 𝑖𝑅 + 𝐿
𝑑𝑡
i + +
VR R
𝑉𝑠 −𝑅ൗ
- 𝑖= 1−𝑒 𝐿𝑡 (1.33)
E Vs 𝑅
+
VL L −𝑅ൗ
-
𝑉𝑅 = 𝑉𝑠 1 − 𝑒 𝐿𝑡

−𝑅ൗ
𝑉𝐿 = 𝑉𝑠 𝑒 𝐿𝑡 1.34
a) Circuito
𝐿
Definición: 𝜏 = (Constante de tiempo)
i 𝑅
Im Para 𝑡 = 𝜏
−𝑡
0.632Im 𝑖 = 𝐼𝑚 1 − 𝑒 ൗ𝜏 = 0,632𝐼𝑚
𝑉𝑠
𝐼𝑚 =
𝑅
t En t=0+ el inductor se comporta como
Շ circuito abierto.
−𝑡
b)Forma de onda de i 𝑉𝐿 = 𝑉𝑆 𝑒 ൗ𝜏
Para 𝑡 = 𝜏, 𝑉𝐿 = 0,368𝑉𝑠
vL

Vs
𝑡 = 5𝜏, 𝑉𝐿 = 7 × 10−3 𝑉𝑠

0.368Vs

t Se considera 𝑡 = 5𝜏 el fin del proceso


Շ transitorio..El inductor se comporta
c)Forma de onda de vL como un corto circuito. ,

Fig. 1.27 Circuito RL

62
1.6.3 CIRCUITO LC

S t=0
𝑑𝑖 1
i + 𝐸 = 𝑉𝑠 = 𝐿 + න 𝑖 𝑑𝑡 + 𝑉𝑐 𝑡 = 0
+ 𝑑𝑡 𝐶
vL
𝑖 𝑡=0 =0
E vs -
+
vc 𝑉𝑐 𝑡 = 0 = 0
-
-

El circuito oscila con una frecuencia


a) Circuito angular de
i 1
𝑤0 =
𝐿𝐶
Se transfiere la energía del campo
ωt
magnético del inductor a la del capacitor
y viceversa.
𝑖=
b)Forma de onda de i 𝑉𝑠
𝐶
sin 𝑤0 𝑡 (1.35)
Vc 𝐿
2Vs

𝑉𝐿 = 𝑉𝑠 cos 𝑤0 𝑡 (1.36)
Vs

𝑉𝐶 = 𝑉𝑆 (1 −
ωt
/2 𝜋 𝐿𝐶
En 𝑡 = 2 , se invierte el
c)Forma de onda de vc voltaje
en el inductor, y el voltaje en el
capacitor es la suma del voltaje de la
Fig. 1.28 Circuito LC .
fuente, más el del inductor.

63
1.6.4 CIRCUITO LC DE FUNCIONAMIENTO LIBRE
i
S t=0
- VL + 𝑉𝐿 + 𝑉𝑐 = 0

𝑑𝑖 1
𝐿 + න 𝑖𝑑𝑡 = 0
𝑑𝑡 𝑐
- VC +
𝑉𝐶 𝑡 = 0 = −𝑉𝐶0
a) Circuito.
1 𝑉𝐶0
i 0 = 𝐿𝑠 𝐼(𝑠) + 𝐼𝑠 +
Im 𝑠𝐶 𝑠
𝑣𝐶0 1
𝐼𝑠 = 𝑤02 =
𝐿 𝑠 2 + 1ൗ𝐿𝐶 𝐿𝐶
vc
wo = Frecuencia angular de
Vco
oscilación

𝐶
𝑖 𝑡 = 𝑉𝐶0 sin 𝑤0 𝑡 (1.38)
-Vco 𝐿
vL
𝐼𝑚 = 𝑉 𝐶
𝐶0
𝐿

𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 sin(𝑤0 𝑡)

𝑉𝐶 = −𝑉𝐿 = −𝑉𝐶0 cos 𝑤0 𝑡 (1.39)


b) Forma de onda de i, vc,vL Este circuito se utilizaba para el
apagado forzado de los SCR, cuando
Fig. 1.29 Circuito LC oscilante. se utilizaban en circuitos de corriente
continua.

64
1.7 MODELAMIENTO DE INTERRUPTORES
1.7.1 CARACTERÍSTICAS DE UN INTERRUPTOR IDEAL

i S
a b S abierto( i = 0 para cualquier vab).

i
a S b S cerrado( vab = 0 para cualquier i).
El cambio de estado es instantáneo
Fig. 1.30 Interruptor ideal.

1.7.2 CARACTERÍSTICAS DE UN INTERRUPTOR REAL

S abierto; i muy pequeño para 𝑉𝑎𝑏 ≤ 𝑉𝑛𝑜𝑚


i S
a b
S cerrado, 𝑉𝑎𝑏 pequeño para 𝐼 ≤ 𝐼𝑛𝑜𝑚

Los interruptores se caracterizan por valores


i
a S b nominales de voltaje y corriente, que no se
pueden sobrepasar. El cambio de estado no
es instantáneo. Los semiconductores de
potencia se comportan en un SEP como
Fig. 1.31 Interruptor real.
interruptores reales.

1.7.3 CARACTERÍSTICAS DE UN INTERRUPTOR EN CONMUTACIÓN

El interruptor conmuta a una frecuencia (fc)


𝑓 = 1Τ𝑇
𝑐 de trabajo
Se define relación 𝑐 (D).
(1.40)
S
a D b 𝑡𝑜𝑛
TC 𝐷= (1.41)
ton = tiempo que dura
𝑇𝑐 S cerrado

𝑡𝑜𝑓𝑓 = 1 − 𝐷 𝑇𝑐 (1.42)
Fig. 1.32. Interruptor toff= tiempo que dura S abierto.
conmutado

65
1.8 CIRCUITOS CONMUTADOS CON EXCITACIÓN CONSTANTE

1.8.1 CIRCUITO RESISTIVO


S D

Tc
+
 VR   Voltaje medio en el resistor
R vR
E -

1 𝑇𝑐
VR ˂𝑣𝑅 ˃ = න 𝑉𝑅 𝑑𝑡
𝑇𝑐 0
E
<vR>
˂𝑣𝑅 ˃ = 𝐷𝐸 (1.43)
DTc Tc

Fig. 1.33 Circuito resistivo


1.8.2 CIRCUITO CAPACITIVO
S D
TC + 1 𝐼
I 𝑣𝑐 = න 𝑖𝑑𝑡 = 𝑡 (1.44)
C Vc Al cerrar S 𝐶 𝐶
_

Al abrir S, desaparece el camino para la


corriente, y el voltaje de la fuente tiende a
a) Circuito no operativo.
infinito.
S D
TC
I +
C Vc
R _
Se debe modificar el circuito, adicionando
un resistor en paralelo a la fuente de
b) Circuito modificado corriente.
Vc

El voltaje en el capacitor no es periódico,


sino que crece indefinidamente.
DTc Tc 2Tc
Fig. 1.34 Circuito capacitivo .
66
1.8.3 CIRCUITO INDUCTIVO

TC
S D 𝑑𝑖
Al cerrar S (𝑡 = 0+ ) 𝑣𝐿 = 𝐿 =𝐸
iL 𝑑𝑡
E
+ Si 𝑖 𝑡 = 0− = 0
L VL
_
𝐸
𝑖= 𝑡 (1.45)
𝐿

a) Circuito no operativo Al abrir S en t = t1

𝐸
S D 𝑖 𝑡 = 𝑡1− = 𝑡1 ; 𝑖 𝑡 = 𝑡1+ = 0
TC
𝐿
iL
E La corriente desaparece súbitamente
D
L 𝑑𝑖
→∞ 𝑣𝐿 → ∞ (1.46)
𝑑𝑡
El circuito(fig.1.35a) no es operativo
(colapsa el aislamiento)
b) Circuito modificado
Se adiciona en antiparalelo con el
iL inductor, un diodo (diodo de rueda libre)
para que la corriente sea una función
continua ( di/dt es de valor finito).El
diodo provee un camino para la corriente,
cuando se abre el interruptor.

DTc Tc 2Tc
La corriente en el inductor crece
indefinidamente al aumentar el tiempo.
c) Forma de onda de iL Este comportamiento no ocurre en la
realidad, por la resistencia del inductor .
Fig. 1.35 Circuito inductivo

67
1.8.4 CIRCUITO R – L

El diodo de rueda libre provee continuidad en la


S D
Tc corriente al abrir S. En régimen permanente la
+ + conmutación periódica del interruptor , hace
R VR que las variables corriente y voltaje sean
IL - periódicas
E + Vd
VL 𝑖𝐿 𝑡 = 𝑖𝐿 (𝑡 + 𝑇)
L -
-
𝑡+𝑇 𝑡+𝑇
𝑇
න 𝑣𝐿 𝑑𝑡 = 𝐿 න 𝑑𝑖𝐿 = ˂𝑣 ˃ = 0
𝑡 𝑡 𝐿 𝐿
a) Circuito
(1.47)
El voltaje promedio del inductor en régimen
vd
permanente es nulo.
Aplicando
˂𝑣 ˃ = 𝐷𝐸 Kirchhoff
= ˂𝑣 para
˃ +voltajes
˂𝑣 ˃ =promedios
˂𝑖 𝑅˃
𝑑 𝐿 𝑅 𝐿

𝐷𝐸
t ˂𝑖𝐿 ˃ = (1.48)
iL
𝑅
<iL>
i 0 ≤ 𝑡 ≤ 𝐷𝑇𝑐
Para
∆𝑖𝐿
𝐿 ≅ 𝐸 − ˂𝑖𝐿 𝑅˃ ; ∆𝑡 = 𝐷𝑇𝑐
∆𝑡
DTc Tc 2Tc 𝐸 1 − 𝐷 𝐷𝑇𝑐
∆𝑖𝐿 ≅ (1.49)
𝐿
𝐷𝑇𝑐 ≤ 𝑡 ≤ 𝑇𝑐
b) Formas de onda Para
∆𝑖𝐿
𝐿 ≅ ˂𝑖𝐿 ˃𝑅 ; ∆𝑡 = (1 − 𝐷)𝑇𝑐
∆𝑡
𝐷𝐸𝑇𝑐 (1 − 𝐷)
Fig. 1.36 Circuito R –L ∆𝑖𝐿 = (1.50)
𝐿

68
1.8.5 CIRCUITO RC
La conmutación del interruptor hace
S D id que las variables de corriente y
Tc
ic + voltaje sean periódicas, con período
igual al de conmutación
vc
+
R1 I C R2 vd 𝑣𝑐 𝑡 = 𝑣𝑐 (𝑡 + 𝑇)
-
𝑖𝑐 = 𝐶𝑑𝑣𝑐 Τ𝑑𝑡
-
𝑡+𝑇 𝑣𝑐(𝑡+𝑇)
න 𝑖𝑐 𝑑𝑡 = 𝐶 න 𝑑𝑣𝑐 = 𝑇˂𝑖𝐶 ˃ = 0
𝑡 𝑣𝑐 (𝑡)
(1.51)
a) Circuito La corriente promedia en un capacitor
id en régimen permanente es nula.
Aplicando Kirchhoff de corrientes,
I
para valores promedios
˂𝑖𝑑 ˃ = ˂𝑖𝑐 ˃ + ˂𝑖𝑅2 ˃ = 𝐷𝐼
t
DTc Tc 2Tc
˂𝑣𝑑 ˃ = ˂𝑣𝑐 ˃ = ˂𝑖𝑅2 ˃𝑅2 = 𝐷𝐼𝑅2
<vc> Vc
Para 0 ≤ 𝑡 ≤ 𝐷𝑇𝑐
t
ic DTc Tc 2Tc ∆𝑣𝑐 ˂𝑣𝑑 ˃
𝐶 =𝐼−
∆𝑡 𝑅2
CVc
DTc 𝐼 1 − 𝐷 𝐷𝑇𝑐
∆𝑣𝑐 = (1.52)
t 𝐶
C Vc
(1-D)Tc
∆𝑣𝑐
b) Formas de onda en régimen 𝐷𝑇𝑐 ≤ 𝑡 ≤ 𝑇𝑐 ; 𝐶 = −˂𝑖𝑅2 ˃
∆𝑡
permanente
Fig. 1.37 Circuito R – C 𝐷𝑇𝑐 1 − 𝐷 𝐼
conmutado ∆𝑣𝑐 = (1.53)
𝐶

69
1.9 CARACTERÍSTICAS DE SEÑALES

1.9.1 SEÑALES PERIÓDICAS BIPOLARES

Se define por período de una señal


V
periódica, al intervalo de tiempo en el
T cual la variable adquiere el mismo valor.
Vm

t 𝑣 𝑡 =𝑣 𝑡+𝑇 (1.54)
0 T = período
La señal bipolar es positiva y negativa
dentro del período.
Se define valor medio de la señal a:

1 𝑇
a) Señal alterna cuadrada ˂𝑣˃ = න 𝑣𝑑𝑡 (1.55)
𝑇 0
Si la señal es simétrica con respecto al
V
eje de las abscisas, el valor medio es
nulo.
vm
Se define valor eficaz o r.m.s. a:

t
1 𝑇 2
𝑉𝑒 = න 𝑣 𝑑𝑡 (1.56)
𝑇
El valor eficaz se asocia a la transfe
0
rencia de energía en el circuito
Para la señal alterna cuadrada
b) Señal sinusoidal
𝑉𝑒 =sinusoidal
Para la señal 𝑉 (1.57)

Fig. 1.38 Señal periódica bipolar


𝑉𝑚
𝑉𝑒 = ൘ (1.57𝑏)
2

70
1.9.2 SEÑAL PERIÓDICA UNIPOLAR

1 𝑇
i ˂𝑖˃ = න 𝑖 𝑑𝑡 ≠ 0
𝑇 0
imáx
El valor medio se asocia con
<i>
transferencia de carga.
Si 𝑖 = ˂𝑖˃ + 𝑖 ′ 𝑡 (1.58)
t i´=Componente alterna de i sobre
T <i>.
Factor de rizado
Fig. 1.39 Señal periódica unipolar 𝐼𝑒′
𝐹𝑟 = (1.59)
˂𝑖˃
Factor de forma
𝐼𝑒
1.9.3 SEÑAL PERIÓDICA PWM 𝐹𝑓 = (1.60)
˂𝑖˃
La modulación del ancho de
pulso(PWM), se refiere al control
del valor promedio local de una
VA
variable conmutada.

1 𝑡
˂𝑣𝐴 ˃ = න 𝑣𝐴 𝜏 𝑑𝜏 (1.61)
𝑇𝑐 𝑡−𝑇𝑐
Duración del pulso= dTc
Para la fig. 1.40, d varía de acuerdo
a una ley sinusoidal
En los convertidores conmutados a
alta frecuencia de E.P.,las variables
presentan componentes de AF
debido a la conmutación ,y de BF
Fig. 1.40 Señal periódica PWM debido a los cambios de la carga o
de la fuente

71
1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIÓN SINUSOIDAL Y
CARGA LINEAL
1.10.1 CIRCUITO R-L

is
S REGIMEN TRANSITORIO
+ + 𝑑𝑖
R VR 𝑣𝑠 = 𝑉𝑚 sin(𝑤𝑡) = 𝑖𝑅 + 𝐿
𝑑𝑡
+ -
E Vs
+
Si 𝑖 𝑡 = 0 = 𝐼0
-
L VL 𝑉𝑚 −𝑅𝑡 𝑉𝑚
𝑖𝑠 = 𝐼0 + sin 𝜑 𝑒 ൗ𝐿 + sin 𝑤𝑡 − 𝜑
- 𝑍 𝑍
- (1.62)
𝑍= (𝑤𝐿)2 +𝑅2 … 𝜑 = 𝑡𝑎𝑛−1 𝑤𝐿ൗ𝑅
a) Circuito
(1.63)
REGIMEN PERMANENTE
V

Vm ..... Vs 𝑖𝑠 = 𝐼𝑚 sin(𝑤𝑡 − ϕ)
Im ............
is
𝑉𝑚 𝐼𝑚
t 𝑝 𝑡 = 𝑣𝑠 𝑖𝑠 = cos ϕ 1 − cos 2𝑤𝑡 −
2
ɸ
𝑉𝑚 𝐼𝑚
sin(𝜑) sin 2𝑤𝑡 (1.64)
2
Se define potencia activa o real a la
b) Formas de onda
potencia promedio consumida en el circuito

Fig. 1.41 Circuito RL 1 𝑇


con excitación
˂𝑝˃ = න 𝑝 𝑡 = 𝑉𝑒 𝐼𝑒 cos ϕ (1.65)
𝑇 0
sinusoidal
<p> se asocia al flujo neto de energía , de ahí
su nombre : Potencia activa

72
1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIÓN SINUSOIDAL
Y CARGA LINEAL
1.10.1 CIRCUITO R-L

La potencia reactiva q(t) se expresa por :


EI
𝑞 𝑡 = 𝑉𝑒 𝐼𝑒 sin ϕ sin 2𝑤𝑡 (1.66)
< 𝑞(𝑡) > = 0 (No aporta a la transferencia de
Ve
ER energía.).
Ф
La demanda de q(t) se asocia a la generación de
campos electromagnéticos
Ie
𝑖𝑠 = 𝐼𝑚 sin(𝑤𝑡 − ϕ)
c) Diagrama
fasorial = 𝑖𝑚𝑎𝑔 𝐼𝑚 𝑒 −𝑗ϕ 𝑒 𝑗𝑤𝑡

EI 𝐼 𝑠 = 𝐼𝑚 𝑒 −𝑗ϕ 𝑓𝑎𝑠𝑜𝑟 (1.67)

La corriente atrasa al voltaje.


El diagrama fasorial del circuito (fig.1.41 c)
S muestra la posición relativa de la corriente en
QL
el circuito, en relación con el voltaje en un plano
ɸ ER complejo
P Se define potencia aparente(S)
𝑆 = 𝑃 + 𝑗𝑄𝐿 = 𝑉𝑒 𝐼𝑒 cos ϕ + 𝑗𝑉𝑒 𝐼𝑒 sin ϕ
d) Triángulo de
𝑆 = 𝑉𝑠 𝐼𝑠∗ (1.68)
potencias
𝑃
𝐹𝑝 = = cos ϕ (1.69)
Fig. 1.41 Circuito RL 𝑆
excitación sinusoidal
𝐹𝑝 =factor de potencia

73
1.10.2 CIRCUITO R - L - C
REGIMEN PERMANENTE

is
𝑣𝑠 = 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡
+ iL ic 𝑑𝑖𝐿 1
R = 𝑖𝐿 𝑅 + 𝐿 = න 𝑖𝑐 𝑑𝑡
+
𝑑𝑡 𝐶
vs C
Es
- 𝑖𝑠 = 𝑖𝐿 + 𝑖𝑐 (1.70)
L

-
𝑉𝑚
𝑖𝑠 = sin(𝑤𝑡 − ϕ)
𝑍
𝑋𝐿 − 𝑋𝐶
a) Circuito 𝑍 = 𝑅 + 𝐽𝑋𝐿 ǁ𝑋𝐶 ; ϕ = 𝑡𝑎𝑛−1 )
IC
𝑅
(1.71)

VS Los requerimientos de potencia reactiva del


Ф i capacitor y del inductor son opuestos en el
L
tiempo(contrafase).El inductor retorna potencia
reactiva a la fuente, cuando el capacitor la
IS solicita .
b) Diagrama fasorial (𝑄𝐿 − 𝑄𝐶 )ൗ
tan ϕ = 𝑃 (1.72)
𝑃
cos ϕ = (1.73)
jQL
𝑃2 + (𝑄𝐿2 − 𝑄𝐶2 )
S
Ф j(QL – QC) Los requerimientos de potencia reactiva
de una carga R-L, asociados a la generación
jQC del campo magnético(B), se pueden proveer
mediante los reactivos demandados por un
capacitor ,asociados a la generación del campo
d) Triángulo de potencias eléctrico(E.)
En E.P. ocurren situaciones, en las cuales la
Fig. 1.42 Circuito R LC con
demanda de reactivos, no esta asociada a la
excitación sinusoidal
generación de campos eléctricos o
magnéticos.

74
1.11 FLUJO DE POTENCIA EN REDES NO LINEALES Y
EXCITACIÓN NO SINUSOIDAL 7

ii 𝑣𝑖 = 𝑉0 + ෍ 𝐴𝑛 cos 𝑛𝑤𝑡 + 𝐵𝑛 sin(𝑛𝑤𝑡)


+ Carga 𝑛=1
vi no ∞
_ Lineal = 𝑉0 + ෍ 𝑉𝑛 sin 𝑛𝑤𝑡 + 𝜑𝑛 (1.74)
𝑛=1
vi 𝐴𝑛
𝜑𝑛 = 𝑡𝑎𝑛−1
𝐵𝑛

t 𝑉𝑛 = 𝐴2𝑛 + 𝐵𝑛2

ii 𝐼𝑖 = 𝐼0 + ෍ ˂𝐴𝑚 cos 𝑚𝑤𝑡 + 𝐵𝑛𝑚 sin(𝑚𝑤𝑡)˃
𝑚=1

t = 𝐼0 + ෍ 𝐼𝑚 sin 𝑚𝑤𝑡 + 𝜃𝑚 (1.75)


𝑚=1
𝐴𝑚
Fig. 1..43 Formas de onda de 𝜃𝑚 = 𝑡𝑎𝑛−1 ;𝐼 = 𝐴2𝑚 + 𝐵𝑚
2
𝐵𝑚 𝑚
un circuito no lineal con
excitación no sinusoidal.
1 𝑇 1 𝑇
˂𝑝˃ = 𝑃𝑖 = න 𝑝𝑑𝑡 = න 𝑣𝑖𝑑𝑡 (1.76)
𝑇 0 𝑇 0
2𝜋 2𝜋
න sin 𝑛𝑥 sin 𝑚𝑥 𝑑𝑥 = න cos(𝑛𝑥) cos 𝑚𝑥 𝑑𝑥 = 𝜋𝛿𝑚𝑛
0 0
2𝜋
න sin 𝑚𝑥 cos 𝑛𝑥 𝑑𝑥 = 0 0 𝑚≠𝑛
𝛿𝑚𝑛 = ቊ
0 1 𝑚=𝑛
𝑐𝑜𝑛
𝑉1 𝐼1 𝑉2 𝐼2
𝑃𝑖 = 𝑉0 𝐼0 + cos 𝜑1 − 𝜃1 + cos 𝜑2 − 𝜃2 + ⋯ (1.77)
2 2
Solamente las componentes de igual frecuencia de la corriente y el
voltaje, contribuyen a la transferencia de energía.

75
1.12 FACTOR DE POTENCIA Y DISTORSIÓN DE CIRCUITOS
CON FUENTE SINUSOIDAL Y CARGA NO LINEAL
iS
En una carga no lineal, si la excitación
Red
vS
(voltaje) es sinusoidal, la respuesta
no
Lineal (corriente) no es sinusoidal, y si la potencia
de la carga es pequeña comparada con la
fuente, la distorsión de la corriente afecta
vs
muy poco al voltaje.
t
𝑣𝑠 = 2𝑉 sin(𝑤𝑡)

𝑖𝑠 = ෍ 2 𝐼𝑛 sin(𝑛𝑤𝑡 + 𝜑𝑛 )
is
𝑛=0
1 𝑇
t ˂𝑝˃ = 𝑃 = න 𝑣𝑠 𝑖𝑠 𝑑𝑡 = 𝑉𝐼1 cos 𝜑1
𝑇 0
𝐼1
Fig. 1.44 Formas de onda de un 𝑃 = 𝐹𝑝 𝑆 = 𝑉𝐼𝑒 cos 𝜑1 = 𝐹𝑑 𝐹𝜑 𝑆
circuito no lineal y excitación 𝐼𝑒
sinusoidal
(1.78)
𝐹𝑝 = 𝑃ൗ𝑠 Factor de potencia (1.78a)
𝐹𝜑 = cos 𝜑1 Factor de desfasamiento (1.78b)
𝐼
𝐹𝑑 = 1ൗ𝐼 Factor de distorsión (1.78c)
𝑒

𝐼𝑒 = ෍ 𝐼𝑛2 Corriente eficaz de la fuente (1.79)


𝑛=1
σ𝑛=1 𝐼𝑛2
𝑇𝐻𝐷 = Distorsión total de armónicos = (1.80)
𝐼12
2
𝐼𝑒2 − 𝐼12 𝐼𝑒 1
𝑇𝐻𝐷 = = −1 = −1 (1.81)
𝐼12 𝐼1 𝐹𝑑2

76
1.13 FILTROS
1.13.1 FILTRO DE ENTRADA La naturaleza de la carga y el modo
iS ie
de operación del convertidor,
+ Filtro de distorsionan la corriente de entrada
Fuente Convertidor ( ie ) al convertidor (THD ≠ 0)
vS entrada
_
y a su vez la que demanda de la
fuente. Se originan armónicos de
a) Diagrama de bloques corriente, que generan interferencia
ie
electromagnética y una condición de
transferencia de energía, indeseable
ωt
para la fuente.
El filtro de entrada ideal debe
is producir una corriente en la fuente (
ωt
is) libre de armónicos (THD = 0), para
evitar la interferencia
electromagnética en los equipos
b) Formas de onda adyacentes, y mejorar la
transferencia de energía, reduciendo
Fig. 1.45 a) Filtro de entrada el THD y el factor de potencia
1.13.2 FILTRO DE SALIDA

+ Filtro +
Convertidor vd de vc carga El voltaje de salida del convertidor
_ salida _
(vd ) presenta una forma de onda con
un Fr diferente de cero.
a) Diagrama de bloques
En algunos convertidores la
Vd
carga requiere un voltaje constante
wt (Fr=0), en otros un voltaje sinusoidal
Vc , y el filtro de salida ideal, debe
Vc
transformar el voltaje de salida del
wt convertidor, al voltaje ideal requerido
b) Formas de onda por la carga. Los elementos del filtro
Fig. 1.45 b) Filtro de salida de un son inductores y capacitores.
SEP.

77
1.14 TOPOLOGÍAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES

1.14.1 CONVERTIDOR CA/CD NO CONTROLADO CON CUATRO


P
INTERRUPTORES
1 2

+
Los interruptores P cierran cuando se
1
N2 inicia el semiperíodo positivo, y los N
con el semiperíodo negativo.
Vca=Vm sen wt vd R
Los interruptores P y N son
N2
1
complementarios (DP+DN=1) y (DP= DN)
El voltaje promedio en la carga es :
1
P2 _
𝜋
1 ‫׬‬0 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
a )Circuito < 𝑣𝑑 >=
vd 𝜋
2𝑉
Vmáx < 𝑣𝑑 >= 𝜋𝑚 (1.82)
<vd>

La serie de Fourier de V es :
d
wt
 2𝑉𝑚
2 𝑣𝑑 = -
b) Forma de onda 𝜋

P
L 4𝑉𝑚 1
෍ cos(𝑛𝑤𝑡)
𝜋 (𝑛 − 1)(𝑛 + 1) (1.83)
N 𝑛=2,4
vca C
El armónico dominante es n=2. Para
R
N vd Vcd
minimizar éste armónico se utiliza un
Filtro LC. La función de L es “atrapar”
P los armónicos de voltaje y la función de
C es servir de derivación a los
c) Convertidor con filtro LC armónicos de corriente , para minimizar
el factor de rizado en la carga
El cálculo de L y C se hará en la unidad
Fig. 1.46 Convertidor CA/CD no III
controlado.

78
1.14 TOPOLOGÍAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES
1.14.2 CONVERTIDOR CA/CD NO CONTROLADO CON DOS
INTERRUPTORES

Se requieren dos fuentes conectadas en


P
+ + serie(dos arrollamientos iguales del secundario) y
Vca dos interruptores un P y un N(fig.1.47a).Al
n2 iniciarse el semiperíodo positivo cierra P, y al
n1 -
n1 Vca
n2 - vd + iniciarse el semiperíodo negativo cierra N. Las
Vca fuentes trabajan alternadamente .
n2
- N
𝑣𝑐𝑎 = 𝑉𝑚 sin(𝑤𝑡)
1 𝜋
a )Circuito ˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
𝜋 0
2𝑉𝑚
vd ˂𝑣𝑑 ˃ = (1.82)
𝜋
La serie de Fourier de 𝑣𝑑 :es:
Vmáx
2𝑉𝑚
< vd > 𝑣𝑑 = −
𝜋

4𝑉𝑚 1
wt ෍ cos(𝑛𝑤𝑡) (1.83)
𝜋 (𝑛 − 1)(𝑛 + 1)
 2 3 𝑛=2,4

Cada fuente transporta corriente solamente


durante un semiperíodo. La operación de este
b) Forma de onda convertidor es idéntica al convertidor que utiliza
4 interruptores .
En la práctica las dos fuentes en serie se
Fig. 1.47 Convertidor obtienen con un transformador, cuyo secundario
CA/CD no controlado tiene una bobina con derivación intermedia
con 2 interruptores (fig.1.47 a)

79
1.14.3 CONVERTIDOR CA/CD CONTROLADO 5

Los interruptores P, cierran en wt = α,


después de iniciado el semiperíodo positivo,
P N y los interruptores N cierran en wt =( π +
vs i L R α.)
+
- vd _ Los interruptores P y N son
Vm Sen(ωt)
+
complementarios (Dp +Dn=1) ,y tienen
N P
idéntica relación de trabajo(Dp= Dn)

𝐿 𝜋
Si ≥ 10 × → 𝑖𝑑 ≅ 𝐼𝑑
a) Circuito 𝑅 𝑤
vd 1 𝜋+𝛼
˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
𝜋 𝛼
wt 2
˂𝑣𝑑 ˃ = 𝑉 cos 𝛼 (1.84)
α π+
α
2π+
α
𝜋 𝑚
b) Forma de onda del Para α menor a 90° vd es positivo y la
voltaje de salida. energía fluye de CA a CD, en régimen
permanente(rectificador).Para α menor a
i 180°y mayor a 90° ,vd es negativo y la
Id
energía fluye de CD a CA en régimen
wt transitorio(Inversor),debido a la limitada
capacidad de energía del inductor.
La naturaleza altamente inductiva de la
carga( 𝑤𝐿 > 10π𝑅 ) distorsiona la corriente de
la fuente alterna, transformándola en una
c) Forma de onda de
corriente alterna rectangular, lo que degrada
corriente en la fuente.
el factor de potencia de la fuente
Fig. 1.48 Convertidor CA/CD Los interruptores deben tener capacidad
controlado. para soportar voltaje bipolar.

80
1.14.4 CONVERTIDOR CD/CA CONMUTACION BAJA FRECUENCIA 5

Si va es de baja frecuencia ,los


interruptores conmutan a baja frecuencia.
Los interruptores deben tener capacidad
S1 S3
bidireccional de corriente. (1.85)
Vdc i L R
+
- _
+ va 2 𝜋−𝛿 2 2𝛿
𝑉𝑎𝑐 = න 𝑉𝑑𝑐 𝑑(𝑤𝑡) = 𝑉𝑑𝑐 1 −
S2 S4 2𝜋 𝛿 𝜋
El estado va = 0 (S1 y S3,o S2 y S4
cerrados) tiene una duración de 2δ.
a) Circuito
Si 𝑤𝐿 ≤ 𝑅 se pueden ignorar
Va
los armónicos de ia
𝑤𝐿
Vdc 𝑖𝑎 = 𝐼𝑎1 sin 𝑤𝑡 − 𝜃1 ; 𝜃1 = 𝑡𝑎𝑛−1
𝑅
δ S14 2δ S24
𝑉𝑎1
-Vdc
𝐼𝑎1 = ;
S13 S23
(𝑤𝐿)2 +𝑅 2
1.86)
b) Voltaje de salida. 2𝑉𝑑𝑐 𝜋−𝛿
𝑉𝑎1 = න sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
V 𝜋 𝛿 (1.87)
Va1 ..... Va1 4𝑉𝑑𝑐
Ia1 ............ 𝑉𝑎1 = cos 𝛿
ia1
𝜋
t
𝑉𝑎1 𝐼𝑎1
ɸ1 ˂𝑃˃ = 𝑃 = cos 𝜃1
2
(1.88)
8𝑉𝑑𝑐 2
𝑃= 𝑐𝑜𝑠 2 𝛿𝑐𝑜𝑠𝜃1
𝜋 2 (𝑤𝐿)2 +𝑅 2
b) Formas de onda
Fig. 1.49 Convertidor CD/CA
conmutado a baja frecuencia.
𝜃1 depende de la naturaleza de la carga.
δ es la variable de control de la potencia

81
1.14.5 CONVERTIDOR CD/CA CON MODULACIÓN DEL ANCHO
DE PULSO ( PWM) 5

Los interruptores S1 y S2
conmutan a alta frecuencia(T) con
S1 S3
Vcd V’d una relación de trabajo(d) variable,
i L R
+ según una ley sinusoidal.S3 y S4
-
conmutan a baja frecuencia.S1
_ vd +
funciona con S4 y S2 con S3
S2 S4

𝑑 𝑡 = 𝐾 sin(𝑤𝑡) (1.89)
a) Circuito de potencia K = magnitud de modulación. Es la
vd
vd amplitud de la señal rectificada de
Vcd
sen(wt)(vs) del circuito de control
S3 on La frecuencia del voltaje en la carga
S1,S2 modulados t es la de conmutación de S3 y S4
T 2T
La forma de onda de vd está
S4 on conformada por pulsos, cuya duración
-Vcd S1,S2 modulados 2π/w
varía con una ley sinusoidal, lo que
determina que el valor promediado
b) Formas de onda en la
durante el tiempo que dura el
carga(5)
pulso(valor promedio local) es
vT
sinusoidal (v’d)
vs
k
El inductor actúa como filtro para la
t corriente de alta frecuencia. La
d(t1) d(t2) amplitud de la fundamental del voltaje
g(t) en la carga se varía con K.

t Todos los interruptores deben tener


capacidad bidireccional de corriente,
c) Formas de onda del circuito para permitir el flujo de potencia
de control(5) reactiva de la carga a la fuente.
Fig. 1.50 Convertidor CD/CA PWM

82
1.14.6 CONVERTIDOR CD/CA RESONANTE 5

Vcd Utiliza dos interruptores conmutados(S1 y


+ _ S1
S2) y un filtro resonante(L-C) en serie
- Va +
R C L con la carga, cuya función de trasferencia
Vcd varía significativamente con la frecuencia.
- Vca +
+
- S2 1
𝑍 = 𝑅 + 𝑗𝑤𝐿 +
𝑗𝑤𝐶
2
a)Circuito 1 − 𝑤 𝐿𝐶 + 𝑗𝑤𝐶𝑅
𝑍=
𝑗𝑤𝐶
Va 𝑗𝑤𝐶
𝑌 𝑗𝑤 = 2 𝐿𝐶 + 𝑗𝑤𝐶𝑅
(1.90)
Vcd
1 − 𝑤
𝑤 =Frecuencia de conmutación de los
interruptores = frecuencia angular del
t voltaje en la carga
0
T T 3T
2 2 4𝑉𝑐𝑑
𝑣𝑎 = ෍ sin 𝑛𝑤𝑡 (1.91)
-Vcd 𝑛𝜋
𝑛=1,3,5
𝑣𝑐𝑎 = 𝑣𝑎 𝑌 𝑗𝑤 𝑅
Vca 1
4Vcd/ 𝑆𝑖 𝑤 = = 𝑤0 (𝑟𝑒𝑠𝑜𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎) →
𝐿𝐶
4
 2 3 wt 𝑉𝑐𝑎 ≅ 𝑉𝑎1 = 𝑉𝑐𝑑 (1.92)
0 𝑉𝑎1 = Amplitud
𝜋 de la componente
fundamental. El voltaje en la carga es
bastante sinusoidal. Variando w, se regula
la potencia entregada a la carga, pero se
b)Formas de onda de voltaje distorsiona el voltaje
Esta topología se utiliza con alta frecuencia
de conmutación, para aplicación en hornos
Fig. 1.51Convertidor de inducción.
CD/CA resonante

83
1.14.7 CONVERTIDOR CD/CD – ALTA FRECUENCIA DE
CONMUTACIÓN
1.14.7.1 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO 5

L
i1 1 2 1 2 i2 D es la relación de trabajo de 𝑆1 y por
+ + s1 - - vL + ser 𝑆2 complementario, su relación de
+ + trabajo de es( 1 – D).
2 vs 2 Si la transferencia de energía es de 1 hacia
s2 V2
V1 c 1 2, se infiere: .
-

- 𝑣1 > 0 → 𝑖1 > 0 ; 𝑣2 > 0 → 𝑖2 < 0


-

a) Circuito Se denomina convertidor directo, por que


hay un camino para la corriente CD entre
v1 el puerto 1 y el 2.

˂𝑣𝑠2 ˃ + ˂𝑣𝐿 ˃ = ˂𝑣2 ˃ = 𝑉2


t
DT T ˂𝑣𝑠2 ˃ = 𝐷𝑉1 ; 0 ≤ 𝐷 ≤ 1.0 (1.93)
is1
-i2 𝑉2 < 𝑉1 (convertidor reductor).Si el flujo
de energía es de 2 a 1, el convertidor es
t elevador.
vs2
v1 Para minimizar el rizado de corriente en el
puerto de entrada ( 𝑖1 ), se coloca un
t capacitor a la entrada, y para minimizar el
Is2 rizado del voltaje de salida (𝑣2 ) ,se coloca
t un inductor en serie con la carga.
Para minimizar el tamaño del filtro (L, C),
I2 se utilizan altas frecuencias de
conmutación, en el orden de decenas de
b) Formas de onda khz. Una aplicación típica de este
Fig. 1.52 Convertidor CD/CD convertidor( fly-back) es en la fuente de
directo poder de TV, computadoras etc.

84
1.14.7.2 CONVERTIDOR CD/CD INDIRECTO

s1 s2
i1 is1 is2 i2
1 2 1 2
No existe un camino para la corriente
+ +
+ vs1 - + vs2 - CD, entre el puerto 1 y el 2.
1
+ Si la transferencia de energía es del
v1 v2 puerto 1 al 2, se infiere:
C1 vL L C2
- 2 𝑣1 𝑖1 >0 y 𝑣2 𝑖2 < 0
- - De la forma de onda de 𝑣𝐿 ,se infiere:

a) Circuito ˂𝑣𝐿 ˃ = 𝑉1 𝐷𝑇 + 𝑉2 1 − 𝐷 𝑇 = 0
vs1
𝐷
v1+lv2l 𝑉2 = −𝑉1 (1.92)
1−𝐷
t El convertidor invierte el voltaje;
DT T
is1
ic+I1
Si 𝐷 ≥ 0,5 ; 𝑉2 > 𝑉1 (elevador)
t

vs2
T Si 𝐷 ≤ 0,5 ; 𝑉2 < 𝑉1 (reductor)
v1+lv2l
L atrapa los armónicos de voltaje, para
t que no aparezcan en el puerto de salida
T (𝑣2 ).
is2
t
T
C1 y C2 forman un bypass(derivación) a
-I2 las armónicas de corriente, para que no
vL aparezcan en el puerto de entrada.
v1
C1 contribuye a reducir la impedancia
t
T
del puerto 1.
El convertidor cambia de reductor a
v2 elevador, variando la relación de trabajo.
Fig. 1.53 Convertidor CD/CD
buck/boost

85
1.14.7.3 CONVERTIDOR CD/CD CON ENCADENAMIENTO CA

N1:N2 Los convertidores de alta


CD CA frecuencia de conmutación
+ +
tienen un límite para el voltaje
V1 VN1 VN2 V2 de salida, debido al parámetro
de esfuerzos (Vpico * Ipico) de
_ _
CA CD los semiconductores. Al
sobrepa
sar estos valores, se destruye
a) Diagrama de bloques el dispositivo
v1
Para obtener relaciones altas
entre el voltaje de salida al de
t
entrada, se utiliza.
vN1
t a) Un convertidor CD/CA
b) Un transformador para
cambiar el nivel de voltaje
vN2 y aislar eléctricamente la
salida de la entrada. La
limitación del convertidor
t la determina la capacidad
de aislamiento del
transformador

v2 c) Un convertidor CA/CD

La desventaja es el mayor
t
costo por duplicidad de
b)Formas de onda semiconductores, filtros y
sistemas de control.
Fig. 1.54 Convertidor CD/CD con
encadenamiento en CA.

86
1.14.8 CONVERTIDORES CA/CA
1.14.8.1 CONVERTIDOR CA/CA – CONTROLADOR CA 1

1 2 El controlador CA es la topología
S +
más simple del convertidor CA/CA.
+ Se modifica el voltaje eficaz de C.A.
_ vd en la salida, eliminando pedazos
Vm sin(wt) simétricos del semiperíodo positivo
_
y del negativo del voltaje de
entrada(fig. 1.55b).
a) Circuito
vd
2 𝜋 2 2
𝑉𝑑 = න 𝑉 𝑠𝑖𝑛 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
Vm 2𝜋 𝛼 𝑚

1 2𝛼
𝑉𝑑 = 𝜋 − 𝛼 + sin (1.95)
α  +α 2 𝜋 2
S OFF
Para carga resistiva

-Vm S ON

𝑃 𝛼 1
𝐹𝑝 = = 1− + sin 2𝛼 (1.96)
𝑆 𝜋 2𝜋
α,el ángulo de disparo, es un factor
b) Forma de onda operativo.
La frecuencia del voltaje de salida es
Fp la misma frecuencia de entrada. La
potencia reactiva que demanda este
sistema, no está asociada a la
generación de campos magnéticos.
Las aplicaciones típicas del
α controlador son para regular la luz
 incandescente (dimmer), y para
controlar la velocidad de pequeños
c) Factor de potencia motores universales .

Fig. 1.55 Controlador CA

87
1.14.8.2 CONVERTIDOR CA/CA – CICLOCONVERTIDOR

Utiliza una topología idéntica al


L convertidor CA/CD. Para que v2
sea positivo, se cierran los
P N interruptores P cuando v1 es
positivo, y los interruptores N
R V2 cuando v1 es negativo. El voltaje
vS=V1 sen w1t v2 será negativo si se cierran los
N P interruptores P cuando v1 es
negativo y los N cuando v1 es
positivo.
a) circuito
Si los interruptores P están
vd
sincronizados con el inicio del
semiperíodo positivo, y los N con
el inicio del semiperíodo negativo
P N P N P N P N (α = 0), la forma de onda de vd
N P N P N P N P N se muestra en la fig.1.55b.

Si se controla el ángulo, al cual se


b)Forma de onda con α=0 cierran los interruptores (α) de
acuerdo a una ley sinusoidal, α =
K │sen(wt)│, la forma de onda de
vd se muestra en la fig. .1.52c.El
vd v2
valor promedio local resulta una
v1
v2
sinusoidal
12 wt
4 8 16
-v2
-v1
N P N P N P N P N P N P N P N P

c) Formas de onda con α variando sinusoidalmente


2𝜋 𝐿 2𝜋
Si el filtro cumple con ≫ ≫
𝑤2 𝑅 𝑤1
,v2 es casi sinusoidal.

Fig. 1.56 Ciclo-convertidor

88
1.14.8.3 CONVERTIDOR CA/CA CON ENCADENAMIENTO CD

Utiliza un convertidor CA/CD y un


CA CD
+ + + convertidor CD/CA encadenados en
CD, por un capacitor o por una
V1 sen w1t CG Vcd V2 sen w2t
batería. Si el encadenamiento CD
_ _ _ utiliza un capacitor V2 y w2 son
CD CA diferentes de V1 y w1.

a) Diagrama de bloques Sí el convertidor se utiliza como


vent variador de velocidad de motores
V1 polifásicos de inducción, V2 y w2
deben ser variables y se debe
mantener constante la relación
V2/w2 ,para impedir la saturación del
T1/2
circuito magnético del motor, en el
caso que se utilice el control
escalar para la variación de la
vcd
velocidad
VCD

Sí el encadenamiento CD utiliza una


vsalida
batería y si V1=V2 , el convertidor
V2 se denomina UPS (sistema de
potencia no interrumpida) , y se
utiliza para alimentar las cargas
críticas de una instalación eléctrica
T2/2
,que requieren de una confiabilidad
de 100%, en la continuidad de la
energía (área de quirófanos de un
b) Formas de onda. hospital, sala de computación, etc).

Fig. 1.57 Convertidor CA/CA con


encadenamiento CD.

89
1.15 IMPLEMENTACIÓN DE UN INTERRUPTOR POR UN
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR 5

i1 L1 L2 i2 El convertidor de electrónica de
iN
potencia se conforma por una matriz de
V1 + + V2 interruptores ,que se implementan por
+ +
_ Vc VN _ dispositivos semiconductores de
_ _ N
potencia .La implementación de un
interruptor por un dispositivo
semiconductor, se realiza de acuerdo al
a) Circuito siguiente procedimiento:
iN
a) Se definen para el interruptor la
polaridad del voltaje (Vs) y la
P(cerrado)
vN corriente (is ).
V1
b) Se determina del circuito en donde
P(abierto) se ubica el interruptor, el gráfico
-I2
c) vs – is, de cada interruptor,de
acuerdo al trabajo realizado por
b) iN – vN del interruptor N cada uno de ellos,
d) Se compara el gráfico vs – is de
+ VD _ cada interruptor, con los gráficos
iD vd – id , de los diferentes
dispositivos semiconductores
ID
vD
disponibles.

Para el caso del interruptor N, de un


c) id– vd de un díodo con convertidor CD/CD directo reductor,
polarización directa (fig.1.58 a) se muestra el gráfico
iN – vN del interruptor, y el gráfico
Fig. 1.58 Implementación del iD – vD de un diodo con polarización
interruptor N en un convertidor directa. Al compararlos se concluye,
CD/CD directo reductor. que el gráfico iN – vN corresponde al
de un diodo con polarización inversa

90
BIBLIOGRAFÍA

1)Gualda J.A. y otros ELECTRÓNICA INDUSTRIAL. TECNICAS DE


POTENCIA . Edición 1992. Editorial Alfa Omega

2)Segui S.,Gimeno F. J. y otros ELECTRÓNICA DE POTENCIA Fundamentos


Básicos. 2004 . Editorial Alfa Omega

3)Dewan S. B.; Straughen A..POWER SEMICONDUCTOR CIRCUITS.


1975. Editorial John Wiley

4)JaiP.Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS. Theory and design.2001


.Editorial Prentice -Hall

5)Kassakian J.G ;Schlecht M.F; Verghese G.C. PRINCIPLES OF POWER


ELECTRONICS. 1995 Editorial Addison- Wesley

6)Krein P.T. ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS. 1998.Editorial Oxford


University Press.

7)Erickson R.W. Maksimovic D. FUNDAMENTALS OF POWER


ELECTRONICS.2003 Editorial Kluwer Academic Publishers

8)Mohan N.; Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS. 2003.


Editorial John Wiley & sons Inc

9)R.G. Hoft(editor) SCR APPLICATONS HANBOOK 1974. International


Rectifie.r

10)Leiva L.F.MANUAL DE INSTALACIONES ELÉCTRICAS


DOMICILIARIAS.2004 Editada por Schneider Electric

11)Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND


APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall

91
12)Rashid M.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK
1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.septiembre 24 2008

13) INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC


pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13 2008

14)Williams B. POWER ELECTRONICS DEVICES DRIVERS,APPLICATIONS


AND PASSIVE COMPONENTS Editorial Mc. Graw-Hill.1992

15)W.Shepherd,L.N.Hulley,D.T.W.Liang .POWER ELECTRONICS AND MOTOR


CONTROL 1995. Cambridge University Press

92
ACTIVIDADES

TEORÍA
1)Describir la naturaleza y el propósito de la Electrónica de Potencia
2)Dibujar el diagrama de bloques de un SEP, y explicar la función de cada
bloque y enumerar los elementos que lo conforman.
3)¿Por qué se normalizan los valores eficaces de los voltajes en las redes de
servicio?¿Cual es el criterio para utilizar estos voltajes?
4)Dibujar e interpretar los circuitos equivalentes en modo activo y pasivo de
la batería ácido-plomo
5)Dibujar y analizar la conexión de un aerogenerador a la red de servicio
eléctrico.
6¿Qué es un panel solar?¿Cómo se conecta un sistema fotovoltaico con la
red de servicio eléctrico?
7)¿Cómo se define un capacitor ideal?¿Cuales son las diferencias con el
capacitor real?
8)Dibujar e interpretar el circuito equivalente general del capacitor real y
deducir a partir de este circuito el equivalente serie. Proponer un
procedimiento experimental para determinar el circuito equivalente,
9)¿Qué es el ángulo de pérdidas de un capacitor?¿Cómo se define?
10)Describir aspectos constructivos ,características y aplicaciones de los
capacitores de :a)Electrolíticos. b) Plástico. c)Cerámica.
11)¿Cuáles son los flujos magnéticos que se originan en un
transformador?¿Por qué se originan? ¿Qué representan?
12)¿Qué se entiende por corriente de magnetización de un
transformador?¿Cómo se define?¿Qué representa?
13)Escribir para el primario y el secundario de un transformador, las
ecuaciones que describen su comportamiento desde la teoría circuital
14)Dibujar e interpretar el modelo circuital del transformador ideal.
15)¿Qué se entiende por acoplamiento de impedancias?
16)Dibujar e interpretar la curva de magnetización de un material magnético
real.
17)Dibujar e interpretar el modelo circuital de un transformador ,con
permeabilidad finita si se ignoran las resistencias. Proponer un
procedimiento experimental para determinar el circuito equivalente

93
ACTIVIDADES

TEORÍA

18)¿Qué situación conduce a la saturación del transformador?¿Cuáles son


las consecuencias?
19)Interpretar la forma de onda del voltaje en el secundario de un
transformador de pulsos ,utilizando el circuito equivalente del transformador
de pulsos.
20)Deducir el valor de la inductancia de un toroide.
21)Deducir la caída de voltaje en inductor excitado por :a)Un voltaje
alterno sinusoidal; b)Un voltaje alterno cuadrado
22)Definir para un componente magnético: a)Pérdidas por histéresis
;b)Pérdidas por corrientes parásitas, c)Pérdidas en el cobre.
23)Para cada una de las pérdidas anteriores , se pide determinar los factores
que las determinan, e indicar las soluciones que pueden aminorarlas.
23)Dibujar e interpretar el modelo circuital de un inductor real. Proponer un
procedimiento experimental ,para determinar el circuito equivalente del
inductor real.
24)Demostrar que el área-producto de un núcleo, es directamente
proporcional a la inductancia del inductor construido sobre ese núcleo.
25)Dibujar e interpretar la característica v-i de los siguientes
semiconductores de potencia: SCR, TRIAC, GTO, MCT,IGBT,MOSFET canal
n; BJT pnp.
26)Dibujar e interpretar la característica de control de los siguientes
semiconductores :SCR,GTO,MCT,IGBT
27)¿Cuáles son las diferencias entre el interruptor real y el ideal?.
28)¿Cómo se caracteriza a un interruptor conmutable?
30)Demostrar que en un circuito conmutado, el valor promedio del voltaje en
un inductor y el valor promedio de la corriente en un capacitor ,son nulos.
31)Para el circuito R- L conmutado (fig. 1.36a), se pide demostrar que la
variación de corriente en la carga, es menor al aumentar la frecuencia de
conmutación.

94
ACTIVIDADES

TEORÍA
32)Para formas de onda periódicas se pide :
a)Definir :1)Período;2)Voltaje eficaz;3)Voltaje promedio;4)Factor de
rizo;5)Factor de forma;6)Valor promedio local de una variable conmutada
PWM; b)Indicar una aplicación para cada uno de los conceptos definidos en
a).c)¿Cuál es la relación entre el factor de forma y el factor de rizado?
33)Demostrar que en un circuito R-L con fuente alterna sinusoidal, la
potencia reactiva no transfiere energía.
34)¿Por qué es posible compensar los requerimientos de potencia reactiva
de un inductor ,con los requerimientos de potencia reactiva de un capacitor.?
35)Deducir paso a paso, la ecuación 1.77.
36)Definir para un SEP los siguientes conceptos: a)Factor de potencia;
b)Factor de distorsión; c)Distorsión total de armónicas.
37)Deducir la relación entre el THD y Kd de un circuito.
38)¿Por qué en un SEP se deben instalar filtros a la entrada y salida del
convertidor?¿Cuál es la función de estos filtros?
39)Para el convertidor CA/CD no controlado de 4 interruptores ,se pide:
a)Justificar que los interruptores se pueden implementar por diodos.
b)Determinar el factor de rizo y de forma ,del voltaje de salida.
40)Para el convertidor CA/CD no controlado de 2 interruptores (fig. 1.47
a)se pide determinar: a) el factor de potencia de la fuente; b)¿Cómo se puede
implementar las 2 fuentes utilizando un transformador?
41)Para el convertidor CA/CD controlado(fig. 1.48 a) se pide :a)Describir la
operación. b)Determinar los semiconductores que pueden implementar los
interruptores. c)¿Por qué el circuito funciona como inversor durante un
tiempo limitado?¿Qué se debería hacer para que trabaje en régimen
permanente?
42)Para el convertidor CD/CA conmutado a baja frecuencia(fig. 1.49a) se
pide :a)Describir la operación. b)Determinar los semiconductores que pueden
implementar los interruptores, c) Deducir y analizar la expresión para la
potencia trasferida por el convertidor
43)Para el convertidor CD/CA PWM(fig. 1.50a) se pide :a)Describir la
operación. b)¿Cómo se puede variar la magnitud del voltaje de alterna?.

95
ACTIVIDADES

TEORÍA
44)Hacer un análisis comparativo entre el convertidor CD/CA, PWM y el
de baja frecuencia de conmutación.
45)Para el convertidor CD/CA resonante(fig. 1.51a) se pide :a)Describir la
operación. b)Deducir los semiconductores que pueden implementar los
interruptores. c)¿Cuál es el orden de las frecuencias a utilizar ?¿Por qué?
46)Para el convertidor CD/CD directo(fig. 1.52 a) se pide: a)Deducir la
relación entre el voltaje de salida y el de entrada. b)Deducir los
semiconductores que pueden implementar a los interruptores.
47)Para el convertidor CD/CD indirecto (fig. 1.53 a) se pide: a)Indicar la
razón para la denominación de indirecto. b)Deducir la relación voltaje de
salida al voltaje de entrada. c)Determinar los semiconductores que pueden
implementar a los interruptores.
48)¿Cuál es la frecuencia utilizada en el convertidor CD/CD con
encadenamiento CA(fig..1.54 a)?¿Por qué?
49)Para el convertidor CA/CA tipo controlador CA(fig. 1.55 a) se pide
a)Deducir el semiconductor que puede implementar al interruptor.
b)Determinar la potencia reactiva del convertidor? c)¿Cómo es posible
explicar que si la carga es resistiva, exista una potencia reactiva?
50)Para el convertidor CA/CA ciclo-convertidor (fig. 1.56a) se pide
:a)Describir la operación b)Deducir que tipo de semiconductor se puede
utilizar como interruptor.
51 ¿En que casos se utiliza un convertidor CA/CA con encadenamiento en
CD?

96
PROBLEMAS

1)Se requiere de un inductor de las


siguientes características :
L=50mH;f=9khz;V=20Vrms. (excitación
sinusoidal)
Se propone para construir este inductor
un núcleo toroidal, de material
pulverizado análogo al moly-permalloy
de MAGNETICS de permeabilidad
relativa de 125 , y densidad de campo
magnético máxima (Bmax) de 0.15 T y
V1(t) con la siguiente geometría:
Diámetro exterior=26.9 mm.
Diámetro interno=11.1mm.
Espesor=0.4mm.
área seccional rectangular.
El bobinado se construye con un factor
R de utilización de 0.4 y se selecciona una
lm
N
densidad de corriente para el alambre
magneto de 500 A/(cm)2.
Se pregunta:
a)¿Sirve el núcleo propuesto para
resolver el problema?
b)¿Cuál es el calibre del conductor a
utilizar en el bobinado?
Problema 1 c)¿Cuántas espiras debe tener la
bobina?
d)¿Si se utiliza este inductor como filtro
(se conecta en serie ,cual es el valor de
la inductancia ?

97
PROBLEMAS

2)La característica de placa de un


transformador de láminas de acero al
silicio, muestra la siguiente
información:500 VA,208/24 V,60hz.

Se mide la corriente de vacío y resulta


de 0.2 A.
La corriente en el primario al ocurrir un
cortocircuito en el secundario es de
Фm
i1(t)
240 A , se pide:
i2(t)
+
V1 Фd1 + a)Dibujar el circuito equivalente del
_ V2 transformador ignorando las
Фd2 _ resistencias. Indicar los valores de los
parámetros del circuito equivalente.

b)Argumentar por qué se requiere


conocer los puntos de polaridad del
transformador.

c)Sugerir un procedimiento para


Problema 2 determinar los puntos de polaridad del
transformador.

d)¿Cuál es el máximo valor de voltio-


segundo que se le puede aplicar al
transformador, si se asume que la
densidad de campo magnético de
operación es el 80% del valor de
saturación.

98
PROBLEMAS

3)Para el circuito de la figura adjunta,


E=100V , R=20Ω,D=0.4 y Tc=1ms. Se
S D
TC + pide responder:
+
V
_R a)¿Cuál es la función del diodo?¿Qué
E iL ocurriría si no existiera?
+ Vd b)Sí el rizado pico-pico de la
VL corriente(Δi) es del 5%¿Cual debe ser el
_ _
valor de la inductancia?
c)¿Cual es la potencia disipada en el
circuito?
is Problema 3

2 2

P N 4)Para el convertidor CA/CD


vs 1 id 1
+
L R controlado de la figura adjunta,
_ _ vs= Vm sen(wt). Se pide determinar el
2 + vd 2
factor de potencia de la fuente para:
N P
1 1 a)L muy grande
b)L muy pequeño

Problema 4
5)El convertidor CA/CD no controlado
is de la figura adjunta, presenta las
siguientes variables de corriente y
2 2
voltaje:
P N  80
v s  120 2 senwt; i s  
vs 1 id L 1
+
R sen(nwt)
_ _ n 1 nπ
2 + vd 2

N P n  impar
1 1 Se pide determinar:
a) El factor de potencia;
b) La distorsión total de armónicas
Problema 5
c) Valor de R

99
PROBLEMAS

6)En el convertidor CD/CD de la figura


L
el flujo de energía es del lado 2 a 1.
I1 I2
1 2
L=10mH;V2=100V;I2=20A;V1=160V.
S1 vL
+ + Los interruptores conmutan a 20Khz, y
la variación permitida del voltaje en el
2 puerto de salida es 5%.
C
V1 S2 V2 Se pide:
1 a)Deducir los interruptores que pueden
_ _
implementar a los interruptores.
b) Determinar las relaciones de trabajo
de los interruptores. c)Determinar la
máxima variación de corriente en el
puerto de entrada. d)Valor de la
capacitancia.
Problema 6

7)Para el convertidor resonante de la


figura adjunta, L=159µH; C=0.25µF;
Vcd 2
+_
P Vcd=100 V ;R=5Ω.
L
1 Se pide determinar para la frecuencia de
R C
resonancia:
Vcd + 2 a)Potencia entregada a la carga,
_ N incluyendo a la tercera armónica
1 b)Amplitud de la tercera armónica del
voltaje en la carga.
c)Si la frecuencia de conmutación es
tres veces la de resonancia ,cuanto vale
Problema 7 la potencia entregada a la carga

100
PROBLEMAS
8)En el convertidor CA/CD de la figura adjunta,
is vs=170sen(120πt)V. R=5Ω .La corriente en la
carga debe ser constante. Los interruptores P
cierran en wt=30° y los N en wt=210°. Se
P N pide: a)¿Cuál debe ser el valor mínimo de la
vs id L R
+
_ inductancia? b)¿Cuál es el valor de potencia
_
+ vd transferida a la carga. c)¿Cuál es el valor de la
N P potencia aparente en la fuente?
9)El convertidor CD/CA de baja frecuencia de
conmutación (60 hz) de la figura adjunta
presenta los siguientes parámetros:
Problema 8 Vcd=100V;L=500mH;R=5Ω;2δ=π/6.
Se pide determinar :a) Potencia transferida a la
carga. b)Deducir el tipo de semiconductor para
implementar los interruptores
S1 S3
10)Se dispone de un motor CD de imán
Vcd ia L R1 permanente de las siguientes características:
+
_ _ Vbase=90V,velocidad base=2000rpm,Inom=5A,
+ va
S4
∆imax=5%.La caracterización circuital del motor
S2
es :Ra=0.5Ω,La=5mH.
Se dispone de una fuente CD de 100 V,10A
Se pide proponer un sistema para variar la
Problema 9 velocidad del motor, utilizando un interruptor
que conmuta a 5Khz.La máxima variación de la
S D corriente(∆i) no puede sobrepasar el 5% de la
TC corriente nominal. Para ello debe responder las
siguientes preguntas:
E a)¿Cuál es el rango de velocidad posible?
Motor CD b)Determinar del circuito equivalente el valor
∆i para condición nominal .c)Se puede operar el
motor dentro del rango posible de velocidad sin
sobrepasar el ∆imax=5%.?
Problema 10

101
Unidad II

DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA

102
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

2.1 CLASIFICACIÓN

La electrónica de potencia utiliza los


A K
DIODO dispositivos semiconductores como
interruptores, operando en un estado de alta
impedancia (bloqueo) y en otro de baja
G
impedancia (conducción).
A K Se clasifican de acuerdo a su naturaleza
SCR constructiva en:
diodos, transistores, tiristores e híbridos entre
A
tecnologías de transistor BJT con MOSFET, y
tecnología transistor-tiristor
G K
Los dispositivos bipolares pueden ser:
GTO
de dos capas (diodo), tres capas (BJT) o cuatro
capas (SCR).
El dispositivo unipolar más utilizado es el
MOSFET canal N. Aventaja al dispositivo
A K bipolar, porque no presenta el fenómeno de
LASCR
recuperación inversa
MT2

Según el tipo de control se clasifican en :


G
MT1 Dispositivos controlados por voltaje (diodo).
Dispositivos controlados a la conducción por un
TRIAC
pulso de corriente (SCR, TRIAC) o un pulso
tiristores luminoso (LASCR).
Dispositivos controlados a la conducción y al
Fig 2.01 . Símbolos bloqueo por un pulso de corriente (GTO).
de los dispositivos Dispositivo controlado a la conducción y al
semiconductores. bloqueo por un pulso de voltaje(MCT).

103
2.1 CLASIFICACIÓN

B
Dispositivos controlados a la conducción por un
pulso de voltaje negativo, y al bloqueo por un
E pulso de voltaje positivo (mos controlled tiristor -
BJT MCT).

D El MCT es un dispositivo híbrido conformado por


G un SCR y dos MOSFET(fig. 2.01d).Su aplicación
se ha limitado debido a la competencia del
S MOSFET
MOSFET
Dispositivos controlados a la conducción y al
bloqueo ,por una señal continua de corriente
transistores
(BJT) o de voltaje (MOSFET-IGBT).
A
El IGBT(insulated gate bipolar transistor) es un
dispositivo híbrido de tecnología BJT y MOSFET.
G
K Los tiristores (SCR, GTO-TRIAC, LASCR) tienen
MCT capacidad para soportar voltajes bipolares, y los
transistores soportan voltaje unipolar.
C
Solamente el TRIAC, tiene capacidad para
G
controlar corriente bidireccional y soportar voltaje
E bipolar
IGBT
Debido a problemas como el de la segunda
ruptura, y al fenómeno de recuperación inversa, el
Híbridos
BJT no se utiliza en los nuevos SEP, y se
sustituyen en bajo voltaje por MOSFET y en
Fig. 2.01. Símbolos de voltajes más altos por IGBT
los semiconductores.

104
2.2 DIODO DE POTENCIA
2.2.1 GENERALIDADES

Anillo de ÁNODO Anillo de


guarda Aislante guarda Se diferencia del diodo de pequeña
Metalizado
señal, en el bajo dopado y gran
profundidad de la región N, lo que
P P + P
permite tener un alto valor de voltaje de
10ɥ Na= 1019/Cm3
N- ruptura inversa del orden de KV, y gran
Nd= 1014/Cm3 capacidad de corriente, del orden de
250ɥ
cientos de amperios, pero con mayor
N+ Nd= 1019/Cm3
caída de voltaje, y mayor tiempo de
conmutación de conducción a bloqueo
Metalizado
(tiempo de recuperación inversa = trr).
CÁTODO

a) Estructura física

A K Con polarización directa, el diodo


comienza a conducir después del voltaje
b) Símbolo. umbral ( 1v) y la corriente se rige por
iD un modelo lineal y no exponencial, como
en el diodo de señal. El límite operativo
1/ Ron en régimen permanente con polarización
inversa, es el voltaje inverso de
vD ruptura(VRRM)
vRD
vTΞ 1v Se clasifican en :
diodos de uso general (trr 25s,
If<1000A, 50V<VRRM<5kV); diodos de
recuperación rápida (trr 5s, If<100A,
50V<Vr<3kV); diodos Schottky (Vr<
c) Característica v-i 100V, 10A< If<300A), alta velocidad de
Fig. 2.02. Diodo de potencia. conmutación.

105
2.2.2 CARACTERÍSTICAS NOMINALES

vAK
VRWM = Voltaje inverso máximo de
vF trabajo
t VRRM= Voltaje inverso máximo
repetitivo
vRWM
vRRM VRSM= Voltaje inverso máximo no
VRSM
repetitivo
VF= Caída de voltaje con polarización
a) Valores típicos de voltaje directa
IF

IFSM

Forma de onda de la red IF= Corriente con polarización directa


IFRM IF(AV)= Corriente media directa
IF(RMS)= Corriente eficaz directa
IF(RMS)
IF(AV) IFRM= Corriente máxima repetitiva
IFSM= Corriente máxima no repetitiva
IRR= Corriente inversa máxima
IR
b) Valores típicos de corriente
IF Cuando se invierte súbitamente la
dIF
polaridad de un diodo, éste continua
dt trr t conduciendo debido al movimiento de
10%

Qs dIR 100% portadores minoritarios, hasta que


IRR dt desaparecen por acción de la difusión y
vF recombinación.
trr= tiempo de recuperación inversa
t
trr = tiempo desde el instante en que i
vR
pasa por cero ,hasta que alcanza el 10%
vR
del valor inverso máximo

c) Fenómeno de recuperación 1
inversa. 𝑄𝑠 ≈ 𝑡 𝐼 (2.01)
Fig. 2.03 Parámetros del diodo
2 𝑟𝑟 𝑅𝑅

106
2.2.3 CONEXIÓN SERIE DE LOS DIODOS

Si el voltaje de la fuente (Vs ) es superior al


Is
voltaje inverso máximo repetitivo del diodo
VD1 (VRRM), se deben conectar en serie varios
D1
diodos (n)
Vs

VD2 D2 𝑉𝑠
𝑛≥ (2.02)
𝛼𝑉𝑅𝑅𝑀

0.8≤α≤1.0 (Factor de seguridad)


a) Circuito
Debido a las tolerancias del proceso de
fabricación , las características v-i de un
i grupo de diodos, presenta con polarización
inversa diferentes corrientes de fuga,
comprendidas dentro de un valor mínimo y
uno máximo, y con polarización directa
- -vD2 v
diferentes caídas de voltaje de conducción
vD1 0

-
Is
El diodo D1 de menor corriente inversa,
soporta el mayor voltaje inverso -VD1 (fig.
2.04b) y se reduce su vida útil esperada. Para
equilibrar en régimen permanente los voltajes
inversos, se conectan resistores en paralelo
b) Característica v-i con los diodos. Para régimen transitorio se
conecta una red R-C, para equilibrar los
Fig. 2.04 Conexión serie voltajes durante el proceso de apagado
de diodos

107
2.2.3.1 CÁLCULO DEL RESISTOR

D1= diodo de menor corriente inversa


I1 _
R D2=D3=D4… =Dn=diodo de mayor corriente
ID1 D1 inversa

ΔID 𝐼𝐷1 < 𝐼𝐷2 = 𝐼𝐷3 = 𝐼𝐷𝑛


I2
D2
R
ID2 VD1=voltaje de bloqueo(inverso) máximo
VS
permitido.

∆𝐼𝐷 = 𝐼𝐷2 − 𝐼𝐷1 = 𝐼1 − 𝐼2

Dn 𝑉𝑠 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + ⋯ + 𝑉𝐷𝑛


R
+ 𝑉𝑠 = 𝑉𝐷1 + (𝑛 − 1)𝑉𝐷2

𝑉𝑠 = 𝑉 + (𝑛 − 1)𝐼2 𝑅
𝑉𝑠 = 𝑉 + 𝑛 − 1 𝐼1 − ∆𝐼𝐷 𝑅
a) Cálculo de R
𝑉𝑠 = 𝑛𝑉𝐷1 − (𝑛 − 1)∆𝐼𝐷 𝑅

Fig. 2.05 Conexión Serie 𝑛𝑉𝐷1 − 𝑉𝑠


de diodos 𝑅≤ (2.03)
∆𝐼𝐷 𝑛 − 1

Si se asume ΔID= ID2, se obtiene una


solución conservadora

108
2.3 DIODOS BIDIRECCIONALES DE DISPARO CONTROLADOS
POR VOLTAJE 7

I Anode 1
El DIAC(diodo bilateral de disparo)
es un dispositivo semiconductor
de tres capas, de baja corriente y
Anode 2 bajo voltaje, que se comporta
como interruptor bilateral
IBR V
VBO controlado por voltaje.Puede
VBO conmutarse de apagado( < 𝑉𝐵𝑂 )a
IBR VF
encendido(VF), con polaridad
positiva o negativa aplicada a sus
ánodos, dependiendo de la
magnitud del voltaje (fig.2.06 a).
𝑉𝐵𝑂 - VF ≈5 V
a) Símbolo y curva v-i del díac(12) Sí VA1-A2 >VBO (del orden de 30 a
40 V) el diac conduce(on), igual
ITM
ocurre si el voltaje es negativo (la
VTM
característica v-i es simétrica con
Pendiente=Rs
IH respecto al origen fig.2.06 a).Sí
SIDAC
VA1-A2 <VBO, el diac conduce una
IS
corriente muy pequeña(corriente
IDRM VS de fuga) y se considera que abre
I(BO)
el circuito(off).
VDRM V(BO)
El SIDAC(fig. 2.06b) es un
interruptor bidireccional de silicio,
desarrollado por MOTOROLA,
(V BO − VS)
Rs =
(IS − I(BO))
similar al DIAC, con la diferencia
que el voltaje de ruptura(VBO)
varía entre 104 y 280 V, lo que
permite manejar aplicaciones de
alta energía.
b) Símbolo y característica v-i La fig. 2.06b) muestra la
del sidac(6) característica v-i , y el símbolo
del SIDAC
Fig. 2.06 El díac y el sidac

109
2.4 RECTIFICADOR DE SILICIO CONTROLADO (SCR)
2.4.1 CARACTERÍSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS 9
A

P J1 El SCR es un dispositivo semiconductor de 4


n
_

J2 capas, 3 uniones p-n (J1, J2, J3 ),y tres


terminales : Ánodo (A), Cátodo (K) y
P J3
n+ n+
Compuerta (G).

G Si 0< vAK <VFBD, J2 se polariza inversamente


e iAK es muy pequeña (corriente de fuga).Si se
K
a) Estructura física aplica una corriente en la compuerta( IGT)
durante un cierto tiempo(tgt),J2 se polariza en
+ VAK _ directo y el SCR conduce

Si vAK≥VFBD ,el SCR conduce por efecto


A IA K
avalancha. La corriente debe ser limitada por
ig
la carga del circuito
b) Símbolo.
Si VRBD <vAK <0, J1 y J3 se polarizan en inverso,
iA
IAK pequeña (fuga).
2
ig = pulso de corriente de compuerta
IL IG2>IG1 tg = duración del pulso ig
IH
IG2 IG1 IG=0 tgt= tiempo de encendido del SCR
VRBD VAK IL= corriente de enganche. Corriente ánodo -
3 1 VFBD cátodo requerida para mantener al SCR en
conducción, una vez se remueve ig.
IH= corriente de mantenimiento .Corriente
requerida para que el SCR siga en
c) Característica v-i conducción
Si VAK>VTM, ig=IGT, tg>tgt, iAK >IL, el SCR
Fig. 2.07 Rectificador de conduce.
silicio controlado. Si iAK <IH ,el SCR se bloquea.

110
2.4.2 CARACTERÍSTICAS NOMINALES DE LOS SCR
SÍMBOLO DEFINICIÓN
di/dt Máxima variación temporal de la
corriente, que no destruye al SCR
IT(RMS) El valor eficaz de corriente máxima que
puede conducir
IT(AV) El valor promedio máximo de corriente

PGM Potencia instantánea máxima entre


cátodo y compuerta

PG(AV) Potencia promedio en un ciclo máxima


disipada entre G y K
VGRM Voltaje de pico inverso entre G y K

VDRM O VFBD Voltaje máximo directo repetitivo, que


no hace conducir

VRRM O VRBD Voltaje máximo inverso permitido

VTM Caída máxima de voltaje entre A y K


IGT Corriente de compuerta requerida para
conducir

VGT Voltaje CD que aparece en la


compuerta, cuando se aplica IGT
Tgt Tiempo de encendido. Se mide desde el
inicio del pulso hasta que VAK= VTM
Tq Tiempo de apagado
dv/dt Valor de la variación temporal del
voltaje, que produce la conducción.

111
2.4.3 MODELAMIENTO DEL SCR 9

A La estructura de un SCR se puede


visualizar como dos transistores
complementarios: Q1 (pnp) y Q2 (npn).
P
J1 Aplicando la ecuación de Ebers-Moll a los
_
n
2 transistores:
J2 _
𝑖𝑐1 = 𝛼1 𝑖𝐴 + 𝑖𝐶𝐵01 (2.04)
P n
J2
G 𝑖𝑐2 = 𝛼2 𝑖𝑘 + 𝑖𝐶𝐵02 (2.05)
J3 P
n+
J3

α= ganancia de corriente
K

a) Estructura básica del iCBO= corriente inversa de la unión


SCR(9). colector-base
A
Del circuito equivalente (fig. 2.05b)
iA
𝑖𝐴 = 𝑖𝐶1 + 𝑖𝐶2
Q1(α1) 𝑖𝐴 = 𝛼1 𝑖𝐴 + 𝛼2 𝑖𝐾 + 𝑖𝐶𝐵01 + 𝑖𝐶𝐵02 (2.06)
ic2 𝑖𝐴 + 𝑖𝐺 = 𝑖𝐾 (2.07)
ic1
Sustituyendo 2.07 en 2.06
Ii
Q2(α2) G
[∝2 𝑖𝐺 + 𝑖𝐶𝐵𝑂1 + 𝑖𝐶𝐵𝑂2]
(2.08)
𝑖𝐴 =
1 − ∝1 +∝2
iK
K

α=f(iE); α (ganancia de corriente) es


b)Circuito equivalente en directamente proporcional a IE
régimen permanente(9)
Sí se aplica un pulso de i en G iG↑→
Fig.2.08 Modelamiento del iA↑→ α1↑, α2↑→ iA ↑→ α1↑,
SCR α2↑ y se genera una realimentación
en régimen permanente positiva , que hace crecer indefinidamente
a iA (conduce el SCR) .

112
2.4.3 MODELAMIENTO DEL SCR

A Asociada a toda unión p-n, se


iA presentan dos capacitancias : Cj,
presente con polarización inversa, al
formarse la región de vaciamiento, y
Cj1
Cd la capacitancia de difusión,
presente con polarización directa,
α1 debido a los cambios que ocurren en
Q1 la concentración de los portadores
ij2 mayoritarios y minoritarios en la
conducción.
Vj2 Cj2
Al modelar el SCR en régimen
transitorio, se incorporan las tres
iG α2 capacitancias(fig.2.09). La capaci-
G Q2 tancia significativa es Cj2, porque la
unión J2 está polarizada inversamente
,por lo que el circuito equivalente del
Cj3
SCR abierto en régimen transitorio,
es Cj2. Si VAK>0, Cj2, origina ij2 y
iK contribuye a las corrientes inversas
K ICBO1 y ICBO2 (ec. 2.08)

𝑑𝐶𝑗2 𝑑𝑣𝑗2
𝑖𝑗2 = 𝑣𝑗2 + 𝐶𝑗2 (2.09)
𝑑𝑡 𝑑𝑡
c) Circuito equivalente en 𝑑𝐶𝑗2
régimen transitorio(14) 𝑣𝑗2 ≈ 𝑣𝐴𝐾 ; ≈0
𝑑𝑡
Si dv/dt es alto , ij2↑→ iCBO1↑y
iCBO2↑→ α1↑ y α2↑→ iA ↑→
α1↑ y α2↑, y se genera una
Fig. 2.09 Modelo del SCR retroalimentación positiva, y el SCR
en régimen transitorio conduce. Este es un proceso de
conducción indeseado

113
2.4.4 ENCENDIDO DEL SCR

ig El encendido del SCR puede ser por:

IM •Aplicación de ig en compuerta
•Por alta temperatura (corriente
inversa)
•Por luz (LASCR)
IGT
•Por alto voltaje (avalancha)
•Por dv/dt alto.

Forma de onda ideal de ig (fig. 2.10 a)


t
tr 5µs
tG>tGT
•Amplitud de sobre-activación
(IM>3IGT).Permite reducir el tiempo de
encendido, y minimizar las pérdidas de
conmutación.
a) Forma de onda ideal de ig

iT
•Tiempo corto de subida del flanco (tr)
para minimizar tiempo de encendido.
IT
0.9IT
•Estabilización después de pocos
microsegundos, a un valor que
0.1IT t
garantice el encendido del SCR (IGT)
iG
iGT
•Duración del pulso (tg) hasta que iT ≥iL,
.En la práctica tg ≥ tgt.

0.1iG
t
Se define tiempo de encendido, al
td tr
ton intervalo de tiempo entre el instante en
que ig alcanza el 10% de Igt y el instante
b) Forma de onda de IT en que iAk alcanza el 90% de su valor de
régimen permanente.
Fig. 2.10 Encendido del SCR

114
2.4.5 APAGADO DEL SCR (CONMUTACION)
T1 iT
+ El SCR se apaga cuando iAK<IH, debido
+ vAK - a que el exceso de portadores en las
cuatro capas desaparece, por el
vs RL
proceso de recombinación, y
reaparece la región de vaciamiento en
- la unión J2. El proceso de apagado del
SCR, presenta, igual que en el diodo,
a) Circuito. el fenómeno de recuperación inversa.
vm v La conmutación del SCR se denomina
2⁄w t natural, cuando iAK decae a un valor
0 ⁄w inferior a IH ,debido a la naturaleza de
iT la fuente(alterna). En este proceso se
Corriente α
α define tiempo de apagado(tq), al
de fuga
t intervalo entre el paso por cero de la
corriente y el instante en que se
vAK puede aplicar al SCR voltaje directo,
sin que este conduzca(fig. 2.11b).
trr tr t
Si la fuente es continua, la
⁄w 2⁄w conmutación se realiza disminuyendo
T1 ON

la corriente a un valor inferior a, IH


tq
,bien sea transfiriendo la corriente de
b) Formas de onda (14).
carga a otra trayectoria, ó
Fig. 2.11 Conmutación Natural
reduciéndola a IH
La fig. 2.11 muestra la conmutación
R Rc clase C. Se asume SCR2 encendido, y
E C C se carga con la polaridad mostrada.
Al conducir SCR1,el capacitor se
+ - descarga y reduce la corriente del
SCR1
SCR2 apagándolo.
SCR2

Fig. 2.11Conmutación forzada


Clase C(5).

115
2.4.6 CIRCUITO DE COMPUERTA 9

A La unión GK presenta un bajo


voltaje de ruptura inverso, y caída
Rg significativa de voltaje en
ig
conducción(diodo de mala
E
calidad).El fabricante especifica un
Vg
límite superior e inferior de la
característica v-i de la unión GK.
Para operación confiable, cada
K tiristor se caracteriza por límites
operativos máximos: Vgmax, Igmax,
a) circuito Pgav/max y mínimos :Vgmin ,
vg
Igmin(fig.2.12b).
vgmáx
RGKmáx El área segura de trabajo de
accionamiento de la compuerta es
E c d bcdefghb (fig. 2.12b), y el punto de
operación se encuentra sobre la
línea de carga(S1-S2) dada por la
ecuación:
S2
𝑣𝑔 = 𝐸 − 𝑅𝑔 𝑖𝑔 (2.10𝑎)
Pgav/máx
La utilización óptima se obtiene
Linea
de desplazando la línea de carga hacia
carga Pgmax la curva Pgav/max (línea cf), de la
e
cual se determinan los valores
vgmín b máximos(Emax,Rgmax).
h Para pulsos superiores a 100µs, se
S1 Igmáx utiliza la curva Pg(av/max)
f 𝐸𝑚𝑖𝑛 = 𝑅𝐺𝐾𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑔𝑚𝑖𝑛 + 𝑉𝐺𝑇 (2.10𝑏)
RGKmín
g ig RGKmax es la pendiente media de la
Igmín curva RGKmax.El diodo protege a la
b) Característica v-i(9) unión GK de voltajes inversos
altos(fig. 2.12a).Se debe proteger la
Fig. 2.12 Circuito de compuerta unión para Igmax,

116
2.4.7 INTERFASES DE DISPARO

2.4.7.1 INTRODUCCIÓN
El circuito de potencia donde se aplican los
tiristores, funcionan generalmente con
voltajes iguales o superiores a 120V.
El circuito de control, conformado por
micro-controladores, o elementos de
electrónica discreta, genera pulsos de control
a bajo voltaje, generalmente 5V, con baja
Circuito de
control capacidad de corriente, en el orden de
miliamperios.
Los requerimientos mínimos de corriente y
voltaje de los tiristores, para su activación
(VGT,IGT), generalmente son superiores a la
Inter-fase de
disparo
salida del circuito de control.
Por lo anterior, se requiere de una interfase
entre el circuito de control y el circuito de
potencia (fig.2.13), que realice las siguientes
funciones:
Circuito de potencia a)Aislar los voltajes altos del circuito de
potencia ,del bajo voltaje del circuito de
control.
b)Adecuar los niveles de voltaje y corriente
del circuito de control, a los requeridos para
el disparo del tiristor
La inter-fase puede ser de naturaleza
magnética (Transformador de pulsos ), u
Fig. 2.13 Inter-fase de disparo óptica (opto-acopladores)
En algunos circuitos, por ejemplo el regulador
de luz incandescente (dimmer), se utiliza un
elemento de control(díac),que opera a voltaje
comparable al del circuito de potencia(120
V), y no se utiliza la inter-fase

117
2.4.7 INTERFASES DE DISPARO
2.4.7.2 TRANFORMADORES DE PULSO
Vcc El transformador de pulsos(a=1) se
utiliza para aislar el circuito de control
R1 del circuito de potencia, y adecuar los
R2 Circuito de niveles de voltaje y corriente del
potencia
C1 circuito de control a los requeridos por
TP
D2 SCR el tiristor (VGT,IGT)
DZ En la fig. 2.14 a), el circuito de control
R3 activa la compuerta del mosfet, y fluye
D1
una corriente en el primario del
R4
transformador, limitada inicialmente por
G D3 R1//R2 y posteriormente por R2 (al
Circuito
M1 cargarse el capacitor).El secundario del
de control 0
transformador aplica el voltaje y
b)Circuito de disparo corriente ,requeridos en la compuerta
del SCR para activarlo
Al desactivarse el mosfet, el
transformador se desmagnetiza a través
de D1 y Dz ; D2 impide el paso del pulso
Intensidad por la compuerta del tiristor
negativo. La utilización del diodo zener,
permite incrementar la frecuencia de
conmutación del transformador. El
resistor R3 provee cierto nivel de
Intensidad por el primario del transformador
inmunidad contra el ruido(voltaje
parásito inducido), para impedir un
disparo indeseado del SCR

Intensidad por el Zener de descarga Desventajas: a)Requerimiento de fuente


externa; b)Limitación en la frecuencia de
b)Formas de onda conmutación; c)Gran número de
componentes
Fig. 2.14 Transformador de Ventajas :alto nivel de aislamiento
pulsos

118
2.4.7.3 OPTO-ACOPLADORES

ECG 3091 El opto-acoplador (fig. 2.15a)es un circuito


Anodo 1 6 Gate
integrado conformado por un dispositivo
foto-emisor(ILED),que genera una radiación
Catodo 2 5 Anodo infrarroja , y se canaliza por una guía de
NC 3 4 Catodo onda, a un dispositivo foto-receptor (foto-
transistor; foto-SCR; foto-triac), el cual se
• Voltaje de Aislamiento: 7.5KV (pk) activa, y cierra el circuito de
• dv/dt=: 500V/us(typ) disparo(compuerta), que enciende un tiristor.
• LED:(Vf=1.5V, If=40mA)
El aislamiento entre el diodo foto-emisor y
ECG 3047 los terminales del foto-receptor es hasta de
Anodo 1 6 7.5kv pico. Algunos opto-acopladores
(ECG3049)incorporan un circuito detector, del
Catodo 2 5 cruce del voltaje de alimentación por el punto
NC 3 4 cero, para reducir el EMI (interferencia
electromagnética),minimizan do las corrientes
impulsivas del circuito. Estos opto-
ECG 3049,3097 acopladores se utilizan en el contactor de
Anodo 1
estado sólido. Los opto-acopladores se
6 MT1
utilizan en E.P. para aislar el circuito de
Catodo 2 5 NC control del circuito de potencia. La conexión
Circuito se muestra en la fig.2.15b.
NC 3 cruce por
4 MT2
cero La corriente que activa el foto-diodo es If, y
circula entre los terminales 1 y 2.La función
a)Opto-acopladores
de R(fig. 2.15b) es limitar la corriente del foto-
R
1 6
receptor. Si el tríac de potencia abre, y el
voltaje de la fuente es máximo(Vp) y se
Rs
2 5 AC descarga Cs.
Circuito Cs
cruce por
3 4
cero
Ip es la máxima corriente pico repetitiva del
LL R L
𝑅 = 𝑉𝑝 Τ𝐼𝑝
driver(foto-receptor).Sí(2.11)
R es muy grande,
b)Conexión de puede introducir un retardo de fase no
opto-acoplador(6) deseado
Fig. 2.15 Opto-acopladores

119
2.4.7.4 DISEÑO DEL CIRCUITO DE DISPARO CON T.P.

Vcc Se requiere disparar un SCR que tiene las


12v siguientes características de compuerta:
(VGT,IGT).Se requiere diseñar un circuito de
R1 disparo utilizando un transformador de
R2
circuito de
potencia
pulsos.
C1
D2 SCR
De la característica de la corriente de
TP compuerta(fig. 2.16b), se determina que al
DZ inicio de la conducción, en el primario:
R3
D1 𝑎(𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 − 𝑉𝑚𝑜𝑠𝑓𝑒𝑡 )(𝑅1 + 𝑅2 )
𝑎𝑖𝑝 = = 5𝐼𝐺𝑇
R4 𝑅1 𝑅2
G D3 (2.12)
Circuito
M1 Al estabilizarse la corriente
de control 0

a)Circuito(9) 𝑎(𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 − 𝑉𝑚𝑜𝑠𝑓𝑒𝑡 )


𝑎𝑖𝑝 = = 𝐼𝐺𝑇 (2.13)
𝑅2
ig
IM
Al abrir el transistor
𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 = 𝑉𝑧 + 𝑉𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 = 𝑉𝑝
IGT
En el secundario se tiene(a=relación de
transformación) :

t 𝑉𝑝
= 𝑉𝐺𝑇 + 𝑉𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 (2.14)
tG>tGT
𝑎

b)Corriente de compuerta 𝑉𝐺𝑇


𝑎𝑖𝑝 = 𝑖𝑠 = 𝐼𝐺𝑇 + (2.15)
𝑅3
Fig. 2.16 Circuito de disparo
R3 mejora la inmunidad al ruido. Valor
con
típico:300Ω
transformador de pulsos

120
2.4.8 CIRCUITOS SNUBBER DE VOLTAJE Y CORRIENTE 3
2.4.8.1 CIRCUITO SNUBBER DE VOLTAJE

El circuito snubber de voltaje ,conformado por


+
un circuito serie Rs-Cs(fig.2.17a), protege
S
contra una conducción indeseada del SCR,por
la presencia de un alto dv/dt en la red.
RC Se ignora la capacitancia de la unión J2 del
SCR. Si la carga es resistiva (Lc pequeña)
V
LC
;
𝑉 𝑅−𝑡
CS 𝑖𝑠 = ′ 𝑒 ′𝐶𝑠 𝑅 ′ = 𝑅𝑐 + 𝑅𝑠
𝑅
RS
_ −𝑡
1
𝑣𝑐 = න 𝑖𝑠 𝑑𝑡 = 𝑉 1 − 𝑒 𝑅′𝐶𝑠
𝐶𝑠
a) Circuito snubber de
voltaje.
𝑑𝑣𝑐 𝑉 𝑅−𝑡
= ′ 𝑒 ′𝐶𝑠
𝑑𝑡 𝑅 𝐶𝑠
El capacitor de la red snubber (Cs) será:
+ LC
𝑉
𝐶𝑠 > (2.16)
𝑑𝑣𝑐
R'=RC+RS 𝑅′ 𝑚𝑎𝑥
V 𝑑𝑡
CS + Utilizando Laplace se puede demostrar que
VC para Lc muy grande:
is _
𝑉2
- 𝐶𝑠 = 2 (2.17)
b) Circuito equivalente 𝑑𝑣𝑐
para S cerrado con ig=0 𝐿𝑐 𝑚𝑎𝑥
𝑑𝑡
y SCR ideal
Rs limita la corriente descarga de Cs, a
través del SCR.
Fig. 2.17 Circuito Valores típicos:
snubber de voltaje.
0.1𝜇𝐹 < 𝐶𝑠 < 1𝜇𝐹 10Ω < 𝑅𝑠 < 100Ω

121
2.4.8.2 CIRCUITO SNUBBER DE CORRIENTE

El circuito snubber de corriente(Ls) protege al


+ SCR contra un alto di/dt ,que puede originar
S
puntos calientes en el SCR y destruirlo.

RC
El comportamiento del circuito sin snubber de
i voltaje es:
V
Ls
𝑉 −𝑅𝑐 𝑡
𝑖= 1 − 𝑒 𝐿𝑠
𝑅𝑐
_ 𝑑𝑖 𝑉 −𝑅
𝐿
𝑐𝑡 𝐼𝑚 𝑅𝑐 −𝑅
𝐿
𝑐𝑡
= 𝑒 𝑠 = 𝑒 𝑠
𝑑𝑡 𝐿𝑠 𝐿𝑠
a) Sin snubber de voltaje.
𝑉
𝐿𝑠 ≥ (2.18)
𝑑𝑖ൗ 𝑚𝑎𝑥
+ S 𝑑𝑡
El comportamiento del circuito con snubber
RC de voltaje es:

V 𝑉 𝑉 𝑅𝑐 + 𝑅𝑠
Ls 𝐼𝑚 = + =𝑉
𝑅𝑐 𝑅𝑠 𝑅𝑐 𝑅𝑠
CS
Im 𝑅𝑐 + 𝑅𝑠
𝑉
_ RS 𝑅𝑠
𝐿𝑠 ≥ (2.19)
𝑑𝑖ൗ 𝑚𝑎𝑥
b) Con snubber de 𝑑𝑡
voltaje.

Fig. 2.18 Circuito Generalmente la inductancia propia del


snubber de corriente. circuito (conductores, dispersión de los
transformadores,..) es mayor a Ls.

122
2.4.9 CIRCUITOS DE DISPARO DEL SCR
2.4.9.1 OSCILADOR DE RELAJACIÓN

Elemento con Los pulsos cíclicos requeridos para el


R1 resistencia negativa disparo de un SCR, se generan con un
oscilador de relajación(fig.2.19a).
+ + Se requiere de un elemento con
+
C
Vi = Vcc R2 VR2 resistencia negativa(fig. 2.19b), entre la
- - región de corte(v < Vs ;i < Is) y la de
-
conducción(i > IH; v>VH).Al cargarse el
capacitor a Vs, el punto de operación de
a)Circuito oscilador la rama ,R2-elemento de resistencia
negativa, pasa de 1 a 2(fig.2.19b),la
corriente alcanza el valor pico( Ip),y se
origina un pico de voltaje(IpR2) ,que sirve
I
para disparar al tiristor. Este punto
2 operativo(2) no puede mantenerse,
Ip
debido a la disminución del voltaje en el
capacitor, y se desplaza al punto 4,
cuando vuelve a cargarse y el ciclo se
repite.
El valor máximo de R1 debe permitir, el
3
IH paso de la corriente límite superior de
circuito abierto(Is), y el valor mínimo
1
debe permitir el paso de la corriente
Is
límite inferior de circuito cerrado( IH) .
4
VH Vs V
b)Curva v-i del elemento con 𝑅1𝑚𝑎𝑥 = (𝑉𝑖 −𝑉𝑠 )Τ𝐼𝑠 (2.20)
resistencia negativa
Para mantener
𝑅1𝑚𝑖𝑛 = (𝑉𝑖 Ip−,R𝑉
2C )debe
𝐻 Τ𝐼𝐻
ser 10(2.21)
veces
menor que el tiempo de conmutación.

Fig. 2.19 Oscilador de


relajación

123
2.4.9.2 DISPOSITIVOS DE RESISTENCIA NEGATIVA
2.4.9.2.1 CARACTERÍSTICAS DEL UJT 9

B2 El UJT es una barra tipo N de bajo


E
dopaje, con 3 terminales
P P B1(base1),B2(base2),E (emisor)(fig.
N 2.20a).El emisor se conecta en un
punto entre las bases de la barra, con
una soldadura de aluminio, que
B1
a)Estructura produce un dopaje elevado de
huecos, formando una unión P-N.
B2
Si VB2B1>o, circula una baja corriente
E , debido al valor significativo de la
resistencia, ya que, 4.7kΏ
<RB2B1<9.1kΏ, y el voltaje del emisor
B1
b)Símbolo es ηVB2B1.A η se le define como
relación intrínseca y varía entre 0.5 y
VEB1 0.82..
vp Sí se aplica al emisor un voltaje
Punto pico
menor a ηVB2B1, el diodo PN se
polariza inversamente y el UJT
Región de resistencia
Región de negativa
trabaja en la región de corte(baja
corte corriente).Sí se aplica al emisor un
voltaje de ηVB2B1 +0.7v (Vp, fig.
2.20c)la unión se polariza en directo,
Punto valle
y la fuente inyecta electrones por B1
VV reduciendo REB1, lo que aumenta la
Región de
corriente entre B2 y B1, reduciendo
saturación más a RB2B1 y se inicia una
IB
retroalimentación positiva, que origina
la zona de resistencia negativa(fig.
Ip Iv 2.20c), hasta alcanzar
c)Característica v-i saturación(Vv,Iv).A partir de este
punto, el UJT se comporta como un
Fig. 2.20 El UJT diodo normal .

124
2.4.9.2.2 OSCILADOR CON UJT 14

+VCC
Para que el circuito oscile, R debe
satisfacer las ecuaciones 2.20 y 2.21 con
Vs=Vp , Is=Ip y VH=Vv,IH=Iv.
R2(fig. 2.21a) sirve para compensar la
R R2 variación térmica de RB2B1, y su valor lo da
B2
el fabricante. R1 determina el ancho del
E
VBB pulso, y debe ser bajo, para acelerar el
B1
C proceso de descarga del capacitor. Un
VC R1 VG valor típico es de 100 Ώ
El voltaje en el capacitor varía entre VV y
Vp. En la carga se ignora Vv, por ser
pequeño. La ecuación de carga del
capacitor es: −𝑡
a)Circuito Oscilador(9) 𝑉𝑐 = 𝑉𝑉 + 𝑉𝑐𝑐 1 − 𝑒 𝑅𝐶 (2.22)
Para t=T1,Vc=Vp. Se ignora Vv
vc
𝑉𝑐𝑐
𝑇1 = 𝑅𝐶𝑙𝑛 (2.23)
τ1 τ2
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑝
Vp
La ecuación de descarga es:
t −𝑡 ′
𝑉𝑐 = 𝑉𝑝 𝑒 𝑅1 +𝑅𝐸𝐵1 𝐶 (2.24)
vG Para t=T2,Vc=Vv
𝑉𝑝
𝑇2 ≈ 𝑅1 + 𝑅𝐸𝐵 𝐶𝑙𝑛
𝑉𝑣
t ≈ 5𝑅1 𝐶 (2.25)

T=T1+T2 peroT2<<T1 entonces


T1 T2
𝑉𝑐𝑐 1
𝑇 = 𝑅𝐶𝑙𝑛 = 𝑅𝐶𝑙𝑛
b)Formas de onda(9) 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑝 1−η
(2.26)
Fig. 2.21 Oscilador con UJT

125
2.4.9.3 EL PUT 9

A El transistor programable de uni-


ANODO
(A) juntura(PUT) es un tiristor de 3
GATE G
terminales: ánodo(A); cátodo(K) y
(G) compuerta (G)(fig. 2.22a).Se diferencia
del SCR en que G se referencia con A, y
no con K..Si VAG>o, el PUT pasa del
estado de bloqueo al de conducción.
(K)
Variando VG mediante un divisor de
CATODO K
voltaje(fig.2.22b),se pueden programar
a)Símbolo y circuito η, Vp e Ip Los parámetros del
equivalente equivalente Thevenin son:

+VBB 𝑉𝐺 = (𝑉𝐵𝐵 𝑅2 )Τ 𝑅1 + 𝑅2 (2.27)


V V
IA
C
R1 IA
C 𝑅𝐺 = (𝑅1 𝑅2 )Τ 𝑅1 + 𝑅2 (2.28)
VA V V
A C VA C RG VS 𝑉𝑝 = 𝑉𝐺 + 𝑉𝐴𝐺 + 𝐼𝑝 𝑅𝐺 (2.29)
R2 Los PUT son sensibles a cambios en VG
K
y RG. Fluye una corriente
inversa(negativa) de ánodo para VA<VG,
b)Circuito de programación debido a una corriente de fuga de la red
y equivalente Thevenin de polarización, a la red de carga. Para
vAK
Vp Punto pico corrientes menores a Ip, el dispositivo
Vs está bloqueado, y con una corriente
Región de resistencia negativa mayor, el dispositivo pasa a la zona de
resistencia negativa y luego a la de
conducción. IGAO es la corriente de
Punto valle
compuerta a ánodo, con cátodo abierto
VV
Para Ip< I< Iv ,el dispositivo opera en la
iA zona inestable de resistencia negativa, y
IGAO Ip Iv con Iv ocurre el voltaje mínimo(vv) (para
c)Característica v-i lo cual el dispositivo se comporta como
diodo.
Fig. 2.22 El PUT

126
2.4.9.3.1 OSCILADORES CON PUT 7

Para que el circuito oscile, RT debe


RT satisfacer las ecuaciones 2.20 y 2.21
RB1 CARGA
G A .RT y CT conforman la red de
VS CT temporización, que determina el
RB2 K tiempo entre la aplicación del
RGK voltaje(cierre del interruptor) y el
inicio del pulso

El período de los pulsos es igual al


a)Circuito oscilador(6) del oscilador con UJT, con la
vc T diferencia que η es variable
Von 1
η=RB2/(RB1+RB2) = 𝑅𝑇 𝐶𝑇 ln =
1−η
1
𝑇 = 𝑅𝑇 𝐶𝑇 ln =
1−η
Voff = 𝑅𝑇 𝐶𝑇 ln ((𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 )Τ(𝑅𝐵1 ))
(2.30)
b)Voltaje en el capacitor
vRGK El voltaje en el capacitor varía des
de Voff (Vv) hasta Von(Vp).(fig.
2.23b).Cuando el capacitor alcanza
Vp,(VA>VG) se descarga a través de
RGK y la compuerta del PUT ,y se
vGK
produce en RGK un pulso de
voltaje(fig. 2.23c), el cual aparece
IBBRB1
recortado por el voltaje de
0 conducción del diodo, compuerta –
cátodo del SCR. Sí Vs es continuo, el
c)Pulso de salida ciclo de carga y descarga se repite
Fig.2.23 Oscilador con PUT indefinidamente

127
2.4.9.3.2 SINCRONIZACIÓN DE LA FUENTE DEL OSCILADOR
CON LA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA 7

RD En los convertidores CA/CD


RT R1 controlados por fase , se requiere
D1
sincronizar los pulsos de salida, con el
vS
voltaje alterno de la fuente .Se
requiere que la carga del capacitor se
CT Rg inicie, con el paso por cero,hacia
R2
valores positivos del voltaje de la
fuente
120V
Una posibilidad de realizar esta
sincronización se muestra en la fig.
a)Circuito(6) 2.24a). El voltaje de la fuente se
rectifica(onda completa) y se recorta
con el diodo zener(D1) y se obtiene la
vs forma de onda vs (fig. 2.24b).
Dado que Vp del PUT(vs) cae a cero,
cada vez que el voltaje de la fuente
pasa por cero, se descarga CT al final
de cada semiperíodo, y el inicio de un
nuevo semiperíodo ocurre con CT
descargado.

Los valores de RT y CT controlan el


instante (ángulo de fase), al cual
b)Forma de onda de vs ocurre el pulso.

El diodo zener garantiza la constancia


del inicio del pulso, aún al presentarse
Fig2.24.Sincronización del
una perturbación del voltaje de la
pulso del oscilador con la
fuente.
fuente

128
2.4.9.3.3 APLICACIONES DEL OSCILADOR CON PUT 7

2.4.9.3.3 .1 CONTROLADOR DE MEDIA ONDA


R1
La fig. 2.25 a) muestra un
100 R2 circuito de control de media
5.8K
onda de un convertidor
VOFF= 0
VAMPL= 170 R3 CA/CD.
FREQ= 60 40K R4
5.1K
R2 limita la corriente del
X5
D2 2N6027 zener, para no exceder su
D1N970A
X4 capacidad disipativa(Pz).
C MCR3899
D2 actúa como zener,
0.1u
R5 R6 únicamente en el semiperíodo
100K 10K
positivo, y en el semiperíodo
negativo funciona como un
a)Circuito
200v
vR1 diodo normal. generando el
160v
voltaje al circuito oscilador(
120v
vs) .
El valor de R2 se determina de
la ecuación 2.31
80v

R2=(VRMS-0.7Vz)/Iz (2.31)
40v

0v
VRMS =Voltaje eficaz de la
- 40v
0s - 4ms
v(R 11:R7:2)
-8ms 12ms
time
16ms 20ms 24ms 28ms fuente
vG
R3 y C fijan el período del
pulso del oscilador ,el cual
16v

12v
necesariamente no es el
8v
período del pulso de
disparo(¿Por qué?).
4v

El control de la potencia
0v
entregada a la carga, ocurre
0s - 4ms -8ms 12ms 16ms 20ms 24ms 28ms
únicamente en el semiperíodo
v(R 10:2) time

positivo.
b)Formas de onda del voltaje en la La fig. 2.25b) muestra las
carga y en la compuerta para α=90° formas de onda del voltaje en
la carga y en la compuerta
Fig. 2.25 Control de media onda para α=90°

129
2.4.9.3.3 APLICACIONES DEL OSCILADOR CON PUT 7
2.4.9.3.3 .2 CONTROLADOR DE ONDA COMPLETA
CARGA

R0 10Ω El circuito de control del


10K
R4 R1 convertidor CA/CD de onda
120V
125K 17K completa, se realiza
60hz X1 adicionando un puente
+ MAC97A4
D6
_ R2 rectificador, un transformador
D1N970A
C
22K
de pulsos y sustituyendo al
0.1u
SCR por un TRIAC(fig. 2.26a).
R3
0.3K R0 y D6 permiten la
sincronización del voltaje de la
TX1
fuente, con los pulsos del
vG
a)Circuito
15v oscilador.R1 y R2 conforman el
10v
circuito divisor de voltaje, para
programar el disparo del PUT.
5v

0v

El transformador de pulsos aisla


-5v
el neutro (120V) o la fase (208
-10v V),del terminal negativo del
- 15v
circuito oscilador del PUT.
- 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms
0s
v(R 6:2,0) time

b)Pulsos en la compuerta del triac Este circuito de control se


puede implementar con opto-
120v

80v
acoplador. El resistor de 125
40v kΩ, controla el ángulo de
-0 v
disparo del tríac
-40v

La fig.2.26b) muestra los pulsos


en la compuerta del triac y la
-80v

- 1200v
0s - 5ms
v(D2:2,X1:MT2)
-10ms 15ms
time
20ms 25ms 30ms 35ms fig.2.26c),muestra el voltaje en
c)Voltaje en la carga la carga
Fig. 2.26. Control de onda completa

130
2.5 TIRISTOR DE APAGADO POR COMPUERTA

2.5.1 CARACTERÍSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS 9

Ánodo
P + n+ P+ n+ P+
Ánodo
J1 Las principales diferencias
corto n constructivas con el SCR son:
J2
P J3
n+ n+ • Interconexión de capas de
control (más delgada) y
G
catódicas con incremento en el
perímetro de las regiones de
K puerta.
a) Estructura básica
_ .
+ VAK
IA - • Ataque químico para acercar el
IA Vg contacto de puerta al centro de
+ las regiones catódicas.
IG
IL
VBRR • Regiones que corto-circuitan
IL
las regiones anódicas para
VAk acelerar el apagado pero
VBRF
generan un bajo voltaje de
ruptura inverso.

b) Característica v-i. • La característica v-i en


A
polarización directa es similar a
la del SCR pero no así la de
polarización inversa.

G K • La ganancia de corriente al
encendido es alta, del orden de
c) Símbolo.
200 y la de apagado es baja del
orden de 5 a 10.
Fig. 2.27 Tiristor de apagado por
compuerta(GTO).

131
2.5.2 MODELAMIENTO DEL GTO 9

p Al aplicarle un pulso de corriente a la


compuerta vGK>0 , los dos transistores
n
n se saturan y el comportamiento es el del
p SCR (ec. 2.06).
p
corriente de Hole n Para bloquearlo se debe sacar de
corriente del
electrón
G C saturación a los dos transistores
aplicando una corriente de compuerta
A negativa iG<0
IA
αp
𝐼𝐵2 = 𝛼1 𝐼𝐴 − 𝐼𝐺
iB
ic2
ic1 𝐼𝐶2 = −𝐼𝐵1 1 − 𝛼1 𝐼𝐴
IG 𝐼𝐶2
αn G T
2 No saturado → 𝐼𝐵2 < ൗ𝛽
2
IK 𝛼2
C
𝛽2 = ൗ(1 − 𝛼 )
2
a)Corrientes al encender
A Sustituyendo
p 𝐼𝐶2 (1 − 𝛼2 ) (1 − 𝛼1 )(1 − 𝛼2 )
𝐼𝐵2 < = 𝐼𝐴
n 𝛼2 𝛼2
n
p
(1 − 𝛼1 )(1 − 𝛼2 )𝐼𝐴
p 𝛼1 𝐼𝐴 − 𝐼𝐺 <
G 𝛼2
corriente de Hole n
corriente del 𝐼𝐴
electrón
G C 𝐼𝐺 > (𝛼 + 𝛼2 − 1)
𝛼2 1
P
n 𝐼𝐴
𝐼𝐺 >
P 𝛽𝑜𝑓𝑓
A
b)Corrientes al apagar 𝛼2
𝛽𝑜𝑓𝑓 = (2.32)
Fig. 2.28 Modelamiento del GTO. 𝛼1 + 𝛼2 − 1

132
2.5.3 ENCENDIDO Y APAGADO DEL GTO 15

Para entrar en conducción se


necesita un alta variación
GTO conduciendo GTO bloqueado
temporal de la corriente de
IG
compuerta, hasta alcanzar el valor
IGM necesario para poner en
conducción todo el cristal. Si sólo
entra en conducción una parte, y
circula toda la corriente el GTO se
puede dañar.
IGMC

IGT Una vez se establece la


t conducción, baja la corriente a la
requerida(IGT) para que el GTO
siga conduciendo.
La aplicación de una corriente
negativa del orden de 0,1 a 0,2 IA
bloquea al GTO, pero debe
mantenerse un voltaje negativo
para evitar la conducción
esporádica del GTO.

IGMB
Para el proceso de encendido y
bloqueo se requieren circuitos
(snubber) de protección para la
conmutación.
Fig. 2.29 Forma de onda de la El circuito de control al apagado
corriente requiere de capacidades
de la compuerta del GTO.(15) significativas de corriente

133
2.5.4 CIRCUITOS DE PROTECCIÓN EN LA CONMUTACIÓN
SNUBBER 8

Inductancias de
dispersión

R11 L LL

CARGA El circuito de protección al


iA LS
encendido (snubber de
Vd DS
corriente) realiza una
RS
GTO A función amortiguadora, al
limitar la variación temporal
iG CS
K de la corriente anódica y
Snubber evitando que IA alcance
polarizado valores muy altos debido a
la recuperación inversa del
a) Circuito. diodo de rueda libre de la
carga, lo que destruiría al
GTO.
IG
0 El circuito de protección al
apagado (snubber de
td Corriente voltaje) limita la variación
de cola temporal del voltaje ánodo-
IA tI cátodo evitando un
0 ts encendido indeseado del
GTO.

Las formas de onda de la


VAK
Vd corriente de ánodo y del
0 voltaje ánodo-cátodo del
Tiempo
GTO se muestra en la fig.
b) Corrientes y voltajes al apagado. 2.30 c)

Fig. 2.30 Conmutación del GTO.

134
2.5.5 CIRCUITO DE DISPARO DEL GTO 9

El circuito de disparo de un
H.F DC a AC H.F DC a AC Etapa de
INV H.F TXF Rectificador salida GTO tiene los siguientes
objetivos :
1) Encender al GTO por medio
A B C D de un pulso de corriente .de
E F
Optica valor alto
Lógica
Cable de
fibra óptica
de 2)Mantenerlo en conducción
control
Electrico hasta que IA alcance su valor
Convertidor opto-
eléctrico
nominal
3)Apagar el GTO con un pulso
muy grande de corriente
negativa .
a)Diagrama de bloques 4)Reforzar el estado de bloqueo
del GTO con un voltaje
negativo en la compuerta.
A
+ La fig. 2.31a) muestra el
diagrama de bloques del circuito
R1 R2 de disparo de un GTO de alto
C2 voltaje.
+ ON T1 La fig. 2.31b) muestra el
_ C1 circuito de la etapa de salida
G del circuito de disparo. La rama
OFF T2 R2C2 genera el pico del pulso
_
positivo y R3C3 el pico del
_ R3
pulso negativo.T2 se conforma
+
por muchos transistores en
K paralelo y no se coloca un
resistor en serie, debido a la
alta corriente de apagado.R3
b)Circuito de la etapa de salida debe ser baja para obtener un
voltaje de bloqueo directo
Fig. 2.31 Circuito de disparo del mínimo
GTO

135
2.6 TRIAC
2.6.1 CARACTERÍSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS 7
MT2
El triac es un dispositivo semiconductor de
P N cinco capas y tres terminales: MT1, MT2,
N
G (compuerta). Se conforma por dos SCR
complementarios: entre MT1 y MT2 hay un
N P N
PNPN(SCR1) en paralelo con un
PNPN(SCR2). La región entre MT1 y G
MT1 G consiste de dos diodos complementarios
,por lo que permite el disparo ,con una
a) Estructura básica(7)
señal positiva o negativa en la compuerta.
MT2 El triac es un dispositivo bidireccional de
corriente. Una señal aplicada entre G y
MT1 positiva o negativa, polariza en directo
GATE cualquiera de los dos diodos
complementarios, ubicados entre G y MT1,
MT1 generando la retroalimentación positiva de
uno de los dos SCR complementarios, y
b) Símbolo
haciendo fluir la corriente entre MT2 Y
Estado activo MT1, independientemente de la polaridad
Estado de bloqueo de MT1 .
Q1 MT2(+)
Se utiliza MT1 como referencia para
voltajes y corrientes. La característica v-i
IH VDRM
IDRM (fig.2.32 c) muestra los 4 posibles
VDRM
cuadrantes de operación. Los más
V IDRM
sensibles son Q1: MT2(+), G(+) y Q3:
MT2(-), G(-).
IH
Estado de
bloqueo Q1 La operación confiable se reduce a 60hz,
debido al corto tiempo para recuperarse y
Estado activo
MT2(-)
revertir el estado de bloqueo ,debido a la
c) Característica v-i(7) conducción bidireccional de corriente.
Fig. 2.32 El tríac .

136
2.6.2 CIRCUITOS DE DISPARO DEL TRIAC 12

El circuito básico de disparo del


Lámpara Rpot triac(fig. 2.33a) utiliza una red RC,
para atrasar el instante en el cual el
DIAC voltaje en el capacitor alcanza el
TRIAC
C1 voltaje de ruptura del diac.
Es necesario adicionar un resistor
después del diac, para limitar la
corriente de compuerta.Este circuito
a)Con red RC y diac de disparo es manual y no alcanza a
CARGA cubrir toda la gama del ángulo de
TRIAC
disparo. (0≤α≤180°) (¿Por qué?)
12V 2:1 El circuito de la fig. 2.33b)
acondiciona en corriente y voltaje
D 0.4K con un transformador de pulsos ,el
pulso proveniente del circuito de
Q1 control. El ángulo de disparo ideal de
10K
este circuito cubre toda la gama
disponible.

b)Con transformador de pulsos El circuito de la fig.2.33c)utiliza un


opto-acoplador, de la serie MOC
fabricados por MOTOROLA, para
lámpara aislar el circuito de control del
1 R circuito de potencia. El pulso
MOC 300
proveniente del circuito de control
230V
2 3041 se aplica a los terminales 1 y 2,para
activar el opto-acoplador y cerrar el
circuito de la compuerta del triac.La
resistencia del circuito de
compuerta (R=300Ω), limita la
c) Con opto-acoplador corriente impulsiva al valor máximo
permitido por el opto-acoplador y la
Fig. 2.33 Circuitos de disparo del compuerta del triac
triac

137
2.7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN(BJT)
2.7.1 CARACTERÍSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS 2

Base Emisor El BJT ha sido desplazado en bajos


voltajes por el MOSFET, y en voltajes
N
altos por el IGBT, por problemas como el
P- de la segunda ruptura, el tiempo de
recuperación inversa y la baja ganancia
de control, sin embargo se estudia ,
N+
para comprender el IGBT .
Los BJT utilizados eran del tipo NPN,
N- debido a la mayor densidad de corriente
Colector permitida. La operación como interruptor
está modulada por el valor y la rapidez
a) Estructura básica de crecimiento de la corriente de base
(fig.2.34b).El encendido rápido se realiza
i inyectando una corriente alta(iB=ic) hasta
ib que fluya la corriente de colector, y
ic después se reduce a iB=ic/βf. Si βf
tiempo de (ganancia forzada) es baja ,también lo
almacenamiento
será VCE y el transistor está
profundamente saturado. El tiempo de
recuperación inicial directo está
asociado, al tiempo de demora al
tiempo de
encendido td(on). El fenómeno de
td(on)
subida tiempo de recuperación inversa origina un tiempo
caída de demora al apagado(td(off)).El tiempo de
almacenamiento es el requerido para
remover la carga interna.
b) Corrientes de base y BJTs have a negative temperature-
colector resistance coefficient, the resistance
𝑅𝐸𝐶 at a higher temperature, will reduce
and the current increase( secondary
Fig. 2.34 El BJT. breakdown).

138
2.7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN(BJT)
2.7.2 CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO 2

ib(t)
El BJT es un dispositivo
ic controlado por corriente. El circuito
de disparo (base driver) de un BJT
debe suministrar una corriente
t
suficiente, para mantener el
transistor conduciendo en
condición de
saturación(iB>ic/βf).La ganancia
típica de un BJT está en el orden
de 5 a 10. Para mejorar la ganancia
a) Forma de onda de ib. se utiliza la configuración
Darlington
Además de suministrar
permanentemente la corriente de
VCC
conducción, el driver debe generar
C inicialmente un pulso de sobre-
0.047µF
corriente, con valor pico de ic, para
acelerar el proceso de
encendido(fig. 2.35a).
ib(t)
Para apagar el transistor
22 Ω rápidamente, se debe aplicar a la
E
base un pulso de corriente
-VEE negativa, para remover la carga
almacenada y reducir el tiempo de
almacenamiento.
b)Circuito de disparo emisor- El circuito de la fig. 2.35b) cumple
seguidor(2) con los requerimientos de la forma
de onda de ib. El capacitor permite
el pico del pulso positivo de
Fig. 2.35 Encendido y apagado
corriente para el encendido, y el
del BJT
negativo para el apagado

139
2.8 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
2.8.1 CARACTERÍSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS 2

El mosfet canal N(fig. 2.36a) se


construye con varias capas de
material n(+),p(-),y n(-).El terminal
S(fuente)se conecta al sustrato
n(+).El sustrato P es de bajo dopaje ,
y el terminal D (drenador) se
conecta a otro sustrato n(+). Sí se
aplica un voltaje positivo entre G
(compuerta) y S( 𝑉𝐺𝑆 ) , el campo
eléctrico arrastra los portadores
hacia el interior del sustrato P
a) Estructura básica y símbolo convirtiéndolo gradualmente en un
material N, permitiendo el paso de
corriente entre S y D . Para un valor
umbral del voltaje 𝑉𝐺𝑆 (Vth), el
Vgs=10V Vgs=8V
ancho del canal de electrones es
Vgs=12V suficiente para iniciar la corriente
entre S y D( 𝐼𝐷 ).El mosfet es un
Id
dispositivo (interruptor) controlado
5A/div por voltaje.
Este dispositivo se puede
considerar como un resistor
controlado por voltaje, dado que VGS
Vgs=6V modifica la resistencia entre S y
D(𝑅𝐷𝑆 ).El canal P presenta mayor
Vgs=1V/div 𝑅𝐷𝑆 ,que el canal N.La caída de
VSD voltaje entre D y S, genera un efecto
que se opone el efecto de VGS, y la
corriente alcanza un valor de
b) Característica directa saturación. La mayoría de MOSFET
requieren de un VGS entre 8 y 12 V,
Fig. 2.36 El MOSFET canal N para conducir con baja resistencia

140
141
2.8 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
2.8.2 MODELAMIENTO 2

La capacitancia de un MOSFET tiene


3 componentes: Cgs, Cgd, Cds. (fig.
2.37a).
La compuerta debe cargar a
Cgd+Cgs=Ciss. Cgd puede producir
corrientes importantes por la
oscilación rápida de 𝑣𝐷 entre un
voltaje alto y bajo. Cgs presenta
valores del orden de 2000pF.
Las conexiones y el empaque
tamiento de los dispositivos de
potencia, introducen inductancias en
el modelo. En la fig. 2.36a) se observa
que en paralelo con el canal N hay
a)Capacitancias y diodo una región NPN. Esta región
parásitos del mosfet conforma un transistor bipolar
D parásito, en paralelo con el FET. Para
evitar un encendido indeseado de
LD
este transistor, se cortocircuita
internamente el sustrato con el
drenador, y el transistor se convierte
2Vth _ RDS(ON)
en un diodo en antiparalelo con el
ඵ FET(reverse body diode). Este díodo
G
+ determina el voltaje de bloqueo del
+ MOSFET.
Vgs Por ser el MOSFET un dispositivo
_ Ls
S unipolar, no presenta el fenómeno de
S recuperación inversa.
La fig. 2.37b) muestra el modelo
b) Modelo circuital circuital para régimen permanente y
transitorio, con un voltaje de
Fig. 2.37 Modelo del MOSFET encendido de 2Vth.

142
2.9 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA
2.9.1 CARACTERÍSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS 2

El MOSFET utiliza sólo una fracción del


C material como canal conductor, y por ello
para igual condición nominal, la densidad
de corriente del MOSFET es la quinta
G parte del BJT. Esto hace al MOSFET
mas costoso, cuando se requieren
voltajes nominales altos y bajas caídas
de voltaje. Una alternativa a este
problema es la conexión Darlington FET-
E BJT(fig. 2.39a). Esta solución tiene como
inconveniente su baja velocidad de
conmutación al apagado(no se puede
aplicar una polarización negativa), y el
a)Darlington FET-BJT requerir una unión adicional para la
MOSFET
estructura NPN del BJT y la NPN del
EMISOR MOSFET. El IGBT se basa en la
B GATE configuración Darlington mejorando la
N+ integración para minimizar los
A
P+ J3
J2 inconvenientes mencionados (fig. 2.39b).
P-BASE
Si se aplica un campo eléctrico entre G
y E, se genera un canal de baja
TRANSISTOR TIRISTOR corriente en la región P superior, que
BIPOLAR PARASITO provee una corriente de base en la
N región N interna que activa el BJT(PNP),
J1 el cual conduce la corriente. El IGBT
presenta una región PNPN(tiristor) que
P+
puede producir una acción de cerrojo, si
COLECTOR
fluye una corriente de compuerta al
tiristor, lo cual se evita mediante dopaje
b)Corte seccional(2) o estructuras extras.

Fig. 2.39 IGBT

143
2.9 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA
2.9.2 MODELAMIENTO 2

Para los IGBT que se utilizan en


inversores, los fabricantes incor
poran un diodo en antiparalelo. El
modelo del IGBT se muestra en la fig.
2.40a). El comportamiento dinámico
del IGBT es similar al del BJT. El
proceso de apagado del IGBT es más
lento que el del MOSFET. Una
fracción importante de la corriente
del IGBT se conduce por el canal del
a) Símbolo y modelo circuital MOSFET, ya que la ganancia efectiva
del IGBT del BJT es baja. Para apagar el IGBT
VGE debe llevarse a 0. Una vez que
se descarga CGS, el canal desaparece.
Sin embargo el flujo de corriente en
punto de el transistor desaparece más
apagado
lentamente, debido a que los porta
Corriente de colector(A)

dores de la base desaparecen por


acción de la recombinación. Esto
genera un perfil de corriente
Corriente denominado corriente de cola (tail
de cola
current ) que se aprecia en la fig. 2.40
b)
t
Valores típicos de toff de 20µs son
adecuados en inversores de baja
frecuencia, pero no para aplicaciones
b)Corriente de apagado del PWM. Es posible reducir el toff a
IGBT 500ns, pero se incrementa la caída
de voltaje
Fig. 2.40 El IGBT

144
VARIACIÓN DE LA CORRIENTE DE CARGA CON LA FRECUENCIA

Variación de la corriente de carga del IGBT IRGBC20UD2 ,con la


frecuencia

145
IGBTs vs MOSFETs

An insulated gate bipolar transistor can be seen as the equivalent of a


bipolar transistor driven by a MOSFET. The base of the equivalent
BJT is actually the n layer of the IGBT.

The IGBT combines the characteristics of the BJT and MOSFET.

As with BJTs, its voltage and current ratings are higher than those of
the MOSFETs.

Instead of being a current-driven gate circuit like a BJT, the IGBT is


a voltage controlled device, similar to a MOSFET.

For large currents, the power dissipation of an IGBT in the on state is


lower than that of a MOSFET.

On the other hand, the turn-on and turn-off transients of the IGBT,
like those of a BJT, are slower than those of a MOSFET.

Another disadvantage of the IGBT is a tail current at turn-off

146
CHOOSING A TRANSISTOR

147
2.10.1 GATE DRIVE CIRCUIT OF A MOSFET USING A TOTEM PAIR

To enhance the switching speed, the MOSFET has to be driven by a current


source followed by a voltage source. As shown in Figure 1.29, the totem
pair formed by two bipolar transistors, T1 and T2, is used to deliver the gate
current to the MOSFET. When a gate signal is applied to the totem pair, T1
is turned on, T2 is turned off, and the gate voltage, Vg, is effectively
connected to the gate. Since 𝐶𝑔𝑠 is uncharged (as the MOSFET was in the
off-state), Vg will generate a large current through T1 and 𝑅𝑔1 . When Cgs is
charged up(i.e., the MOSFET is in the on-state), the gate current is zero and
the gate drive will maintain a constant gate-source voltage. When the gate
signal is brought to a negative value in order to switch off the MOSFET, T1
is turned off and T2 is turned on. A negative voltage (Vg) will be connected
to the output of the drive. 𝐶𝑔𝑠 will be discharged through T2 and 𝑅𝑔2 until it
is fully discharged. To protect the gate from damaging overvoltage, a Zener
diode protection is necessary. The Zener diode is chosen such that its
breakdown voltage is equal to a voltage level which starts to be dangerous
for the MOSFET’s gate. When the voltage 𝑉𝐺𝑆 reaches a value larger than the
breakdown voltage of the Zener diode, the Zener diode in Figure 1.29 starts
conducting, keeping (“clamping”) 𝑉𝐺𝑆 at the Zener voltage.

148
2.10.2 CIRCUITO DE DISPARO DE FETS E IGBTS

El circuito de disparo (driver)


debe proveer los siguientes
12 D
requerimientos :
Vgs(t)

-12
a)Voltaje de encendido del mosfet
RDS(ON)
(Vgs>2Vth).
2Vth _ b)Los requerimientos de corriente
50 Ω ඵ
originados por la capacitancia
±12V +
+ Ciss.
Vgs 2000pF c)En ocasiones, cuando el
_
circuito del convertidor lo
S determine, se debe considerar la
necesidad de aislamiento de los
terminales del MOSFET.
La figura 2.38a) muestra el
a)Modelo circuital de la activación modelo circuital, del proceso de
de un mosfet activación del MOSFET. Una
fuente Thevenin, que modela al
12 12
circuito de control, cuya salida
debe ser mayor a 2Vth para
activar al MOFET, y que además
G
debe proveer la corriente de la
capacitancia de entrada del
MOSFET.
HCPL 2211 S
El proceso de carga del
capacitor, establece el límite de
la frecuencia de conmutación.
Actualmente los fabricantes de
b)Opto acoplador y emisor seguidor circuitos integrados ofrecen una
para la activación amplia gama de drivers para
MOSFET e IGBT. La fig. 2.38b)
muestra la utilización del C .I.
Fig. 2.38 Disparo del MOSFET HCPL 2211 para disparar un
MOSFET o un IGBT.

149
2..10.2 CIRCUITO DE DISPARO DE MOSFETS 13

Se puede activar un transistor


MOSFET/IGBT con componentes
discretos, o utilizando drivers de
C.I. La utilización de driver de C.I.
de compuerta CMOS requiere de
un capacitor de bypass impor
tante, para que los impulsos de
corriente que demanda la
capacitancia del transistor, no los
suministre la fuente, sino este
capacitor que actúa como bomba,
para el capacitor de compuerta del
a) Driver para la activación del transistor(Ciss)
mosfet
El driver MIC 4420 es un driver
inversor, y el 4429 es no inversor,
que sustituye a tres componentes
discretos lo que simplifica los
diseños. Los pines duplicados (6,7)
para la salida y (4,5) para la tierra
deben conectarse entre sí, para
reducir las inductancias parásitas.
Se utilizan en la fuente capacitores
en paralelo, dos de disco
cerámicos de 0,1μ𝐹 y uno de 1 μ𝐹
de película plástica de bajo
b) Diagrama funcional del MIC ESR, para reducir la impedancia
4429 de la fuente.

La serie de C.I. MIC 4420 se


Fig. 2.41 Activación de FET pueden activar mediante cualquier
con circuitos integrados C.I. de control PWM, que se
utilizan en las fuentes conmutadas,
como el SG3526,o el TL494.
150
2.10.3 CIRCUITO DE DISPARO DE MOSFETs o IGBTs CON
LADO DE ALTA
En la figura 2.42, se muestra el
circuito de un convertidor reductor
CD/CD, que ilustra el problema
del encendido de los transistores,
que no tienen un terminal a tierra,
o al lado negativo de la fuente,
problema conocido como
transistor con lado de alta.

i1 i2
y x iL Para mantener cerrado el
+ L transistor(emisor con voltaje de la
+
+ fuente), se le debe aplicar a la
P
V1 C V2
compuerta un voltaje superior al
Vxz
de la fuente en 10V, el cual no se
_
dispone en el circuito. Cuando el
_ _
transistor está abierto, el voltaje
z del emisor es el voltaje del
negativo de la fuente de potencia,
pero cuando el transistor está
cerrado, el voltaje del emisor es
el voltaje positivo de la fuente de
Fig.2.42 Convertidor CD/CD potencia. Por esta razón, el
reductor con IGBT con el voltage requerido entre com
lado de alta puerta y emisor en el transistor,
en un momento dado, sobrepasa,
el valor nominal(VGEnom) que
puede soportar el transistor

La soluciones más utilizadas


para resolver este problema son:
a)Circuito de activación aislado.
b)Circuito de activación mediante
bombeo de carga (bootstrap
circuit)

151
2.10.3.1 ACTIVACIÓN DE UN FET CON LADO DE ALTA POR
BOMBEO DE CARGA

En el circuito de la figura
2.43a), se muestra un
circuito doblador de voltaje
que utiliza un capacitor.

Al cerrar el interruptor #2
el capacitor C1,se carga con
el voltaje de la fuente, con
la polaridad indicada en la
figura.

a)Circuito para doblar el voltaje Al abrir el interruptor #2 y


cerrar el #1,el voltaje en la
salida es de dos veces el
voltaje de la fuente. Se
obtiene de esta manera un
circuito doblador de voltaje.

El díodo D1 impide la
descarga de C1, cuando se
cierra el interruptor #1

La figura 2.43b) muestra un


circuito simplificado para la
b) Activación del transistor por bombeo de activación de un transistor,
carga por bombeo de carga.

Fig. 2.43 Activación de un FET con lado de


alta, por bombeo de carga

152
2.10.3.2.CIRCUIT FOR PRODUCING A SWITCHING WAVE FORM
WHICH USES A BOOTSTRAP CIRCUIT FOR DRIVING THE HIGH
SIDE MOSFET..

Figure 1.30 shows a circuit that produces a switching output voltage waveform.
It contains two MOSFETs.
As we can see immediately, we can turn on the low-side switch, S2, with no
problem but we need an additional circuit to turn on the high-side switch, S1.
The power circuit is supplied by a DC source, Vdc, with respect to the
reference GND. The output voltage, Vout, is controlled by two MOSFETs, S1
and S2, which are operated complementarily. When S1 is on and S2 is off, Vout
is equal to Vdc. When S1 is off and S2 is is equal to zero.
The gate drive circuit generates the gate signals Ho and Lo for S1 and S2,
respectively. The gate drive circuit is supplied by the source Vcc with respect
to the reference Vss. The reference Vss is connected to the source of the low-
side MOSFET S2. However, the source of the high-side MOSFET S1 is
connected to Vout. The node Vout is floating because its voltage level is
varying. Consequently, S2 will be turned on if Lo is Vcc, and will be turned off if
Lo is zero. It is easy to maintain S2 in the on-state, as its source is connected
to the ground, so its VGS becomes equal to Vcc. To turn off S1, it is also easy:
the lower MOSFET SB in the gate driver is turned on and the upper MOSFET
SA is turned off. Thus, the gate-source voltage of S1 is zero.
More difficult is to turn-on and maintain so is the upper MOSFET S1. If S1 is
on, the voltage level of Vout is Vdc. In order to maintain the on-state of S1, the
gate-source voltage has to be higher than its plateau voltage. Then, how can the
gate drive circuit maintain such a gate-source voltage? If Ho is Vcc, with
respect to the reference GND (as it was the case of Lo when turning on S2), it
is not enough to turn on S1, as Vcc would have to be larger than the plateau
voltage plus the potential Vdc with reference to GND of the source of S1. An
additional circuit is needed to create the desired voltage. A bootstrap circuit
composed of a diode, Db, and a capacitor, Cb, can achieve such a function. One
plate of the capacitor is connected to the source of S1. When S2 is on, through
the path of diode Db, Cb and S2, the boostrap capacitor is charged to Vcc with
the polarity illustrated in the figure.

153
2.10.3.2. CIRCUIT FOR PRODUCING A SWITCHING WAVE FORM WHICH
USES A BOOTSTRAP CIRCUIT FOR DRIVING THE HIGH SIDE MOSFET

To command S1 to turn on, SA in the gate drive is turned on by Vg, and SB is


turned off. Through SA, Cb appears in parallel with the gate-source of S1 in
series with the gate resistance. As Cb has been fully charged, a sufficient
voltage will be applied between the gate and source of S1. Thus, the on-state of
S1 can be maintained. Consequently, no matter the value of Vout, the gate
driver can supply the necessary gate-source voltage to the high-side MOSFET
with the bootstrap circuit. Therefore, without the bootstrap circuit, Vcc (Ho)
was being applied between the gate of S1 and GND, which was requiring a high
Vcc. With the bootstrap circuit, Vcc (the voltage on Cb now) is applied directly
across the gate-source of S1 in series with the gate resistance, which
necessitates a lower Vcc.

The gate drivers are available in the form of integrated circuits. For example, for
driving the switch in a buck, boost or buck-boost converter, we can choose the
driver MC34152

154
2.10.3.3 CIRCUITO DE DISPARO POR BOMBEO DE CARGA
CON EL IR2110
Una de las soluciones
utilizadas para el
problema del transistor
con lado de alta, se
denomina circuito
bootstrap, y utiliza para
la conmutación del
transistor, un diodo y
un capacitor, que actúa
como una bomba, para
mantener entre G y S
del transistor de alta, el
voltaje requerido
a)Conexiones típicas
Esta solución la
incorporan circuitos inte
grados driver, como el
IR2110, que se utiliza
en las estructuras tipo
H de transistores o
IGBT, que se aplican
en los inversores
monofásicos, tal como
se muestra en la figura
2.44.

Estos drivers tienen


dos salidas y dos
b)Diagrama funcional entradas, una para el
transistor con el lado de
Fig.2.44 Circuito IR2210 de alta (Ho)(Hin), y otra
activación por bombeo de carga para el transistor con un
terminal al potencial de
tierra, o al potencial
negativo de la fuente.
(Lin)(Lo) 155
OPTOCOUPLER HCPL

156
OPTOCOUPLER DRVER IGBT

157
2.10.3.4 CIRCUITO DE ACTIVACIÓN AISLADO

El circuito del driver de acti


vación del transistor, debe resol
12V 12 ver dos problemas:a) la transfe
rencia de la información para la
conmutación del transistor. b) el
G suministro al driver de un voltage
aislado, de la tierra o del neutro
del circuito de potencia, para
HCPL 2211
S activar el transistor, con baja
resistencia (mínimo dos veces el
voltaje umbral)
a) Optoacoplador digital para aislar
la señal de control del sistema de El circuito puede utilizar: a) Un
potencia optoacoplador digital, como el
HCPL 221, (figura 2.45a), para
transferir la información de la
conmutación.

b) Una fuente aislada, para el


suministro del voltaje al driver, por
ejemplo, una fuente CD/CD fly-
back,

Esta fuente presenta el problema


de la capacitancia parásita, entre
devanados del transformador,que
b)Activación de FET, con puede generar problemas con
optoacoplador aislado altas frecuencias de conmutación.

Fig.2.45 Circuito de Esta solución se muestra en la


activación aislado figura 2.45b), y tiene un buen
desempeño, pero es costosa.

158
2.11.1 CIRCUITOS SNUBBER
INTRODUCCIÓN

Las pérdidas de conmutación en


los dispositivos semiconductores
son un factor importante en el
diseño de los convertidores. Estas
pérdidas dependen de la trayec
toria de conmutación, esto es la
evolución de la corriente y el
voltaje en el interruptor,durante la
conmutación
a)Circuito snubber capacitivo, para
carga inductiva Para minimizar las pérdidas, se
diseñan circuitos snubber para
modificar la trayectoria de
conmutación.

Los circuitos snubber impiden


cambios rápidos en el voltaje y la
corriente del interruptor haciendo
que estas variables cambien de
una manera cuasilineal .

En la figura 2.46a), el capacitor


impide que el voltaje del interruptor
cambie muy rapidamente,cuando
el interruptor abre un circuito con
carga resistiva-inductiva.
b)Comparación de las trayectorias
de conmutación, sin capacitor y
La figura superior de la fig. 2.46b)
con un capacitor de valor
muestra las trayectorias de corrien
significativo
te y voltaje durante la conmu
Fig.2.46.Circuito snubber tación, al cerrar y abrir el circuito,
sin circuito snubber, y en la inferior
el cambio que ocurre con un
capacitor de valor significativo.
159
2.11.2 CIRCUITO SNUBBER PARA EL APAGADO CON
PÉRDIDAS
La sobrecorriente que ocurre
cuando el interruptor cierra, se
puede evitar haciendo direccional el
snubber (figura 2.46a). El resistor
se adiciona para hacer gradual la
descarga del capacitor, y que su
energía no se disipe en el
semiconductor. Si el capacitor se
selecciona adecuadamente, las
pérdidas en este circuito serán
menores, que sin snubber.

El capacitor debe ser suficien


temente grande, para evitar el
sobrevoltaje durante la extinción de
la corriente, y la constante de
tiempo RC debe permitir la disi
pación de toda la energía
almacenada, durante el tiempo de
apertura del interruptor(tf). Se
asume que la corriente disminuye
de un modo lineal, y que el inductor
externo mantiene constante la
Fig.2.46 Circuito snubber
corriente total.
con pérdidas
𝑡 𝑡
𝑖𝑠𝑤 = 𝐼𝐿 (1 − ) 𝑖𝑐 =𝐼𝐿 (2.33)
𝑡𝑓 𝑡𝑓

La energía disipada ( 𝑊𝑠𝑤 ) en el


interruptor es:
𝑡 𝐼𝐿 2 𝑡𝑓 2
𝑊𝑠𝑤 = ‫׬‬0 𝑓 𝑣𝑐 𝑖𝑠𝑤 𝑑𝑡 =
24𝐶
(2.34)

160
2.11.2 CIRCUITO SNUBBER PARA EL APAGADO CON
PÉRDIDAS
Además de esta energía, en
𝐶𝑉𝑜𝑓𝑓 2
el resistor se disipa
2

La potencia disipada sin


snubber (P) en un circuito
inductivo es:

𝑃 = 𝑉𝐼𝐿 𝑡𝑓 𝑓𝑠𝑤 /2 (2.35)

La pérdida de potencia con


snubber (P´) es:
𝐼𝐿 2 𝑡𝑓 2 𝐶𝑉 2
𝑃´ = ( + )𝑓𝑠𝑤 2.36:
24𝐶 2

𝐼𝐿 2 𝑡𝑓 2 𝐶𝑉 2
Si + < 𝐼𝐿 𝑉𝑡𝑓 (2.37)
12𝐶 1

La figura 2.47 muestra el


efecto del tamaño del capaci
tor, sobre las pérdidas. Enton
ces, si se cumple la ecuación
2.37, la pérdida de potencia
con snubber, es menor, que
sin snubber

La derivación parcial del lado


Fig.2.47. Pérdidas de potencia, en izquierdo de la ecuación 2.37,
función del valor del capacitor permite obtener el capacitor
óptimo, como:

𝐼𝐿 𝑡𝑓
𝐶𝑜𝑝𝑡 = (2.38)
12 𝑉
2.11.2CIRCUITO SNUBBER PARA EL APAGADO CON
PÉRDIDAS
El valor de 𝐶𝑜𝑝𝑡 es aproximado,
ya que en su deducción se
asume lineal la variación de la
corriente. La figura 2.48 mues
tra la trayectoria de conmuta
ción, si el valor del capacitor es
cercano al óptimo.Se selecciona
un capacitor de película de
plástico

El resistor deberá disipar la


energía almacenada, durante el
intervalo de encendido del
interruptor, y el capacitor debe
estar listo a cumplir su función
para el próximo apagado.

Si la constante de tiempo es
menor que la mitad del inter valo
de encendido, más del 98% de
la energía del capa citor, se
disipará antes del próximo
apagado.
𝐷𝑇
𝑅𝐶 <
2
La potencia requerida por el
resistor, la determina el producto
de la energía descargada por la
frecuencia de conmutación
Fig.2.48. Trayectoria de conmutación
:
con el valor óptimo del capacitor 2
𝑃𝑅 = 𝐶𝑉 𝑓𝑠𝑤ൗ2 (2.39)
CONMUTACIÓN DEL TRANSISTOR EN UN CONVERTIDOR
REDUCTOR CON DIODO IDEAL

163
HEAT TRANSFER FOR POWER SEMICONDUCTORS

Ineffective heat transfer should cause parts to get hot, and at some point
this will lead to failure.

The basic issues can be addressed in two points:

1.When power is lost in a part, it represents thermal energy injected into


the part. This energy must be removed. In almost any power supply or
power converter other than those on a spacecraft, lost energy must be
emitted into the surrounding air.

2. In a power semiconductor, power loss occurs inside the material near


the various P-N junctions.

Any semiconductor has a maximum junction temperature, 𝑻𝒋(𝒎𝒂𝒙) Above


this value, the part might be damaged or destroyed, as dopant atoms begin
to diffuse, materials begin to soften or melt, or other undesired effects
occur.

The problem in most power converter designs is to remove waste heat to


the atmosphere effectively enough to keep all temperatures below 𝑻𝒋(𝒎𝒂𝒙)
There are three mechanisms by which heat can be transferred among
objects.
These are :a)conduction;b) convection; c)radiation.

164
CONDUCTION HEAT TRANSFER

In conduction heat transfer, heat flows between two solid objects in direct
contact.

The rate of heat flow is governed by Fourier’s Law of Heat Conduction, in


which heat flow q is determined by a temperature gradient 𝛻 𝑇, such that

q= K 𝛻 T,

Here the units of q are W/m2, temperature is in kelvins, and the thermal
conductivity K has units of W/(m.K).

Thermal conductivity is a material property, and takes on a characteristic


value for copper, aluminum, epoxy, or the material being used. In an
electronic circuit, thermal conduction models the heat transfer to heat
sinks, mounting hardware, or other physical objects attached to parts.

It is important to recognize that the rate of heat removal by thermal


conduction depends on the size of an object and on a temperature
difference between objects or within a given material.

165
CONVECTION HEAT TRANSFER

In convective heat transfer, heat flows from one place to another by


means of a fluid flow.

A common example is forced-air cooling with a fan, in which heat is carried


away from an object by the motion of the air.

Heat convection is governed by the relation

q=h(𝑇𝑜𝑏𝑗𝑒𝑐𝑡 −𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡 )

where h is a heat transfer coeflicient, and 𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡 is the temperature in


the fluid far away from the object being cooled.

Convection is a critical process in almost any power converter, since heat


must ultimately reach the surrounding air (or water in marine applications).

The value of h is a system property rather than a material property. It


depends on flow rates, surface geometry, and other parameters as well as
on the properties of the object and the fluid.

As in the case of conductive transfer, convective transfer is proportional


to a temperature difference.

166
RADIATION HEAT TRANSFER

In radiative heat transfer, heat flows by electromagnetic radiation between


bodies at distinct temperatures.

Spacecraft applications require radiation as the final step in rejecting


waste heat to the environment.

In most terrestrial applications, heat flow by radiation is relatively


unimportant. It can be significant for very small or very hot devices. The
expression for heat flow in this case is

𝐪 = 𝝐𝝈𝑻𝟒

where T is absolute temperature. The net flow between two bodies is the
difference between the result of equation for each. The value 𝜎 is the
Stephan-Boltzman constant σ=5.670 X 10−8 W/(𝑚2 𝐾 4 ), and 𝜖 is a
parameter called the emissivity of the hot object.

The emissivity is 1 for an ideal black body-the most efficient emitter of


radiation. It can be less than 0.05 for white or highly reflective objects.
Even though radiation is not a major component of heat transfer in most
cases, it is beneficial to use dark objects to maximize this type of heat
flow.

Heat sinks and semiconductor parts are black when possible for this
reason.

167
ELECTRICAL ANALOGUE HEAT TRANSFER

Since conduction and convection are the major contributors to heat flow in most
applications, and because heat flow is linearly dependent on a temperature difference
in these cases, can be defined an electrical analogue of heat flow,

𝑃ℎ𝑒𝑎𝑡 = 𝐺𝑡ℎ𝑒𝑟𝑚𝑎𝑙 ∆𝑇

Here 𝑃ℎ𝑒𝑎𝑡 is the total flow in watts (the geometry has been factored in).
AT is the temperature difference. 𝐺𝑡ℎ𝑒𝑟𝑚𝑎𝑙 is a thermal conductance that expresses
the linear relationship.

Notice that G is a function of parameters such as h, and that it also takes geometry
into account.
The electrical analogue is as follows: heat flows in a manner analogous to current
along a path. The flow is driven by a potential difference AT, and the path has a
certain conductance. The thermal resistance, 𝑹𝜽 or𝑅𝑡ℎ , given

∆𝑇
𝑃ℎ𝑒𝑎𝑡 =
𝑅𝜃
This last expression attempts to capture the basic physics of heat flow:

The path along which flow occurs resists heat transfer. If this resistance is high, a
high temperature difference is needed to drive a given flow, and a given power loss will
heat up a part. If the resistance is low, heat can be removed easily, and parts will not
get much hotter than the surroundings even in the presence of loss. Units of 𝑹𝜽 are
those of temperature difference divided by power.

In the SI system, the units are K/W.


Most manufacturers report thermal resistances in 𝐶 °ൗ
𝑊

These units are the same, since only the temperature difference is relevant.

168
HEAT FLOW IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

The simple heat flow expression in is often used to determine temperature


differences rather than heat flows. In any converter system, there is a definite
amount of heat loss in any individual device. This loss must flow to the ambient
environment.

If somehow the flow 𝑃ℎ𝑒𝑎𝑡 is less than the loss, the device temperature will rise
until AT is high enough to force 𝑃ℎ𝑒𝑎𝑡 = 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠

A conceptual application is illustrated in the next figure . Heat is generated at


the semiconductor junction, and must flow to the ambient environment.

169
HEAT FLOW IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

The flow must pass through the case of the part, the interface between the
case and the heat sink, and finally to the outside air. Each step adds resistance
to the flow.
The important thermal resistance values are shown in the next Table. Recall
that a given semiconductor has a well-defined maximum junction temperature.
Ultimately, heat flows between the semiconductor at temperature 𝑇𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 and
the outside environment at temperature 𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡 .

Given a certain power loss 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 , the flow is represented by

𝑇𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛− 𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡
𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 =
𝑅𝜃(𝑗𝑎)

where 𝑅�𝜃(𝑗𝑎) is the total thermal resistance between the P-N junction and
the ambient environment.
To avoid trouble, it is important to maintain 𝑇𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 ≤ 𝑇𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑚𝑎𝑥 .
This requires:𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 𝑅𝜃(𝑗𝑎) +𝑇𝑎𝑚𝑏 ≤ 𝑇𝑗𝑚𝑎𝑥
Some of the implications of 𝑃𝑙𝑜𝑠𝑠 equation ,include these rules:
1.To avoid overheating, either the power loss or the thermal resistance must be
low.

2.It becomes increasingly difficult to keep a part cool as the surrounding


temperature increases.

3.It is much harder to meet 𝑇𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑚𝑎𝑥− , in a sunny desert day under the
hood of an automobile, than in an air-conditioned office. The expression shows
just how much harder.

170
TERMAL RESISTANCES IN A POWER SEMICONDUCTOR AND
HEAT SINKSINK

171
A PROBLEM ABOUT HEAT SINK

If no heat sink is used, the thermal resistance from junction to ambient of 45 K/W
requires a 45 K temperature rise above ambient to drive 1 W of heat flow. With 30 W
of loss, a temperature difference of 1350 K is required. This is impossible with
𝑇𝑗𝑢𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛 ≤ 150𝐶°so a heat sink is required.

For heat sink specification, let us start with an ambient temperature of 25°C. The
maximum allowed temperature difference is 125 K, so
(30 W) 𝑅𝜃(𝑗𝑎) ≤125 K, 𝑅𝜃(𝑗𝑎) ≤ 4.17 K/W.

The total resistance 𝑅𝜃(𝑗𝑎) is the sum of all thermal resistances in the flow path, and
since the junction to case (𝑅𝜃 𝑗𝑐 , =1.2°𝐾Τ𝑊 )and case to sink(𝑅𝜃 𝑐𝑠 , =1.0°𝐾Τ𝑊 )values
are given, the heat-sink value 𝑅𝜃 𝑠𝑎 , ≤ 1.97 K to meet the requirements. Notice that
a better sink is needed if the ambient temperature is higher.

For example, if 𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡 = 75°C (a value that might be encountered in an industrial


plant or on a military vehicle), the heat sink must provide enough flow to keep the
temperature difference below 75 K. This requires 𝑅𝜃 𝑗𝑎 , ≤ 2.5 K/W, and 𝑅𝜃 𝑠𝑎 , ≤
0.3 K/W. This last value is very aggressive, and will most likely require a large heat
sink and an external cooling fan.

172
THERMAL RESISTANCE CALCULATOR FOR A PLATE FIN SINK

https://www.myheatsinks.com/

173
SELECTION OF HEAT SINK

Example
For a junction temperature of 125"C, a TO-3 transistor has a power dissipation
of 26 W.

The transistor manufacturer specifies a value of 0.9"C/W for 𝑅𝜃𝑗𝑐 .A 75-pm


thick mica insulator is used with thermal grease, and the thermal resistance. of
the combination is 0.4 "C/W. The worst-case ambient temperature in the
cabinet where the heat sink is to be used is 55°C. Hence the sink-to-ambient
thermal resistance shouldbe125 - 55
𝑅𝜃(𝑠𝑎) = 125−55Τ26 − (0.9 + 0.4) = 1.39 "C/W.
Heat sink number 7 in the next figure has a thermal resistance of 1.3 "C/W,
which is acceptable for this application.

In fact using this heat sink will lower the junction temperature to 122.6"C,
which is slightly cooler than assumed.

The power dissipation in the transistor will then be somewhat smaller as a result
and thus will lower the real junction temperature somewhat as well, perhaps to
less than 120°C.

If the converter that uses this heat sink is to be mass produced, it might make
economic sense to look for a heat sink with 𝑅𝜃(𝑠𝑎) =1.39 "C/W since it will be
lighter and smaller than number 7

174
SELECTION OF HEAT SINK

Heat sinks

175
OUTLINE FOR CHOSING A TRANSISTOR

When a power electronics circuit is designed, for choosing a transistor, the


following procedure will be
followed:
a. Calculate the required blocking voltage (the maximum designed value of
𝑉𝑜𝑓𝑓 _state plus a 20% margin) and maximum current (the maximum
designed value of the switch current plus a 20% margin).

b. Choose a switch (MOSFET or IGBT) of voltage and current ratings 1.5–2


times the required values as calculated. MOSFETs are used in high-
frequency and low-voltage applications, while IGBTs are used in low-
frequency and high-voltage applications

c. Based on the available options from item (b), choose the one with the
lowest on-state resistance 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) (for a MOSFET) or the lowest on-state
voltage drop 𝑉𝑜𝑛 _state across the switch (for an IGBT).

d. Check the turn-on and turn-off times of the chosen switch to make
sure that the total switching time is much shorter than the switching
period, Ts.

In applications where the switch current is high, we prefer to use several


MOSFETs connected in parallel to reduce the total equivalent on-state
resistance. Of course, this is at the expense of needing more drivers and,
consequently, a higher current driving capability. Each MOSFET is chosen
to carry only one part of the switch current calculated at stage (b). An
application known by all of us is the radio-controlled toy car where the
speed controller makes use of up to eight, or even more, MOSFETs in its
converter.

176
BIBLIOGRAFÍA

1) Kassakian J. G; Schlecht M. F ; Verghese G.C. PRINCIPLES OF POWER


ELECTRONICS. 1991. Editorial Addison Wesley

2)P T. Krein. ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS. 1998.Editorial Oxford


University Press

3) W.Shepherd,L.N.Hulley,D.T.W.Liang .POWER ELECTRONICS AND MOTOR


CONTROL. 1995. Cambridge University Press

4)R.G. Hoft(editor) SCR APPLICATONS HANBOOK. 1974. International


Rectifier

5)Grafhan D.R.;Hey J.C.(editores) SCR MANUAL. FIFTH EDITION. 1972.


General Electric

6) Motorola, THYRISTOR DEVICE DATA. 1995

7)Motorola. RECTIFIER APPLICATIONS HANDBOOK. Third edition


1993

8)Rashid M.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK.


1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.Consulta a Internet
septiembre 24 2008

9) INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC.


pdf.www.onlinefreebooks.net.Consulta a Internet Julio 13 2008

10)Williams B. POWER ELECTRONICS DEVICES


DRIVERS,APPLICATIONS AND PASSIVE COMPONENTS.1992.
Editorial Mc. Graw-Hill.

177
11)Skvarenina T.L.(editor)THE POWER ELECTRONICS HANBOOK. CRC
press 2002

12)Phillips Semiconductors. POWER SEMICONDUCTOR


APPLICATIONS.199.2

13)Pathak A.B.MOSFET/IGBT DRIVERS THEORY AND APPLICATIONS.


Application note IXYS.www.ixys.com

14)Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND


APPLICATIONS. 1993.Editorial Prentice-Hall.

15)Universidad de Sevilla. Electrónica de Potencia.TIRISTORES APAGADOS


POR COMPUERTA.Consulta a Internet Mayo 2009.
http://iecon02.us.es/~leopoldo/Store/tsp_7.pdf

16)Adrian Ioinovici .POWER ELECTRONICS AND ENERGY


CONVERSION SYSTEMS.:Volume 1. Fundamentals and Hard-switching
Converters, First Edition. 2013 JohnWiley & Sons, Ltd.

178
ACTIVIDADES

TEORÍA
1) Clasificar a los semiconductores de potencia de acuerdo a)Naturaleza
constructiva.b)Tipo de control. c)Característica operativa v-i
2)¿Cuales son las diferencias entre un diodo de potencia y uno de señal?
3)Enumerar los parámetros operativos significativos del diodo de potencia.
4)Describir el fenómeno de recuperación inversa , e indicar como afecta la
operación del diodo.
5)¿Por qué se conectan en paralelo ,con los diodos en serie,
,resistores?¿Qué características debe tener el resistor?¿Por que en la
ec,2.03, la elección óptima es el igual y no el menor?
6)¿Cuáles semiconductores se comportan como interruptores controlados
por voltaje ?¿En qué se diferencia el DIAC del SIDAC?¿Donde se aplican?
7)¿Qué es un SCR?¿Cuales son las condiciones que se deben cumplir para
que el SCR conduzca?¿Cual es la condición para bloquear al SCR?
8)Enumerar los parámetros operativos del SCR.
9)Analizar el modelo matemático del SCR, e inferir las situaciones que hacen
conducir al SCR.
10)Dibujar el modelo circuital del SCR para régimen transitorio, y justificar
que un alto dv/dt puede producir una conducción indeseada.
12)¿Cuáles son las características ideales de la corriente de compuerta del
SCR ? Dibujar la forma de onda que cumpla estas condiciones.
13)Definir tiempo de encendido del SCR. ¿Para qué se utiliza este
parámetro?¿Tiene relación el tiempo de apagado con la máxima frecuencia
de conmutación del SCR?¿por qué?
14)Definir conmutación natural y forzada del SCR.
15)Analizar el circuito de conmutación forzada clase C(fig. 2.12) y especificar
la naturaleza y parámetros del capacitor.
16)¿Cómo se determina el valor de la resistencia de compuerta del SCR(fig.
2.13)?¿Cuáles son los valores máximo y mínimo de esta resistencia?¿Por qué
se conecta un diodo en antiparalelo con la compuerta del SCR?

179
ACTIVIDADES

TEORÍA
17) Para el circuito de disparo del SCR con transformador de
pulsos(fig. 2.11a)se pregunta cual es la función de los siguientes
elementos:D1,Dz;R1,R2,D2,R3.
18)¿Qué es un opto-acoplador?¿Cómo funciona?¿Para qué se utiliza?¿Qué es
un opto-acoplador con cruce por voltaje cero?
19)Para el circuito de disparo del triac con opto-acoplador con cruce por
cero ,se pregunta:¿Cómo se selecciona R?¿Cual es la función de Rs y Cs?
20)¿Para qué sirve el circuito snubber de corriente y el de voltaje de un
SCR?
21¿Cómo se modificaría la ecuación 2.16 si se tiene en cuenta la
capacitancia del SCR(Cj2).
22)¿Cómo se define la resistencia negativa de un elemento?.Utilizando la fig.
2.16 a), describa la operación del oscilador de relajación. ¿Qué ocurriría si R1
es mayor que el valor máximo establecido?¿Sí fuese menor?
23)Describir la estructura del UJT y su operación como elemento de
resistencia negativa.
24)Para el circuito oscilador de relajación con UJT(fig. 2.22 a), se pide
deducir la expresión para la frecuencia de oscilación.
25)Utilizando el circuito de la fig. 2.24 a) describa la operación del oscilador
de relajación con PUT.
26)¿Podría funcionar el circuito de la fig.2.26 a)sin el diodo zener?¿Qué
inconvenientes tendría?
27)Modificar el circuito de la fig.2.23 a) utilizando opto-acoplador.
28)¿Por qué en los circuitos de las figs. 2.26 a)y 2.27a),RT y CT no afectan el
período de los pulsos de disparo, pero si afecta el período del oscilador?
29)Proponer un circuito de control con retroalimentación, utilizando un
oscilador de relajación, para una carga de naturaleza térmica, que utiliza en
el circuito de potencia SCRs o un TRIAC
30)Enumerar las diferencias constructivas entre el SCR y el GTO.
31)Deducir e interpretar la ecuación 2.32

180
ACTIVIDADES

TEORÍA
32)Dibujar y analizar la forma de onda de la corriente de compuerta del GTO.
33)Enumerar las funciones del circuito de disparo de un GTO.
34)Utilizando la fig. 2.33 a),justificar la característica v-i del TRIAC.
35)¿Por qué si el circuito de disparo se conecta entre MT2 y G ,el TRIAC no
se activa?
36)Para el circuito de disparo del TRIAC de la fig. 2.33a),se pregunta: a)¿Cuál
es el valor mínimo de Rpot? b)¿Cuál es el valor máximo del ángulo de disparo?
37)¿Qué hace falta en el circuito de la fig. 2.33b)Para el correcto
funcionamiento del circuito?
38)En el circuito de la fig. 2.33c), cual es el valor máximo del ángulo de
disparo
39)Interpretar las formas de onda de corriente de base y colector del
BJT(fig.2.31b)
40)Analizar el circuito de disparo del BJT(fig.2.36a)
41)Describir la naturaleza constructiva y la operación del MOSFET.
42)Interpretar el modelo del MOSFET(fig.2.38a).
43)¿Por qué es importante en el circuito de disparo del MOSFET el valor de
Cgs del MOSFET?
44)Describir la naturaleza constructiva y la operación del IGBT.
45)Interpretar el modelo del IGBT
46)Describir el proceso de encendido de un FET o un IGBT
47)Describir y justificar ,el proceso de encendido de un FET,con un lado de
alta :a)mediante un circuito aislado; b)Circuito de bombeo de carga.
48)¿Qué es un circuito snubber en un transistor de potencia y para qué
sirve?
49)Explicar la operación de un circuito snubber para el encendido de un
transistor de potencia.
50) Explicar la operación de un circuito snubber para el apagado de un
transistor de potencia.
51) Enumerar y describir los factores que generan calor en un transistor
52).Enumerar y describir los mecanismos de transferencia de calor.
53) ¿Cuál debe ser el valor de la resistencia térmica entre la unión y el
ambiente,para que el transistor no se sobrecaliente?¿En qué condición
,no es necesario utilizar un disipador de calor para un transistor?
181
UNIDAD III

CONVERTIDORES CA/CD
NO CONTROLADOS

182
3.0 CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS
3.0 INTRODUCCIÓN La corriente continua se utiliza en
muchos procesos industriales
tales, como:

a)Procesos electroquímicos:
galvanizado, niquelado, cromado
etc , en los cuales el transporte de
carga eléctrica va acompañado de
transporte de masa.

b)Cargas accionadas por motores


de corriente continua.
a)Soldador
c)Procesos de soldadura

Las fuentes de corriente directa


se obtienen de la fuente de
corriente alterna, mediante
convertidores CA/CD.

Para obtener un voltaje continuo,


se debe aplicar a la salida del
convertidor CA/CD un filtro pasa
bajo, cuya naturaleza depende de
la magnitud de la carga.

La mayoría de los procesos


operan bajo condiciones de carga
b)Tablero Rectificador variable,

Fig. 3.00 Procesos de voltaje CD

183
3.0 CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS
3.1 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA

VD
La conversión CA/CD más elemental se
id realiza utilizando un diodo. Al iniciarse el
semiperíodo positivo, el diodo ideal se
D
polariza en directo y conduce el voltaje de la
+ R Vd
- vs=Vmsinwt fuente a la carga. Por ser la carga resistiva,
la corriente está en fase con el voltaje. Al
comenzar el semiperíodo negativo, el diodo
a)Circuito(1) se bloquea(polarización inversa), y la
corriente desaparece.
vs
Vm En la carga aparece únicamente el
π 3π semiperíodo positivo de la fuente.
π/ 2π wt
2
vd 1 𝜋 𝑉𝑚
˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡 = (3.01)
Vm 2𝜋 0 𝜋
π 3
π/ 2 π
wt
2 π
La corriente en la fuente circula únicamente
id en el semiperíodo positivo, lo que genera
Vm/R
una alta distorsión sobre la fuente , que se
π 3 manifiesta en un alto THD.
π/2 2 πwt
π
El factor de rizado(FR) es alto:
vD π 3π

1
π/ wt 𝐹𝑅 = 𝜋2 − 4 (3.02)
-Vm 2
2
b)Formas de onda(1) El VRRM del diodo debe ser mayor que Vm y
el IFRM debe ser mayor a Vm/R.
Fig. 3.01. Rectificador Este rectificador es ampliamente utilizado en
monofásico con carga las fuentes de poder de equipos portátiles,
resistiva debido a su bajo costo

184
3.2 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA-INDUCTIVA
2

D
id L

+
El diodo para conducir “mira“ si la fuente lo
polariza en directo. Si conduce, no le interesa
+ vs la fuente, hasta que desaparezca la corriente.
_ vd R
Al iniciar el semiperíodo positivo conduce D, e
- id crece con retardo respecto al voltaje.En
wt=π,id>0,D conduce y aparece en vd una
a)Circuito(2) excursión negativa del voltaje(fig. 3.02b).La
corriente se obtiene de la solución de la
v
d siguiente ecuación diferencial
Vm
𝑑𝑖𝑑
𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 = 𝑅𝑖𝑑 + 𝐿 (3.03)
𝑑𝑡
id wt1
π 2π 3 wt La solución particular(régimen permanente) es:
π
𝑉𝑚
𝑖𝑑 = sin 𝑤𝑡 − 𝜑 (3.04)
b)Forma de onda de vd e 𝑍
id (2)
La solución de régimen transitorio es:
V
−𝑅𝑡Τ𝐿
id 𝑉𝑚 sin 𝜑 𝑒
Solución 𝑖𝑑 = (3.05)
Vm particular 𝑍
Vm senwt

Solución La corriente se extingue en wt1 .Este valor


homogénea
0 wt depende de L y R. El voltaje promedio depende
φ π wt1
de wt1, y por lo tanto de la carga
1 𝑤𝑡1
c)Soluciones para id (2)
˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡𝑑(𝑤𝑡)
2𝜋 0

Fig. 3.02. Rectificador ˂𝑣𝑑 ˃ = 𝑓 𝐿, 𝑅 (3.06)


monofásico con carga
resistiva-inductiva La dependencia del voltaje con la carga es una
situación indeseable.

185
3.3 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CARGA
RESISTIVA -INDUCTIVA Y DIODO EN ANTIPARALELO 2

D1 id L
Para hacer <vd> independiente de la carga,
se ubica en antiparalelo con la carga un
is + diodoD2,(diodo de rueda libre)que impida la
Vm sen (wt)
D2
excursión de vd en la parte negativa.
+
- vd R Con diodos ideales, D1 y D2 trabajan
alternadamente. Sí los diodos fuesen reales,
- el fenómeno de recuperación inversa
permite la conducción simultánea, y se
requiere proteger a los diodos, contra
cortocircuito.
a)Circuito(2) Al iniciar el semiperíodo positivo conduce
D1(D2 se polariza en inverso),y la fuente
alimenta la carga(id crece).
v

Vm vd id 𝑑𝑖𝑑
𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 = 𝑅𝑖𝑑 + 𝐿 (0 < 𝑤𝑡 < 𝜋)
𝑑𝑡
𝑉𝑚 sin(𝑤𝑡 − 𝜑)
wt 𝑖𝑑 = + 𝐴𝑒 −𝑅𝑡Τ𝐿 (3.07)
π 2
𝑍
π
En wt =π,la fuente polariza en directo a D2,
D1on D1off
este bloquea a D1,y la carga(R) se alimenta
D2 off D2 on de la energía magnética del inductor(id
decrece)
b)Formas de onda(2) 𝑑𝑖𝑑
𝑅𝑖𝑑 + 𝐿 = 0; (𝜋 < 𝑤𝑡 < 2𝜋)
𝑑𝑡
Fig. 3.03 Rectificador
𝑡−𝜋𝑤 Τ𝜏
media onda con carga 𝑖𝑑 = 𝑖𝑑 𝑤𝑡 = 𝜋 − 𝑒 − (3.08)
resistiva-inductiva y
diodo de rueda libre El voltaje promedio de vd ( Vm /π) no
depende de la carga

186
3.4 RECTIFICADOR MEDIA ONDA CARGA RESISTIVA –INDUCTIVA
DIODO EN ANTIPARALELO E INDUCTANCIA EN LA FUENTE 2

Lc D1 id Ld
Se considera un inductor en el lado de la
iS
+ fuente(Lc).Si Ld/R ≥ 20(π/w),la carga
+_
Vm sen (wt) vd D2 R demanda una corriente constante(Id).
Al terminar el semiperiodo negativo(0-),
- iD2 D2 conduce Id. Al iniciar el semiperíodo
positivo(0+) se polariza en directo D1,pero
a)Circuito(2)
la corriente crece gradualmente a partir
Lc iD1
de 0 debido a Lc. Se inicia el proceso de
conmutación de la corriente del diodo D2
Vm sen (wt) al D1.El circuito equivalente para el
+_ iD2
Id proceso de conmutación(fig.
3.04b)permite deducir:
𝐼𝑑 𝜇
b)Circuito equivalente(2) ‫׬‬0 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
vd
න 𝑑𝑖𝐷1 =
0 𝑤𝐿𝑐
Vm
𝑋𝑐 𝐼𝑑
𝜇 = 𝑐𝑜𝑠 −1 1 − (3.09)
𝑉𝑚
wt
µ π 2π +µ

is El voltaje en la carga es 0 durante el


Id proceso de conmutación, ya que
conducen ambos diodos. Al terminar el
proceso de conmutación en wt =µ, toda la
wt corriente de la carga la conduce D1, y D2
µ π π+µ 2π 2π+µ se bloquea
c)Formas de onda de vd ,iD1(2) 𝜋
‫ 𝑚𝑉 𝜇׬‬sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
Fig.3.04 Rectificador media ˂𝑣𝑑 ˃ =
onda con diodo de rueda libre
2𝜋
e inductancia en la fuente 𝑉𝑚 𝑋𝑐 𝐼𝑑
˂𝑣𝑑 ˃ = 1− (3.10)
𝜋 2𝑉𝑚

187
3.5 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA-
CAPACITIVA 2
is
El diodo conduce si Vmsen(wt)>vd, esto
ocurre entre wt1<wt<π/2.La corriente de la
D fuente( ie ) crece para cargar el capacitor y
Vm sen (wt) + alimentar la carga(R) y se interrumpe en
+ R vd
C wt=π/2, cuando Vmsen(wt)<vd. Para π/2
_ _
<wt<2π+wt1, el capacitor alimenta la carga.
El valor de wt1 se obtiene de:

𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡1 + 2𝜋 = 𝑣𝑐 (𝑤𝑡1 + 2𝜋)


a)Circuito(2)
−(𝑤𝑡1 +2𝜋−𝜋 Τ2)
vd
𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡1 = 𝑉𝑚 𝑒 𝑤𝑅𝐶

Vm − 𝑤𝑡1 + 3𝜋 Τ2
−1
𝑤𝑡1 = 𝑠𝑖𝑛 𝑒 𝑤𝑅𝐶 (3.11)
is is
Un análisis matemáticamente aproximado,
pero de más significado físico,supone que el
wt
wt1 π 2π capacitor se carga instantáneamente con una
corriente impulsiva ((𝜋/2 − 𝑤𝑡1 ) → 0)
2π +wt1
.El capacitor alimenta la carga durante todo
Don Doff
el período, y por tanto:
∆𝑄 ∆𝑄 𝐶∆𝑣 ˂𝑣𝑑 ˃
˂𝐼𝑅 ˃ = 𝐼𝐷𝐶 = = = =
b)Forma de onda de vd e ∆𝑡 𝑇 𝑇 𝑅
is
˂𝑣𝑑 ˃ 𝑉𝐷𝐶
𝐶= = (3.12)
𝑅𝑓∆𝑣 𝑅𝑓𝑉𝑟𝑝𝑝
Fig.3.05 Rectificador
Dado que existe un límite para C, también lo
monofásico con carga hay para el producto RVrpp(voltaje de rizo
resistiva-capacitiva pico-pico *Resistencia).

188
3.6 RECTIFICADOR ONDA COMPLETA TIPO SEMIPUENTE 1

El rectificador de onda completa tipo


is D1
semi-puente, consiste de un
n2 transformador con derivación
vs - vd +
+
n1 intermedia ,y 2 diodos (fig. 3.06 a).
- vs id El primario tiene n1 espiras y el
n2
D2 secundario 2n2 espiras(a=n1/n2)
vs1=a*Vm sen(wt)
El voltaje en la carga (vd) consiste
vs=Vm sen (wt) del semiperíodo positivo, más el
semi período negativo invertido de la
a)Circuito(1) fuente(fig. 3.06b).Los circuitos
vd trabajan alternadamente
𝜋
Vm ‫ 𝑚𝑉 ׬‬sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
(vd) ˂𝑣𝑑 ˃ = 0 =
wt 𝜋
π 2π 3 2𝑉𝑚
π = (3.13)
b)Forma de onda de vd(1) 𝜋
id
Vm/R La forma de onda de la corriente es
igual a la del voltaje(fig.3.06b)
El factor de potencia de la fuente es:
D1conduce D2 conduce 𝑃𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑃𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
wt
π/2 π 2π 𝐹𝑝 = =𝑆
𝑆𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒

is
Vm/aR ˂𝑣𝑑 ˃˂𝑖𝑑 ˃
𝑣 × 𝑖𝑠𝑚𝑎𝑥
𝐹𝑝 = 𝑠1𝑚𝑎𝑥
wt 2
π/2 π 2
π 4𝑉𝑚2
2
𝐹𝑝 = 𝜋 𝑅
c)Forma de onda de id e is(1) 𝑎𝑉𝑚 𝑉𝑚
×
2 𝑎𝑅
Fig. 3.06 Rectificador de onda 8
completa
𝐹𝑝 = (3.14)
𝜋2

189
3.7 RECTIFICADOR MONOFÁSICO ONDA COMPLETA
TIPO PUENTE - CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA

El rectificador de onda completa(fig.


vs=Vm sen(wt) 3.07a) está conformado por una fuente
sinusoidal , 2 rectificadores de media
is D1 D3 onda: uno para el semiperiodo
Id
+ positivo(D1-D4) y otro para el
- vs semiperiodo negativo(D2-D3). Se
+ vd -
D2 D4 considera una carga altamente
inductiva
El voltaje en la carga (vd) es el
semiperiodo positivo y el semiperiodo
a)Circuito negativo invertido de la fuente(fig.
3.07b).El potencial del negativo de la
vd
carga no es cero
Vm 𝜋
‫ 𝑚𝑉 ׬‬sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
(vd) ˂𝑣𝑑 ˃ = 0 =
𝜋
wt
π 2π 3 2𝑉𝑚
π = (3.15)
𝜋
b)Forma de onda de vd Si en la carga, L/R≥10π/w, se infiere,
is
id=Id(constante) y la corriente de la
Id
fuente (is) es alterna rectangular(fig.
2 3 4
3.07c)
π wt
0 π π π El factor de potencia de la fuente es:
𝑃𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎 ˂𝑣𝑑 ˃𝐼𝑑
-Id 𝐹𝑝 = = 𝑉 ×𝐼
𝑆𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑚 𝑠𝑒
2
c)Forma de onda de is
2𝑉𝑚 𝐼𝑑 2 2
𝐹𝑝 = = (3.16)
Fig. 3.07 Rectificador de onda (𝑉𝑚 × 𝐼𝑑 ) 𝜋
𝜋
completa 2

190
3.8 RECTIFICADOR MONOFÁSICO TIPO PUENTE CON INDUCTANCIA
EN LA FUENTE 2
Lc
Se asume en la carga
is D1 D3 L/R≥10T(período de vd), para que la
Id corriente sea constante(Id).
+ L R
- vs
+ Vd -
Para wt=0(-) conducen D2 y D3 y la
D2 D4
corriente en la fuente es is= -Id.

vs=Vm sen(wt) Para wt=0(+) se polarizan en directo D1


y D4, y comienzan a conducir
a)Circuito(2) gradualmente debido a Lc. Se inicia el
v proceso de conmutación, que termina
en wt=µ,durante el cual conducen los 4
Vm diodos.
𝐼𝑑 𝜇
‫׬‬0 𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
න 𝑑𝑖𝑠 =
wt −𝐼𝑑 𝑤𝐿𝑐
µ π π+µ 2π
2𝑋𝑐 𝐼𝑑
𝜇 = 𝑐𝑜𝑠 −1 1 − (3.17)
b)Forma de onda de vd 𝑉𝑚
V
is sin Lc El voltaje en la carga es:
Vm 𝜋
vs ‫ 𝑚𝑉 𝜇׬‬sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
Id is ˂𝑣𝑑 ˃ =
wt
𝜋
π+µ
µ π 3π 2𝑉𝑚 𝑋𝑐 𝐼𝑑
-Id ˂𝑣𝑑 ˃ = 1− (3.18)
𝜋 𝑉𝑚

c)Forma de onda de is El voltaje resulta regulado por la carga,


debido a la inductancia de la fuente .La
Fig. 3.08 Rectificador de onda corriente en la fuente es más
completa trapezoidal que rectangular

191
3.9 RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE TRES PULSOS 2

Va + D1 Se considera un sistema trifásico de


secuencia a-b-c.
La fuente(va) se define por
Vb +
D2 Van=Vmsen(wt) y las otras están
desfasadas (atrasadas) en el
tiempo120°
Vc + Se conectan a cada una de las tres
D3
fuentes, un diodo con su ánodo
+ conectado al positivo de cada
Vd fuente(rectificador positivo) .
-
El diodo que conduce, será aquel cuyo
vAK sea el mayor de todos .
a)Circuito El diodo D1 conduce para:
vd
30°<wt<150°
El diodo D2 conduce para:
150°<wt<270°
Vm El diodo D3 conduce para:
va vb vc 270°<wt<390°
La forma de onda de salida (vd),está
conformada por las crestas positivas de
los voltajes de las fuentes , a medida
que conducen D1,D2 y D3(fig. 3.09b).Se
wt generan tres pulsos en un período de la
π 2π fuente.
El valor promedio del voltaje de salida
es:
b)Forma de onda del voltaje 5𝜋
de salida 1 6
˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉𝑎𝑛 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
2𝜋 𝜋
3 6
Fig. 3.09 Rectificador 3 3𝑉𝑚
trifásico de tres pulsos ˂𝑣𝑑 ˃ = (3.19)
2𝜋

192
3.10 RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE SEIS PULSOS 2

D1 D4
+ vd - Se conectan en serie con una carga
D2 D5
altamente inductiva, modelada por
D3 id D6 una fuente de corriente en modo
+ + pasivo (Id), un rectificador trifásico
- + + + + -
Va - + + - Va de tres pulsos positivo(ánodos de los
Vb - vd1 vd2 -
Vc - -
Vb diodos conectados al positivo de la
Vc
fuente)(vd1) y uno negativo(cátodos
vd1 a)Circuito de los diodos conectados al positivo
Vm Van Vbn Vcn de las fuentes)(vd2)(fig. 3.10a)
D2 D3 Se define van=Vmsen(wt)
D1
El voltaje a los terminales de la carga
es:
wt 𝑣𝑑 = 𝑣𝑑1 − 𝑣𝑑2
π 2π
vd2 vd1 atrasa a (–vd2) en 60°,y vd
wt resulta ser una onda de período igual
π 2π
a 60°(6 pulsos en un período de la
fuente).
La tabla de conducción del
D5 D6 D4 rectificador se muestra en la fig.
-
Vm -Vbn -Vcn -Van 3.10c).
Para π/2<wt<5π/6,conducen los
b)Formas de onda de vd1 y vd2 diodos D1 y D6 y se le aplica a la
vd=vd1-vd2 carga el voltaje vac.
1.65 Vm
El voltaje promedio en la carga es:
D3 D1 D1 D2 D2 D3 D3 5𝜋
D5 D5 D6 D6 D4 D4 D5 1 6
π wt ˂𝑣𝑑 ˃ = 𝜋 න 𝑣𝑎𝑐 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
𝜋
π π 5π 2π
6 2 6
3 2
c)Tabla de conducción y forma 𝑣𝑎𝑐 = 3𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡 − 30°
de onda de vd
Fig. 3.10 Rectificador de seis 3 3𝑉𝑚
pulsos ˂𝑣𝑑 ˃ = (3.20)
𝜋

193
3.10.1 FORMAS DE ONDA DE LA CORRIENTE EN LA FUENTE
DEL RECTIFICADOR DE SEIS PULSOS 2

+
El circuito de 2 rectificadores de tres
ia D3
pulsos en serie(fig. 3.10), se puede
D1 D2
A representar como un circuito tipo
Y a
B vd puente(fig. .3.11a).
b
C Y
c
La fuente del rectificador puede ser un
D4 D5 D6 - transformador estrella-estrella (fig.
3.11a) o delta-estrella(fig. 3.11b).Si se
conecta en estrella(fig. 3.11a), el polo
Vm Van negativo de la carga no se puede
Id ia conectar a tierra ,ya que su potencial
D1 π wt eléctrico es diferente del potencial del
π 5 2 neutro de la fuente, el cual suele
D4
-Id 6 π π conectarse a tierra. La corriente en la
-Vm 6 fuente es la demandada por el
rectificador .La forma de onda de ia se
a)Corriente de la fuente, con muestra en la fig. 3.11a).La forma de
fuente en estrella-estrella onda de la corriente de la fuente (iA )
es idéntica a ia
+ Si la fuente se conecta en delta-
A a D1 D2 D3 estrella, la corriente de la fuente(iA) es
B b vd escalonada, ya que es la diferencia de
c 2 formas de onda(fig. 3.11a) desfasadas
C Y
120° .Esta corriente presenta un THD
menor que en la fuente estrella-
D4 D5 D6 -
estrella.
Por la razón anterior , la conexión
b)Fuente en delta-estrella adecuada para reducir la distorsión en
la fuente, es utilizar la conexión
delta(primario) - estrella en el
Fig.3 .11 Corrientes en un secundario.
rectificador de 6 pulsos

194
3.11 RECTIFICADOR DE 12 PULSOS 2

+
Un rectificador de 12 pulsos se
+ puede obtener, conectando en serie
a D1 D2 D3
2 rectificadores de 6 pulsos, si sus
Y b
vd1 voltajes de salida están desfasados
c
Y 30°(fig.3.12a).
A Se conecta el rectificador superior
D4 D5 D6 -
B a la fuente, a través de un
vd
transformador estrella-estrella, y
C
se obtiene en la salida vd1 .El
+
rectificador inferior se conecta con
a' D 7 D 8 D9
un transformador delta-estrella ,y
b'
vd2 su salida (vd2) está adelantada 30°
Y c'
en relación a vd1, debido a que la
- conexión delta-estrella produce
D10 D11 D12 -
voltajes en el
a)Circuito serie(2) secundario(a′,b′,c′)
vd2
adelantados 30°, con respecto a
1.65 Vm
los de la conexión estrella-
wt estrella(a,b,c) .
π 2 π 2 La𝑣conexión
=𝑣 + serie
𝑣 produce (3.21)
𝑑 𝑑1 𝑑2
vd1 3 π π
1.65 Vm3
El período de vd es 30°(12 pulsos
en un período de la fuente).En el
wt
intervalo π/6<wt<π/3,conducen
π π π 2
6 2 π los diodos D1,D5,D7 y D11.
vd
𝑣𝑑 = 𝑣𝑎𝑏 + 𝑣𝑎′ 𝑏′
3.30 Vm 𝑣𝑎𝑏 = 3𝑉𝑚 sen(𝑤𝑡 + 30°)
𝑣𝑎′ 𝑏′ = 3𝑉𝑚 sen(𝑤𝑡 + 60°)
wt 𝑣𝑑 = 3.346𝑉𝑚 sen(𝑤𝑡 + 45°)
π 2 𝜋
π 1 3
b)Formas de onda de vd (2) ˂𝑣𝑑 ˃ = 𝜋 න 3.346𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡 + 45° 𝑑𝑤𝑡
𝜋
Fig. 3.12 Rectificador de 12 6 6
pulsos ˂𝑣𝑑 ˃ = 3.310𝑉𝑚 (3.22)

195
3.12 FILTROS CA Y C D PARA RECTIFICADORES
MONOFÁSICOS CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA

Lf
Las condiciones ideales de operación de un
is Li ir convertidor CA/CD son : a)Factor de
+ Rc rizado en la carga :0;b) THD de la corriente
vs
Ci Cf en la fuente:0.
+ vd
-
El voltaje de salida del rectificador
Lc
monofásico vd, (fig. 3.13b) muestra un alto
Filtro -
factor de rizado y por ello debe insertarse
CA
entre la salida del rectificador y la carga un
Filtro wLc>>Rc
filtro CD(fig. 3.13a) .La función del filtro CD
CD es reducir el factor de rizado del voltaje
a)Circuito en la carga.
vd

Vm Sí la carga es altamente inductiva, la


corriente demandada por el rectificador a la
(vd)
fuente (ir), es alterna rectangular(fig.3.13c)
wt y lo ideal es que la corriente de la fuente
π 2π 3π tenga un THD=0(sinusoidal).
b)Forma de onda de vd
El valor fundamental de la corriente ir (4Id
ir sen(wt)/π) lo genera la fuente, y los
Id
armónicos son generados por el conjunto
carga –filtro- rectificador
π 2 3 4
0 wt
π π π El filtro CA tiene como función minimizar el
THD de la corriente de la fuente, mediante
-Id
circuitos que desvíen de la fuente a las
c)Forma de onda de ir armónicas de corriente de orden 3, y
limiten la de orden 5.Se inserta el filtro CA
entre la fuente y el rectificador
Fig. 3.13 Filtros CA/CD

196
3.12.1 FILTRO CD CAPACITIVO PARA RECTIFICADOR
MONOFÁSICO 3

En el semi-perÍodo positivo de la fuente,


D1 D4
+ cuando vs>vd(voltaje del capacitor) conducen
los díodos D1 y D2 y el capacitor se carga
vs
+ C vd hasta Vmax en el tiempo t1 .Un ciclo análogo de
_
R
carga a través de los diodos D3 y D4, ocurre
para el semi-perÍodo negativo de la fuente.Sí
D3 D2 - vs<vd,se polarizan en inverso D1,D2 en el semi-
perÍodo positivo o D3,D4 en el semi-perÍodo
vs=Vmsen(wt) negativo, y el capacitor se descarga desde Vmax
hasta Vmin, a través de R, en el tiempo t2. Sea
a)Circuito Vrpp el voltaje de rizo pico-pico
vd
−𝑡2
Vmax
<vd>=VDC=(Vmax-Vrpp)/2 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝑚 1 − 𝑒 𝑅𝐶
Vmin −𝑡2 𝑡2 𝑡2 𝑉𝑚 𝑇
𝑒 𝑅𝐶 ≈ 1 − ; 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑉𝑚 =
𝑅𝐶 𝑅𝐶 2𝑅𝐶
𝑡1 + 𝑡2 = 𝑇(𝑝𝑒𝑟𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒)/2 ≈ 𝑡2
1
wt 𝑉𝐶𝐷 =< 𝑣𝑑 >= 𝑉𝑚 1 − (3.23)
4𝑓𝑅𝐶 de rizo
La aproximación lineal del voltaje
VR t1 t2
VR(fig. 3.14b)tiene un valor eficaz de:
𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑉𝑚
wt 𝑉𝑐𝑎 = = (3.24)
Vrpp
El factor de rizado
2 3 (FR)en la carga es:
4 3𝑓𝑅𝐶

𝑉𝑚
b)Forma de onda de vd 𝑉𝑐𝑎 4 3𝑓𝑅𝐶 1
𝐹𝑅 = = =
y del 𝑉𝐶𝐷 𝑉𝑚 (4𝑓𝑅𝐶 − 1) 3 4𝑓𝑅𝐶 − 1
voltaje de rizo 4𝑓𝑅𝐶
(3.25)
Fig. 3.14 Filtro DC C se selecciona de la ec. 3.23, y
capacitivo automáticamente queda determinado el FR, ya
que las ec.3.23 y 3.25 son dependientes

197
3.12.2 FILTRO CD INDUCTIVO - CAPACITIVO PARA
RECTIFICADOR MONOFÁSICO 3
El circuito y la fuente (vs) del circuito filtro-
L carga, se muestran en la fig. 3.15 a) y b).
El voltaje de salida del rectificador(vs) se
+ + puede representar por una serie de Fourier
RL
como:
𝑣𝑠 = 𝑉𝐶𝐷 + ෍ 𝑉𝑛 cos(𝑛𝑤𝑡)
vs ZL
C VO

LL 2𝑉𝑚 4𝑉𝑚 Τ𝜋
𝑣𝑠 = + ෍ cos 𝑛𝑤𝑡 (3.26)
- 𝜋 (𝑛 − 1)(𝑛 + 1)
- 𝑛=2,4
El circuito equivalente para los armónicos se
a)Circuito muestra en la fig. 3.15c).Para que el capacitor
desvíe con éxito , las armónicas de corriente
vs
se debe cumplir:

10
𝑍𝐿 = 𝑅𝐿2 + (𝑛𝑤𝐿𝐿 )2 ≥ (3.27)
wt 𝑛𝑤𝐶
por ser Vn(2wt)=5Vn(4wt),se ignora la armónica
b)Forma de onda de vs de orden 4 del voltaje. Del circuito equivalente
para armónicos, el voltaje en la carga debido al
XL=nw ZL=10XC
L armónico 2 es :

RL 1
𝑉𝑜𝑛 2𝑤 ≈ 𝑉𝑛 2𝑤
Vn(nw) 1 − 4𝑤 2 𝐿𝐶
+ 4𝑉𝑚 1
- VOn(nw)
=
3𝜋 1 − 4𝑤 2 𝐿𝐶
Xc=1/nwC nwLL
El FR en la carga es:

c)Circuito equivalente 4𝑉𝑚


para los armónicos 𝑉𝑐𝑎 3 2𝜋 1 − 4𝑤 2 𝐿𝐶
𝐹𝑅 = =
𝑉𝐶𝐷 2𝑉𝑚
𝜋
2
Fig. 3.15 Filtro inductivo (3.28)
=
3 1 − 4𝑤 2 𝐿𝐶
capacitivo

198
3.12.3 FILTRO CA PARA RECTIFICADOR MONOFÁSICO 3

L5 ir El circuito rectificador-filtro-carga demandan


de la fuente, una corriente alterna rectangular
is
L3
ir (fig. 3.16 b) la cual se puede expresar por una
Vmsen(wt) serie de Fourier como: ∞
+ C5
4𝐼𝑑 4𝐼𝑑
𝑖𝑟 = sen 𝑤𝑡 + ෍ sen(𝑛𝑤𝑡)
_ 𝜋 𝑛𝜋
𝑛=3,5,7
C3 ∞

𝑖𝑟 = 2𝐼1 sen 𝑤𝑡 + ෍ 2 𝐼𝑛 sen 𝑛𝑤𝑡 (3.29)


𝑛=3,5,7

a)Filtro para La carga y el rectificador generan las


armónicas 3 y 5(2) armónicas de corriente ,y esto se modela en el
circuito equivalente de la fig. 3.16c),por la
ir
fuente de corriente(in(nw))
Id Dado que las armónicas de orden 3 y 5 son
comparables en magnitud ,un solo filtro no
π 2π 3π 4π
wt reduce efectivamente el THD en la fuente. Lo
0
deseable sería tener un circuito serie LC
-Id
resonante a n=3, para desviar la armónica 3 de
corriente , en paralelo con el rectificador y un
b)Forma de onda de Ir filtro L5C5(fig. 3.16c) para minimizar una parte
nwLn
importante de la armónica 5 por el
capacitor(divisor de corriente).
Del circuito equivalente se puede deducir:
Is(nw) in(nw) 𝐼𝑛 (5𝑤)
1/nwCn 𝐼𝑠 5𝑤 = (3.30)
1 − 52 𝑤 2 𝐿5 𝐶5
c)Circuito equivalente σ𝑛≠1 𝐼𝑠2 (𝑛𝑤)
para los armónicos de 𝑇𝐻𝐷 = 2 (3.31)
𝐼𝑠1
corriente de orden 5
Las ec. 3.30 y 3.31 permiten el diseño del filtro
para un THD determinado
Fig. 3.16 Filtro CA

199
BIBLIOGRAFÍA

1) Rashid M.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK


1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.septiembre 24 ,2008

2) Kassakian J.G; Schlecht M.F.; Verghese G.C. PRINCIPLES OF POWER


ELECTRONICS 1995. Editorial Addison Wesley.

3) Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND


APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall

4) JaiP. Agrawal .POWER ELECTRONIC SYSTEMS. Theory and design.2001


Editorial Prentice Hall

5) P T. Krein ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 2000

6) Mohan N ;Undeland T.M. ;Robbins .W.P. POWER ELECTRONICS 2003


Editorial John Wiley & sons Inc

7) R.G. Hoft(editor) SCR APPLICATONS HANDBOOK 1974 International


Rectifier

8) INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC


pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13, 2008

200
ACTIVIDADES

TEORÍA
1)Deducir la ec. 3.02. .
2)¿Por qué en el circuito rectificador de media onda y carga R-L , el diodo
continúa conduciendo después de wt=2π?¿Es posible en este circuito
obtener wt1=2π?Justificar la respuesta
3)Para el circuito rectificador de media onda con diodo de rueda libre, se
pide graficar id para L/R=20π/w
4)Se alimenta una carga de 1KΩ,20w,de una fuente alterna de 120V, 60hz y
un diodo en serie con la carga. La variación máxima del voltaje en la carga
debe ser de ±5V.Se pide determinar el valor del capacitor a conectar en
paralelo con la carga.
5)¿Cuáles son los efectos de la inductancia de la fuente, en la operación de
un rectificador de media onda y diodo de rueda libre en : a)Voltaje en la
carga. b)THD de la corriente de la fuente. Justificar las respuestas.
6)¿Qué se entiende por proceso de conmutación en un rectificador?
7)¿Por qué no se utiliza el filtro capacitivo con cargas de baja resistencia?
8)Deducir el factor de potencia de un arrollamiento secundario del
rectificador tipo semi-puente. ¿Cuánto vale la relación de transformación en
este rectificador (fig.3.06 a)?¿Por qué?
9)Hacer un análisis comparativo entre el rectificador tipo puente y el semi-
puente. Considerar los siguientes aspectos: Costos; Características de los
diodos; Situaciones de aplicación.
10)Deducir la ecuación 3.18.Analizar el efecto de la inductancia de la fuente
en la operación del rectificador.
11)¿Por qué no tiene utilidad práctica el rectificador de tres pulsos?
12)Deducir la ecuación 3.20 para 7π/6<wt<9π/6.
13)Deducir la forma de onda de la corriente de la fuente(iA). para la conexión
delta-estrella(fig.3.11b).
14)¿Cuál es la topología de rectificación trifásica más utilizada?¿Por qué?
15)Deducir la ecuación 3.22 para π/3<wt<π/2.
16)Deducir para el rectificador de 12 pulsos la forma de onda de la corriente
de la fuente(iA).

201
ACTIVIDADES

TEORIA
17)¿ En un convertidor CA/CD, ¿cuál es la función del filtro CD?¿Del filtro
CA?¿Cómo realiza cada filtro su función?
18)Analizar e interpretar la ecuación 3.25.Hacer un análisis comparativo entre
la ecuación 3.25 y la 3.12.
19)¿Cuándo se utiliza un filtro CD tipo LC en lugar de uno C?
20)Deducir las ecuaciones 3.28 y 3.31

202
PROBLEMAS

iL
1 mH
1)El circuito adjunto sirve para
limitar un rápido crecimiento
t=0 +
+ temporal de VT(snubber de voltaje).
1 𝜇F VC
Se pide deducir y graficar iL,vc, y vT
-
+- VCD VT

100Ω
-
2)La figura adjunta muestra el
Problema 1 circuito esquemático de un
Lc D1 L Id rectificador de onda completa tipo
+ semi-puente. Cada una de las
fuentes representa uno de los
+ Vm sen(wt) vd R
- devanados del secundario del
- transformador:
a)Asuma que Lc=0 y dibuje vd
+- Vm sen(wt) b)Para 0<wt<2π,se pide deducir y
dibujar iD1 y iD2.
c)Deducir la expresión de vd, para
Lc D2 Lc≠0
Problema 2(2)

+ D1 D3 3)El circuito adjunto se utiliza para


N
construir una fuente dual de voltaje,
vs N1 + +
N D2 D4 por ejemplo ±15V
- Se pide dibujar a vd1 y vd2, indicando
vd(2) vd(2) las magnitudes, si Vm=170V, y N/N1
vs=Vm sen(wt) =0.1
- -

Problema 3(2)

203
PROBLEMAS 4)El circuito adjunto se conoce como un
doblador de voltaje, y se utiliza usualmente
Id para proveer operación con doble voltaje.
+ Se pide :
Dibujar el circuito equivalente y dibujar vcd
D1 D2 si el interruptor S está: 1)abierto.2)Cerrado
Vm sen(wt) C
5)Diseñar un rectificador para una carga de
R=24 w; V= 12V±3%; La fuente es de 120
+
- Vcd V, 60 hz. El diseño debe incluir:
S
a)Características del transformador;
C b)Parámetros de los diodos; c)Parámetros
D3 D4 del filtro
− 6)Para alimentar un motor DC de
50HP,200V, se requiere diseñar un
Problema 4(2) rectificador .El diseño debe incluir la
selección de la fuente de CA, el modelo del
motor , las características nominales de los
+
diodos ; la característica nominal del
transformador y características del filtro
a D1 D2 D3 7)Se dispone de un sistema trifásico de
A 440V,60hz,Se requiere alimentar una carga
B
∆ b
Y c
vd de voltaje constante, de 20Kw, 240 Vcd. Se
C propone para resolver el problema un
rectificador trifásico de 6 pulsos, con un
D4 D5 D6 transformador delta-estrella. Se pide

determinar :
a)Las características nominales de los
diodos. b)Características nominales del
transformador delta-estrella. c)Factor de
Problema 7 potencia en la fuente. d)THD de la
corriente de la fuente. e)Factor de rizo en
la carga

204
PROBLEMAS

8) Una manera alterna para obtener el rectificador de 12 pulsos, se


muestra en el circuito adjunto, donde se conectan en paralelo l2
rectificadores de 6 pulsosAsuma Id=100A.Se pide :
a)Dibujar vd y calcular <vd>
b)Determinar el valor eficaz de la corriente para los diodos.
c)Determinar la forma de onda de la corriente de la fuente.
d)Hacer un análisis comparativo, con el rectificador serie de 12 pulsos.

𝑣𝐴𝑁 = 622.25𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡 − 30° Id


𝑣𝑎𝑛 = 169.7𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡 − 30°)
Secuencia a-b-c +

a a'
A A
Y b ∆ b' vd
B B
C Y c C c'

Problema 8(2)

205
UNIDAD IV

CONVERTIDORES
CA-CD CONTROLADOS

206
CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS
4.0 INTRODUCCIÓN

La mayoría de actividades
industriales que utilizan corriente
continua, tales como los procesos
electroquímicos (galvanizado,
cromado, niquela do, carga de
baterías ,etc) y los
accionamientos de motores, para
transporte de personas y carga,
requieren de fuentes variables
debido a las condiciones
cambiantes de la carga.
a)Cargador de baterías La solución más práctica para
esta situación, es utilizar un
convertidor CA/CD controlado y
adicionarle un filtro en caso de ser
necesario.
El convertidor CA/CD controlado,
supone la utilización de un
dispositivo controlado a la
conducción y al apagado .El SCR
es un dispositivo controlado a la
conducción, y el apagado ocurre
de una manera natural ,ya que la
fuente alterna hace reducir la
corriente por debajo de la
b)Control de velocidad de motores corriente de mantenimiento en
DC cada semiperíodo. Por lo anterior,
se estudiarán los convertidores
CA/CD, accionados por SCRs, en
sus modalidades monofásica y
Fig 4.00 Aplicaciones de
trifásica
convertidores CA/CD controlados

207
CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS

4.1 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA 1

iG
Se inicia el semiperiodo positivo y se polariza
en directo el SCR, pero no conduce hasta α
(ángulo de encendido), cuando se le aplica el
+ pulso de corriente en la compuerta. El SCR
+ vs vd
- R conduce hasta wt=π, cuando desaparece la
- corriente, por ser la carga resistiva.

El voltaje promedio en la carga es:


a)Circuito(1)
vs 1 𝜋
˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉 sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
Vm
2𝜋 𝛼 𝑚
wt
0
α  2 2+α
𝑉𝑚
˂𝑣𝑑 ˃ = 1 + cos 𝛼 (4.01)
-Vm 2𝜋
ig

El voltaje en la carga se puede controlar,


wt variando el ángulo de encendido o disparo.
α  2 2+
vd α El ángulo de encendido se mide con referencia
Vm
al ángulo de conducción, cuando se sustituye
wt el SCR por un diodo, o sea cuando el voltaje de
α  2 2+α la fuente pasa por cero(α=0)
b)Formas de onda(1)
El rectificador monofásico controlado
presenta, al igual que el no controlado, altos
Fig 4.01 Rectificador
niveles de distorsión en la fuente y valores
controlado media onda
altos del factor de rizado en la carga.
con carga resistiva

208
4.2 RECTIFICADOR CONTROLADO TIPO SEMI-PUENTE 6

vs1=a*Vm sen(wt) Se considera el rectificador controlado


is Q1 ig1 tipo semi-puente (fig. 4.02 a), con una
N
. . carga resistiva. Las formas de onda de
vS1 vs vd
los pulsos de las corrientes de
+
. - + id compuerta de Q1 y Q2 se muestran
- R en la fig. 4.02 b).
vs ig2

vs=Vm sen(wt) Q2
En wt =α, Q1 se polariza en directo,
y al aplicarle el pulso de corriente en
a)Circuito(5) la compuerta, conduce y se aplica a la
vs carga el voltaje vs, hasta que deja de
vm conducir Q1,porque su corriente decae
 2 3 wt
a 0 en wt=π.
-vm

ig1
En wt=π+α se encuentra polarizado
en directo Q2, y al aplicarle el pulso de
wt corriente en la compuerta conduce, y
α +α 2+α 3+α le aplica a la carga el semiperíodo
negativo de vs invertido, hasta que
ig2
deja de conducir Q2, porque su
wt corriente decae a 0 en wt= 2π.
α +α 3+α
vd El voltaje promedio en la carga es:
vm
wt 1 𝜋
α +α 2+α 3+α ˂𝑣𝑑 ˃ = ‫ 𝑚𝑉 𝛼׬‬sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡 )
𝜋
b)Formas de onda

Fig. 4.02 Rectificador semi-


𝑉𝑚
˂𝑣𝑑 ˃ = 1 + cos 𝛼 (4.02)
puente con carga resistiva 𝜋

209
4.3 RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO TIPO
PUENTE CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA 1
id

ig1 ig3 +
Se asume una carga altamente
Q1 Q3 inductiva (id=Id). En wt=0‾, conducen Q3
y Q4 y están apagados Q1 y Q2. Al
iniciarse el semiperíodo positivo (wt≥0)
+ vs vd
- la polaridad + de la fuente se traslada
a través de Q4 al negativo de la carga,
ig4 ig2
cuyo voltaje (vd) inicia una excursión
Q4 Q2 negativa (fig. 4.03b). En wt=α, se
invierte la polaridad de vd por acción de
- Q1 y Q2, los que conducen por la
a)Circuito(1) aplicación de los pulsos de corriente
(ig1,ig2). Para π<wt<(π+α) ocurre un
vs Vm
proceso análogo.
 2 3 wt El voltaje promedio
𝜋+𝛼 en la carga (vd) es:
‫𝛼׬‬ sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
-vm ˂𝑣𝑑 ˃ =
ig1,ig2
𝜋
2𝑉𝑚
wt ˂𝑣𝑑 ˃ = cos 𝛼 (4.03)
α
𝜋
(+α) (2+α) (3+α) Si 0<α<π/2, <vd> es positivo, Id>o, la
ig3,ig4 carga consume potencia y el flujo de
energía es del lado CA a CD
wt
α (+α) (3+α)
(rectificador) en un proceso de
vd
régimen permanente.
vm Sí π/2<α<π, <vd> es negativo, Id
wt sigue siendo positivo (Id debe ser
positivo para que los SCR puedan
α (+α) (2+α) (3+α)
conducir), la carga genera energía, que
b)Formas de onda proviene de su campo magnético, y el
Fig. 4.03 Rectificador flujo de energía es de CD a CA
controlado de onda completa (inversor) en un proceso transitorio.

210
4.4 RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO TIPO PUENTE
Y CARGA CON FUERZA ELECTROMOTRIZ

L
Se asume un valor alto de L ,para que
+
Q1 Q3 id la corriente en la carga (id) sea
continua.
vs Se considera una carga con una
+ R resistencia interna, por ejemplo una
vd
-
E + batería.
-
Si la corriente es continua, el voltaje
Q4 Q2 vd depende de la fuente alterna .
- Si el valor de L es inferior a un valor
crítico, la corriente es discontinua, y
durante el tiempo que dura la
a)Circuito(1) discontinuidad el valor de vd es el de
la fuente (E).
vd Si la corriente es continua ,el valor
id
Vm promedio de vd es ( ec.4.03):
2𝑉𝑚
< 𝑣𝑑 > = 𝑐𝑜𝑠𝛼
𝜋
wt
Aplicando la ley de Kirchhoff de
α +α 2+α 3+α
voltajes a los valores promedios, se
obtiene el valor promedio de la
corriente en la carga

b)Formas de onda de vd y ig < 𝑖𝑑 >= (< 𝑣𝑑 > −𝐸)/𝑅 (4.04)

Si la carga es una batería, E aumenta


Fig. 4.04.Rectificador con el tiempo de carga. Si es un
controlado de onda completa motor, E depende de la velocidad del
y carga con fuerza motor, y por tanto de la carga
electromotriz mecánica que acciona el motor.

211
4.5 FACTOR DE POTENCIA DEL RECTIFICADOR
MONOFÁSICO ONDA COMPLETA TIPO PUENTE 1

id
Se asume en la carga L/R≥10T (período
de vd), para que la corriente sea
ig1 ig3 + constante (Id).
Q1 Q3
is La corriente de la fuente es alterna
rectangular, debido a la ausencia de
+ vs vd inductancia en la fuente. La corriente
-
atrasa al voltaje por el ángulo de
ig2 disparo(α) (fig. 4.05b)
Q4 Q2
El factor de potencia de la fuente es: :
- 𝑃𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑃𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 ˂𝑣𝑑 ˃𝐼𝑑
𝐹𝑝 = = =
𝑆𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑆𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑉𝑚 × 𝐼𝑠
a)Circuito(1) 2
is 2𝑉𝑚 𝐼𝑑 cos 𝛼
𝐹𝑝 =
(𝑉 × 𝐼𝑑 )
Vm vs 𝜋 𝑚
Id 2
+α
2 2
α  2 wt 𝐹𝑝 = cos 𝛼 (4.05)
𝜋
2+
-Id Otra manera de determinar el factor de
α
potencia es:
-Vm
𝐼𝑠1
𝐹𝑝 = 𝐹𝑑 𝐹𝜃 ; 𝐹𝑑 = ; 𝐹𝜃 = cos 𝛼
𝐼𝑠
b)Formas de onda(1) 4𝐼𝑑
𝜋 2
Fig. 4.05 Factor de potencia 𝐹𝑝 = cos 𝛼 = 0.9 cos 𝛼
en un rectificador de onda 𝐼𝑑
(4.06)
completa

212
4.6 RECTIFICADOR TIPO PUENTE CON INDUCTANCIA
DE CONMUTACIÓN 1

Id

+
El proceso de conmutación es similar al
Q1 Q3 del circuito con diodos, con la
is
Lc diferencia que la conmutación inicia en
vs α y no en wt=0 .
+ vd
- Para el proceso de conmutación se
cumple: 𝛼+𝜇
𝐼𝑑 ‫𝛼׬‬ 𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
Q4 Q2 න 𝑑𝑖𝑠 =
- −𝐼𝑑 𝑤𝐿𝑐
2𝑋𝑐 𝐼𝑑
vd a)Circuito 𝜇 = 𝑐𝑜𝑠 −1 cos 𝛼 − −𝛼
𝑉𝑚
Vm (4.07)
π
La forma de onda del voltaje se
α wt muestra en la fig.4.06b. De esta figura
se obtiene el valor del voltaje promedio
como:
α+
μ 𝑉𝑚 𝜋
˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑣 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
is 𝜋 0 𝑑
𝑉𝑚
˂𝑣𝑑 ˃ = cos 𝛼 + cos(𝛼 + 𝜇)
Id
𝜋
α π wt
2𝑉𝑚 𝑋𝑐 𝐼𝑑
˂𝑣𝑑 ˃ = cos 𝛼 − (4.08)
𝜋 𝑉𝑚
-Id
α+μ Una consecuencia lógica de la
inductancia de la fuente, es la
b)Formas de onda regulación del voltaje por la carga. La
Fig 4.06 Rectificador puente forma de onda de la corriente es
con Inductancia de similar a la del convertidor no
conmutación controlado .

213
4.7 RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO TIPO
SEMI-PUENTE CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA

Id
+ Se asume una carga altamente
inductiva (Id). En wt=0‾, conducen Q2 y
is Q1 Q2
D1 , no conducen Q1 y D2, e is= -Id. Al
iniciarse el semiperíodo positivo (wt≥0)
+ vs vd
- la fuente polariza en directo a D2 y
bloquea a D1. La corriente de la carga
D1 D2 circula por D2-Q2, is=0 y vd=0
- .
En wt=α, se aplica el pulso de
a)Circuito(1) corriente (ig1) a Q1(se boquea Q2), la
corriente de la carga circula por la
vd
fuente a través de Q1 y D2.
Vm
El voltaje promedio
𝜋 en la carga (vd) es:
wt ‫ 𝑚𝑉 𝛼׬‬sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
α +α 2+α 3+α ˂𝑣𝑑 ˃ =
𝜋
𝑉𝑚
˂𝑣𝑑 ˃ = cos 𝛼 + 1 (4.09)
b)Forma de onda de vd 𝜋
is El convertidor funciona únicamente en
el modo rectificador, ya que al no
vs existir una excursión en la parte
Id
+α
negativa del voltaje, vd no puede
wt
cambiar su polaridad. La forma de onda

α 2 de vd se muestra en la fig. 4.07b)
2+α
-Id
La corriente de la fuente es nula entre
0<wt<α, cuando D2 y Q2 se
comportan como diodos de rueda libre.
c)Forma de onda de is La forma de onda de is se muestra en
la fig. 4.07c)
Fig 4.07 Rectificador
controlado tipo semi-puente

214
4.8 FACTOR DE POTENCIA DEL RECTIFICADOR
MONOFÁSICO ONDA COMPLETA TIPO SEMI-PUENTE

Se asume en la carga L/R≥10T (período


Id de vd), para que la corriente sea
+ constante (Id).
is Q1 Q2
La corriente de la fuente es alterna
rectangular, pero es nula para
+ vs vd
- 0<wt<α ,ya que conducen Q2 y D2
(fig.4.04b) y debido a la ausencia de
D1 D2 inductancia de conmutación.
-
El valor eficaz de la corriente de la
fuente (is) (fig.4.08b)es:
a)Circuito(1) (𝜋 − 𝛼)
𝐼𝑠 = 𝐼𝑑 (4.10)
𝜋
is
El factor de potencia es :
vs 𝑃𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 ˂𝑣𝑑 ˃𝐼𝑑
Vm
𝐹𝑝 = =
Id
+α
𝑆𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑉𝑚 × 𝐼𝑠
2
2 wt 𝑉𝑚 𝐼𝑑
(1 + cos 𝛼)
α 
𝐹𝑝 = 𝜋
2+α
𝑉𝑚 (𝜋 − 𝛼)
- Id × 𝐼𝑑
2 𝜋

2
b)Forma de onda de is 𝐹𝑝 = 1 + cos 𝛼 (4.11)
𝜋 𝜋−𝛼
Fig. 4.08 Factor de potencia
de un rectificador en El factor de potencia es mayor que en el
semi-puente tipo puente

215
4.9 RECTIFICADOR CONTROLADO SEMI-PUENTE
CON INDUCTANCIA DE CONMUTACIÓN Y CARGA ALTAMENTE
INDUCTIVA
Id
En wt= 0+ ,is comienza a aumentar de
+ –Id a 0. En wt=α is comienza a
is Q1 Q2 aumentar de 0 a Id (Proceso de
Lc conmutación)
Para el proceso de conmutación de 0 a
vs + vd Id, se cumple:
-

𝐼𝑑 𝛼+𝜇
D1 D2 ‫𝛼׬‬ 𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
-
න 𝑑𝑖𝑠 =
0 𝑤𝐿𝑐
a)Circuito(1) 𝑋𝑐 𝐼𝑑
is 𝜇 = 𝑐𝑜𝑠 −1 cos 𝛼 − −𝛼
Id
𝑉𝑚
(4.12)
+α Las formas de onda de vd e is para ∝>
μ+α
wt 𝜇,se muestran en la fig.4.09b).De esta
α figura se obtiene el valor del voltaje
+ promedio como:
μ μ
1 𝜋
-Id ˂𝑣𝑑 ˃ = න 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 𝑑𝑤𝑡
𝜋 𝛼+𝜇
vd
Vm 𝑉𝑚
˂𝑣𝑑 ˃ = 1 + cos(𝛼 + 𝜇)
𝜋
𝑉𝑚 𝑋𝑐 𝐼𝑑
wt ˂𝑣𝑑 ˃ = 1 + cos 𝛼 −
𝜋 𝑉𝑚
μ+
α
(4.13)
b)Forma de onda de vd e is Una consecuencia lógica de la
Fig. 4.09 Rectificador semi- inductancia en la fuente, es la
puente con inductancia de regulación del voltaje por la carga.
conmutación

216
4.10 CIRCUITOS DE CONTROL PARA RECTIFICADORES
MONOFÁSICOS(1)
4.10.1 INTRODUCCIÓN El pulso de disparo de los
tiristores se obtiene, de comparar
vst una señal de voltaje, que
depende del tipo de
t rectificador(para linealizar la
Señal de vcontrol característica de control), con un
disparo voltaje de control.
t
α 2π+α
Para un rectificador de media
a)Control rampa
onda o semi-puente, donde el
voltaje de salida es proporcional a
v1 + v2 - v3 v4
∫ Σ F.F. 1+cosα,el pulso se obtiene de
+ comparar el voltaje de control(vc)
+ con la señal 1+cos(wt) (fig. 4.10b),
sen(wt) para que la respuesta del control
vc
1v no dependa del punto de
operación del convertidor

v2 v3 v4 Para el rectificador monofásico


tipo puente y el trifásico de 6
2 pulsos ,en los que el voltaje de
salida es proporcional a cosα,
(ec.4.03 y 4.16),la señal de
1 comparación debe ser cos(wt).
wt wt wt
α  + α +α α
α
2 2 Algunos circuitos de control
comparan, el voltaje de control
con una señal rampa(VST), que
b)Control cosenoidal con offset(1) inicia en el cruce del voltaje por
cero, (fig.4.10a) y la
característica de control (variable
Fig 4.10 .Tipos de control de controlada vs variable de
convertidores CA/CD cotrol)no es lineal.

217
4.10.2 CONTROL TIPO RAMPA 3

Generador Diente de Sierra


El ángulo de disparo α tiene como
referencia, el ángulo en el cual conduce
el rectificador controlado, si se
sustituyen los SCR por diodos. Para los
+
vca rectificadores monofásicos α=0
- V sincronización ocurre en wt=0 y α puede variar
teóricamente entre 0 y π.
VST Comparador lógico
El control tipo rampa obtiene el pulso
t
VST +
de disparo, de la comparación de un
Señal de
- Disparo voltaje diente de sierra (vst=Kt) con un
V control
V control
voltaje continuo de control (Vc) de
t magnitud variable (fig. 4.11a)

a)Circuito(39) El voltaje diente de sierra debe iniciar


Voltaje de en wt=0 (para obtener el pulso de
sincronización disparo en α=0, al compararlo con
Vcontrol=0) y debe terminar con una
amplitud VSTmax en wt=π. Para que el
voltaje diente de sierra inicie en wt=0,
α/ α/
w
el generador diente de sierra se debe
w vst activar mediante un detector de cruce
por 0, del voltaje de la fuente reducido
t (voltaje de sincronización). Este se
Señal de vcontrol obtiene mediante un transformador o
disparo un divisor de voltaje.
t
El ángulo de disparo (α)se obtiene de

b)Forma de onda de la 𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙


𝛼 = 180° (4.14)
rampa y los pulsos(3) 𝑉𝑆𝑇𝑚𝑎𝑥
Este tipo de control produce una
Fig. 4.11 Control tipo rampa función de transferencia no lineal

218
4.10.3 CONTROL COSENOIDAL CON COMPONENTE CD
La figura 4.11 muestra el
diagrama de bloques, del
circuito de control tipo
cosenoidal, de un
Monitoreo
Desfasador
Sumadores rectificador monofásico
de fase de
CA alimentació de 90° inversor y
semi-puente de onda
no inversor
n
completa.
Se deriva de la red de
potencia un voltaje
reducido(Vm) mediante un
transformador o un divisor
de voltaje (monitoreo de
fase de alimentación).
Acople Etapa
Vcontrol Comparador
Óptico de Vout Se integra la señal (des-
potencia fasador de 90°)y se le
adiciona un off-set igual al
valor máximo de la onda
a)Diagrama de bloques alterna derivada (Vm). A
ésta señal se le adiciona la
12
señal inver tida de ella
misma, y se obtiene la
señal total (fig. 4.12b)que
se debe com- parar con el
6 voltaje de control ,el cual
debe variar entre 0 y
2Vm.Del comparador se
obtiene un pulso en α y
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 [ms] otro en π+α.Estos pulsos
VR7 VR8 se aíslan mediante un
opto-acoplador y se
b)Señal de entrada al comparador envían a la compuerta de
los SCR del semi -puente

Fig. 4.12 Control cosenoidal con off-set

219
4.10.4 CONTROL COSENOIDAL PURO

La figura 4.12 muestra el


diagrama de bloques del
circuito de control tipo
Sumadores
cosenoidal, de un
Monitoreo de

AC fase de
alimentación
Desfasador de
90°
inversor y
no inversor
rectificador monofásico de
onda completa tipo puente.
Se deriva de la red de
ve potencia un voltaje
reducido(Vm) mediante un
Etapa transformador o un divisor
Vcontrol Acople Vout
Comparador
Óptico
de
potencia de voltaje (monitoreo de fase
de alimentación).

a)Diagrama de bloques Se integra la señal (des-


Vm fasador de 90°) de la onda
alterna derivada (Vm).A esta
señal se le adiciona la señal
invertida de ella misma, y se
0 obtiene la señal ve (fig.
4.12b)que se debe comparar
con el voltaje de control ,el
cual debe variar entre –Vm y
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 [ms] Vm. Del comparador se
obtiene un pulso en α y
otro en π+α.Estos pulsos
se aislan con un opto-
b)Señal de entrada al comparador acoplador, y se envían a la
compuerta de los SCR del
Fig. 4.13 Control cosenoidal puro puente

220
4.10.5 CONTROL DE LAZO CERRADO PARA RECTIFICADORES
MONOFÁSICOS TIPO PUENTE 2

En el control cosenoidal , el
v
ángulo de disparo(α),se puede
125 vd
100 determinar gráfica mente
75 como la intersección de la
<vd>
50 onda 2Vmcos(wt)/π
25 (vint),con el valor promedio del
0
voltaje de salida(<vd>) (fig.4.13
-25
-50 a).
-75 vint
vs(t)
-100 Si el voltaje de salida
-125 t(s) desciende, el ángulo de disparo
0 0.01 0.02 0.03 aumenta y viceversa.
Tiempo para una entrada de 50 hz
Lo anterior se puede utilizar,
a)Control automático de fase(2) para implementar un control de
lazo cerrado de tipo
proporcional, cuyo diagrama de
Pulso de disparo bloques se muestra en la
VREF + ෍
k fig.4.13 b)
α

_
<Vd> Se compara la onda
2Vmcos(wt)/π con un voltaje
1
Error
de control dado por k(Vref--
sRC + 1 <vd>).k es la ganancia de
retroalimentación, la cual no
න Vs(t)
puede ser muy grande, para
Vd(t) que el circuito no oscile al
Vint(t)
ocurrir cambios en la carga.

b)Diagrama de bloques(2) El voltaje promedio se obtiene


haciendo pasar la salida del
rectificador, a través de un
Fig. 4.14 Control de lazo cerrado filtro pasa-bajo.

221
4.11 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CONTROLADO DE SEIS PULSOS
4.11.1 VOLTAJE DE SALIDA
+ va
a Se asume una carga altamente
vc
- R inductiva (L/R≥10T/6) para que Id sea
vb
+ +
Q1 Q3 Q5 constante. Se define un sistema
b trifásico de secuencia a-b-c.
- -
c
L 𝑣𝑎𝑛 = 𝑉𝑚 sen(𝑤𝑡 − 30°)
Q2 Q4 Q6
𝑣𝑎𝑏 = 3𝑉𝑚 sen 𝑤𝑡 (4.15)

a)Circuito Sí se sustituyen los SCR por


vd
diodos(rectificador trifásico no
√3Vm controlado) ocurre la conducción para
α=0(referencia para medir el ángulo
de disparo).En el dominio del ángulo,
wt
0 para el disparo de Q1, α=0
α /3  2
corresponde a wt=60°.Q1 y Q4
conducen para 60   α  wt  α 120 
El voltaje en la carga es:
vbc vba vca vcb vab vac vbc
2𝜋
+𝛼
3
b)Forma de onda de vd(1) ‫𝜋׬‬ 𝑣𝑎𝑏 sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
+𝛼
3
RANGO DE CONDUCCION (wt) THYRISTORES VOLTAGE EN ˂𝑣𝑑 ˃ =
QUE CONDUCEN LA CARGA 𝜋 Τ3
(α+60°) (α+120 Q4 Q1 Vab
°)
(α+120° (α+180 Q1 Q6 Vac
3 3
˂𝑣𝑑 ˃ = 𝑉 cos 𝛼 (4.16)
) °)
𝜋 𝑚
(α+180° (α+240 Q6 Q3 Vbc
) °)
(α+240° (α+300 Q3 Q2 Vba
) °) El voltaje de salida (vd) consiste de un
(α+300° (α+360 Q2 Q5 Vca valor promedio(<vd>), y de un rizado
) °)
alterno de 6 veces la frecuencia de la
c)Tabla
(α+360° de
(α+420 conducción
Q Q5 4 Vcb
fuente. Las componentes armónicas se
) °)
Fig 4.14.Rectificador trifásico obtienen del análisis de Fourier
controlado

222
4.11 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CONTROLADO DE SEIS PULSOS

4.11.2 CORRIENTE DE LA FUENTE Y FACTOR DE POTENCIA 3

van
Se asume una carga altamente
Ia1 inductiva(L/R≥10T/6), para que Id sea
α=0 wt constante. Se define un sistema trifásico
de secuencia a-b-c.
Id
van 𝑃
α 𝐹𝑝 =
α=30 wt φ 𝑆
º Ia1 ˂𝑣𝑑 ˃𝐼𝑑
van 𝐹𝑝 = (4.17)
3𝑣𝑎𝑛 𝐼𝑠
α φ
α=60º wt
Ia1
En la fig. 4.10 se muestran las corrientes
de línea de la fuente (is) para diferentes
van α.En la fase a, is es positiva
(𝛼 + 60° < 𝑤𝑡 < 𝛼 + 180°)
α y negativa(𝛼 + 240° < 𝑤𝑡 < 𝛼 + 360°)
wt φ
α=90 Ia1.
º El valor eficaz is es:
van

α
wt φ 2𝐼𝑑2 × 120 2
α=120º Ia1 𝐼𝑠 = = 𝐼𝑑 (4.18)
360 3
van
3 3
α De 4.08 ˂𝑣𝑑 ˃ = 𝑉 cos 𝛼
wt φ 𝜋 𝑚
α=150º
Ia1 ˂𝑣𝑑 ˃𝐼𝑑
𝐹𝑝 =
3𝑣𝑎𝑛 𝐼𝑠
a) Corrientes de línea fase a(3) 3 3𝑉𝑚 cos 𝐼𝑑 Τ𝜋
𝐹𝑝 = = 0.95 cos 𝛼
𝑉 × 𝐼𝑑 2
Fig 4.15 Corriente de línea del 3 𝑚
2 3 (4.19)
rectificador de 6 pulsos

223
4.11.3 CONTROL RAMPA PARA RECTIFICADORES
TRIFÁSICOS 6,7

a vQ4
El ángulo de disparo α tiene como
referencia al ángulo que conduce el
rectificador controlado, si se sustituyen
los SCR por diodos. Para los
b vQ3
rectificadores trifásicos α=0 ocurre en
vQ6 wt=60° para Q1, y α puede variar
teóricamente entre 0 y π.
vQ5
c Cada SCR tiene un circuito de control
vQ2
independiente. La señal de
sincronización(α=0,wt=60°) para Q1
es Vac(atrasa a Vab en 60°).Para Q6
vQ1
es Vbc,para Q3 Vba;para Q2 Vca;para Q5
a)Circuito de voltajes de Vcb y para Q4 es Vab.
sincronización
Las señales de sincronización se
Generador Diente de sierra
obtienen de un grupo de tres
transformadores, conectados en
+
delta(primario) estrella(secundario).El
Vca voltaje del primario es el de la fuente
- V sincronización
de potencia, y el secundario un voltaje
reducido, por ejemplo 8 V
Vst Comparador Lógico
t Cada voltaje de sincronización alimenta
+ Señal de disparo un circuito de control tipo rampa, para
-
Vcontrol activar cada uno de los 6 SCR
Vcontrol
t
Si se utiliza para el control un micro-
controlador, se utiliza un solo
b)Circuito de control rampa
transformador y un circuito rampa para
para cada SCR3
el pulso de Q1 ,y los otros se
Fig 4.17 Control rampa para programan 60° atrasados
rectificador trifásico (Q6,Q3,Q2,Q5,Q4)

224
BIBLIOGRAFÍA

1) Kassakian, Verghese,Schlecht . PRINCIPLES OF POWER ELECTRONICS


.1995 Editorial Addison Wesley

2)P T. Krein. ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998. Editorial Oxford


University Press

3)Mohan N;Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS 2003


Editorial John Wiley & sons Inc

4)Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND


APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall

5)Rashid M.H. (editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK


1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.septiembre 24 2008

6) INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC


pdf.www.online freebooks.net.Julio 13 2008

7)S.B. Dewan;G.R. Slemon;A. Straughen.POWER SEMICONDUCTOR


DRIVES.1984 Editorial John Wiley@sons .

8)JaiP. Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS Theory and design.2001


Editorial Prentice –Hall

225
ACTIVIDADES

TEORÍA
1)Dibujar la característica de control (variable controlada vs variable de
control) del rectificador controlado de media onda. ¿Por qué no es lineal?
¿Cómo se linealiza?
2)Dibujar la forma de onda del voltaje de salida del rectificador semi-
puente con carga altamente inductiva.
3)Describir la operación del convertidor CA/CD controlado de onda
completa, como rectificador y como inversor
4)¿Cómo se podría apagar un rectificador monofásico onda completa con
carga altamente inductiva? Hacer un análisis comparativo entre los 2
métodos posibles.
5)¿Cómo se podría operar un rectificador onda completa, como inversor
en régimen permanente?
6)Hacer un análisis comparativo entre un rectificador semi-puente y uno
tipo puente.
7)¿Cuál es la condición limitante sobre el ángulo de disparo de un
rectificador onda completa?
8)¿Cómo afecta al factor de potencia de la fuente la presencia de un
inductor en la fuente de un rectificador tipo puente?¿Lo mejora o lo
empeora?
9)¿Por qué el rectificador semi-puente no puede trabajar como inversor?
10)Hacer un análisis comparativo entre un rectificador semi-puente y uno
puente. Considere los siguientes aspectos: Costos, aspectos técnicos, y
condiciones de aplicación.
11)¿Cuál es la función del circuito de control?¿Como se logra el objetivo
del circuito de control?¿Cuantos tipos de control se conocen?.
12)Explicar utilizando un diagrama de bloques ,el circuito de control tipo
rampa.
13)Explicar utilizando un diagrama de bloques, el circuito de control
cosenoidal con offset.
14) Explicar utilizando un diagrama de bloques, el circuito de control
cosenoidal puro.

226
ACTIVIDADES

TEORÍA
15)Explicar utilizando un diagrama de bloques ,un circuito de control de
lazo cerrado para un rectificador monofásico de onda completa.
16)Deducir la tabla de conducción del rectificador trifásico de 6
pulsos(fig. 4.14c)
17)Hacer un diagrama de bloques ,indicando la función de cada bloque, del
circuito de control del rectificador trifásico de 6 pulsos.

227
PROBLEMAS

1)Para el rectificador controlado con


iG Id díodo de rueda libre de la figura se pide
:
+
Q a)Deducir y graficar el voltaje promedio
de salida (<vd>) en función del ángulo
+
_ D vd de disparo(α).
b)Analizar si es posible el trabajo como
Vm sen(wt)
_
inversor.

2)Se sustituye en el circuito anterior el


Problema 1 díodo de rueda libre por un SCR.
Las formas de onda de las corrientes
de compuerta se muestran en la figura
adjunta.
Se pide:
a)Deducir y graficar la característica de
iG1 Id control: vd , en función del ángulo de
disparo.
Q1 +
iG2 b)Analizar si es posible el trabajo como
inversor.
+ Q2 vd
_
Vm sen(wt)
3)Para el rectificador de onda completa
_ tipo semipuente, con carga resistiva
(fig.4.02) con N=10 ,Vm=170V y
f=60hz.se pide:
a)Dibujar la forma de onda de corriente
en la fuente.
Problema 2 b)Deducir el factor de potencia en un
devanado secundario.
c)Deducir el factor de potencia en la
fuente.

228
PROBLEMAS

4)Para el convertidor
200µH controlado de media onda de
+ la figura, los SCR son
Q1 complementarios , se pide
200 sen2π(400)t deducir y dibujar las curvas
+ Q2 vd de regulación(vd=f(Xc,Id)),
_
para diferentes α,

_ 5)Para el rectificador
monofásico tipo puente con
carga con f.e.m.(fig.4.04), se
pide dibujar la forma de onda
Problema 4 de vd ,para L<Lcritica

6)Las baterías de ácido-


plomo presentan cierta
ID L resistencia interna .Por
ejemplo si se cortocircuita
+ una batería de 12V, circula
una corriente de 240 A y por
10 mH lo tanto la resistencia interna
0.24 Ω es de 50 mΩ.
+
_ vd Se utiliza un convertidor
+ monofásico tipo puente
_
1270sen(wt) 72V controlado, con L>>Lcritica
como cargador de baterías La
_ batería se modela por una
fuente ideal de 72V, en serie
con una resistencia de
0.24Ω.Se pide deducir y
Problema 6 graficar ID en función de α

229
PROBLEMAS

7)Dada la capacidad de
Amperio-hora de una batería,
por ejemplo 400 A-H, se pide
diseñar un cargador para estas
baterías ,teniendo en cuenta:
a)Característica de corriente y
voltaje durante la carga. b) THD
de la corriente

Id

+
Q1 Q2 Q3
va 8)El rectificador semi-puente
vb D1 trifásico de la figura adjunta,
vd alimenta una carga altamente
vc
inductiva. Se pide a)Determinar
Q4 Q5 Q6
_ el valor del voltaje promedio de
salida.
b)Determinar el THD de la
corriente de la fuente.
Problema 8 Describir la función de D1

230
UNIDAD V

CONVERTIDORES CD/CD

231
FUENTES DE POTENCIA BASADAS EN CONVERTIDORES CD/CD
LAPTOP COMPUTER POWER SUPPLY

233
Power system of an earth-orbiting spacecraft

234
CONVERTIDORES CD/CD DE ALTA FRECUENCIA DE
CONMUTACIÓN

5.1 FUENTES CD LINEALES VS FUENTES CONMUTADAS 6

La mayoría de sistemas electrónicos, de


equipos de electrónica de consumo e
industriales, requieren de fuentes regula
das de bajo voltaje y baja potencia por
N
ejemplo 12V-20W,alimentadas por volta jes
+ C del sistema de distribución eléctrico
230 V A
R (120,208,230V)
G
_ A
La solución a esta necesidad fue hasta la
década de los ochenta, el uso de un
a)Fuente lineal (6) transformador con núcleo de acero al
silicio, con un bobinado secundario con
derivación intermedia, para reducir el
voltaje de distribución(230V) a 24/12V, un
rectificador de onda completa(2 diodos), un
filtro con capacitor electrolítico, un circuito
integrado regulador lineal(con transistores)
D1
y un capacitor de tantalio(fig. 5.01a).Esta
+
C
A solución es pesada y voluminosa, por el
c2 R
G
A
transformador de baja frecuencia, e
C1
230V
+ ineficiente por el transistor

CIRCUITO
FB
Para resolver estos aspectos negativos, se
DE

desarrollaron las fuentes


DISPARO

conmutadas(fig.5.01b). Se rectifica el voltaje


y se filtra (capacitor electrolítico), para
b)Fuente conmutada(6) alimentar un mosfet, que conmuta a alta
frecuencia(decenas de kHz), en serie con
un transformador de alta frecuencia (núcleo
de ferrita, liviano y pequeño).En el
Fig. 5.01 Fuentes CD lineales
secundario se rectifica el voltaje, y se usa
y conmutadas
un filtro pequeño por la alta frecuencia.

235
5.2 INTRODUCCIÓN A LOS CONVERTIDORES CD/CD
CONMUTADOS 3

Los convertidores CD/CD se


utilizan en las fuentes conmutadas
de alta frecuencia (convertidores
aislados) y para alimentar motores
CD (convertidores no aislados)
Batería La fig. 5.02 muestra un diagrama
de bloques del convertidor no
CA
aislado. El voltaje alterno se
voltaje de rectifica, y se reduce el rizado
línea Rectificador CD
no
Re
mediante un filtro capacitivo, el
1-fase o (no regulado) cual también reduce la impedancia
controlado
3-fases
interna de la fuente, o se utiliza
una batería. La entrada al
convertidor es un voltaje CD no
regulado. El convertidor regula
C (controla) el voltaje y lo transforma
Filtro CD CD A

capacitivo
CD - CD
d R al nivel deseado.
(no regulado) Convertidor (regulado)
G
A Se estudiarán en régimen
permanente, y en condiciones
ideales(se ignoran las pérdidas , se
asume nula la impedancia de la
V control fuente, y el efecto de los filtros es
ideal),los siguientes convertidores
no aislados
1.Convertidor reductor (buck )
2.Convertidor elevador(boost)
Fig. 5.02 Diagrama de bloques de un 3.Convertidor buck-boost
convertidor CD/CD conmutado no 4.Convertidor tipo puente
aislado(3) El convertidor reductor y el eleva
dor, se clasifican como converti
dores directos y el buck / boost
.
indirecto

236
5.3 CELDA CANÓNICA DE CONMUTACIÓN 1

i1 i2
A y X En la topología del circuito de la
C
+ S1 L + fig5.03a),se asume que el voltaje
de entrada ( 𝑉1 ) es constante,
V1 V2 pero la corriente (𝑖1 ) posee rizo,
C S2
debido a la conmutación de S1.De
Z
_ manera análoga, se asume que la
_
‘B
corriente de salida es constante
B (𝑖2 =I2)pero el voltaje de salida(v2)
a)Topología más simple del con si posee rizo. Para que la
vertidor CD/CD y el filtro pasa corriente de entrada, y el voltaje
bajo(1) de salida disminuyan el rizo, se
deben insertar filtros pasa-bajo
en la entrada(C) y la salida(L)del
circuito.
+ Vc _

El flujo de energía puede ser en


iy iz
cualquier dirección :de 1 a 2 o
y Z
A B viceversa , dependiendo de cómo
X
se controlen los interruptores.
iL
La figura 5.03a) es idéntica a la
L 5.03b),(celda canónica) con la
diferencia que se sustituyen los
interruptores S1 y S2, por un
C interruptor de un polo y doble
tiro. Las 2 posibles maneras como
b)Celda canónica de conmutación(1) se interconectan los 3 terminales
de la celda canónica, dan origen a
las dos topologías básicas de los
. Fig. 5.03 Topología más elemental convertidores CD/CD : directo e
del convertidor CD/CD indirecta

237
5.4 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO REDUCTOR
5.4.1 MODO DE CONDUCCIÓN CONTINUO 1

Sí en la celda canónica se conecta el


i1 iy Sxy X
ix L iL i2 terminal B, con el común al puerto de
+
entrada y al de salida(-), se obtiene lo
+ y
Z +
_ Sxz que se conoce como el convertidor
+
C vc directo (fig. 5.04a),ya que existe un
_ camino para la corriente CD entre el
V1 V2
iz puerto de entrada y el de salida .
Al iniciar se debe cargar el inductor,
B con el interruptor serie (Sxy) que
_ _
opera, con una relación de trabajo
en régimen permanente (D)
a)Circuito(1) Si se asume el flujo de energía de 1 a
2,se tiene:
𝑣𝑥𝑧
𝑣1 𝑖1 >0 y 𝑣2 𝑖2 < 0,𝑣2 > 0
𝑖1 >0 𝑖2 < 0
V1 (5.01)
<vxz>
La forma de onda del voltaje del
interruptor paralelo (Sxz) se muestra
DT T t
en la figura 5.04b), y la corriente del
b)Forma de onda de 𝑣𝑥𝑧 (1) interruptor serie se muestra en la fig.
5.04c). Aplicando la ley de Kirchhoff
𝑖𝑦 de voltajes en valores medios, en la
salida se obtiene: :
-I2
<iy> <𝑣𝑥𝑧 >=<𝑣𝐿 >+< 𝑣2 >
<𝑣𝐿 >= 0 𝑦 < 𝑣2 > = 𝑉2
t <𝑣𝑥𝑧 >=𝐷𝑉1 = 𝑉2 (5.02)
La aplicación de Kirchhoff de
c)Forma de onda de iy(1) corrientes , permite obtener:
.
Fig. 5.04 Convertidor directo
𝐼2 1
=− (5.03)
𝐼1 𝐷
238
5.4.2 IMPLEMENTACIÓN DE INTERRUPTORES 1

i1 y D IL i2 Para implementar los interruptores del


x
convertidor directo, con dispositivos
+ vL
i’x +
+ semiconductores de potencia, se
-
iy + P
siguen los siguientes pasos:
V1 Vxz V2 1).Se determinan del circuito(fig. 5.04
C (1-D)
_
a) los gráficos v-t para Sxy y Sxz. Los
_ _ resultados para Sxz se muestran en la
z figura 5.05c), y el de Syx en la figura
5.05b)
2).De los gráficos anteriores se
a)Circuito(1)
+ vyx - determina el gráfico v-i ,de cada
vyx iy
Y X interruptor.
El interruptor Sxy debe tener
V1
... capacidad para transportar corriente
DT T
positiva(de y hacia x) y soportar
t
iy voltaje positivo(Vyx >0).El cuadrante
-I2 de trabajo del semiconductor en el
... gráfico v-i es el I. El interruptor Sxz
t debe tener capacidad para transportar
b)Formas de onda de Sxy corriente negativa(de z a x) y
vxz capacidad para soportar voltaje
positivo(Vxz >0)
ix
V1 3).Se comparan los requerimientos de
.. los interruptores con las
x + DT T 2T t
características ideales de los
vXZ semiconductores(Tabla 1.01) y se
_ ix
seleccionan los que se adecuen .
z DT T 2T t
El resultado de la comparación se
.. muestra en la fig. 5.05a).Sxy
I2 corresponde a un BJT npn o un
MOSFET canal n o a un IGBT, y Sxz
c)Formas de onda de Sxz
. corresponde a un diodo rápido con
Fig. 5.05 Implementación de polarización inversa
interruptores

239
5.5 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO ELEVADOR 1

5.5.1 MODO DE CONDUCCIÓN CONTINUO


Primero se debe cargar el inductor, y
Sxz, debe ser el interruptor
i1 iy
A Sxy X L iL i2 controlado. Se asume para el
+ Y + vL - + interruptor serie(Sxy) una relación de
Z
_ SVxz
xz

+ trabajo en régimen permanente (D), y


C vc el flujo de energía de 2 a 1
_
V1 V2
iz ix 𝑣1 𝑖1 <0 y 𝑣2 𝑖2 > 0
𝑖1 < 0 𝑖2 > 0
B
_ _ (5.04)

a)Circuito(1) La forma de onda del voltaje del


Vxz interruptor paralelo (Sxz) se muestra
en la fig. 5.06b), y la corriente del
V1 interruptor serie se muestra en la fig.
5.06c)
[Vxz] = V2
Aplicando la ley de Kirchhoff de
voltajes en valores medios, en la
DT T t salida ,se obtiene .
<𝑣𝑥𝑧 >= <𝑣𝐿 >+< 𝑣2 >
b)Forma de onda de vxz(1) <𝑣𝐿 >= 0 𝑦 < 𝑣2 > = 𝑉2
<𝑣𝑥𝑧 >=𝐷𝑉1 = 𝑉2
iy 𝑉1 = 𝑉2ൗ𝐷 (5.05)

DT T
t
(iy)
La aplicación de Kirchhoff de
-I2 corrientes al nodo A, recordando que
el valor promedio de la corriente en
c)Forma de onda de iy(1) un capacitor es 0, permite obtener:
. 𝐼2 1
=− (5.06)
𝐼1 𝐷
Fig .5.06 Convertidor elevador

240
5.5.2 IMPLEMENTACIÓN DE INTERRUPTORES
CONVERTIDOR ELEVADOR 1

i1 D i2
y x
L Para implementar los interruptores del
+ +
𝑖𝑦 Flujo de energía convertidor directo, con dispositivos
𝑉2
𝑉1
C
semiconductores de potencia, se
siguen los siguientes pasos:
1-D _
_ 1-Se determinan del circuito (fig. 5.04
z a) los gráficos v-t para Syx y Sxz. Los
resultados para Sxz se muestran en la
a)Circuito(1) figura 5.07c) ,y el de Syx en la fig. 5.07b)
+ vyx - 2-De los gráficos anteriores se
𝑣𝑦𝑥 y X
iy determina el gráfico v-i, de cada
𝑉1
... interruptor.
El interruptor Syx debe tener capacidad
DT T t
iy para transportar corriente
t
negativa( 𝑖𝑦 < 0 ) y soportar voltaje
< 𝑖𝑦 >= 𝑖1 ] y
-𝑖2
positivo (Vyx >0). El cuadrante de
trabajo del semiconductor en el gráfico
b)Forma de onda de Sxy(1) v-i es el IV. El interruptor Sxz debe
tener capacidad para transportar
vxz ix corriente positiva(de x a z) y capacidad
para soportar voltaje positivo (Vxz >0)
V1 x + 3.Se comparan los requerimientos de
v XZ

z _ los interruptores con las


t
DT T
características ideales de los
ix semiconductores( Tabla 1.01) ) y se
seleccionan los que se adecuen .
I2
El resultado de la comparación se
t

DT T 2T
muestra en la fig. 5.07a). Sxz
corresponde a un BJT npn o un
c)Formas de onda de Sxz(1) MOSFET canal n y Syx corresponde a
. un diodo con polarización inversa.
Fig. 5.07 Implementación de
interruptores

241
5.6 MODELO CIRCUITAL DEL CONVERTIDOR DIRECTO PARA
RIZADO DE VOLTAJE Y CORRIENTE 1
i'1
En el circuito del convertidor
+ directo(fig.5.05a), las corrientes y voltajes
+ se consideran formadas por una
Z1 V'1 V'C i'y componente continua (valor medio) más
_
_
una componente alterna.

i'y
𝑖𝑦 = ˂𝑖𝑦 ˃ + 𝑖𝑦′ ; 𝑖𝑧 = ˂𝑖𝑧 ˃ + 𝑖𝑧′
(1 - D)I2

DT T 2T
t 𝑣𝑥𝑧 = ˂𝑣𝑥𝑧 ˃ + 𝑣𝑥𝑧 (5.07)
Se considera ideal el efecto de L con
- DI2
altas frecuencias,(circuito abierto) ,para
impedir el paso de las componentes
a)Modelo para rizado de alternas , por lo que:
corriente(1)
i'2 𝑖2 = 𝐼2 ; 𝑖𝑦′ = −𝑖𝑧′ = 𝑖´𝑥
+ La conmutación del interruptor Sxy ,
origina las corrientes alternas (armónicos
+
v'XZ _ V'2 Z2 de corriente), y este efecto se modela
por una fuente de corriente( 𝑖𝑦′ ), y la
_
fuente 𝑉1 se modela para altas
frecuencias por su impedancia interna
v'xz
Z1 (fig.5.08 a)
(1 - D)V1
t
0
DT En el modelo circuital para el rizado de
T 2T

-DV1 voltaje en el puerto 2,la conmutación del


interruptor Sxz, origina los voltajes
b)Modelo para rizado de alternos(armónicas), se modela por una
𝑣 ′ 𝑥𝑧 )
Voltaje(1) fuente de voltaje ( Se consi dera
ideal el efecto del capacitor a alta
Fig. 5.08 Modelos circuitales frecuencia ( cortocircuito) y por ello las
para alta frecuencia de los componentes alternas de voltaje,no
.
rizados de voltaje y corriente aparecen en el puerto 1. Z2 modela la
del convertidor directo carga del puerto 2 (fig. 5.08 b)

242
5.6.1 CÁLCULO DE L Y C MÍNIMOS DEL CONVERTIDOR
DIRECTO 1
i'1
De la fig. 5.09 a) se infiere ,que el
+ rizado en el capacitor (vc) aparece
+
Z1 V'1 V'C i'y
como rizado de primer orden en v1, y
_ de la fig. 5.09b),se infiere que el rizado
_ de iL aparece como rizado de primer
orden en i2.
i'y
Los rizados de vc y de iL son
(1 - D)I2 ... independientes , de las impedancias de
t
DT T 2T los sistemas externos
- DI2
Se asume para el cálculo del rizado de
𝑣𝑐 (v1) que 𝑖1 =𝐼1 y para el cálculo del
a)Modelo para rizado de rizado en i2,que 𝑣2 = 𝑉2
corriente(1)
𝑖𝐿
i'2
En la fig. 5.06a),cuando Sxy está
abierto,i1 carga al capacitor durante
+
Δt=(1-D)T
+ 𝑑𝑣 ∆𝑉1
V'XZ _ V'2 Z2
𝑖1 = 𝐼1 = 𝐶 ≈𝐶 =
𝑑𝑡 ∆𝑡
_ ∆𝑉1 𝐼1 1 − 𝐷 𝑇
𝐶 ;𝐶 ≥ (5.08𝑎)
1−𝐷 𝑇 ∆𝑉1
v'xz Para Sxy abierto (Sxz cerrado),se le
(1 - D)v1 aplica al inductor el voltaje V2, y la
0 t corriente en el inductor disminuye.
DT T 2T

- DV1
∆𝑖2
𝑣𝐿 = 𝑣2 ≈ 𝑉2 = −𝐿
∆𝑡
b)Modelo para rizado de ∆𝑖2
𝑉2 = −𝐿
voltaje(1) 1−𝐷 𝑇
𝑉2 1 − 𝐷 𝑇
. Fig. 5.09 Modelos circuitales para 𝐿≥− (5.08𝑏)
∆𝑖2
los rizados de voltaje y corriente
del convertidor directo ∆𝑖2 es negativo

243
5.6.2 INDUCTANCIA CRÍTICA

El modo de conducción continuo


I1 y x
iL I2 ( 𝑖2 > 0 ,para cualquier t), ocurre
L cuando el valor medio de la corriente
+ + de carga es mayor que el valor
+ P máximo(pico) de la corriente alterna
V1 Vxz V2
C la carga,(𝑖2𝑚 > 𝑖′2𝑝 ), y entonces la
_
ecuación 5.02 determina la
_ _
operación del convertidor
z
Sí el valor medio de la corriente es
a)Circuito(1) menor al valor pico de rizado, la
corriente desaparece durante una
parte del ciclo(modo discontinuo).

El valor de la inductancia ,que hace


iL pico cambiar el modo de operación de
V1-V2
VL iL continuo a discontinuo, se denomina
<iL>
inductancia crítica(Lc).
0 t

La corriente es nula al terminar el


período(fig. 5.10b)
V2
DT (1-D)T 𝑖𝐿𝑝 ∆𝑖𝐿 𝑡𝑜𝑛
˂𝑖𝐿 ˃ = = = (𝑉 − 𝑉2 )
2 2 2𝐿𝑐 1
𝐷𝑇
˂𝑖𝐿 ˃ = 𝑉 − 𝑉2 = ˂𝑖2 ˃
b)Formas de onda de iL y vL(3) 2𝐿𝑐 1
𝐷𝑇
𝐿𝑐 = (𝑉 − 𝑉2 )
Fig. 5.10.Límite de operación 2˂𝑖2 ˃ 1
continua del convertidor directo
𝐷𝑉1 𝑇
. 𝐿𝑐 = 1−𝐷 (5.09)
2˂𝑖2 ˃

244
5.7 CONDUCCIÓN DISCONTINUA CON V 1 CONSTANTE, DEL
CONVERTIDOR DIRECTO REDUCTOR

Dados los valores operativos del


I1 IL I2 convertidor directo reductor : L ,Ts,
y x V1, y D, el valor de la corriente
L
+ + promedio de la carga,que mantiene al
+ P convertidor operando en modo
V1 Vxz V2 continuo, se obtiene de la ecuación.
C
_ 5.09:
_ _ 𝐷𝑇
˂𝑖2 ˃ = 𝑉 − 𝑉2 (5.10)
z 2𝐿 1

a)Circuito(1) Sí decrece la potencia de la carga, se


reduce <i2> y ocurre la operación
discontinua ( fig.5.11b).
Durante el intervalo Δ2T1, 𝑖𝐿 =0 y
𝑣𝐿 =0, (fig. 5.11b).
El voltaje promedio en el inductor es
iL pico
cero:
VL iL
˂𝑣𝐿 ˃𝑇 = 𝑉1 − 𝑉2 𝐷𝑇1 − 𝑉2 ∆1 𝑇1 = 0
v1-v2 <iL> 𝐷
𝑉2 = 𝑉 (5.11)
0 t
𝐷 + ∆1 1
V2
La relación de conversión de voltaje,
no depende exclusivamente de la
relación de trabajo.
DT1 ∆1T1
∆2T1

T1 Generalmente los convertidores


CD/CD no se diseñan para operación
b)Forma de onda de iL y vL(3) discontinua, debido al mayor esfuerzo
eléctrico (VpIp), que deben soportar
los semiconductores en operación
. discontinua. La even tualidad de
Fig.5.11 Convertidor directo
operación discontinua, debe ser
Operación discontinua
impedida por el circuito de control.

245
5.8. CONVERTIDOR INDIRECTO (BUCK/BOOST)
5.8.1 MODO DE CONDUCCIÓN CONTINUO 1
_
+ VC
Si se conecta en la celda canónica el
C terminal C, al punto común del puerto de
i1 iy y iz i2
z entrada y de salida, (fig. 5.12a),
+ A Sxy B + entonces no existe un camino para la
x
iL corriente CD entre el puerto de entrada
y el de salida (convertidor indirecto) .
V1 V2
L Se debe cargar inicialmente el inductor y
entonces Sxy es el interruptor controlado
_
C
_ (D),Si el flujo de energía es de 1 a
2,entonces:
𝑣1 𝑖1 > 0 y 𝑣2 𝑖2 < 0
a)Circuito(1) . 𝑖1 > 0 𝑖2 < 0 , 𝑠𝑖 𝑣2 > 0 (5.12)
VXZ Aplicando Kirchhoff de voltajes:
˂𝑉𝑥𝑧 ˃ = ˂𝑉𝐿 ˃ − ˂𝑉2 ˃ = 𝑉1 − 𝑉2 𝐷
V1 - V 2 pero ˂𝑉𝐿 ˃ = 0 𝑦 ˂𝑉2 ˃ = 𝑉2 , entonces:
< VXZ> 𝐷
𝑉2 = −𝑉1 (5.13)
1−𝐷
DT T
Se invierte la polaridad. Sí D < 0.5,
b)Forma de onda de vxz(1) |V2|<V1(reductor). Si D >0.5 ,|V2|>V1
(elevador). Al invertir la polaridad el
iY voltaje 𝑣2 ,entonces 𝑖2 resulta positiva.
Analizando el proceso de carga y
I1 + I2 descarga del capacitor, se infiere que al
< iY> cerrar Sxy, se descarga el capacitor y
su corriente entra al nodo A ,y es igual a
𝑖2 +. 𝑖1
De las relaciones de potencias en el
c)Forma de onda de iy(1) primario y el secundario del
. transformador, se deduce:
𝐼2 (1 − 𝐷)
Fig. 5.12 Convertidor indirecto = (5.14)
𝐼1 𝐷

246
5.8.2 IMPLEMENTACIÓN DE INTERRUPTORES 1

I1 I2 El convertidor buck/boost,se puede


Iy X

ix z
considerar como el resultado de conectar
+ +
en cascada un convertidor buck(reductor)
V1
L
V2 con un boost(elevador)
_ _
Para implementar los interruptores del
convertidor buck/boost, se siguen los
a)Circuito(1) siguientes pasos:
+ vyx _
1.Se determinan del circuito(fig. 5.12a), los
iy
y gráficos v-t , y i-t para Syx y Sxz. Los
x

Vyx
resultados para Sxz se muestran en la
figura 5.13c), y el de Syx en la figura 5.13b).
v1-v2
2.De los gráficos anteriores, se determina
t el gráfico v-i de cada interruptor.
DT T

El interruptor Syx debe tener capacidad,


iy
para transportar corriente positiva (de y
I1+I2
hacia x) y soportar voltaje positivo (Vyx
DT T
t >0).El cuadrante de trabajo del
semiconductor, en el gráfico v-i es el I. El
b)Forma de onda de Sxy(1) interruptor Sxz debe tener capacidad, para
VXZ transportar corriente negativa(de z a x) y
V1 - V2
capacidad para soportar voltaje positivo
ix (Vxz >0)
DT T 3.El resultado de comparar los
x
requerimientos de los interruptores, con
+

vXZ iX
las características de los interruptores
_

DT T
ideales , se muestra en la fig. 5.13a). Sxz
I1 + I2 - corresponde a un diodo con polarización
inversa, y Syx corresponde a un BJT npn,
c)Formas de onda de Sxz(1) o a un transistor mosfet canal n
.
Fig. 5.13 Implementación de
interruptores

247
BUCK-BOOST CONVERTER
Figure 4.17 shows a buck-boost converter, to provide -120 V output at 50 W with +5 V input.
What are the switch duty ratios for this function? What are the switch ratings for voltage and
current? What values of L and C will keep the output variation below ∓ 1 % ? The switching
frequency is 20 kHz .

From eq.5.13 𝐷1 = 24Τ25 , while 𝐷2 = 1/25. Since switch 1 is on almost the full cycle, energy in
the inductor is built up over a long time interval, then released quickly into the load. The
average input current must be 10 A to provide the 50 W input, while the average output
current must be 0.417 A for this power level. The inductor current value I is < 𝑖𝐿 > = < 𝑖𝑖𝑛 >
+< 𝑖𝑜𝑢𝑡 > =10.417 A. Each switch must carry 10.417 A when on, and must block 125 V when
off. The inductor current source variation is to be less than +1%, or 20.104 A. This translates
to a total current change of 0.208 A. While switch 1 is on, the transfer voltage vt is simply 5
V, and the current rises since VL = L dildt is positive. The result is

248
5.8.3 MODELO CIRCUITAL PARA RIZADO
C DE VOLTAJE Y CORRIENTE 1

i'1 i'2 En el circuito del convertidor indirecto


(fig. 5.12a), las corrientes y voltajes se
consideran formadas, por una
i'y
Z1 componente continua (valor medio) más
Z2
una componente alterna.
𝑖𝑦 = ˂𝑖𝑦 ˃ + 𝑖𝑦′
i'y
𝑖𝑧 = ˂𝑖𝑧 ˃ + 𝑖𝑧′

(1 - D)( I1 + I2 )
... 𝑣𝑥𝑧 = ˂𝑣𝑥𝑧 ˃ + 𝑣𝑥𝑧 (5.15)
DT T 2T t
0

Se considera que L impide el paso de las


- D( I1+ I2 )
componentes alternas ( 𝑖′𝐿 = 0 ), y
,entonces 𝑖𝑦′ = -𝑖𝑧′
a)Modelo para rizado de La conmutación del interruptor Sxy ,que
corriente(1) origina las corrientes alternas, se modela
+ + por una fuente de corriente i’y
y los sistemas externos por su
v´XY +_
impedancias Z1 (fig.5.14a). Para
Z1 V '1 V '2 Z2
que el capacitor no sea muy grande, se
L debe cumplir
_ _
𝑋𝑐 ≪ 𝑍1 + 𝑍2 (5.16)
v'xy
A la frecuencia de conmutación, el
D(V1-V2) capacitor ideal se comporta como un
DT 2T
′ =𝑣 ′ .La conmutación del
cortocircuito,𝑣𝑥𝑧
T 0
𝑦𝑥
t
(1 - D)(v1-V2) interruptor Sxz , que origina los voltajes
alternos, se modela por una fuente de
b)Modelo para rizado de ′
voltaje 𝑣𝑦𝑥 .Para que el inductor no sea
Voltaje(1)
muy grande, se debe cumplir
Fig. 5.14 Modelos circuitales
. para los rizados de voltaje y 𝑍1 𝑍2
corriente del convertidor indirecto 𝑋 𝐿 ≫ (5.17)
𝑍1 + 𝑍2

249
5.8.4 CÁLCULO DE L Y C MÍNIMOS
DEL CONVERTIDOR INDIRECTO 1

De la fig. 5.15 a) se infiere ,que el


rizado en el capacitor ( 𝑣𝑐 ), aparece
como rizado de primer orden en V1 y
C
V2, y de 5.13b)el rizado en 𝑖𝐿 ,aparece
I1 I2 como rizado de primer orden en 𝑖1 y.
iy X

+ z
+
𝑖2
Los rizados de vc y de iL son
V1 V2
L independientes , de las impedancias de
_ _ los sistemas externos

Se asume para el cálculo del rizado de


𝑣𝑐 (𝑣1 ) que 𝑖1 ≈ 𝐼1 y para el cálculo
del rizado en 𝑖2 , 𝑣2 ≅ 𝑉2
a)Convertidor indirecto)
En la fig. 5.15a),cuando Sxy está
abierto, 𝑖1 carga al capacitor durante
+ +
Δt=(1-D)T
v’xy +_ 𝑑𝑣 ∆𝑣𝑐 ∆𝑣𝑐
𝐼1 ≈ 𝑖1 = 𝐶 ≈𝐶 =𝐶
Z1 V '1 V '2 Z2 𝑑𝑡 ∆𝑡 1−𝐷 𝑇
L
𝐼1 1 − 𝐷 𝑇
_ _ 𝐶≥ (5.18)
∆𝑣𝑐
v'xy Para Sxy abierto (Sxz cerrado), se le
D(V1-V2)
aplica al inductor el voltaje -V2, y la
corriente en el inductor disminuye.
DT T 2T
t ∆𝑖𝐿
0

(1 - D)(v1-V2) 𝑣𝐿 = −𝑣2 ≈ −𝑉2 = 𝐿


∆𝑡
b)Modelo para rizado de ∆𝑖𝐿
𝑉2 = −𝐿
Voltaje(1) 1−𝐷 𝑇
Fig. 5.15 Modelos circuitales para 𝑉2 1 − 𝐷 𝑇
. 𝐿≥ (5.19)
los rizados de voltaje y corriente −∆𝑖𝐿
del convertidor indirecto

250
5.8.5 INDUCTANCIA CRÍTICA

_
+ VC
El modo de conducción continuo,
C i2>0,para cualquier t , ocurre cuando la
i1 iy y iz i2 componente pico de rizado de la
z
+ A Sxy B + corriente del inductor, es más pequeña
x que el valor medio de la corriente ,y la
iL
ec.5.16 regula la operación del
V1 L V2 convertidor

C El valor de la inductancia ,que hace


_ _
cambiar el modo de operación de
continuo a discontinuo, se denomina
inductancia crítica(𝐿𝑐 ).La corriente es
a)Circuito(1) nula al terminar el período(fig.5.16b)

Aplicando Kirchhoff de corrientes en el


nodo A,y reconociendo que ˂𝑖𝑐 ˃ =0, se
obtiene ˂𝑖1 ˃=˂𝑖𝑦 ˃, y
iL p
𝑣𝐿, 𝐷𝑖𝐿,𝑝
V1 𝑖𝐿, ˂𝑖𝑦 ˃ = = ˂𝑖1 ˃
2
<iL>
0 t
𝑉1 𝐷𝑇
𝑖𝐿,𝑝 =
𝐿𝑐
V2
DT (1-D)T ˂𝑣1 ˃˂𝑖1 ˃ = ˂𝑣2 ˃˂𝑖2 ˃

𝐷 𝐷2 𝑉1 𝑇
b)Forma de onda de 𝑖𝐿, (3) ˂𝑖1 ˃ = ˂𝑖2 ˃ =
(1 − 𝐷) 2𝐿𝑐

Fig 5.16 Límite de operación


1 − 𝐷 𝐷𝑉1 𝑇
𝐿𝑐 = (5.20)
. continua en el convertidor 2˂𝑖2 ˃
indirecto

251
5.9 VARIANTES TOPOLÓGICAS
DEL CONVERTIDOR INDIRECTO 3

I1 I2 L1

+ + Es frecuente que los dos puertos sean


Rc de alta impedancia, cuando se utilizan
𝐶1
V1
L V2 alambres de conexión largos y altas
𝐶2 frecuencias de conmutación.
_ _

Para reducir el tamaño del inductor se


propuso en la topología conocida como
a)Convertidor buck/boost buck/boost, adicionar un capacitor en
Con impedancias altas en los la entrada (fig. 5.17a). El capacitor C1
puertos de entrada y salida (1) reduce la impedancia del puerto de
entrada y el inductor 𝐿1 conectado en
serie con la carga, aumenta la
impedancia del puerto de salida, y de
esta manera resultan pequeños los
C I2
componentes del filtro El tamaño de 𝐶2
I1
se mantiene pequeño al ser grande las
+ L1 L2 + impedancia de salida.

V1 V2 .El convertidor boost/buck o CUK


,nombre del ingeniero que patentó esta
_ _ topología (fig. 5.17 b),es el resultado de
conectar en cascada un convertidor
boost, con un buck.
b)Convertidor boost/buck o
CUK(1) Este convertidor utiliza un capacitor
como fuente de transferencia de voltaje
,que toma la energía del a fuente, la
Fig 5.17. Modelos circuitales
almacena brevemente, y la envía a la
para los rizados de voltaje y
. carga.¿Cual es el circuito de carga del
corriente del convertidor
capacitor? ¿Cuál es el circuito de
indirecto
descarga?

252
5.10 CIRCUITOS DE CONTROL - CONVERTIDOR NO AISLADO 4

L
S1 Para mantener el voltaje de salida
+ regulado(dentro de ciertos límites). se
+
V1
Drive
C R
V2 controla la relación de trabajo del
_ S2
transistor.
_ 𝑡𝑜𝑛
𝑑= (5.21)
𝑡𝑜𝑓𝑓 + 𝑡𝑜𝑛
Z2 Z1 Este control puede ser de frecuencia
Ve -
Op variable o fija. Se prefiere la frecuencia
PWM + amp
out
Comp + fija (facilita la reducción de
Error
- amp Vref
interferencia electromagnética) y variar
VCC
Rc
Diente de sierra el tiempo de encendido y apagado del
RCCC > 1/fS transistor (PWM). Esto se realiza con
Cc circuitos integrados de bajo costo, por
Reloj
ejemplo el TL 494 o el SG3526.
La fig. 5.18a) muestra el diagrama de
a) Diagrama de bloques(4) bloques de un controlador PWM de
frecuencia fija. Se reconocen los
PWM
S1 on siguientes elementos:1)Reloj para
ajustar el periodo de conmutación (Ts)
S1 off de conmutación; 2) Generador diente
1/fs 2/fs t de sierra sincronizado con el
Diente de sierra
Vp reloj;3)Voltaje de control (activación del
ve
transistor) generado por la comparación
del voltaje diente de sierra y el voltaje
Reloj
t de error (𝑉𝑒 ), de lenta variación con
respecto a 𝑇𝑠 generado por el
0 1/fs 2/fs t amplificador de error. Este compara el
voltaje deseado con el existente. Sí 𝑉𝑝
b)Formas de onda(4) es la amplitud del voltaje diente de
sierra, entonces
Fig. 5.18 Control de modo
. voltaje de convertidores 𝑉𝑒
𝑑= (5.22)
no aislados 𝑉𝑝

253
ALGUNAS CONSIDERACIONES PRÁCTICAS PARA EL DISEÑO DE LOS
CONVERTIDORES NO AISLADOS

En los análisis realizados se asumen convertidores componentes ideales.(


interruptores y l filtros), y se ignoran las componentes de rizado del voltaje de
salida. Un convertidor real, dista de tener estas características.

Un inductor real presenta pérdidas en el núcleo y en el cobre, y es importante


garantizar en el diseño, que se trabaje en la zona lineal, para todo el rango de
corrientes de trabajo.

Un capacitor presenta una resistencia serie equivalente (ESR), y una


inductancia serie equivalente(ESL), la cual puede generar con la capacitancia, el
fenómeno de resonancia .
Los capacitores de salida son electrolíticos, y presentan un elevado valor de
capacitancia, en los cuales el ESR además de reducir la eficiencia, afecta el
comportamiento del lazo dinámico del convertidor. En estos capacitores es
frecuente encontrar que el ESR predomina sobre la reactancia capacitiva, con
frecuencias superiores a 20 KHz, y para altas frecuencias (200 KHz) se debe
tener en consideración en el circuito equivalente del capacitor el ESL.

La mayor fuente de pérdidas son los dispositivos semiconductores de


conmutación. Los interruptores presentan pérdidas de saturación durante el
tiempo que están cerrados, pérdidas de fuga durante el tiempo que están
abiertos, y pérdidas durante la conmutación, al momento de cerrar cuando la
corriente aumenta y el voltaje disminuye, o cuando abre el interruptor y la
corriente decrece y el voltaje aumenta.

Las pérdidas de saturación del diodo son parecidas a las del transistor. El
tiempo de recuperación del diodo puede generar en el transistor impulsos de
corriente, que a su vez producen impulsos de voltaje, que pueden destruir al
transistor si no se les protege con circuitos snubber.

254
PROCEDIMIENTO PARA EL DISEÑO DE UN CONVERTIDOR CD/CD
NO AISLADO
El diseño de un convertidor parte de las características de la fuente y de la
carga del convertidor. Se especifica el voltaje de la fuente y su variabilidad,
además de la corriente nominal y las características de voltaje, corriente, rizado
de corriente ,y rizado de voltaje de la carga, que debe proveer el convertidor.

De estas condiciones se selecciona el tipo(directo o indirecto) y modo(elevador


o reductor) del convertidor no aislado, y se dibuja el diagrama de conexiones

El diseño se inicia con la selección de las características nominales de los


dispositivos semiconductores (transistor y diodo).

Con las características constructivas de los dispositivos semiconductores, y


asumiendo valores típicos para los otros elementos, se determina el diagrama de
modelo circuital del convertidor.

Del diagrama circuital,se derivan las ecuaciones de operación del convertidor,


para determinar los parámetros operativos que satisfacen las condiciones de la
carga y de la fuente.

El diseño concluye con el cálculo de los valores del inductor y del capacitor del
filtro.

El inductor se determina del criterio dominante entre la inductancia crítica y el


rizado de corriente.

El capacitor se calcula de acuerdo al máximo rizado de voltaje permitido.

255
DISEÑO DE UN CONVERTIDOR CD/CD NO AISLADO

Diseñar un convertidor CD/CD de las siguientes características: Voltaje de entrada 12


∓ 25%, lo que permite trabajar con una batería. El voltaje de salida es de +24 V∓ 50
mV, el cual debe permanecer aún en condición de vacío, la potencia de salida es de
120W y el rizado de la corriente de salida debe ser menor a 200 𝑚𝐴𝑝𝑖𝑐𝑜−𝑝𝑖𝑐𝑜 . Se
permite una tierra común para la entrada y la salida y el rango de operación de
temperatura es entre 10°C y 40°C.

Solución:

1.SELECCIÓN DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES


El nivel de potencia y los requerimientos de voltaje se ajustan a la utilización de un
mosfet, y se asume como frecuencia de conmutación 100KHz. La topología a utilizar
será un convertidor directo elevador, cuya corriente de salida no excederá los 5 A. La
corriente de entrada depende de la carga y será máxima, para carga máxima y mínimo
voltaje de entrada.

Si se asume una eficiencia de 85%,se requiere para plena carga una potencia de
entrada de 140 W. Para un voltaje de entrada de 9V, la corriente de entrada es casi de
16 A.

Se selecciona para el transistor, el mosfet MPT50N06V, que tiene un 𝑅𝑑𝑠 𝑜𝑛 típico


de 0,0375 Ω, a 25 °C, y puede transportar desde 20 A en régimen continuo, hasta 60
A, con pulsos menores a 10𝜇𝑠 . 𝑉𝐷𝑆 =1,4 V, un 𝑉𝐺𝑆 típico de 10 V, que garantiza el
funcionamiento con baja 𝑅𝑑𝑠 𝑜𝑛 . 𝑅𝑑𝑠 𝑜𝑛 aumenta significativamente con la
temperatura de la unión, por ejemplo para una temperatura de la unión de 100°C, la
resistencia aumenta en 40%.

Para el díodo se selecciona un díodo Schottky, que es un par de dispositivos con


cátodo común, conectados en paralelo, para minimizar la caída de voltaje con una
corriente pico de 24 A.

De las características del fabricante, se puede modelar el díodo por una fuente de 0,2
V(𝑉𝑑 ),en serie con un resistor de 0,015 Ω(𝑅𝑑) .

256
DISEÑO DE UN CONVERTIDOR CD/CD NO AISLADO

CARACTERÍSTICAS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Fig 5.19 Característica 𝑣𝑓 -𝑖𝑓 del díodo Schottky


257
DISEÑO DE UN CONVERTIDOR CD/CD .
2.OPERACIÓN EN ESTADO ESTABLE

El circuito equivalente estático del convertidor elevador, utilizando los modelos


circuitales reales de los elementos que componen el convertidor, se muestra en la
figura 5.20. De la característica v-i, en conducción del díodo Schottky, se puede
deducir, que en el modelo circuital 𝑉𝑑 vale 0,2V, y 𝑅𝑑 =0,015Ω. El transistor se
modela con el resistor entre fuente y drenador. El modelo del capacitor incluye el
ESR.

Fig.5.20 Circuito equivalente, del convertidor CD/CD elevador para operación en régimen permanente

Se asume que el convertidor opera en modo continuo. Del gráfico del voltaje en el
transistor, para condición cerrada y abierta se obtiene el valor medio del voltaje en el
transistor:

< 𝑣𝑡 > = 𝐷1 𝐼𝐿 𝑅𝑑𝑠(𝑜𝑛) +(1 − 𝐷1 )(𝑉𝑜𝑢𝑡 +𝐼𝐿 𝑅𝑑 +𝑉𝑑) (5.23a)

La aplicación de la ley de Kirchhoff con valores medios, a la malla conformada por


la fuente,el inductor y el transistor,permite escribir:

< 𝑣𝑡 > = 𝑉𝑖𝑛 - 𝐼𝐿 𝑅𝐿


(5.23 b)

La aplicación de la ley de Kirchhoff de corriente en el nudo de la carga permite


escribir:

< 𝑖𝑑 > =(1 − 𝐷1 ) 𝐼𝐿 =𝐼𝑙𝑜𝑎𝑑 (5.24).

Estas ecuaciones determinan el comportamiento del convertidor. Como no se conocen


algunos valores de los parámetros de esas ecuaciones, se deben proponer valores
aproximados.

258
DISEÑO DE UN CONVERTIDOR CD/CD
OPERACIÓN EN ESTADO ESTABLE
.
De las características del alambre magneto, el conductor del inductor debe ser
calibre #12 AWG. La resistencia de este conductor es de 5,3 mΩ/m, por lo tanto
el valor de 𝑅𝐿 es de unos cuantos mili ohmios. El valor de la resistencia interna
de la batería y de los cables puede ser superior a la del inductor por lo que se
asume para 𝑅𝐿 un valor de 20 mΩ.
.Se asume un 𝑅𝑑𝑠(𝑜𝑛) de 0,04 Ω para tener en cuenta el incremento en la
temperatura de la unión.

De la ecuación 5.24, se determina la corriente en el inductor:


𝐼𝐿 = 𝐼𝑙𝑜𝑎𝑑 =
5
1−𝐷 (1−𝐷)

De la ecuación 5.23 a) y b),se deduce:

𝑜,2𝐷 0,1
𝑉𝑖𝑛 = +(1--𝐷)(24,2 + 0,075) + (5.25)
(1−𝐷) (1−𝐷
La ecuación 5.25,se representa en la figura 5.21

Fig. 5.21 Voltaje de entrada al convertidor, en función de la relación


de trabajo (D), para obtener en la salida 24 V

259
DISEÑO DE UN CONVERTIDOR CD/CD.
NO AISLADO
DISEÑO DEL FILTRO

Los parámetros operativos del convertidor se muestran en la tabla adjunta, en


donde las pérdidas de potencia, corresponden únicamente a pérdidas estáticas.
Las pérdidas por conmutación y las pérdidas debidas al ESR del capacitor se
deben estimar posteriormente

DISEÑO DEL FILTRO


VALOR DEL INDUCTOR

La selección del inductor responde a dos criterios: a)Rizado de corriente.


b)Inductancia crítica.

. REQUERIMIENTO DE RIZADO

Puesto que se desea mantener el voltaje de salida(24 V) aun cuando no haya


carga, se requiere de una carga de lastre, para que la corriente de carga sea
diferente de cero, sin carga conectada a los terminales del puerto de salida

260
DISEÑO DEUN CONVERTIDOR CD/CD.
NO AISLADO
DISEÑO DEL FILTRO

Para minimizar el efecto de la carga de lastre sobre la eficiencia, esta se


selecciona como el 1% de la carga nominal, 1,2 W, lo que corresponde a un
resistor de 470 Ω.

Al colocar la carga de lastre, la corriente mínima de la carga es de 0,051 A, y la


corriente mínima de entrada será 0,082 A.

Se asume para el rizado de la corriente en la carga un valor de ∓0,082𝐴 .


,valor inferior al límite establecido en el diseño. Entonces, ∆𝑖𝐿 ≤ 0,164 𝐴.

Cuando se cierra el transistor(figura 5.19),el voltaje en el inductor es


ligeramente inferior al voltaje de entrada, por lo que:

∆𝑖𝐿 𝑉𝑖𝑛 𝐷𝑇
𝑉𝑖𝑛 =𝐿 ∴𝐿≥ (5.26)
∆𝑡 ∆𝑖𝐿

𝑉𝑖𝑛 y D, no son independientes, ya que si el voltaje de entrada varía, debe


modificarse la relación de trabajo, para mantener el voltaje de salida en 24 V,
por lo que se debe determinar cuando el producto 𝑉𝑖𝑛 𝐷, es máximo. Este valor
se puede determinar de la ecuación 5.25.

El valor máximo ocurre para 𝑉𝑖𝑛 =12,0 V con 𝐷=0,520, para carga nominal(plena
carga).

12 0,520 𝑇
El valor del inductor debe ser 𝐿 ≥ = 38 T.
0,164

Para una frecuencia de 100 KHz, el valor del inductor es de 380 µH.

261
DISEÑO DEUN CONVERTIDOR CD/CD.
NO AISLADO

REQUERIMIENTO DE INDUCTANCIA CRÍTICA

1−𝐷 𝐷𝑉1 𝑇 1−0,520 (0,520)(12)


De la ec.5.2𝐿𝑐 = = = 294𝜇𝐻 (5.27)
2˂𝑖𝑙𝑜𝑎𝑑 𝑚𝑖𝑛 ˃ (100)(103 )(2)(0,051)

Se asume una inductancia de 10 𝐿𝑐 = 2940 𝜇H.

Predomina la condición de inductancia crítica

VALOR DEL CAPACITOR

El capacitor debe restringir el rizado del voltaje de salida en 100mV pico-pico.

Cuando el diodo está desconectado, el capacitor debe entregar a la carga la corriente


de plena carga.

La condición mas adversa es para máxima caga y máxima relación de trabajo.

∆𝑣𝑜𝑢𝑡
𝑖𝑙𝑜𝑎𝑑 = 𝐶 ∆𝑣𝑜𝑢𝑡 < 100𝑚𝑉
𝐷1 𝑇

El caso extremo es para la relación de trabajo máximo, lo que corresponde al menor


valor del voltaje de entrada ( 9V) y máxima carga(5 A).De la tabla de operación este
valor corresponde a D=0,667

0,667
𝐶 > (5𝐴) 𝑇 (5.28)
100 𝑚𝑉

Para una frecuencia de 100 KHz,𝐶 = 326𝜇𝐹

Si se asume un factor de pérdidas de 0,2, a 100KHz,el ESR resulta de 0,98 mohm, si


se le adiciona la resistencia de los cables se obtiene una resistencia de 2 mohm, lo
que genera a 5 A, una caída de 10mV el rizado en el capacitor resulta de 90mV ,y de
la ecuación 5.28 se obtiene un capacitor de 362𝜇𝐹, por lo que se selecciona un
capacitor comercial de 470𝜇𝐹

262
CONVERTIDORES CD/CD
AISLADOS

263
SWITCHING POWER SUPPLIES

The complete switching power supply may consist of several auxiliary sections
in addition to the power transformer.

If ac is the input, it must first go through a noise filter to keep out unwanted
transients. It is then rectified before entering the power transformer where it is
first inverted to a square wave of the higher frequency (or pulse repetition rate)
and then transformed to the desired output voltage.

The transistor is driven by an auxiliary timing transformer or driver. After


passing through the power transformer, the secondary voltage is again rectified.
It then passes through a voltage regulator to maintain the voltage limits in the
required range. Often this is done in a feedback circuit which controls the on-
off ratio of the switching transistor.

This technique is called "pulse width modulation" or PWM and is widely used.

Switching power supplies have efficiencies on the order of 80-90% compared to


those of linear power supplies that may range from 30-50%.

The switching supplies are, therefore, lighter and smaller than their counterparts

264
BLOCK DIAGRAM OF A SWITCING POWER SUPPLY(From
Magnetics PC-Ol(1982)

Fig.522.Diagrama de bloques de una fuente conmutada

265
5.11 INTRODUCCIÓN A LOS CONVERTIDORES AISLADOS4

En los convertidores CD/CD de alta


1:n S3 L
frecuencia se adicionan a la topología un
transformador por dos razones:
S4 +
+
1)Para proveer aislamiento eléctrico entre dos
ZL
sistemas externos.
vz
V1 C 2)Para reducir los esfuerzos eléctricos sobre
+ S V2
2 los componentes, que resultan cuando la
_ S1 relación de conversión de voltaje entre la
_
salida y la entrada es grande, por ejemplo en el
orden de 10.
a)Convertidor directo(4)
Existen dos topologías para conver tidores
CD/CD con transformadores: El convertidor
directo, en donde el transformador se diseña
con mínima corriente magnetizante, y el
convertidor flyback (convertidor indirecto), en
i1 el cual la inductancia magnetizante debe tener
1:n S2 i2
un valor específico, para almacenar energía en
el transformador.
+

+ V1 En el convertidor directo ideal, la suma


_ C ZL V
S1 2
algebraica de las potencias instantáneas de
_ todos los devanados es igual a cero y por lo
tanto no se requiere que el transformador
almacene una cantidad significativa de energía.

En el convertidor flyback se requiere


b)Convertidor flyback(4) almacenar energía. Durante la primera parte
del ciclo de conmutación el arrollamiento
Fig. 5.23 Convertidores aislados primario absorbe energía de la fuente de
derivados del convertidor reductor entrada y la almacena en la inductancia de
. magnetización. Durante la segunda parte del
ciclo, un segundo arrollamiento remueve esta
energía y la entrega a la carga

266
5.11 CONVERTIDORES AISLADOS “BUCK-DERIVED”
5.11.1 CONVERTIDOR DIRECTO 4
1:n S3 L

S4
Los convertidores aislados “buck-
+
+ derived”, denominados así por
vz ZL Severns y Bloom, se pueden modelar
V1 + S2 C como convertidores reductores.
V2
_ S1
_ La topología directa o single ended(fig.
5.24a), se usa con baja potencia,
menor a 100w. .

La inductancia magnetizante del


a)Diagrama de conexiones(4) transformador ( 𝐿𝑚 ) debe ser mayor
que la inductancia crítica.

Al conducir S1,conduce S3.


transfiriendo directamente la potencia
a la carga.S4 y el diodo zener (Vz)
conducen cuando se apaga S1.

Para desmagnetizar el transformador


se debe cumplir que:
𝑉𝑧 𝑡𝑜𝑓𝑓 > 𝑉1 𝑡𝑜𝑛 (5.23)

𝑡 𝑜𝑛 𝑦 𝑡𝑜𝑓𝑓 son los tiempos de


encendido y apagado del transistor.
b)Lazo de histéresis del
transformador
El transformador opera en el
cuadrante I del plano B-H, (fig.5.24b) y
Fig. 5.24 Convertidor directo por lo tanto se debe reducir el Bmax de
trabajo ,lo que produce una
. subutilización del transformador

2𝐵𝑚 = 0.9𝐵𝑠 -𝐵𝑟

267
5.11.2 CONVERTIDOR PUSH-PULL

La topología push-pull(fig.5.25a)
utiliza 2 interruptores controlados
(S1,S2), con operación
complementaria, para que el
transformador opere en los
cuadrantes I y III.(fig.5.25b). S2 y S3
cierran simultáneamente, al igual
que S1 y S4.

Sí no hay simetría en los


interruptores, se requiere un diodo
de rueda libre, para el inductor.
a) Diagrama de conexiones del
convertidor push-pull (4) La relación de trabajo y frecuencia
de operación del convertidor, son
el doble del de cada uno de los
interruptores. Se utiliza para bajas
potencias, pero superiores a 100w.

El transformador se utiliza en su
plena capacidad,por trabajar en los
cuadrantes I y II,del plano B-
H(fig.5.25b) y la densidad de campo
magnético máximo, solo depende del
b)Lazo de histéresis del valor de la saturación del material
transformador utilizado
Fig.5.25 Convertidor push-pull

268
5.12 CONVERTIDOR TIPO PUENTE 4

En la topología puente,también
denominada “double ended”(fig.
S1 S2 5.26a) S1 y S4 están
L
sincronizados, al igual que S2 y
1:n S3
S3 .La operación de los
+ interruptores está desfasada en
+ S4 el tiempo, el equivalente a 180°
_ V1
eléctricos.
C ZL V2
S3 S4 Cada interruptor debe soportar
_
un voltaje igual al de la fuente y
por ello se utilizan con voltajes
a)Convertidor puente(4)
altos. La complejidad del circuito
de control, y el costo de los 4
interruptores determinan su
utilización en aplicaciones de
potencias superiores a 1Kw.

El cálculo de L, se determina en
base al criterio de la inductancia
crítica. Se selecciona un valor de
10 veces la inductancia crítica.

Para 𝐿 = 𝐿𝑐 , el rizado de
corriente (∆𝑖𝐿𝑝 ) en el inductor es
dos veces el valor de la corriente
media de la carga.
b)Formas de onda del voltaje en el
primario y a la entrada del filtro Si selecciona 10 𝐿𝑐 ,el nuevo
rizado de corriente es
inversamente proporcional al
. Fig. 5.26 Convertidor tipo puente valor de la inductancia

269
5.12 CONVERTIDOR TIPO SEMIPUENTE 4

La topología semi-puente (fig.


5.27a) se utiliza frecuentemente
+
S2 en aplicaciones monofásicas, en
V1/2
1:n S3 L las cuales se rectifica y se filtra el
voltaje alterno para obtener
+ V1.Para el filtraje se requiere una
+
_ V1 S4 alta capacitancia, y por tanto la
utilización de los capacitores
C ZL V2
+ mostrada en el circuito no implica
V1/2 S4 costos adicionales. Los
_ _
interruptores, al igual que en la
topología puente, soportan el
voltaje de la fuente, pero deben
a)Convertidor semi-puente(4) transportar el doble de la
corriente. El transformador opera
con V1/2.

Para la selección del capacitor se


debe tener en cuenta, que por el
debe circular la componente
alterna de la corriente del
inductor(rizado de corriente).Esta
componente alterna es
aproximadamente una onda
triangular de amplitud pico-pico de
∆𝑖𝐿𝑝 .La corriente de rizado produce
una caída de voltaje de valor
b)Formas de onda del voltaje en el (ESR x ∆𝑖𝐿𝑝 /2.), la que determina
primario y a la entrada del filtro el rizado de voltaje en la carga.
Como existe una relación entre el
ESR y C, entonces se determina el
. Fig. 5.27 Convertidor tipo semipuente valor de la capacitancia

270
5.13 CONVERTIDOR AISLADO FLY-BACK 4

El convertidor flyback (single


ended)(fig.5.28a) se deriva del
convertidor busk/boost, susti
tuyendo el inductor, por un
transformador. El transforma
dor además de cambiar la
relación entre voltaje de
salida y entrada ,invierte la
polaridad propia del conver
tidor indirecto, y aisla la
salida de cualquier conexión
de tierra de la fuente.

Al cerrar el transistor se
carga la inductancia de
a)Diagrama de conexiones
magnetización del transforma
dor, y esta energía se libera
(flies) a la carga, cuando abre
el transistor, porque se cierra
el díodo. La potencia típica
de este convertidor es
inferior a 150 w

La denominación de single
ended,se debe a que el flujo
de potencia de la fuente a la
carga es a través del
transformador, por una sola
a)Lazo de histéresis del polaridad,lo que genera una
transformador subutilización del transform
Fig.5.28 Convertidor fly-back ador, ya que este opera
únicamente en el cuadrante I,
del plano B-H (fig.5.28 b)

271
5.13 CONVERTIDOR AISLADO FLY-BACK
OPERACIÓN 4

La figura 5.29 a),muestra el modelo


circuital simplicado del convertidor
flyback. Cuando el transistor Q se
enciende, el díodo se apaga y la energía
fluye hacia el transformador.

Cuando Q se apaga, el diodo se


a)Modelo circuital enciende, y la energía magnética
simplificado almacenada en la inductancia
magnetizante del transformador, se
transfiere a la carga, (flies back) a través
del devanado secundario.

Si no fuera por la inductancia de


dispersión, la operación del convertidor
flyback sería idéntica a la del convertidor
buck/boost no aislado, con la diferencia
de la elevación o reducción de voltaje
generado por el transformador.La
inductancia de dispersión del primario
almacena energía que no se transfiere
cuando Q se apaga, y por eso se debe
utilizar un snubber.

La figura 5.29 b) muestra las formas de


onda de la corriente y voltaje en el
primario, la corriente en el secundario y
la corriente magnetizante.¿Qué ocurre
con la corriente magnetizante del
transformador al apagar Q? ¿Qué se
debe adicionar en el circuito de la
. b)Formas de onda de voltaje y fig.5.29 a)?
corriente

Fig. 5.29 Convertidor fly-back


operando en régimen continuo 272
5.13 CONVERTIDOR AISLADO FLY-BACK 4

i1 N:1 i2 El transformador del convertidor fly--


S2
back debe tener la capacidad de
almacenar una cierta cantidad de
+ energía, y por ello la corriente de
+ V1 C
magnetización tiene un valor significativo
_ ZL V2
S1 .
_ El transformador se diseña con un
entrehierro adecuado, para que sirva con
un doble propósito: inductor y
transformador.
a)Diagrama de conexiones
Sí la relación de transformación es N:1,
entonces, del diagrama circuital del
convertidor, el voltaje aplicado al
i1 primario del transformador en un
Ip período es:

(𝑉1 − 𝑉𝑠1 )𝐷𝑇 - (𝑉2 +𝑉𝑠2 ) 1 − 𝐷𝑇 𝑁 = 0


0
D/fs 1/fs t (5.24)
i2
Sí L=Lc, las formas de onda de las
NIp ∆q corrientes en el primario y el secundario
se muestran en la fig. 5.30 b).
V2/R
ta
0
D/fs 1/fs t Cuando S1 se desconecta, el valor de i2
desciende linealmente desde NIp a 0 (t=
b)Formas de onda de corriente
Ts) y desciende el voltaje de salida
para operación con 𝑉 𝑡
inductancia crítica C∆𝑣2 = ∆𝑞 ; ∆𝑞 = (𝑁𝐼𝑝 − 2 ) 𝑎
𝑅 2
(5.25)
Fig. 5.30 Convertidor fly-back
. Operando con inductancia crítica

273
FLY BACK CONVERTER
EQUIVALENT CIRCUITS

Fig.5.31 Fly back converter equivalent circuits

274
BASIC CONVERTER DYNAMICS

It would be helpful to study the open-loop behavior of converters before trying


to design closed-loop controls. Let us consider samples of a few converter
types, and evaluate their open-loop performance with step-change tests.

Next Figure shows two dc-dc converters a buck and a flyback-designed for
similar loads and ripple levels.

Fig.5.32 Basic converter dynamics

275
BASIC CONVERTER DYNAMICS

Three open-loop tests will be performed, beginning from steady-state periodic


conditions with 40% duty ratio:
1. Test the control-to-output behavior by altering the switching function for 60%
duty ratio.
2. Test the input-output behavior by imposing a 5 V step increase in the source
voltage.
3. Test the output behavior with a 25% decrease in the load resistance.
Results of these three tests for both converters are illustrated in Figure

Fig.5.33 Converter open loop tests

None of the tests suggests unstable behavior. Except for ripple, there is little to suggest
that the systems are nonlinear. The responses are very much like those of a conventiona
second-order linear system. The buck converter responds more quickly than the flyback
because its output capacitor can be much smaller for a specified ripple level

276
CONVERTER MODELS FOR FEEDBACK

Fast Switching

A converter can be made to switch very rapidly-often much faster than load
dynamics.

In general, the behavior of a system is governed by the slowest dynamics if


there is wide separation between the relevant time scales.

For example, the switching process in a 100 kHz dc-dc converter will not have
much effect on a load at rates up to a few kilohertz.

If a PWM inverter switching at 5 kHz is used to control an ac motor at


frequencies up to a few hundred hertz. commutation and fast details will not
have much impact on operation.

The principle of fast switching is the basis for one class of converter models.

A PWM inverter, for instance, can be modelled in terms of its modulating


function, given that 𝑣𝑜𝑢𝑡 (t)= m(t) 𝑉𝑖𝑛

An ideal buck converter can be modelled as 𝑉𝑜𝑢𝑡 = D 𝑉𝑖𝑛 .

A Fast-switching converter models replace the switch with a continuous


element, or just a gain value. This supports conventional control design
methods. As a result, fast-switching models are common for control analysis
and design.

Some converters have linear fast-switching models, although in general the


models are nonlinear.

277
VOLTAGE-MODE AND CURRENT-MODE CONTROLS FOR
DC-DC CONVERTERS
VOLTAGE MODE CONTROL

Fig.5.34 Block diagram output control of buck converter


278
VOLTAGE-MODE AND CURRENT-MODE CONTROLS FOR
DC-DC CONVERTERS
VOLTAGE MODE CONTROL

279
VOLTAGE-MODE AND CURRENT-MODE CONTROLS FOR DC-DC
CONVERTERS
VOLTAGE MODE CONTROL

280
DESIGN OF VOLTAGE MODE CONTROL OF A BUCK CONVERTER .

A voltage-mode control is desired for the buck converter shown in the next
figure.
First, choose switching devices and inductance and capacitance, so the
converter provides an output of 12 V with less than 2% output ripple for loads
between 100 W and 500 W.
Next, identify a second-order system model based on fast switching.
𝑅𝑓
Propose feedback gain ൗ𝑅𝑖 to keep the total load and line regulation under 1%.

281
DESIGN OF VOLTAGE MODE CONTROL OF A BUCK CONVERTER .

A load of 500 W implies load current of about 42 A. Since the input voltage does
not exceed 30 V, it should be possible to use power MOSFETs for this
application. A device rated 50 V and 50 A (such as the MTP50N05) has Rds(on)
= 0.028 Ω.
When a MOSFET is used, a switching frequency of 100 kHz should be
reasonable. Given a diode drop of 1 V, the open-loop converter relationship is

The lowest duty ratio occurs at the highest input voltage and the lightest load.
For a 100 W load, the inductor current is 8.33 A. For this load, a 20 V input gives
DI =0.626, while the 15 V input gives D1 = 0.824. For the 500 W load, the current
is 31.7 A. The transistor duty ratio with 20 V input is 0.655, while the duty ratio
with 15 V input is 0.876. The complete duty ratio range is therefore 0.626 to
0.876, and depends on both the input voltage and the load. The closed-loop
control must adjust it.

The critical inductance for this converter occurs at the lightest load, when ∆𝑖𝐿 =
16.7A(see fig.5.10) . During the transistor off-time, the inductor voltage is 11 V.
Therefore Lcrit can be determined by

282
A 1 KW BOOST CONVERTER WITH SNUBBER

283
DESIGN OF VOLTAGE MODE CONTROL OF A BUCK CONVERTER .

También se podría aplicar la ecuación 5.09

𝐷𝑉1 𝑇
𝐿𝑐 = 1−𝐷
2˂𝑖2 ˃
𝐷1 = 0.626; 𝑉1 = 20 𝑉; ˂𝑖2 ˃ = 8.33)
With the duty ratio range given above, and a switching period of 10𝜇𝑠 , the
critical inductance is 2.7𝜇𝐻 . To avoid discontinuous mode and to minimize
flux change, let us choose an inductance of ten times this value, or 27 𝜇𝐻.
The capacitor sees a triangular current, with a peak-to-peak value of 1.67 A
with this inductor choice. To keep the output voltage ripple within limits, the
capacitor voltage must not change by more than 0.24 V while the capacitor
current is positive. The current is positive half of each cycle. Thus

Since the current is triangular with a peak of (1.67 A)/2, the integral is the
area i(T/2)(0.833 A) = 2.08𝜇𝐴.. The capacitor should be at least 8.7𝜇𝐹 to
meet the requirements.
We might choose 10 𝜇𝐹 to account for ESR drop.

The second-order converter model can be obtained by assuming fast


switching. If the switching is very rapid, the output RLC combination sees
a voltage 𝑑1 𝑉𝑖𝑛 The inductor voltage is this value less 𝑣𝑜𝑢𝑡 .

With 𝑣𝑐 = 𝑣𝑜𝑢𝑡 , the circuit loop and node equations give

284
DESIGN OF VOLTAGE MODE CONTROL OF A BUCK CONVERTER .

With Laplace transforms, the derivatives become multiplication by the operator s,


and the expressions reduce to the single form

For small 𝑉𝑑 and 𝑅𝑑𝑠(𝑜𝑛) , this simplifies to the second-order form

Now. the output voltage will need to be filtered, and there should be a gain
such that 𝑑1 = 𝑘𝑝 (𝑉𝑟𝑒𝑓 − 𝑣𝑜𝑢𝑡 ) . In the open-loop case, the gain G(s)H(s)
becomes

285
DESIGN OF VOLTAGE MODE CONTROL OF A BUCK CONVERTER.

To meet the regulation requirements, there must be sufficient gain so a 1%


change in 𝑉𝑜𝑢𝑡 will cause the duty ratio to swing over its full range. A gain of
just 𝑘𝑑 = 2 will change D by 0.24 for an input change of 0.12 V. Let us use
a gain of 5. One problem is the potential effect of output ripple. The
capacitor 𝐶𝑓 provides a low-pass function to help avoid trouble. A Bode plot
of G(s)H(s) was used to check values for 𝑅𝑓 𝐶𝑓 . A time constant of 8 ms
provides stable operation and reasonable performance.
The circuit response is shown in the net figure for both line and load
disturbances. At time t = 1000𝜇𝑠, the input steps from 15 V to 18 V. At time t
= 1800 𝜇𝑠, the nominal load current steps from 20 A to 24 A. These 20%
steps bring about short-term changes on the order of l0%, but the steady-
state result is very close to 12.00 V.

Voltage-mode control example: dynamic performance.

286
BIBLIOGRAFÍA

1)Kassakian. J.G. Schlecht M.F. Verghese G.C. PRINCIPLES OF POWER


ELECTRONICS 1991. Editorial Addison Wesley.

2)P T. Krein. ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998.Editorial Oxford.


University Press

3)Mohan N; Undeland T.M.Robbins W.P. POWER ELECTRONICS


Converters, application and design. 2003. Editorial John Wiley & Sons Inc.

4)Mitchell D.C. DC-DC SWITCHING REGULATOR ANALYSIS 1988 Editorial


Mc Graw -Hill

5)Texas Instruments. DESIGNING WITH THE TL5001 PWM CONTROLLER.


Application Report 1995.

6)INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC


pdf.www.onlinefreebooks.net. Julio 13 2008.

7) Texas Instruments. DESIGN SWITCHING VOLTAGE REGULATORS WITH


THE TL494. Application Report 2003

287
ACTIVIDADES

TEORÍA
1)Hacer un análisis comparativo entre una fuente lineal regulada y un fuente
conmutada
2)Enumerar algunas aplicaciones de los convertidores CD/CD
3)¿Qué es un convertidor aislado?
4)Interpretar el diagrama de bloques de un convertidor CD/CD.
5)¿Qué se entiende por celda canónica de conmutación?
6)Deducir la ecuación 5.03..
7)Dibujar la forma de onda del voltaje en el inductor en la fig. 5.04
8)Deducir la implementación de los interruptores del convertidor directo
reductor.
9)¿Cómo se transforma un convertidor directo reductor en elevador?
10)Deducir la implementación de los interruptores del convertidor directo
elevador.
11)Deducir los valores mínimos de L y C para el convertidor directo.
12)Deducir los modelos circuitales para determinar el rizado de corriente y
voltaje del convertidor directo.
13)Deducir los valores mínimo y máximo de la inductancia y capacitancia del
convertidor directo.
14)¿Qué es la inductancia crítica?¿Por qué es importante?
15)¿Cuál es el criterio para determinar la inductancia crítica de un
convertidor CD-CD?
16)Deducir la expresión para la inductancia crítica de un convertidor directo
reductor.
17)Deducir las expresiones de voltaje y corriente de un convertidor indirecto
.
18)Deducir la implementación de los interruptores de un convertidor directo
elevador mediante semiconductores.
19)Deducir las ecuaciones 5.15 y 5.16.
20)Determinar los valores mínimos de L y C de un convertidor indirecto.
21)Determinar la inductancia crítica del convertidor indirecto.
22)Analizar y comparar el convertidor buck/boost con el Cuk
23)Utilizar en el convertidotr CUK, un procedimiento similar al empleado en
el convertidor buck/boost,para establecer las relaciones entre los valores del
filtro y la impedancias de los puertos
24)Analizar e interpretar el diagrama de bloques de control del convertidor
directo reductor 288
ACTIVIDADES

TEORÍA
24)¿Qué es un convertidor aislado?¿Donde se utiliza?
25)Analizar y describir el funcionamiento de los siguientes convertidores:
push-pull, puente y fly-back.

289
PROBLEMAS

I1
1)El convertidor directo
L elevador de la figura, se utiliza
+ como cargador de baterías .El
+ 100v
_ 160v circuito de control provee una
_
corriente de carga constante
con una frecuencia de
conmutación de 20 Khz. La
I
Circuito de corriente iL es continua. Se
control
pide determinar el valor de L
para una corriente de rizado
pico-pico menor a 100 mA. Sí
Problema 1(1) I=20 A ¿cual es el valor
promedio de la corriente en el
inductor?.

I1 I2
2) En el convertidor
+
+ buck/boost de la figura, el
Rc capacitor de salida se modela
C1
V1
L V2 con un ESR= Rc.
C
_
Se asume que las inductancias
_
y capacitancias son ideales y
se pide:
a)Determinar V2 en función de
Problema 2(1) V1.
b)Sí I1=10 A ,D=0.5 y RL = 0.5Ω,
. se pregunta:¿ cuanto vale V2?

290
PROBLEMAS

3)El convertidor directo elevador


de la figura, conecta dos sistemas
externos tal como se muestra en
la figura adjunta. Se supone que L
R1 L
y C son muy grandes para ignorar
+ los rizados de corriente y voltaje.
V1 Se pide :
+_ Vo Ro a)Determinar en función de R0/R1
_
y de D la expresión para V0 /V1
B)La eficiencia del sistema.
c)El valor de D que maximiza el
voltaje de salida.
4) En el convertidor fly-back de
Problema 3(1) la figura, se asume V2=100V, para
voltajes en la entrada que varían
entre 10 y 14 V. Se asume de 0.8
V la caída de voltaje en el diodo y
i1 N:1 S2 i2 el transistor y D=0.5 para V1=12V;
ZL=R2=100Ω;fc=24khz.
Se pide:
+
a)Determinar el valor de la
+ V1 C inductancia crítica en el primario.
_ ZL V2
S1 b)Dibujar la forma de onda de la
_ corriente en el capacitor, para
L=Lc. c)Determinar el valor mínimo
de la capacitancia, que permite
obtener un valor pico-pico de
Problema 4(4) rizado inferior al 1%, del valor CD,
para L=Lc .d)Describir y justificar
las características del
transformador.
.

291
5) Para el circuito convertidor CD/CD de la figura, se supone que C es
muy grande para considerarse a V1 constante y que la resistencia
equivalente de Norton (RN) de la carga es pequeña. Se pide:
a) Determinar la clase del convertidor
b) Indicar la función de L y C.
c) Determinar la amplitud del rizado del voltaje en la salida (ΔVo=8mV).
d) Determinar los semiconductores que implementan los interruptores S1
y S2
D T L
. S1
+ +
V1 Vo RN Id
C S2 -
Problema 5 -

6) En el convertidor CD/CD directo de la figura L y C son muy


grandes y se debe adicionar a L una R que modele las pérdidas de
potencia del inductor. Se pide:
a) Justificar la naturaleza de los semiconductores que implementan a S1
y S2.
b) Formas de onda de la corriente en la carga, el capacitor y el inductor.
c) Determinar el valor de V2 en función de V1

Problema 6 I1 I2

+
+
Rc
C1
V1 V2
L
C
_ _

7 Para la misma carga y la misma fuente ,utilizadas en el diseño


del convertidor directo, realizar el diseño de un convertidor buck-
boost.
292
UNIDAD VI

CONVERTIDORES CD/CA

293
INTRODUCTION

DC/AC inversion technology is one of the main branches in power electronics.

It was established in the 1960s and grew fast in the 1980s. DC/AC inverters
convert DC power sources to AC power users. It is of vital importance for all
industrial applications, including electrical vehicles and renewable energy
systems. In recent years, inversion technology has been rapidly developed and
new topologies have been published, which largely improved the power factor
and increased the power efficiency.

DC/AC Inverters can be sorted into two groups: pulse-width modulation (PWM)
inverters and multilevel modulation (MLM) inverters. People are familiar with
PWM inverters, such as the voltage source inverter (VSI) and current source
inverter (CSI). They are very popular in industrial applications. The impedance-
source inverter (ZSI) was first introduced in 2003 and immediately attracted
many experts of power electronics to this area. Its advantages are so attractive
for research and industrial applications that hundreds of papers regarding ZSI
have been published in recent years.

All PWM inverters have the same main power circuits, that is, three legs for
three-phase output voltage. Multilevel inverters were invented in the 1980s.
Unlike PWM inverters, multilevel inverters have different main power circuits.
Typical ones are the diode-clamped inverters, capacitor clamped (flying
capacitor) inverters, and hybrid H-bridge multilevel inverters. Multilevel inverters
overcame the drawbacks of the PWM inverter and opened a broad way for
industrial applications

The power MOSFET is used up to 1-10 kW, while IGBTs are used at power
levels up to 100 kW. For even higher levels. GTOs, with reverse paralleled diodes
can be substituted

Due to world energy resource shortage, the development of renewable energy


sources is critical. The relevant topics such as energy-saving and power supply
quality are also paid much attention. Renewable energy systems require large
number of DC/DC converters and DC/AC inverters.

294
APPLICATIONS OF POWER INVERTERS

DC/AC inverters are used for converting a DC power source into AC power
applications. They are generally used in the following applications:
1.Variable voltage/variable frequency AC supplies in adjustable speed drive
(ASD), devices such as induction motor drives, synchronous machine drives, and
so on.

Adjustable speed induction motor drive systems are widely applied in industrial
applications. In general, variable speed drives are used to:
• Match the speed of a drive to the process requirements
• Match the torque of a drive to the process requirements
• Save energy and improve efficiency. The benefits of energy savings are not always
fully appreciated by many users. These savings are particularly apparent with
centrifugal pumps and fans, where load torque increases as the square of the speed
and power consumption as the cube of the speed.
Substantial cost savings can be achieved in some applications.

295
APPLICATIONS OF POWER INVERTERS

These systems require DC/AC power supply with variable


frequency usually from 0 Hz to 400 Hz in fractional horsepower
(HP) to hundreds of HP. A large number of DC/AC inverters are
in the world market. The typical block circuit of a
monitoring/regenerative is shown in Figure 2.1. From this block
diagram, we can see that the power DC/AC inverter produces
variable frequency and voltage to implement ASD.

Retroalimentación de proceso

Regulador Sensor de
controlable
Presión
Conversor Conversor
CA a CD CD a CA

60 - Hz Salida de
frecuencia motor
Control de y voltaje Carga
Entrada (bomba)
velocidad ajustable
de
potencia ajustable

2. Static variability (reactive power) compensations


3. Passive/active series and parallel filters
4. Flexible AC transmission systems (FACTSs).
5. Voltage compensations

296
APPLICATIONS OF POWER INVERTERS

2.Constant regulated voltage AC power supplies, such as uninterruptible


power supplies (UPSs)
Flujo de la energía

Activo
Interruptor de
transferenciaor
Inactivo

AC DC Salida

DC AC
Entrada Filtro Rectificador Inversor

_
+

Cargador Bateria

3. Static variability (reactive power) compensations


4. Passive/active series and parallel filters
5. Flexible AC transmission systems (FACTSs).
6. Voltage compensations

297
An electric vehicle power and drive system

298
BASIC CONCEPTS OF' SWITCH-MODE INVERTERS

Let us consider a single-phase inverter, which is shown in block diagram


form in Fig. 8-3a, where the output voltage of the inverter is filtered so that
v, can be assumed to be sinusoidal. Since the inverter supplies an
inductive load such as an ac motor,𝑖0 will lag 𝑣0 as shown in Fig. 8-36.
The output waveforms of Fig. 8-36 show that during interval 1, 𝑣0 and 𝑖0
are both positive, whereas during interval 3,𝑣0 and 𝑖0 are both negative.
Therefore, during intervals 1 and 3, the instantaneous power flow ,
𝑝0 =𝑣0 𝑖0 and is from the dc side to the ac side, corresponding to an inverter
mode of operation. In contrast 𝑣0 and 𝑖0 are of opposite signs during
intervals 2 and 4, and therefore po flows from the ac side to the dc side of
the inverter, corresponding to a rectifier mode of operation. Therefore, the
switch-mode inverter of Fig. 8-3a must be capable of operating in all four
quadrants of the 𝑖0 − 𝑣0 plane, as shown in Fig. 8-3c during each cycle of
the ac

299
GENERAL CATEGORIES OF VSIs INVERTERS
1.The VSIs can be further divided into the
following three
general categories:
Pulse-width-modulated inverters.
In these inverters, the input dc voltage
is essentially constant in magnitude,
such as in the circuit of Fig. 8-1, where a
diode is used to rectify the line voltage. Therefore, the inverter must control the
magnitude and the frequency of the ac output voltages. This is achieved by PWM
of the inverter switches and hence such inverters are called PWM inverters.
There are various schemes to pulse-width modulate the inverter switches in order to
shape the output ac voltages to be as close to a sine wave as possible. Out of these
various PWM schemes, a scheme called the sinusoidal PWM will be discussed in
detail, and some of the other PWM techniques will be described in a separate
section at the end of this chapter.
2. Square-wave inverters. In these inverters, the input dc voltage is controlled in
order to control the magnitude of the output ac voltage, and therefore the inverter
has to control only the frequency of the output voltage. The output ac voltage has a
waveform similar to a square wave, and hence these inverters are called square
wave inverters.
3. Single-phase inverters with voltage cancellation. In case of inverters with single
phase output, it is possible to control the magnitude and the frequency of the
inverter output voltage, even though the input to the inverter is a constant dc
voltage and the inverter switches are not pulse-width modulated (and hence the
output voltage waveshape is like a square wave). Therefore, these inverters
combine the characteristics of the previous two inverters. It should be noted that the
voltage cancellation technique works only with single-phase inverters and not with
three-phase inverters

300
INVERSORES DE BAJA
FRECUENCIA
(SQUARE WAVE INVERTERS)

301
6.1 INVERSOR DE VOLTAJE CON BAJA FRECUENCIA DE
CONMUTACIÓN(DE ONDA CUADRADA) 1
6.1.1 CARGA RESISTIVA
El convertidor CD/CA se conoce
también con el nombre de
inversor. El flujo de potencia es del
Vcd S1 S3 lado CD al CA.
R
+
_ ia Los interruptores conmutan a
_
+ vca baja frecuencia. Con S1 y S4, se
S2 S4
genera en la carga el semiperíodo
positivo, y con S2 y S3 se genera
el semiperíodo negativo.(fig. 6.02 a
a)Circuito(1)
y b).El valor eficaz del voltaje en la
carga es constante.
vca
Sí se requiere de un voltaje
variable, existen 2 opciones: a)Se
Vcd varía el voltaje CD, mediante un
S1,4 π 2
rectificador con control de fase..
π wt b)Se implementa una secuencia
S2,3
-Vcd de conmutación, que permita
generar un tercer estado, de
voltaje cero en la salida,, con
b)Salida (Vca)constante(1)
duración 2δ. en medio período
vca
La forma de onda del voltaje de
salida con el tercer estado, se
Vcd S2,4 muestra en la fig. 6.02c).
π+δ Para 0< wt <δ,se cierran S1 y
S1,4
S3,para (π-δ< wt <π+δ) se
δ π π S2,3 wt
-
cierran S2 y S4
-Vcd
S1,3 δ
1 𝜋−𝛿 2
c)Salida(Vca)variable(1) 𝑉𝑐𝑎 = න 𝑉𝑐𝑑 𝑑𝑤𝑡
𝜋 𝛿
.
Fig. 6.02 Inversor tipo puente con 2𝛿
carga resistiva 𝑉𝑐𝑎 = 𝑉𝑐𝑑 1 − (6.01)
𝜋

302
6.1.2 VSI DE ONDA CUADRADA ,CON CARGA RESISTIVA-INDUCTIVA

La fig. 6.03 a muestra un inversor


de voltaje con una carga resistiva –
inductiva. Si L/R > π/𝑤, se
S1 S3 puede ignorar la armónica de tercer
ia
+ va _ orden de la ∞
corriente
L R1
+
_ Vcd
𝑣𝑎 𝑡 = ෍ 𝑉𝑎𝑛 sen(𝑛𝑤𝑡)
S4
𝑛=1,3
S2 2𝜋
1
𝑉𝑎1 = න 𝑣 (𝑡) sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
𝜋 0 𝑎
4𝑉𝑑𝑐
a)Circuito(1) 𝑉𝑎1 = cos 𝛿 6.02
𝜋
𝑖𝑎 (𝑡) ≈ 𝐼𝑎1 sen 𝑤𝑡 − 𝜃 (6.03)
𝑤𝐿
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 6.04
I a1 𝑅
Vcd Va 𝑉𝑎1
ia≈ia1
𝐼𝑎1 = (6.05)
(𝑤𝐿)2 +𝑅 2
π 2π
wt
δϴ La potencia promedia entregada

a la carga ( R ) es:
-Vcd
-Ia1 𝑉𝑎1 𝐼𝑎1 cos 𝜃
𝑃= (6.06)
2
2
8𝑉𝑑𝑐
𝑃= 𝑐𝑜𝑠 2 𝛿 cos 𝜃
b)Formas de onda de v e i (1) 𝜋 2 (𝑤𝐿)2 +𝑅 2
(6.07)

Los interruptores deben ser


. Fig. 6.03 Inversor puente con bidireccionales. La potencia se
carga resistiva-inductiva puede controlar con δ

303
6.1.3 VSI CON CARGA DE F.E.M.

Un motor se modela por un inductor


en serie con una fuerza
electromotriz(f.e.m.)..
S3
S1 Va
Sí el inversor de tres estados
ia
+
L
+ _
alimenta un motor, o es la inter-fase
_ Vcd
entre un sistema fotovoltaico y un
Vca
S4 sistema eléctrico comercial ,se
S2 puede modelar por la fig. 6.04 a). La
fig. 6.04b) muestra las formas de
onda de los voltajes

a)Circuito(1)
𝑉𝑐𝑎 = 𝑉𝑐𝑎 < 0°;

4𝑉𝑐𝑑
vca Va1 𝑉𝑎1 = cos 𝛿 < −𝜑
Vcd Va
2𝜋
𝑉𝑎1 𝑉𝑐𝑎
𝐼𝑎1 = −
π+ɸ wt 𝑤𝐿 < 90° 𝑤𝐿 < 90°
ɸ π 2π
(6.08)
-Vcd La potencia transferida a la fuente
es:

𝑃 = 𝑉𝑐𝑎 𝐼𝑎1 cos 𝜑 (6.09)


b)Formas de onda de voltajes(1) 𝜑 = ángulo entre el fasor Vca , y el
fasor Ia1

. Fig 6.04 Puente inversor con La potencia se puede controlar


carga con f.e.m. mediante las variables δ y φ

304
6.2 INVERSOR DE CORRIENTE DE BAJA FRECUENCIA DE
CONMUTACIÓN 1

Sí en la fig. 6.04 a), L es grande y se


ubica en el lado CD, para no degradar
S1 S3 el factor de potencia, el sistema se
ia modela por una fuente de
+ _ corriente(fig.6.05a). Dependiendo de la
Icd
Vca estrategia de control de los
S2 S4 interruptores, el sistema funciona
como rectificador o inversor.
Como inversor, las formas de onda de
v e i se muestran en la (fig.6.05b)
1 𝑇 𝑉𝑐𝑎 𝐼𝑎1
a)Circuito(1) 𝑃 = න 𝑣𝑐𝑎 𝑖𝑎 𝑑𝑡 = cos 𝜃
.
𝑇 0 2
2𝐼𝑐𝑑 𝜋−𝛿
𝐼𝑎1 = න sen 𝑤𝑡 𝑑(𝑤𝑡)
𝜋 𝛿

vca
4𝐼𝑐𝑑
Vca ia 𝐼𝑎1 = cos 𝛿
Icd S3,4 𝜋
S2,3
ϴ π wt
2𝑉𝑐𝑎 𝐼𝑐𝑑
0 𝑃= cos 𝛿 cos 𝜃 (6.10)
π+ϴ 2π 𝜋
S1,4
-Icd
S1,2
-Vca En ciertas situaciones, es conveniente
2
δ
controlar P con δ y no con θ, ya
que esta opción implica interruptores
b)Forma de onda de ia(1) bidireccionales, y además el control
por θ reduce el factor de potencia
en la carga,lo que mantiene las
pérdidas a pesar de que se reduce la
. Figura 6.05 Fuente inversora de potencia transferida
corriente

305
DISPARO DEL INVERSOR DE BAJA FRECUENCIA Y CARGA
RESISTIVA

Se compara una señal de referencia (control) de voltaje constante ,con un


Un voltaje triangular de baja frecuencia

306
SINGLE PHASE INVERTERS WITH VOLTAGE
CANCELLATION

307
6.3 INVERSORES DE BAJA FRECUENCIA CON CANCELACIÓN DE
ARMÓNICOS

Va

Vcd γ 2
δ
El control de los interruptores en
γ el convertidor CD/CA, de baja
0
δ T/2 T t frecuencia, tiene como propósito
la reducción de los armónicos.
-Vcd La reducción de armónicos se
puede realizar de 2 maneras:
a)Eliminación de armónicos(1) a)Se controlan los interruptores
V1 con δ=30° y generando
estados de voltaje 0 en wt=54°
Vcd
2
y 114° con duración de
S1 S2 + + S1,4 S1,4 12°,para eliminar los armónicos
Vcd S2,3 T de orden 3 y 5(fig.6.06a).
-
2 +
_
V1
Vcd b)Se puede eliminar la armónica
2 V2 de orden 3(onda alterna con
S3 S4 Vcd δ=30° ,mediante la adición de 2
_ 2 S5,8 ondas rectangulares (fig.6.03) de
Vd δ S6,7 T
-Vcd
t amplitud Vcd/2, desfasadas
+ TS6,7
2 60°(fig.6.06b). A este proce
S5 S6 Vd
dimiento se le conoce, como
Vcd Vcd
V2 cancelación de armónicas.
2 +
_ Un método alterno de reducir
T
δT
armónicas, consiste en desplazar
S7 t
S8 _ _ las armónicas a frecuencias muy
- altas, para minimizarlas con filtros
Vcd
pequeños y con poca atenuación
b)Cancelación de armónicos(1) de la baja frecuencia (técnica
Fig 6.06 . Reducción de armónicos PWM)
.
en inversores de baja frecuencia de
conmutación

308
INVERSORES
PWM
(PULSE WIDTH MODULATION)

309
6.4 INVERSORES CON MODULACION DE ANCHO DE PULSO 1

6.4.1 DEL CONVERTIDOR CD/CD AL INVERSOR PWM

Se aplica al transistor del


+ L
convertidor reductor de la fig.6.07a),
d(t) + +
V2
una relación de trabajo que varía de
V1 Vd R
_ acuerdo a una ley sinusoidal, con
_
una frecuencia angular ( 𝒘𝒂 ) mucho
_
menor que la frecuencia de
conmutación(1/T)
a)Circuito(1) 𝑑 𝑡 = 0.5 + 0.25 sen 𝑤𝑎 𝑡
(6.11)
Vd 2𝜋 𝐿
V1 ≫ ≫𝑇 (6.12)
𝑤𝑎 𝑅

La forma de onda del voltaje vd,


t resulta modulada en el ancho del
T 2T pulso, con una componente CD
b)Forma de onda de vd(1) (0.5V1), una componente de
frecuencia 𝑤𝑎 , y otras componen
V2 tes no deseadas, con frecuencias
igual y superiores a la frecuencia de
0.75V1 conmutación.
0.5V1
0.25V1
t Si al voltaje 𝑣𝑑 , se le aplica un
_π_ 2π_
Wa Wa
filtro pasa-bajo (L-R),el valor
promedio local(valor promedio de 𝑣2
para cada ancho de pulso) presenta
c)Forma de onda de v2(1) una forma de onda (fig. 6.07b )
idéntica a la señal aplicada al
transistor, pero amplificada en
. Fig 6.07 Convertidor reductor potencia
con relación de trabajo variable

310
6.4 INVERSORES CON MODULACION DE
ANCHO DE PULSO 1
6.4.1 DEL CONVERTIDOR CD/CD AL INVERSOR PWM

d(t)=k lsen wt| i₂


Se aplica al transistor del
+ +
Q1 Q3
convertidor reductor de la fig. 6.08
d(t) a), una relación de trabajo senoidal
+ R
V1 Vd V2
_ + Vca _ 𝑑 𝑡 = 𝐾𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑎 𝑡 (6.13)
Q2 Q4 .
0≤ 𝐾 ≤ 1
_ _ K=índice de modulación
El voltaje v2, resulta ser una onda
a)Circuito(1) rectificada de frecuencia angular 𝑤𝑎 ,
y de amplitud KV1 (fig. 6.08 b).
V2 La forma de onda de 𝑣2 se
KV1 puede “desrectificar”, utilizando un
puente de cuatro interruptores
i(transistores), que conmutan a la
wt frecuencia angular 𝑤𝑎 , y se obtiene
π 2π
en la carga un voltaje sinusoidal
b)Forma de onda de v2(1) (fig.6.08 c).

La forma de onda en v2 no se
V2
aproxima a 0 de una manera
KV1 sinusoidal, sino exponencial debido a
la acción del inductor . Esta
Q1,4
wt situación produce una distorsión en
Q2,3 el punto de cruce de valores
-KV1 positivos a negativos, y puede
generar una serie de armónicas de
c)Forma de onda de vca (1)
frecuencia 𝑤𝑎 inconvenientes. Esta
. Fig 6.08 Convertidor reductor situación se puede resolver, si se
con relación de trabajo sinusoidal ubica el inductor dentro del puente

311
6.4 INVERSORES CON MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO 1

6.4.2 CONVERTIDOR CD/CD Y “DESRECTIFICADOR”

i2 La fig. 6.09 a) muestra la


S5
topología del inversor PWM. Los
+
interruptores S5 y S6 conmutan a
S1 S3 alta frecuencia, con una relación
+ ia Va
R - de trabajo “sinusoidal absoluta” de
c baja frecuencia, para generar en v2
V1 V₂ L
- + vac _ un voltaje rectificado de baja
S4
frecuencia, el cual se
S2
«desrectifica», mediante los
- interruptores S1,S2,S3 y S4, para
producir el voltaje senoidal de baja
frecuencia en la carga resistiva
a)Circuito(1) La fig. 6.09b muestra la
implementación del circuito de la
fig. 6.09 a).El inductor en serie con
la carga, reduce la distorsión en el
punto de cruce por cero del
D5
voltaje alterno.
El diodo conectado en antiparalelo
Q5 con los transistores provee
+ bidireccionalidad en la corriente,D5
Q1 D1 Q3 D3
+ y D6 deben ser de alta frecuencia
c
V1 D6 Q5 V₂ (diodos fast). La dificultad para la
- implementación es, que se
Q2 D2 Q4 D4 requieren tiempos de conmutación
- muy precisos, debido a las
posibles trayectorias de
b)Implementación del circuito a) (1) cortocircuito. Por ejemplo
cualquier solapamiento de los
transistores Q1 y Q2 hacen
.
funcionar a Q5 en condición de
Fig. 6.09 Convertidor CD/ CD y cortocircuito.
“desrectificador “

312
6.4 INVERSORES CON MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO
6.4.3 I NVERSOR PUENTE PWM UNIPOLAR

Sí en el circuito de la fig. 6.09 a)


S5 permanece cerrado y S6
abierto, se puede generar en la
+
D1
carga un voltaje alterno con
Q1 Q3 D3
L + vca - modulación de ancho de pulso,
Vcd controlando los interruptores S1 y
+ va -
R S2 con PWM alta frecuencia.
D2 Q4 D4
-
Q2 .Este circuito se muestra en la
fig. 6.10 a) y la forma de onda de
la rama puente en la fig. 6.10 b).
Para generar el semiperíodo
a)Circuito(1) positivo se conmutan a alta
frecuencia(1/T) Q1 y a baja
frecuencia Q4.El semiperíodo
negativo se obtiene de la
conmutación a alta frecuencia de
va Q2 y Q3 a baja frecuencia. Si Q1
va1
conmuta, Q2 está apagado. Q3 y
Vcd
Q4 se comportan de manera
S3 on
S1,S2 modulados
análoga. La frecuencia de
t
conmutación de Q3 y Q4 es la
T 2T
2π_
Wa
baja frecuencia(wa/2π) que se
S4 on
S1,S2 modulados
desea obtener en la carga (R-
-Vcd L).
Para filtrar la alta frecuencia, se
requiere un filtro de segundo
b)Forma de onda en el puente(1) orden y el valor de L debe ser :
2𝜋 𝐿
≫ ≫𝑇 (6.14)
𝑤𝑎 𝑅
. Fig 6.10 Inversor PWM El inversor PWM facilita más que
cualquier otro método, la
reducción de armónicos

313
6.4.3.2 FILTRO DE SEGUNDO ORDEN PASA BAJO

Para limitar el paso de las armónicas de


voltaje de alta frecuencia y permitir el
paso de las de baja frecuencia, a la salida
del puente H (𝑣𝑖𝑛 ) se conecta un filtro
pasa bajo de segundo orden. El valor de la
inductancia se obtiene con la ecuación
6.14.

El filtro pasa bajo de segundo orden de la


figura tiene un función de transferencia
de

1ൗ
𝐻 𝑠 = 𝐿𝐶
𝑠 2 + (1ൗ𝑅𝐶) 𝑠 + 1ൗ𝐿𝐶

1
𝑤0 = = frecuencia de corte. Se utilizan
𝐿𝐶
valores entre 1 y 2 KHz.

Filtro de segundo orden 𝑄 = 𝑤0 𝑅𝐶(factor de calidad del filtro)

Se debe establecer una frecuencia de


corte, a partir de la cual se atenúen las
armónicas dede frecuencia superior y
permita el paso de las de menor
frecuencia

Si se utiliza modulación unipolar los


armónicos de la tensión modulada
aparecen en los múltiplos del doble de la
frecuencia de conmutación.

314
PULSE-WIDTH-MODULATED SWITCHING SCHEME

When a control signal 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 (constant or slowly varying in time) was


compared with a repetitive switching frequency triangular waveform, in order to
generate the switching signals, we have a pulse width modulated switching
scheme . Controlling the switch duty ratios in this way allowed the average dc
voltage output to be controlled
In inverter circuits, the PWM is a bit more complex, since as mentioned earlier,
we would like the inverter output to be sinusoidal with magnitude and frequency
controllable.
In order to produce a sinusoidal output voltage waveform at a desired frequency,
a sinusoidal control signal at the desired frequency is compared with a triangular
waveform, as shown in Fig. 8-5a. The frequency of the triangular waveform
establishes the inverter switching frequency and is generally kept constant
along with its amplitude 𝑉𝑡𝑟𝑖 .
Before discussing the PWM behavior, it is necessary to define a few terms. The
triangular waveform 𝑉𝑡𝑟𝑖 in Fig. 8-5a is at a switching frequency 𝑓𝑠 , which
establishes the frequency with which the inverter switches are switched (𝑓𝑠 is
also called the carrier frequency). The control signal 𝒗𝒄𝒐𝒏𝒕𝒓𝒐𝒍 is used to modulate
the switch duty ratio and has a frequency 𝒇𝟏 , which is the desired fundamental
frequency of the inverter voltage output,( 𝑓1 is also called the modulating
frequency), recognizing that the inverter output voltage will not be a perfect
sine wave and will contain voltage components at harmonic frequencies of 𝑓1 .
The amplitude modulation ratio 𝑚𝑎 is defined as.

𝑽𝒄𝒐𝒏𝒕𝒓𝒐𝒍
𝒎𝒂 =
𝑽𝒕𝒓𝒊𝒂

where 𝑽𝒄𝒐𝒏𝒕𝒓𝒐𝒍 is the peak amplitude of the control signal. The amplitude 𝑽𝒕𝒓𝒊𝒂
of the triangular signal is generally kept constant.

315
PULSE-WIDTH-MODULATED SWITCHING SCHEME

316
PULSE-WIDTH-MODULATED SWITCHING SCHEME

The frequency modulation ratio 𝑚𝑓 is defined as:


𝑓𝑠
𝑚𝑓 =
𝑓1
In the inverter of Fig. 8-46, the switches 𝑇𝐴+ and 𝑇𝐴− are controlled based on the
comparison of 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 and 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎. and the following output voltage results,
independent of the direction of 𝑖0

𝑉𝑑
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 > 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 𝑇𝐴+ is on 𝑣𝐴0 =
2
𝑉𝑑
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 < 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 𝑇𝐴− is on , 𝑣𝐴0 = −
2

Since the two switches are never off simultaneously, the output voltage 𝑣𝐴𝑜
𝑉 𝑉
fluctuates between two values( 𝑑 and − 𝑑 ).Voltage 𝑣𝐴𝑜 and its fundamental
2 2
frequency component (dashed curve) are shown in Fig. 8.5 b, which are drawn for
𝑚𝑓 = 𝟏𝟓 and 𝑚𝑎 = 0.8.

The harmonic spectrum of 𝑣𝐴0 under the conditions indicated in Figs. 8-5a and
8-5 b is shown in Fig. 8-5c, where the normalized harmonic voltages
,𝑉𝐴0 1
ൗ𝑉𝑑ൗ having significant amplitudes are plotted. This plot (for 𝑚𝑎 ≤ 1 ) shows
2
three items of importance:
1. The peak amplitude of the fundamental-frequency component (VA01 ) is 𝒎𝒂 times
𝑉𝑑
.This can be explained by first considering a constant 𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 as shown in Fig. 8-
2
6a.This results in an output waveform 𝑣𝐴0 . It can be noted that the average output
voltage (ormore specifically, the output voltage averaged over one switching time
period (T, = 1ൗ𝑓𝑠) , 𝑣𝐴0 , depends on the ratio of 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 to 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔 for a given 𝑉𝑑

317
PULSE-WIDTH-MODULATED SWITCHING SCHEME

𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 𝑉𝑑
𝑉𝐴0 = 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔 2
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 ≤ 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔

Let us assume (though this assumption is not necessary) that 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 varies
very little during a switching time period, that is, 𝑚𝑓 is large, as shown in Fig. 8-
6b. Therefore, assuming 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 to be constant over a switching time period,
equation indicates how the“instantaneous average” value of 𝑣𝐴0 (averaged over
one switching time period 𝑇𝑠 ) varies from one switching time period to the next.
This “instantaneous average” is the same as the fundamental-frequency
component of 𝑣𝐴0 .

318
PULSE-WIDTH-MODULATED SWITCHING SCHEME

The foregoing argument shows why 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 is chosen to be sinusoidal to provide a


sinusoidal output voltage with fewer harmonics. Let the control voltage vary
sinusoidally at the frequency 𝑓1 = 𝑤1Τ2𝜋 which is the desired (or the fundamental)
frequency of the inverter output
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 =𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 𝑠𝑒𝑛 𝑤1 𝑡
𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 ≤ 𝑉𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔
Using Eqs. 8-4 and 8-5 and the foregoing arguments, which show that the
fundamental- frequency component 𝑣𝐴01 varies sinusoidally and in phase with
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 as a function of time, results in

𝑉𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 𝑉𝑑 𝑉𝑑
𝑣𝐴01 = sen(𝑤1 𝑡) = 𝑚𝑎 sen(𝑤1 𝑡) for 𝑚𝑎 ≤ 1
𝑉𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔 2 2
𝑉𝑑
𝑣𝐴01 =(𝑉𝐴𝑂 )1 sen(𝑤1 𝑡) (𝑉𝐴𝑂 )1 = 𝑚𝑎
2

which shows that in a sinusoidal PWM, the amplitude of the fundamental-


frequency component of the output voltage varies linearly with 𝑚𝑎 (provided
𝑚𝑎 ≤ 1).
Therefore, the range of 𝑚𝑎 from 0 to 1 is referred to as the linear range.

2. The harmonics in the inverter output voltage waveform appear as sidebands,


centered around the switching frequency and its multiples, that is, around
harmonics 𝑚𝑓, 2𝑚𝑓, ,3𝑚𝑓, ,and so on. This general pattern holds true for all values of
𝑚𝑎 in the range 0- 1.

319
PULSE-WIDTH-MODULATED SWITCHING SCHEME

For a frequency modulation ratio 𝑚𝑓 ≤ 9 (which is always the case, except in very
high power ratings), the harmonic amplitudes are almost independent of 𝑚𝑓 though
𝑚𝑓 defines the frequencies at which they occur.
Theoretically, the frequencies at which voltage harmonics occur can be indicated as
𝒇𝒉 = (𝒋𝒎𝒇 ∓ 𝒌)𝒇𝟏
that is, the harmonic order h corresponds to the kth sideband of j times the
frequency modulation ratio 𝒎𝒇 .

ℎ = 𝑗(𝑚𝑓 ) ∓ 𝑘

where the fundamental frequency corresponds to h=1 . For odd values of j , the
harmonics exist only for even values of k. For even values of j , the harmonics
exist only for odd values of k
It will be useful later on to recognize that in the inverter circuit of Fig. 8-4
𝑽𝒅
• 𝒗𝑨𝑵 = 𝒗𝑨𝑶 +
𝟐
Therefore, the harmonic voltage components in 𝒗𝑨𝑵 and 𝒗𝑨𝑶 ,are the same:

Table 8-1 shows that Eq. 8-7 is followed almost exactly Table 8-1 shows that Eq. 8-
7 is followed almost exactly and the amplitude of the fundamental component in
the output voltage varies linearly with ma.

3. The harmonic 𝑚𝑓 should be an odd integer. Choosing 𝑚𝑓 as an odd integer

320
GENERALIZED HARMONICS OF PWM INVERTER

,𝑉𝐴0 ℎ
In Table 8-1, the normalized harmonics ൗ𝑉𝑑ൗ are
2
tabulated as a function of the amplitude modulation ratio
𝑚𝑎 assuming 𝑚𝑓 ≥ 9 Only those with significant
amplitudes up to j = 4 in Eq. 8-8 are shown.

321
EXAMPLE :CALCULATE THE RMS VALUES OF THE
FUNDAMENTAL AND SOME DOMINANT HARMONICS

In the circuit of Fig. 8-4, 𝑉𝑑 = 300 V, 𝒎𝒂 = 0.8, 𝑚𝑓 = 39, and the fundamental
frequency is 47 Hz. Calculate the rms values of the fundamental-frequency voltage
and some of the dominant harmonics in 𝒗𝑨𝑶 using Table 8-1.

SOLUTION

From Table 8- 1, the rms voltage at any value of h is given as


1 𝑉𝑑 (𝑉𝐴𝑂 )ℎ (𝑉𝐴𝑂 )ℎ
(𝑉𝐴𝑂 )ℎ = 𝑉𝑑 =106.7 𝑉𝑑
2 2 ൗ2 ൗ2

Therefore, from Table 8-1 the rms voltages are as follows:

Fundamental: (𝑉𝐴𝑂 )1 106.07 X 0.8 = 84.86 V at 47 HZ

• (𝑉𝐴𝑂 )37= 106.07 X 0.22 = 23.33 V at 1739 HZ

• (𝑉𝐴𝑂 )39= 106.07 X 0.818 = 86.76 V at 1833 HZ ?

• (𝑉𝐴𝑂 )41= 106.07 X 0.22 = 23.33 Vat 1927 HZ

• (𝑉𝐴𝑂 )77 at 1833 HZ = 106.07 X 0.314 = 33.31 V at 3619 HZ

• (𝑉𝐴𝑂 )79= 106.07 X 0.314 = 33.31 V at 3713 HZ

322
OVERMODULATION PWM

In the previous discussion, it was assumed that 𝑚𝑎 ≤ 1


corresponding to a sinusoidal PWM in the linear range

.Therefore, the amplitude of the fundamental-frequency


voltage varies linearly with 𝑚𝑎 as derived in Eq. 8-7.

In this range of 𝑚𝑎 ≤ 1 PWM pushes the harmonics into


a high-frequency range around the switching frequency
and its multiples.

In spite of this desirable feature of a sinusoidal PWM in


the linear range, one of the drawbacks is that the
maximum available amplitude of the fundamental-
frequency component is not as high as we wish. This is a
natural consequence of the notches in the output voltage
waveform of Fig. 8-5b.

To increase further the amplitude of the fundamental-


frequency component in the output voltage, 𝑚𝑎 is
increased beyond 1.0, resulting in what is called
overmodulation.

323
OVERMODULATION PWM

Overmodulation causes the output voltage to contain many more


harmonics in the sidebands as compared with the linear range
(with 𝑚𝑎 ≤ 1), as shown in Fig. 8-7.

The harmonics with dominant amplitudes in the linear range may


not be dominant during overmodulation.

More significantly, with overmodulation, the amplitude of the


fundamental-frequency component does not vary linearly with
the amplitude modulation ratio 𝑚 𝑎

Figure 8-8 shows the normalized peak amplitude of the


(𝑉 )1
fundamental-frequency component 𝑉𝐴𝑂
𝑑ൗ
function of the
2
amplitude modulation ratio 𝑚𝑎 .

(𝑉 ) 1
Even at reasonably large values of 𝑚𝑓 𝑉𝐴𝑂𝑑ൗ
depends on 𝑚𝑓
2
the overmodulation region. This is contrary to the linear range
(𝑉 ) 1
𝑚𝑎 ≤ 1 where 𝑉𝐴𝑂 𝑑ൗ
varies linearly with 𝑚𝑎 almost
2
independent of 𝑚𝑓 (provided 𝑚𝑓 > 9).

324
OVERMODULATION PWM

With overmodulation regardless of the value of 𝑚𝑓 it is recommended that a


synchronous PWM operation be used, thus meeting the requirements
indicated previously for a small value of .

The overmodulation region is avoided in unintermptible power supplies


because of a stringent requirement on minimizing the distortion in the output
voltage. In induction motor drives , overmodulation is normally used. For
sufficiently large values of 𝑚𝑎 the inverter voltage waveform degenerates
from a pulse-width-modulated waveform into a square wave.

325
FULL-BRIDGE INVERTERS (SINGLE PHASE)

A full-bridge inverter is shown in Fig. 8- 11.


This inverter consists of two one-leg inverters of the type discussed in
Section 8-2 and is preferred over other arrangements in higher power
ratings. With the same dc input voltage, the maximum output voltage of
the full-bridge inverter is twice that of the half-bridge inverter. This
implies that for the same power, the output current the switch currents
are one-half of those for a half-bridge inverter.
At high power levels, this is a distinct advantage, since it requires less
paralleling of devices.

326
FULL-BRIDGE INVERTERS (SINGLE PHASE)

• Here, the diagonally opposite switches(𝑇𝐴+, 𝑇𝐵− )and(𝑇𝐴−, 𝑇𝐵+ ) from the two
legs in Fig. 8-1 1 are switched as switch pairs 1 and 2, respectively. With this
type of PWM switching, the output voltage waveform of leg A is identical to
the output of the basic one-leg inverter in Section 8-2, which is determined in
the same manner by comparison of 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 and 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔 in Fig. 8-12a. The
output of inverter leg B is negative of the leg A output; for example, when 𝑇𝐴+,
𝑽𝒅
is on and 𝒗𝑨𝑶 is equal to , 𝑇𝐵− is also
𝟐
𝑽𝒅
• on and 𝒗𝑩𝑶 = - Therefore
𝟐

327
FULL-BRIDGE INVERTERS (SINGLE PHASE)

𝒗𝑨𝑶 𝒕 = −𝒗𝑩𝑶 (𝒕)(8-17)


and
𝑣0 (𝑡)=𝒗𝑨𝑶 𝒕 − 𝒗𝑩𝑶 𝒕 = 2𝒗𝑨𝑶 𝒕 (8- 18)

The 𝑣0 (𝑡) waveform is shown in Fig. 8-12b.

The analysis carried out in Section 8-2 for the basic one-leg inverter completely
applies to this type of PWM switching. Therefore, the peak of the fundamental-
frequency component in the output voltage can be obtained from Eqs. 8-7, 8-12,
and 8-18 as
𝑽𝟎𝟏 = 𝒎𝒂 𝑽𝒅 𝒎𝒂 ≤ 𝟏 (8-19)
And
4
𝑉𝑑 < 𝑉01 < 𝑽𝒅 𝒎𝒂 > 𝟏
𝜋

In Fig. 8-12b, we observe that the output voltage 𝑣0 (𝑡) switches between -𝑽𝒅 and +
𝑽𝒅 voltage levels. That is the reason why this type of switching is called a PWM
with bipolar voltage switching.

The amplitudes of harmonics in the output voltage can be obtained by using Table
8-1, as illustrated by the following example.

328
VALUES OF HARMONICS IN A SINGLE PHASE FULL-BRIDGE
INVERTERS

In the full-bridge converter circuit of Fig. 8-11,𝑉𝑑 = 300 𝑉 ,𝒎𝒂 = 𝟎, 𝟖, 𝒎𝒇 =


𝟑𝟗,and the fundamental frequency is 47 Hz.

Calculate the rms values of the fundamental-frequency voltage and some of the
dominant harmonics in the output voltage 𝑣0 if a PWM bipolar voltage-switching
scheme is used.
Solution
From Eq. 8-18, the harmonics in 𝑣0 can be. obtained by multiplying the harmonics
in Table 8-1 and Example 8-1 by a factor of 2. Therefore from Eq. 8-1 1, therms
voltage at any harmonic h is given as

1 𝑉𝑑 (𝑉𝐴𝑂 )ℎ 𝑉𝑑 (𝑉𝐴𝑂 )ℎ (𝑉𝐴𝑂 )ℎ


(𝑉𝑂 )ℎ = 2 𝑉𝑑 = 𝑉𝑑 =212,3 𝑉𝑑
2 2 ൗ2 2 ൗ2 ൗ2

Therefore, the rms voltages are as follows:


Fundamental: (𝑽𝟎 )𝟏 = 212.13 X 0.8 = 169.7 V at 47 Hz
• (𝑽𝟎 )𝟑𝟕 = 212.13 X 0.22 = 46.67 V at 1739 Hz
• (𝑽𝟎 )𝟑𝟗 212.13 X 0.818 = 173.52 V at 1833 Hz
• (𝑽𝟎 )𝟒𝟏 = 212.13 X 0.22 = 46.67 V at 1927 Hz
• (𝑽𝟎 )𝟕𝟕 = 212.13 X 0.314 = 66.60 V at 3619 Hz
• (𝑽𝟎 )𝟕𝟗 = 212.13 X 0.314 = 66.60 V at 3713 Hz

329
PWM WITH UNIPOLAR VOLTAGE SWITCHING

In PWM with unipolar voltage switching, the switches in the two legs of the full-
bridge inverter of Fig. 8-1 1 are not switched simultaneously, as in the previous
PWM scheme.
Here, the legs A and B of the full-bridge inverter are controlled separately by
comparing𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 with 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 respectively. As shown in Fig. 8-15a, the comparison
of 𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 with the triangular waveform results in the following logic signals to
control the switches in leg A:
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 > 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 𝑇𝐴+ 𝑜𝑛 𝑎𝑛𝑑 𝑣𝐴𝑁 = 𝑉𝑑 (8-29)
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 < 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 𝑇𝐴− 𝑜𝑛 𝑎𝑛𝑑 𝑣𝐴𝑁 = 0
The output voltage of inverter leg A with respect to the negative dc bus N is shown
in Fig.8.15 b. For controlling the leg B switches, -𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 is compared with the
same triangular waveform, which yields the following:
(−𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 > 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 𝑇𝐵+ 𝑜𝑛 𝑎𝑛𝑑 𝑣𝐵𝑁 = 𝑉𝑑 -(8-30)
(-𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 < 𝑣𝑡𝑟𝑖𝑎 𝑇𝐵− 𝑜𝑛 𝑎𝑛𝑑 𝑣𝐵𝑁 = 0
Because of the feedback diodes in antiparallel with the switches, the foregoing
voltages given by Eqs. 8-29 and 8-30 are independent of the direction of the output
current 𝑖0

330
PWM WITH UNIPOLAR VOLTAGE SWITCHING

331
PWM WITH UNIPOLAR VOLTAGE SWITCHING

The waveforms of Fig. 8-15 show that there are four combinations of
switch on-states and the corresponding voltage levels:

332
6.4 .4 CIRCUITOS DE DISPARO

6.4.4.1 GENERACIÓN DE LA RELACIÓN DE TRABAJO

La relación de trabajo con ancho


de pulso modulado, según una ley
Comparador
sinusoidal [g(t)] se genera
comparando una onda de referencia,
+ g(t)
_
para el caso una senoidal absoluta
con una onda triangular
vs + unipolar(6.11a). Se conecta al
_ vT
+
_ terminal no inversor de un
comparador de voltaje, la señal
senoidal absoluta(𝑣𝑆 ), y al terminal
inversor una señal triangular
a)Circuito
unipolar(𝑣𝑇 ) de alta frecuencia.
La salida g(t) será alta cuando la
onda seno es mayor que la
vT
triangular, y será cero en caso
vs
l contrario. La duración de cada pulso
k la determina el valor de la onda
seno, en el instante de comparación
t
con la portadora de alta frecuencia
(𝑣𝑇 )
d(t1) d(t2)
g(t)
𝑑 𝑡 = 𝐾𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑎 𝑡 (6.15)
0≤ 𝐾 ≤ 1
t

La amplitud de la onda sinusoidal


b)Formas de onda rectificada (K) se denomina índice
de modulación , y permite variar la
. amplitud de la fundamental de
Fig 6.11 Generación de la relación voltaje en la carga.
de trabajo sinusoidal PWM

333
6.4.4.2 CIRCUITO DE DISPARO PARA EL PUENTE INVERSOR

Fig.6.12.Circuito de control PWM escalar de componentes discretos.

Los modos de operación PWM,en los inversores se pueden agrupar de la


siguiente manera:
• Pulso único (con referencia lineal constante o referencia senoidal)
• Pulsos Múltiples idénticos (con referencia lineal constante)
• Pulsos Múltiples no idénticos: a) con Referencia Senoidal; b) con Referencia
Senoidal Modificada. c) con Control Vectorial (en trifásica) Los modos de
operación escalar, se pueden generar con C.I. específicos o utilizando
componentes discretos
La figura 6.12 muestra un circuito de control PWM, con componentes discretos..

334
CIRCUITO DE CONTROL PARA EL PUENTE INVERSOR

El generador 𝑉1, produce la señal portadora, triangular de alta frecuencia,𝑉2,


genera el semiperíodo positivo de la señal de referencia y 𝑉3, el semiperíodo
negativo.
El comparador 1, produce una señal de salida positiva, en el semiperíodo positivo,
cuando la referencia 𝑉2, es mayor que la portadora y nivel cero cuando la
referencia es menor que la portadora. Igualmente el comparador 2 durante el
semiperíodo negativo.
La salida del comparador 1 se aplica a la compuerta de los
transistores 𝑄1 ,y 𝑄2 ,simultáneamente. De igual manera la salida del comparador 2
sobre 𝑄3 , y 𝑄4
Para aislar el circuito de disparo, del circuito de potencia en los transistores 𝑄1 ,y
𝑄3 que funcionan en alto, se utilizan optoacopladores digitales, en las salidas de
los comparadores.
Los transistores 𝑄2 ,y 𝑄4, , que funcionan en bajo no requieren de aislamiento.
El circuito de control se puede implementar de otras formas, por ejemplo con un
solo generador de referencia y circuitos inhibidores para producir los dos
semiperíodos..
También se utilizan circuitos integrados que satisfacen ampliamente las exigencias
de las distintas aplicaciones y que contienen no solo las partes mostradas en la
fig.6.12 sino además circuitos complementarios para un funcionamiento seguro,
incluyendo temporizadores que impiden la conducción simultanea de los dos
elementos de una misma rama del puente, etc.
Para el control de pulsos múltiples de referencia senoidal monofásicos, se pueden
utilizar los microcontroladores PIC 16F873 complementados con los drivers
monofásicos de la serie I.R. 2110.

335
PWM DE PULSO MULTIPLE Y REFERENCIA SENOIDAL

En este caso, las fuentes V2 y V3 de la fig.6.12 generan las dos señales de


referencia senoidal, que se comparan con la portadora triangular como se muestra
en fig.6.13

Se observa, que el ancho de los pulsos varía de acuerdo a una ley senoidal
Para obtener el pulso más ancho centrado en T/2 y en 3T/2 respectivamente, las tres
señales comienzan y terminan con valor cero.

Dado que p = 8 pulsos por semiperíodo, el voltaje de salida presenta solamente 7


pulsos por semiperíodo, y puede apreciarse la simetría respecto a π y 2/π.
Comparando las figuras 9 y 11 vemos que el control SPWM presenta una mejora
respecto al de referencia constante, para iguales cantidad de pulsos y condiciones
de carga.

Este control tiene la ventaja de que los armónicos (más importantes en valor) de
menor orden que aparecen tienen una frecuencia cercana a la frecuencia fp de la
portadora. Es decir, las armónicas de menor orden existentes responden a la
siguiente ecuación: n = 2 p k con k = 1, 3, 5,... ( p es la cantidad de pulsos de salida
en un semiperíodo) ±

Por tanto los armónicos menores a 2 p – 1 no existen en el SPWM.


En el ejemplo de figs. 10 y 11, con p = 7 pulsos de salida por semiperíodo, los dos
primeros armónicos son el 13ª y 15ª.

336
PWM DE PULSO MULTIPLE Y REFERENCIA SENOIDAL

Fig 6.13.Generación de pulsos múltiples PWM con referencia senoidal

337
INDICE DE MODULACIÓN

Esto viene indicado por el índice de modulación en amplitud, definido como:


K=𝑉𝑠𝑒𝑛𝑜𝑖𝑑𝑎𝑙/𝑉𝑡𝑟𝑖𝑎𝑛𝑔𝑢𝑙𝑎𝑟

Dependiendo del índice de modulación, la distribución de los armónicos en la


salida es distinta.
Así, se pueden distinguir tres zonas de funcionamiento:
Zona lineal, con la que conseguirá la senoidal pura. Se tendrá con K<1.
Sobremodulación, para obtener una senoidal modificada. Se tendrá con K>1.

Onda cuadrada, con K >>>1.

338
6.6 INVERTER DESIGN

Design an inverter that takes 28 V dc input and provides 325 cos (314t)
V output, with less tan 3%error.

The load can range from 0 to 300 W. Suggest a closed‐loop control to


achieve this function.

SOLUTION

There are multiple ways to solve this challenge, and indeed if quality is
not a big issue even more can be added.

Here are three alternatives (among many more), only one of which will
be considered here:

1)Design a PWM inverter to deliver 50 Hz at about 28 V peak and then


use a 50 Hz transformer to step this up by a factor of 325/28 to produce
the intended output.

This is a simple alternative,but bulk and heavy. Not considered suitable


in most situations today.

339
6.6 INVERTER DESIGN

2. Use a series resonant method to run a square wave into a


series LC resonant circuit and then use VSI techniques to adjust
the voltage amplitude.

As in the first case a 50 Hz transformer will very likely be


needed. It is also possible to step up to a higher dc bus with a
dc‐dc converter and follow this with a resonant inverter
switching at 50 Hz. These alternatives tend to make sense for
much higher power levels, less so for 300 W.

3. Use a boost converter (isolated if required – not mentioned


here) to create a regulated dc bus voltage. Use the bus voltage to
supply a conventional PWM inverter.

This would be considered a typical solution at present. (In the


future, ac link circuits may be of interest in this context.)

Let us design to deliver a regulated 340 V output from the 28 V


input, and then use an open‐loop inverter.

The sensed output voltage magnitude can be used to adjust the


dc‐dc converter output bus to achieve the intended output in spite
of various series voltage drops.

340
INVERTER WITH A TRANSFORMER

341
6.6 INVERTER DESIGN

At 300 W, a switching frequency of 50 kHz to 100 kHz should be feasible

Let us consider 50 kHz. At 300 W, rated input current is 300 W/28 V = 10.7 A.
The boost converter input inductor might permit 5% ripple on this value, 0.54 A.
Worst case is likely to be a duty ratio of 0.5, and at 50 kHz this is a time interval of
10 us. The inductor will be exposed to 28 V for this duration, so 28 V = Lin Δi/Δt,
28 V = (0.54A)/10 us, Lin = 519 uH. Let us use 520 uH.

The bus capacitor will need to store energy to account for double‐frequency ac
power (see Section 4.5.1). Allowing 15 V peak‐to‐peak ripple (a reason to choose
340 V as the basis for 325 V peak output), the required capacitor for 300 W would
need to carry a bit less than 1 A peak, and the analysis is based on eq. (4.71).
Therefore 15 V = 1/(314 C) and C = 212 uF.

Let C = 500 uF for this circuit since this is not an extreme value and will give better
results.

What about at the inverter output? A ballast load, perhaps drawing about 2 W, will
be used to make sure the no‐load condition will work properly. Since the target
output is 230 V rms, the value will be 230²/2 = 26.5 kΩ. The rated load is 230²/300
= 176 Ω. The rated ac output current is 230 V/176 Ω = 1.3

Allowing about 0.05 A of peak‐to‐peak ripple around the target output (4%), the
inductor should permit no more than 0.05 A change during a half‐period on time.
With a 20 us period and 340 V bus, this requires 340 V = L Δi/Δt,340 V = L (0.05
A)/(10 us), L = 68 mH.

342
6.6 INVERTER DESIGN

The capacitor in parallel with this load should not require much reactive power.
Allowing a power factor of 0.95 or more at full load, the capacitance should not
exceed about 6 uF.

Control can be set up via the boost converter input current.

The bus voltage error (with an additional term based on inverter rms output error)
can be emplo yed in a PI loop to set up a virtual current reference, and then this
current reference can drive the boost converter.

This means the control law in the end will be:

If there is a measurement of the output rms value, this can be included as an


additional term.

The output‐side duty ratio is selected such that the modulation result m(t)Vin = 325
cos(314t). With the 340 V bus value, this requires m(t) = 0.956 cos(314t).

The circuit is shown below. The load value Rload includes the ballast.

The target value (Vref) is 340 V.

With a 300 W load, the input current should be about 11 A.

343
6.6 INVERTER DESIGN

344
INVERTERS DESIGN

A utility company intends to operate an experimental photovoltaic power unit. The


solar cells will cover more than one hectare (10,000 m2), and can produce peak.
output power of 1.5 MW. Individual cells provide about 0.5 V at up to 3 A, and
cover anarea of 0.01 m2. The cells are arranged in 10 m2 panels, each connected in
series to producea nominal 500 V bus. The 10 m2 panel sections ultimately connect
in parallel to supply three inverters, one for each phase of the utility three-phase
power.

The ac side is a standard 480 Vline-to.line6 0 Hz supply. Propose an inverter design


for this application. How will it be controlled? When maximum power is available,
what will the operating conditions of the inverter be? Under heavy cloud cover, the
cells maintain about the same voltage, but the output current can drop by a factor of
ten. What are the operating conditions of the inverter when heavy clouds obscure
the entire hectare?

Each of the three inverters must handle up to 500 kW. Since the idea is to supply
energy into the power grid, efficiency should be as high as possible. These factors
suggest aVSI as opposed to a PWM inverter. The power level is high for PWM, and
the waveform advantages of PWM are outweighed by the extra losses associated
with fast switching in thisapplication.

Given a VSI circuit, let us consider just one of the three phases. On the ac side,

345
EJEMPLOS DE DISEÑO DE INVERSORES

have the 480 V, which means a peak voltage between any two phases of 679 V.
Each individual phase voltage will have an RMS value of =277 V, for a peak
value of 392 V. When the voltage-sourced inverter provides a square wave,it
produces a peak wanted component of 4Vin1rr, which gives 637 V with the 500
V connection of the panels. For proper control, the VSI output will need to be
adjusted so that its wanted compone went is close to the ac supply voltage. The
component can be adjusted to any peak value below 637 V, so it makes sense
to connect to the ac side line-to-neutral voltage
(392 V peak) rather than to the line-to-line voltage. The circuit for one phase is
shown in Figure 6.33. In this application there are two degrees of freedom: the
relative delay angle S controls the wanted component amplitude, and a switching
function phase term controls the component phase. relative to the ac line.
The VSI output can be set for a specific waveform VVSI, so the equivalent
source method is appropriate. Only the 60 Hz current component transfers
energy to the ac supply, so let us consider the 60 Hz equivalent circuit. The
angle 4 can be defined conveniently as the phase shift between the center of
the positive VSI output pulse and the peak of vaC, as indicated in Figure 6.33.
The wanted component, from equation (6.6), becomes(6.26) With Vi, = 500 V, the
associated phasor is VVSI(wanted) = 450 cos( -3 L -4 (6.27)while the ac source
phasor is 277 L0". There is no very definite way to choose the inductor,but
some guidance is available. The inductor should be large for good filtering. On
the other hand, at 500 kW flow, the expected RMS current will be more than
1800 A. The impedance of the inductor should be low enough to permit this
current flow. If 12 = 0.05 0, the inductor drop will be about 90 V at full current-
probably well within the voltage capability, since the phasor in equation (6.27)
has a much higher maximum value than the ac line. basis, let us test the value L
= (0.05 0 ) / ( w rad/s) = 133 pH. The current is

346
CARACTERÍSTICA T VS VELOCIDAD DE UN MOTOR JAULA DE
ARDILLA PARA DIFERENTES FRECUENCIAS.

347
BIBLIOGRAFÍA

1)Kassakian J.G. Schlecht M.F. Verghese G.C. PRINCIPLES OF POWER


ELECTRONICS 1991. Editorial Addison Wesley.

2)P T. Krein. ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998.Editorial Oxford


University Press

3)Mohan N;Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS


Converters,application and design. 2003. Editorial John Wiley & Sons.

348
ACTIVIDADES

TEORÍA
1)Enumerar 6 aplicaciones de los convertidores CD/CA.
2)Proponer un diagrama de bloques para el circuito de control
del convertidor CD/CA de baja frecuencia de conmutación.
3)Para el convertidor CD/CA de baja frecuencia de conmutación y carga
resistiva-inductiva, se pide demostrar: a) Que si L/R>>π/w, se pueden
ignorar los armónicos de la corriente .b)Que los interruptores deben tener
capacidad bidireccional de corriente. c)La ecuación 6.07
4)Para el convertidor de baja frecuencia de conmutación y carga con
f.e.m(fig.6.04)se pide justificar :a)¿Por qué vac adelanta a va?b)¿De qué
depende φ y δ ?
5)¿Cómo se minimizan los armónicos en los convertidores CD/CA?
6)Para el convertidor de la fig. 6.05 a) se pide justificar la siguiente
afirmación:” el control por θ reduce el factor de potencia en la carga ,lo
que mantiene las pérdidas, a pesar de que se reduce la potencia transferida”.
7)Justificar la siguiente afirmación:”El circuito de la fig.6.07 a) es un
amplificador de potencia”.
8)Para un convertidor CD/CA , PWM, se pregunta qué es el índice de
modulación y para qué sirve.
9)Describir la operación del convertidor CD/CA PWM utilizando la fig.6.10.
10)Proponer un diagrama de bloques del circuito de control del convertidor
CD/CA , PWM.
11)Deducir la tabla de conducción de los interruptores del inversor trifásico
de la fig. 6.13

349
PROBLEMAS

1)Para el convertidor CD/CA


de baja frecuencia de
S1 S3 conmutación(60hz) Vcd=125V
R
δ=30°,R=20Ω.Se pregunta
Vcd +
_ cuanto vale la potencia
+ Vca _ transferida de la fuente a la
S2 S4 carga.

Problema 1(1) 2)En el convertidor de baja


frecuencia de conmutación
(60hz)de la figura Vcd=100V
L=5mH,R=20Ω ,δ=30°.Se pide
S1 S3 determinar :a)Potencia
ia L R1 transferida a la carga, teniendo
+
_ Vcd en cuenta hasta el quinto
+ Va - armónico de la corriente; b)
S2 S4 Deducir el tipo de
semiconductor, que puede
implementar los interruptores.
Problema 2(1)

3)Para el inversor de la figura


S1 S3
Va _ adjunta ,el voltaje alterno es de
Vcd +
+
ia L
_ 240V,60hz. El valor de la
+
_ inductancia es de 10mH y la
Vca fuente CD es de 320 V. Si la
S2
S4 potencia transferida a vca , con
factor de potencia unitario es
. de 10 Kw ,se pide determinar el
Problema 3(1) valor de δ y φ.

350
PROBLEMAS

4)Determinar para el
+
Q1 D1 Q3 D3 inversor PWM de la figura
L + Vca - adjunta :a) el valor del
Vcd
+ va - desfasamiento entre va y
R
Q2 D2 Q4 D4
vca ,en función de L y R.
- b)El valor del THD de va

Problema 4(1)

+
Sa1 Sb1 Sc1 5)El inversor trifásico de la
figura adjunta, alimenta una
+ Vab + carga balanceada conectada
- en estrella .Los
Vcd
+
Vca interruptores se controlan
Vbc para generar voltajes
- desfasados 120°.Se pide
- dibujar los voltajes de fase,
Sa2 Sb2 Sc2
_ o sea los voltajes entre las
líneas y el punto común de
la estrella
Problema 5(1)

351
UNIDAD VII

ANALISIS Y DISEÑO DE
LOS COMPONENTES
MAGNETICOS

352
7.1 INTRODUCCIÓN A LOS COMPONENTES MAGNÉTICOS

Los componentes magnéticos


(Inductor, transformador) son una
parte importante de un sistema
de electrónica de potencia.
Estos componentes pueden
trabajar en baja frecuencia
(50,60Hz), en convertidores
CA/CD o en alta frecuencia (100
KHz) en convertidores CD/CD y
CD/CA
Los inductores se utilizan en :
a)Filtros de entrada y salida de
los convertidores, CA/CD,
CD/CA, CD/CD, CA/CA.
Fig. 7.01 Inductor b)Circuitos limitadores de
corriente.
c)Convertidores resonantes.
Los transformadores se utilizan
para :
a) El desfasamiento de voltajes,
en convertidores CA/CD de 12
pulsos.
b)Aislamiento entre el circuito de
potencia y el circuito de control
(Transformadores de pulso).
c)Almacenar y ,transferir
energía en convertidores CD/CD
aislados.
d)Medición de corriente y de
Fig. 7.02 Transformador voltaje (transformador de
Instrumentos).

353
MATERIALS AND PROPERTIES

Three general types of magnetic materials can be identified:


Dianzagnetic.The material tends to exclude magnetic fields slightly.
Paramagnetic.The material is slightly magnetized by a magnetic field.
Ferromagnetic.The material contains small regions, known as domains,
that are strongly magnetized.
Superconductors are a specific class of diamagnetic materials. In
these materials there are macrocurrents circulating in the structure.
These currents oppose the applied field and as a result the material
excludes all exterior fields.
Each general type represents groups of materials with a wide range of
special magnetic properties. one. Paramagnetic materials display
slightly greater than one.

354
MATERIALS AND PROPERTIES

Ferromagnetic materials in particular can be divided into a


range of different classes, such as permanent magnet
materials, ferromagnetic metals, and so on. Here, we will be
concerned primarily with ferromagnetic ceramics and metals,
since these are of special significance in the design of
magnetic components.

Superconductors form a fourth distinct type of magnetic


material, and have the property that they tend to exclude all
exterior fields. It is likely that they will come into increased
use as active magnetic materials.

In a given material, the magnetic field intensity, H, depends on


the interaction between electrons in the material and the local
flux density B. A constituent relation can be defined for a
given material, such that µH = B, where µ is the magnetic
permeability. For vacuum and many non ferromagnetic
materials, µ0 is constant and represents a linear relationship
between H and B. For vacuum, µ = µ0 =𝟒𝝅 ∗ 𝟏𝟎−𝟕 H/m. The
relative permeability µ𝑟 , defined according to µ =µ𝑟 µ0 is used
to describe most materials. Diamagnetic materials exhibit µ𝑟 .
slightly less than

355
MATERIALS AND PROPERTIES
Ferromagnetic materials can have µ𝑟 values up to 10000 or more.
The field exclusion, or Meissner effect in superconductors is
equivalent to µ𝑟 -+ 0.

In practice, diamagnetic and paramagnetic materials are not much


different than air in their magnetic properties since they have µ𝑟 =
1. Superconductors have not yet been widely used for their
magnetic properties, so ferromagnetic materials are of primary
interest to the magnetics designer. Ferromagnetic materials are
made up of small regions called domains.

In each such region, the magnetic moments associated with the


atoms are aligned. This produces a strong local magnetic field. For
any ferromagnetic material, there is a characteristic temperature,
known as the Curie temperature, T,, above which the alignment is
disrupted.
When such a material is heated above T,, it becomes paramagnetic
rather than ferromagnetic.

When it is cooled again, the domains will reform, but will be oriented
at random relative to each other. The net external magnetic field is
then zero. Heating a material aboveT, therefore provides a way to
demagnetize it. Temperature can be an important issue in magnetic
devices, since their Curie temperatures are usually lower than
temperatures at which obvious physical damage occurs.

356
MATERIALS AND PROPERTIES

When external fields are applied to a ferromagnetic


substance, the domains tend to realign with the imposed
fields. This realignment of large groups of atoms
produces the high permeability value. Once all domains
have realigned, the material is said to be saturated, and
m the permeability drops to a paramagnetic value not
much different from µ0

Several metallic elements and alloys act as


ferromagnetic materials.

Table lists the ferromagnetic elements. Many alloys


containing these elements are also ferromagnetic.

Common alloying elements include aluminum,


manganese, zinc, chromium, and several rare earth
metals. There are even a few ferromagnetic alloys and
compounds, such as chromium dioxide, that contain no
ferromagnetic elements. The fact that permeability
changes as a substance saturates makes these
materials nonlinear.

357
MAGNETIC CIRCUIT

The next figure illustrates uniform flux and magnetic field


inside a element having permeability 𝜇 , length /, and
cross-sectional area A'" The MMF between the two ends of
2
the element is F=‫׬‬1 𝐻. 𝑑𝑙 = 𝐻𝑙

358
PERMEABILTY

359
PERMEABILTY

360
7.2 COMPORTAMIENTO DE UN COMPONENTE MAGNÉTICO 7

v(t) B(t),φ(t) Al aplicarle un voltaje a un


componente magnético, se demanda
la generación de una densidad de
campo B determinada por la ley de
Faraday ,para inducir el voltaje que
equilibre el aplicado
i(t)
𝑑
𝑣 𝑡 = න 𝐸 . 𝑑𝑙 = − න 𝐵 . 𝑑𝑆
H(t),F(t)
𝑙 𝑑𝑡 𝑆

Fig. 7.03 Relación v – i.(7) 𝑑λ


=− (7.01)
𝑑𝑡
B

Bm
La densidad de campo B (efecto) se
genera por una intensidad de campo
magnético H (causa), cuya relación
Br µr no lineal se expresa por la curva de
magnetización (línea media del lazo
H
de histéresis), particular de cada
-Hm -
Hc Hm material.

-Br
La relación entre H y la corriente
demandada por el componente, se
-Bm expresa por la ley de Ampere.

න 𝐻 . 𝑑𝑙 = න 𝐽 . 𝑑𝑆 = 𝑁𝑖
Fig.7.04 Curva de magnetización 𝑙 𝑆

. del núcleo.(7) (7.02)

361
THE HYSTERESIS LOOPS FOR POWER MATERIALS

• In the application and choice of magnetic components in power electronics,


it is important to relate the action and properties of the magnetic materials
in the transformers and inductors in the circuits we have been studying.
What produces the voltage is not the alternation but the rate of change of
the flux. As the current and voltage wave-forms change during operation,
the magnetic components go through the hysteresis loop characteristic of
the magnetic material. In some cases only part of the hysteresis loop is
traversed. The operation of a power transformer or choke can be designed
to have a bipolar drive as in the push-pull type or unipolar (forward or
flyback mode). In the bipolar case, the course of the induction or the
excursion is in both directions so that the magnetization is reversed. The
flux density or induction, B, traversals for the case for push-pull (a),
forward (b) and flyback (c) topologies are given in Figure 1.12.

362
THE HYSTERESIS LOOPS FOR POWER MATERIALS

In the unipolar case, the induction is unidirectional and the magnetization is not
reversed. In Figure 1.12b, for the forward converter, a slow-rise capacitor or
ringing choke has been added to reset the core. In the case of the flyback
converter, (Figure 1.12c), the offset of the ac induction loop is due to the DC
usually present in flyback converter. In certain instances in power electronics,
the limits of induction are from the remanent to a higher induction.

The loop traversed is a minor loop in the first quadrant similar to the one shown
in Figure 1.13. In this case, the B used in the induction equation is still ∆𝐵/2
even though the magnetization is not reversed.

363
THE HYSTERESIS LOOPS FOR POWER MATERIALS

Whereas the ~B and thus the corresponding voltage are


smaller in a unipolar than in the bipolar drive, the
construction and operation are much simpler and more
economical.

The hysteresis loop traversals for flyback, forward and


push-pull converters are shown in Figures 1.14, 1.15,
and 1.16 . In the use of ferrites as flyback transformers
for television receivers, the voltage and current
waveforms are not sinusoidal but saw-tooth or flyback
shape. This permits the electron beam to sweep across
the TV screen with its visual signal and when it comes
to the end, it would rapidly return or fly back to the
starting horizontal sweep position to present the next
lower line of information. In this case, the transformer
operation is unipolar.

The basis of the modem electronic switching power


supply is the action of the transistor as a switch. Early
transistors were not built to carry much power and
thus, as was the case for early ferrite inductors and
transformers, they were used mainly in
telecommunication applications at low power levels.

364
THE HYSTERESIS LOOPS FOR POWER
MATERIALS

• The first power electronic component was the inverter


that is a device that takes a DC input and produces an ac
output in a manner other than the usual rotary generator.

• A transformer may be incorporated in the device to give


the required voltage. The device can be mechanical such
as a vibrator or chopper or it can be of the solid state
variety using a transistor. The word, oscillator, may
sometimes be confused for an inverter but in the
oscillator, the frequencies may be higher and the power
levels lower.

• The second important item, a DC converter, takes the DC


of one voltage and converts it to DC at another voltage.
One might call it a DC transformer. The intermediate step
in a converter is that of an inverter namely the conversion
of DC to AC. Of course, the additional step is rectification
to D.C. The input to a converter can sometimes be a low
frequency (50-60 Hz.) which is rectified, inverted,
transformed, and then again rectified. The advantage over
a conventional transformer is that the transformation is
much more efficient at the higher frequency.

365
7.3.1 CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA

𝐵𝑠 = Densidad de campo de
Lm
saturación: 1,5T para núcleos
laminados de acero al silicio, 1,0
para polvo de hierro y 0,4 T para
ferritas.
v(t) N

R
= Permeabilidad del núcleo
magnético   i0

a)Circuito

Material  i (10 Khz )

2500
An
P  25%

F 3000
 20%

W W 10.000
30%

b)Geometría
H 15.000
30%

Tabla 5.1 permeabilidad del


Fig. 7.05 Inductor toroidal material

366
7.3 MODELO MATEMÁTICO DE LA INDUCTANCIA
7.3.1 CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA DE UN TOROIDE

𝑙𝑚
La configuración ideal del núcleo
de un componente magnético es
el toroide, por su simetría.

v(t) N
Si : R>>w(espesor del toroide)

R 𝐻 ≈ 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡 = 𝐻𝑚

𝑙𝑚 =longitud de la trayecto
ria media del núcleo.

a) Circuito Aplicando la ley de Ampere,


a la trayectoria media y a la
superficie delimitada por 𝑙𝑚

ර 𝐻 . 𝑑𝑙 = 𝐻𝑚 𝑙𝑚
1
An

න 𝐽 . 𝑑𝑠 = 𝑁𝑖
𝑆
𝐻𝑚 𝑙𝑚 = 𝑁𝑖 (7.03)
Si se linealiza la curva de
W
magnetización (línea roja,
fig.7.06),la función B-H, se
b) Geometría expresa como:
𝐵 = 𝜇𝐻 ; 0 < 𝐻 < 𝐻𝑠
Fig. 7.05 Inductor toroidal
𝐵 = 𝐵𝑠 ; 𝐻 > 𝐻𝑠

367
7.3.2 CÁLCULO DE LA INDUCTANCIA DEL TOROIDE

De la ecuación 7.03
𝐵𝑚
𝐻𝑚 𝑙𝑚 = 𝑙 = 𝑁𝑖
𝜇 𝑚
𝑁𝑖𝜇 𝑁𝑖𝜇𝐴𝑛
𝐵𝑚 = ; ϕ=
𝑙𝑚 𝑙𝑚

𝐴𝑛 = Área Seccional del Núcleo

Se define la inductancia como:


λ 𝑁ϕ 𝐴𝑛 𝜇
𝐿= = = 𝑁2
𝑖 𝑖 𝑙𝑚
𝑁2
a) Lazo de histerésis y curva de 𝐿= (7.04)
magnetización ℜ
𝑙𝑚 𝑁𝑖(𝑐𝑎𝑢𝑠𝑎)
B ℜ= = (7.05)
𝐴𝑛 𝜇 ϕ(𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑜)
Bsat
µ=
permeabilidad
 Reluctancia del Circuito
H magnético.

La inductancia depende de la
- geometría del núcleo, del número
Bsat de espiras, y de la permeabilidad

b)Curva de magnetización En la práctica µ no es constante


linealizada (fig. 7.06a ). La reluctancia no es
constante y la inductancia es
Fig7.06 Cálculo de la inductancia función de la corriente.
.

368
7.4 APLICACIÓN DEL CONCEPTO DE RELUCTANCIA AL CÁL-
CULO DE LA INDUCTANCIA DE UN NÚCLEO DE TRES RAMAS 7

La configuración E-E mostrada


en la fig. 7.08, es muy utilizada
para transformadores, porque
se reduce el tamaño del
transformador, y se minimiza el
flujo de dispersión .

El cálculo de la inductancia de
L₁ un inductor de tres ramas, (fig.
7.07a) se puede realizar con la
aplicación del concepto de
reluctancia, y del circuito
eléctrico equivalente del
a)Inductor con núcleo de tres ramas(7) circuito magnético (fig. 7.07b).

Se asume por lo que se puede


suponer, que todo el flujo
circula dentro del núcleo.    0
De la ecuación 7.05
φ₁ ℜ1

ℜ2 ℜ3
𝑙1
+_ Ni ℜ1 =
𝜇𝐴1

b)Circuito eléctrico equivalente del (𝑙1 + 2𝑙2 )


circuito magnético(7). ℜ2 = = ℜ3
𝜇𝐴2
Fig.7.07 Núcleo de tres ramas

369
7.4 APLICACIÓN DEL CONCEPTO DE RELUCTANCIA AL CÁL
CULO DE LA INDUCTANCIA DE UN NÚCLEO DE TRES RAMAS 7

La analogía entre el circuito


eléctrico y magnético, permite
escribir:

𝐸 𝑁𝑖
𝑖= ↔𝜑=
𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣 ℜ𝑒𝑞
L ₁

2𝐴2 𝑙1 + 𝐴1 2𝑙2 + 𝑙1
ℜ𝑒𝑞 =
2𝜇𝐴2 𝐴1
a)Inductor con núcleo de tres ramas. ℜ2
ℜ𝑒𝑞 = ℜ1 +
2
De la ecuación 7.04

φ₁
ℜ1 λ 𝑁2
𝐿= =
ℜ2 ℜ2 𝑖 ℜ𝑒𝑞
+_ Ni
𝑁 2 2𝜇𝐴2 𝐴1
𝐿=
2𝐴2 𝑙1 + 𝐴1 (2𝑙2 + 𝑙1 )

(7.06)
b)Circuito eléctrico equivalente del
circuito magnético.
Dado que   f (i ) ,el modelo no
es aplicable salvo en núcleos con
Fig.7.07 Inductor con núcleo de tres entrehierro, o núcleos de polvo
ramas de hierro.

370
DIFFERENTS WAYS TO REALIZE AIR GAPS
IN E-E CORES

371
7.5 INDUCTOR DE NÚCLEO CON ENTREHIERRO 7

𝑁𝑖 𝑁𝑖
ϕ= =
A ℜ𝑚 + ℜ𝑔 𝑙𝑚 𝑔
+
𝜇ℎ 𝐴 𝜇0 𝐴
𝑙𝑚 (7.07)
ℜ𝑚 = ;
g 𝜇ℎ 𝐴
N 𝑙𝑚 = Longitud del circuito
magnético.
𝑔
ℜ𝑔 = ;
𝜇0 𝐴
g= Longitud del entrehierro
No se tiene en cuenta la dispersión
del núcleo.

a)Inductor de núcleo con 𝑁ϕ 𝑁 2 𝜇0 𝐴


entrehierro(7) 𝐿= = 𝜇
𝑖 0ൗ
𝜇ℎ 𝑙𝑚 + 𝑔
φ

ℜ𝑚
𝑙𝑚 𝜇0
𝑆𝑖 𝑔 ≫
𝜇ℎ

+
_ Ni ℜ𝑔 𝜇0 𝐴𝑁 2
𝐿= (7.08)
𝑔
Energía magnética almacenada en
el inductor (WL),

b)Circuito eléctrico equivalente 𝑊𝐿 = 𝑊𝑛𝑢𝑐𝑙𝑒𝑜 + 𝑊ℎ𝑖𝑒𝑟𝑟𝑜


al circuito magnético.
𝐵ℎ2 𝑉ℎ 𝐵𝑔2 𝑉𝑔
= +
Fig. 7.08 Inductor con entrehierro 2𝜇ℎ 2𝜇0

372
7.5 INDUCTOR DE NÚCLEO CON ENTREHIERRO

A
𝑉. 𝐵 = 0 → 𝐵ℎ = 𝐵𝑔 = 𝐵

g
𝐵2 𝐴𝑙𝑚 𝐵2 𝐴𝑔
𝑊𝐿 = + (7.09)
N 2𝜇ℎ 2𝜇0

𝑙𝑚ൗ
Si 𝑔 ≫ 𝜇0 𝜇ℎ

𝐵2 𝐴𝑔 1 2
𝑊𝐿 = = 𝐿𝑖 (7.09𝑎)
a)Inductor con entrehierro (7) 2𝜇0 2

Rm Efectos del entrehierro:

Disminución de la inductancia
+ Ni Rg
_
Incremento en la corriente de
saturación.

Independizar la inductancia, de
la permeabilidad del material
b)Circuito eléctrico equivalente del ferromagnético.
circuito magnético.
Incrementar la corriente
Fig.7.08 Inductor con entrehierro nominal del inductor.

373
EFFECT OF AIR GAP ON THE MAGNETIC CIRCUIT

The air gap increases the total reluctance of the magnetic circuit, and
decreases the inductance.

Air gaps are employed in practical inductors for two reasons.


1.With no air gap (𝑅𝑔 = 0), the inductance is directly proportional to
the core permeability 𝜇 . This quantity is dependent on temperature
and operating point, and is difficult to control.

Hence, it may be difficult to construct an inductor having a well-


controlled value of L. Addition of an air gap having a reluctance 𝑅𝑔
greater than 𝑅𝑚 causes the value of L in to be insensitive to
variations in 𝜇 . ·

2.Addition of an air gap also allows the inductor to operate at higher


values of winding current i (t)
without saturation.

The total flux ϕ is plotted vs. the winding MMF Ni in Fig. 12.12.

Since ϕ is proportional to B, and when the core is not saturated Ni is


proportional to the magnetic field strength H in the core, Fig. 12.12
has the same shape as the core B-H characteristic

374
EFFECT OF AIR GAP ON THE MAGNETIC CIRCUIT
ϕ vs.Ni CHARACTERISTICS

375
7.6 EL TRANSFORMADOR
7.6.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES.

Se arrollan dos circuitos (bobinas)


de 𝑁1 y 𝑁2 espiras, sobre un
φm
núcleo ferromagnético de
i1(t) i2(t)
permeabilidad . 
φd2 +
+
v1
v2 El flujo encadenado al circuito 1
_ es :
φd1

núcleo λ1 = 𝑁1 ϕ1

∅1 = ϕ𝑚 + ϕ𝑑1 (7.10)
ϕ𝑚 =Flujo mutuo entre 1 y 2 .
a) Flujos en un transformador.
ϕ𝑑1 =Flujo de dispersión de 1.

Para el circuito 2 :
φ Rm

λ2 = 𝑁2 ϕ2 ;

ϕ2 = ϕ𝑚 + ϕ𝑑2 7.11
+ N₁i₁ -
- N₂i₂ +

ϕ𝑑2 =Flujo de dispersión de 2

Aplicando la ley de Ampere se


obtiene:.
b) Circuito eléctrico equivalente 𝐵
del circuito magnético. 𝑙 = 𝑁1 𝑖1 + 𝑁2 𝑖2 = 𝑁1 𝑖𝑚
𝜇 𝑚
= ϕ𝑚 ℜ𝑚 (7.12)
Fig. 7.09 Transformador de dos
arrollamientos.

376
7.6.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES.

φm De 7.10 y 7.12

i1(t) i2(t)
+ φd2 𝑁1
+ λ1 = 𝑁 𝑖 + 𝑁2 𝑖2 + 𝑁1 𝜑𝑑1
v1
v2 ℜ𝑚 1 1
φd1 - (7.13)
núcleo

De 7.11 y 7.12

a) Flujo en un transformador.
𝑁2
λ2 = 𝑁 𝑖 + 𝑁2 𝑖2 + 𝑁2 𝜑𝑑2
ℜ𝑚 1 1

φ Rm (7.14)

+ N₁i₁ -
- N₂i₂ +
De la ley de Faraday

𝑑λ1
𝑣1 = (7.15)
𝑑𝑡
b) Circuito eléctrico equivalente
del circuito magnético.
𝑑λ2
𝑣2 = (7.16)
Fig. 7.09Transformador de dos 𝑑𝑡
arrollamientos.

377
7.6.2 MODELAMIENTO DEL TRANSFORMADOR
7.6.2.1 TRANSFORMADOR IDEAL

φm
El transformador ideal posee un
circuito eléctrico ideal (𝜎𝑐𝑢 = ∞)
i1(t) i2(t)
y un circuito magnético ideal
+ + (𝜇 = ∞).No existe flujo disperso,
v1 𝜑𝑚 encadena a ambos circuitos,
v2
_
_ y la corriente que se requiere para
generar el campo magnético( 𝑖𝑚 )
núcleo es despreciable.

a) Flujo en un transformador.
𝜑1 = 𝜑𝑚 = 𝜑2 (7.17)
Si
𝜇 = ∞ ; ℜ𝑚 = 0

i1 n₁ : n₂ i2 De la ecuación 7.12
+ +
v1 v2 𝑁1 𝑖1 + 𝑁2 𝑖2 = 𝑁1 𝑖𝑚 = 𝜑𝑚 ℜ𝑚
_ _

IDEAL 𝑁2 𝑖2
𝑖𝑚 = 𝑖1 + =0
𝑁1
N1 v i
a  1  2
N2 v2 i1 im Corriente de
magnetización.
b) Modelo circuítal.

Una corriente im  0 genera el
Fig. 7.10Transformador Ideal. campo magnético.

378
7.6.2.1 TRANSFORMADOR IDEAL

𝑆𝑖 𝑁1 𝑖1 + 𝑁2 𝑖2 = 0
φm
𝑁1 𝑖2
i1(t) i2(t) 𝑎= =− (7.18)
𝑁2 𝑖1
+ +
v1
v2
_ De la ley de Faraday
_

𝑑λ1 𝑑𝜑𝑚
𝑣1 = = 𝑁1 (7.19)
𝑑𝑡 𝑑𝑡

a) Flujo en un transformador. 𝑑λ2 𝑑𝜑𝑚


𝑣2 = = 𝑁2 (7.20)
𝑑𝑡 𝑑𝑡

N₁ : N₂
De las ecuaciones 7.19 y 7.20
i1 i2

+ +
v1 v2 𝑣1 𝑁1
_ _
= =𝑎 (7.21)
𝑣2 𝑁2
IDEAL
Los puntos del modelo circuital,
representan . los puntos de
𝑣1 𝑁1 𝑖2 polaridades iguales en los dos
𝑎= = = arrollamientos.
𝑣2 𝑁2 𝑖1

b) Modelo circuítal. El dibujo de la figura 7.10b), jun


to con las ecuaciones de
corriente y voltaje, representan el
Fig. 7.10 Transformador Ideal.
modelo circuital del
transformador.

379
7.6.2.2 TRANSFORMADOR CON PERMEABILIDAD FINITA

Se considera al circuito eléctrico


φm
ideal ( 𝜎𝑐𝑢 = ∞ ), y al circuito
magnético con una permeabilidad
i1(t) i2(t) finita.
+ φd2
+
v1
v2
Si μ es finito el flujo no se
- φd1 - canaliza todo por el núcleo, y
aparecen flujos a través del aire
núcleo
(flujos de dispersión 𝜑𝑑1
𝜑𝑑2 ).
Los flujos de dispersión se
modelan, por la inductancia de
a) Flujos en un transformador (7). dispersión.
𝑁1 𝜑𝑑1
𝐿𝑑1 = ;
𝑖1
𝐿𝑑1 𝐿𝑑2
i1 i2
𝑁2 𝜑𝑑2
+ (𝑛₁)/(𝑛₂)
+ 𝐿𝑑2 = (7.22)
𝑖₂ 𝑖2
v1 Lm n₁ n₂ v₂ Si 𝜇 es finito, ℜ𝑚 es finita y
_ im _ de la ecuación 7.12

Ideal 𝑁1 𝑖1 + 𝑁2 𝑖2 = 𝑁1 𝑖𝑚 = 𝜑𝑚 ℜ𝑚

𝑁2 𝑖2
b) Modelo circuital .(7) 𝑖𝑚 = 𝑖1 + ≠ 0 (7.23)
𝑁1

Se requiere de una corriente para


Fig. 7.11. Transformador con magnetizar todo el núcleo..
permeabilidad finita.

380
7.6.2.2 TRANSFORMADOR SIN PÉRDIDAS , CON
PERMEABILIDAD FINITA EN BAJA FRECUENCIA

φm De la ley de Faraday, y de la ecuación


7.13 se obtiene:
i1(t) i2(t)
φd2
+ + 𝑁12 𝑑𝑖1
v1
v2
𝑣1 = + 𝐿𝑑1 +
ℜ𝑚 𝑑𝑡
- -
φd1 𝑁1 𝑁2 𝑑𝑖2
(7.24)
núcleo ℜ𝑚 𝑑𝑡

a) Flujos en un transformador. Se define


𝑁12
𝐿𝑚 = ; ;𝐿11 = 𝐿𝑚 + 𝐿𝑑1
ℜ𝑚

i1 Ld1 Ld2 𝑁1 𝑁2
i2 𝐿12 = = 𝐿21
ℜ𝑚
+ (𝑛₁)/(𝑛₂) 𝑖₂ +
v1 𝐿𝑚 n₁ n₂ v₂ (7.25)
_ im _
Ideal De 7.24 y 7.25

𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
b) Modelo circuital. 𝑣1 = 𝐿11 + 𝐿12
𝑑𝑡 𝑑𝑡
(7.26)
Por analogía
Fig. 7.11Transformador de núcleo
con permeabilidad finita. 𝑑𝑖2 𝑑𝑖2
𝑣2 = 𝐿21 + 𝐿22
𝑑𝑡 𝑑𝑡

381
7.6.2.2 TRANSFORMADOR CON PERMEABILIDAD FINITA
EN A L T A FRECUENCIA

382
7.6.3 SATURACION DEL TRANSFORMADOR

En el modelo circuital de la (fig.


B
7.12b) el parámetro Lm
Bm representa a un inductor real que
modela la magnetización del
Br
material magnético y presenta
µr
los fenómenos de saturación e
histéresis
- -Hc H
Hm Hm De la ley de Faraday.
𝑑𝐵
-Br 𝑣1 = 𝑁1 𝐴𝑛
𝑑𝑡
𝑡
- Bm
1
𝐵 𝑡 = න 𝑣 𝑑𝑡 (7.27)
𝑁1 𝐴𝑛 0 1

a) Curva de magnetización. Si los voltios-segundos aplicados


al primario durante medio ciclo
son elevados, B pueden ,alcanzar
el valor de saturación (𝐵𝑠 ) lo
i1 Ld1 Ld2 i2 que significa que, dB/dt=0, y por
(𝑛₁)/(𝑛₂) 𝑖₂
+ lo tanto ocurre un cortocircuito
+
De la teoría circuital.
v1 Lm n₁ n₂ v₂
_ im _ 𝑑𝑖𝑚
𝑣1 = 𝐿𝑚
Ideal 𝑑𝑡 𝑚
1 𝑡
𝑖𝑚 𝑡 = න 𝑉 𝑑𝑡 (7.27𝑏)
𝐿𝑚 0 1
b) Modelo circuítal. 𝑡
Si ‫׬‬0 𝑉1 𝑑𝑡 hace saturar el núcleo,
  0 , Lm  0 , y la corriente
Fig. 7.12 Saturación en el de magnetización tiende a infinito.
transformador.

383
7.7 FENÓMENO DE HISTÉRESIS EN NÚCLEOS MAGNÉTICOS

La energía inyectada al inductor,


φ
An en un ciclo de la corriente
i(t) alterna es :
𝑡
+
n 𝑊 = න 𝑣 𝑡 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 (7.28)
v(t) vueltas 0
_ Pero
𝑑𝐵
𝑣(𝑡) = 𝑁𝐴𝑛
𝑑𝑡
núcleo y 𝐻 𝑡 𝑙𝑚 = 𝑁𝑖(𝑡)
𝑡
𝑊
= න 𝐻 𝑑𝐵 (7.29)
𝐴𝑛 𝑙𝑚 0
𝑡
a) Energía inyectada a un inductor.(7)
‫׬‬0 𝐻 𝑑𝐵 =Área del lazo de
histéresis
𝑊 se disipa en el material
B
calentándolo (pérdidas por
histéresis).
El efecto (B) depende de si
Area
la causa (H) está aumentando
න 𝐻 𝑑𝐵
𝑜𝑛𝑒 𝑐𝑦𝑐𝑙𝑒
o disminuyendo (histéresis) (fig.