Amplificadores de Sennal

Electrónica de Comunicaciones
CONTENIDO RESUMIDO:
1- Introducción
2- Osciladores
3- Mezcladores.
4- Lazos enganchados en fase (PLL).
5- Amplificadores de pequeña señal para RF.
6- Filtros pasa-banda basados en resonadores piezoeléctricos.
7- Amplificadores de potencia para RF.
8- Demoduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK).
9- Demoduladores de ángulo (FM, FSK y PM).
10- Moduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK).
11- Moduladores de ángulo (PM, FM, FSK y PSK).
12- Tipos y estructuras de receptores de RF.
13- Tipos y estructuras de transmisores de RF.
14- Transceptores para radiocomunicaciones
ATE-UO EC amp señ 00
5- Amplificadores de pequeña señal para
RF
Idea fundamental:
Amplificación selectiva de las señales de RF con buena
relación señal/ruido
Zg
+
Amplificador
VCC vg
de señal de ZL
RF

Concepto de ganancia de potencia (I)
Zg is
ie
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Amplificador de señal de RF
Potencia de entrada: pe = (ie ef)2·Re[Ze]

Potencia de salida: ps = (is ef)2·Re[ZL]
Ganancia de potencia: Gp = ps/pe
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GP es función de ZL
Ojo: No valora la adaptación de

impedancias entre generador y ATE-UO EC amp señ 02
Concepto de ganancia de potencia (II)
Con un modelo de admitancias
Zg
+ + +
ve Ye Ys vs ZL
iscc
vg - -
Potencia de entrada: pe = (ve ef)2·Re[Ye]

Potencia de salida: ps = (vs ef)2·Re[YL]
Ganancia de potencia: Gp = ps/pe
Concepto de potencia disponible en un generador
Es la máxima potencia que puede entregar un generador a una carga
Zg
Zg
jXg Rg
+
ZL
vg + jXL
ig
ZL
vg
Máxima transferencia de RL
potencia (ZL = Zg*):
Re[ZL] = Re[Zg]  RL = Rg Pgd = (ig ef)2·RL = (ig ef)2·Rg =

Im[Ze] = - Im[Zg]  XL = -Xg (vg ef/2Rg)2·Rg = (vg ef)2/4Rg
Concepto de ganancia de potencia disponible de un
amplificador
Zg
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg]

Potencia disponible de salida: psd = (vso ef)2/4Re[Zs]
Ganancia de potencia disponible: Gpd = psd/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPd es función de Zg
Valora la adaptación de impedancias

entre generador y amplificador ATE-UO EC amp señ 05
Concepto de ganancia de potencia de
transducción de un amplificador
Zg is
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg]
Potencia de salida: ps = (is ef)2·Re[ZL]
Ganancia de potencia de tranducción: Gpt = ps/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPt es función de Zg y ZL
Valora la adaptación de impedancias entre generador

y amplificador y entre amplificador y carga ATE-UO EC amp señ 06
Ejemplo de cálculo de ganancias (I)
75  300 
+ +
+ +
ve 50  75  vs
20·ve
vg
- -
AV = vs/ve = 20·75/(300+75) = 4 = 20·log(4) [dB] = 12,04 dB
pe = (ve ef)2/50 ps = 75·[20·ve ef/(300+75)]2
ped = (vg ef)2/(4·75) psd = (20·ve ef)2/(4·300) ve = vg·50/(50+75)
Gp = ps/pe = 10,67 = 10·log(10,67) [dB] = 10,28 dB
Gpd = psd/ped = 16 = 10·log(16) [dB] = 12,04 dB
Gpt = ps/ped = 10,24 = 10·log(10,24) [dB] = 10,10 dB

Condiciones para la máxima transferencia de potencia
entre el generador de señal y el amplificador y entre el
amplificador y la carga
Re[Ze] = Re[Zg] Re[ZL] = Re[Zs]
Im[Ze] = - Im[Zg] Im[ZL] = -Im[Zs]
Z e = Z g* ZL = Zs*
Zg
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Amplificador de señal de RF ATE-UO EC amp señ 08

Modo de conseguir la máxima transferencia de potencia
Zg
Red Red
+ adaptación + Zs adaptación
de entrada de entrada ZL
vg (no disip.) vso (no disip.)
Ze
Red Red
adapt. adapt.
de Ze de ZL
entrada salida
ZeRed ent = Zg* ZeRed sal = Zs*
Ejemplo de cálculo de ganancias con redes de
adaptación de impedancias
75  300 
+ + + +
+ +
ve’ vs’ vs
ve
vg 50  75 
- - 20·ve’ - -
(75/50)1/2:1 (300/75)1/2:1
ve = 0,5·vg ve’ = (50/75)1/2·ve vs’ = 0,5·20·ve’ vs = (75/300)1/2·vs’
AV = vs/ve = 10·(75/300)1/2·(50/75)1/2 = 4,08 = 20·log(4,08) [dB] = 12,21 dB
pe = ped = (vg ef)2/(4·75) ps = psd = (20·ve’ ef)2/(4·300) ve’ = (50/75)1/2·0,5·vg
Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10·log(16,67) [dB] = 12,21 dB
(coincide en este caso particular con AV, pero es sólo por ser Rg = RL)
Ejemplo de la importancia de la adaptación de impedancias
200  200 
Sin adaptación:
+ +
+ + 50 
Gpt = 64 = 18,06 dB
ve 50  vs
vg 50·ve
- -
200  200 
+ 2:1 + + 2:1 +
+ +
ve’ vs’ vs
ve
vg 50  50 
- - 50·ve’ - -
Con adaptación: Gpt = 156,25 = 21,93 dB

Modos de medir le grado de adaptación de impedancias
Coeficientes de reflexión:
En la entrada: e = (Ze – Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedancia de referencia)
En la salida: s = (Zs – Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedancia de referencia)
Relación de Ondas Estacionarias (ROE, SWR):
En la entrada: ROEe = (1 +  e)/(1 -  e)
En la salida: ROEs = (1 +  s)/(1 -  s)
Pérdidas de potencia por desadaptación PL:
En la entrada: PLe = -10·log[1 - (Ze – Zg*)/(Ze + Zg) 2]
En la salida: PLs = -10·log[1 - (Zs – ZL*)/(Zs + ZL) 2]

Modos de medir le grado de adaptación de impedancias en
el ejemplo anterior 200 
200 
+ +
+ + 50 
ve 50  vs
Zo = Ro = 50  vg 50·ve
- -
 e = (Ze – Zo)/(Ze + Zo) = 0/250 = 0
 s = (Zs – Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6
ROEe = (1 +  e)/(1 -  e) = 1
ROEs = (1 +  s)/(1 -  s) = 4
PLe = -10·log[1 - (Ze – Zg*)/(Ze + Zg) 2] = 1,94 dB
PLs = -10·log[1 - (Zs – ZL*)/(Zs + ZL) 2] = 1,94 dB

Tipos de redes no disipativas de
adaptación de impedancias
Redes no • De banda ancha con transformador
disipativas de • Con transformador
adaptación • De banda estrecha • Sin transformador
Teoría del transformador ideal (I)

i1 i2 i1 i2
1:n + n·i2
+ + + +
v1 v2 v1 v2
- - - n·v1 -
v2 = v1·n i2 = i1/n
p1 = v1·i1 = v2·i2 = p2 ATE-UO EC amp señ 14
Teoría del transformador ideal (II)
v2 = v1·n i2 = i1/n
i1 i2
v2 = R2·i2
+ 1:n +
+ Calculamos R1 = v1/i1:
v1 v2 R2 R1 = v2/(i2·n2) = R2/n2
v1 - - R1 = R2/n2
R1
Primera aproximación al comportamiento real:
inductancia y corriente magnetizante (I)
Modelo que tiene en cuenta que la transferencia de
energía se realiza por un campo mágnético
i1 n·i2 i2 i1 = i2·n + im
+ im 1:n + Calculamos i1/v1 = Y1:
v1 R2 Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lm·s)

v2
Lm Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
- -
Primera aproximación al comportamiento real:
inductancia y corriente magnetizante (II)
i1 n·i2 i2 Por tanto:
Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lm·s)]
+ im 1:n +
v1 v2 R2
Lm
- -
Z1(j) []
Z1(s), Y1(s)
R2’
Si llamamos R2’ = R2/n , obtenemos:
2 0,7R2’
Z1(s) = R2’·Lm·s/(R2’ + Lm·s)

fC
Z1(j) = j·R2’·Lm·/(R2’ + j·Lm) R2’/10
Hay un cero en cero y un

polo en fC = R2 ’/(2Lm)
R2’/100
ATE-UO EC amp señ 16 0,1fC fC 10fC
Segunda aproximación al comportamiento real:
inductancias magnetizante y de dispersión (I)
Modelos que tienen en cuenta que el acoplamiento
entre devanados no es perfecto
i1 n·i2 i2
+ 1:n +
Ld1 im Ld2
v1 v2
Lm
- -
Modelo en “T”
i1 n·i2 i2
+ im2 1:n +
im1 Ld
v1 v2
Lm1 Lm2
- -
Modelo en “” ATE-UO EC amp señ 17
Segunda aproximación al comportamiento real:
inductancias magnetizante y de dispersión (II)
i1 n·i2 i2
+ im
1:n +
Ld
v1 v2 R2
Lm
- -
Modelo aproximado muy usado
Z1(j)[]
Z1(s), Y1(s) 10·R2’
Z1(s) = Ld·s + R2’·Lm·s/(R2’ + Lm·s) 1,4R2’

Z1(j) = j·Ld + j·R2’·Lm/(R2’ + j·Lm) R2’
0,7R2’
fCs
Hay un cero en cero, un cero fCi
en fCs = R2 ’/(2Ld) y un polo R2’/10
en fCi = R2 ’/(2Lm)
ATE-UO EC amp señ 18 0,1fC fC 10fC

Tercera aproximación al comportamiento real:
inductancias y capacidades parásitas (I)
+ 1:n +
Ld
v1 v2 R2
Lm Cp1
- -
Z1(s), Y1(s) Cp2 Cp3

Z1(j)[]
10·R2’
Modelos que tienen en cuenta
acoplamientos capacitivos de los R2 ’
devanados entre sí y con el núcleo
R2’/10
R2’/100
ATE-UO EC amp señ 19 f1 10f1 100f1 1000f1
Uso de un transformador como adaptador de
impedancias de banda ancha (I)
Solamente válido en el caso de impedancias resistivas
Rg
1:n
+
Lm R2 Margen de uso
vg
Z1(j)[]
R2’ = R2/n2
Z1(j) R2’
Por diseño: Rg = R2’ R2’ /10

0,1fC fC 10fC
Uso de un transformador como adaptador
de impedancias de banda ancha (II)
Rg
+ 1:n
Ld Cp1
R2
Lm
vg
Modelo más elaborado
Z1(j) R2’ = R2/n 2
Domina Ld
Z1(j)[]
Por diseño: Rg = R2’ 10·R2’
Margen de uso R2’

(domina R2’)
Domina Lm R2’/10
Domina Cp1
Resonancia Cp1 Ld R2’/100
f1 10f1 100f1 1000f1
Uso de un transformador como adaptador de impedancias
de banda estrecha (I) Se añade un condensador para cancelar
la reactancia inductiva de la inductancia
magnetizante
Rg
Lm 1:n
+ Cr
R2
vg
Z1(j) R2’ = R2/n2

10·R2’
Z1(j)[]
Con Cr conseguimos: Sin Cr
R2’
 Comportamiento selectivo. Con Cr
 Comportamiento real a menor
frecuencia para la misma Lm (menor R2’/10
Lm si quisiéramos comportamiento real
a la misma frecuencia). R2’/100
f1 10f1 100f1 1000f1
Uso de un transformador como adaptador
de impedancias de banda estrecha (II)
Si la admitancia de entrada es parcialmente capacitiva,

su efecto se añade al del condensador resonante
Rg
Lm 1:n
+ Cr’ C2
R2
vg
Y1(j) =1/R2 + j·C2

Cr = Cr’ + C2·n2 1
fr =
2 Lm·Cr

Uso de un transformador como adaptador de impedancias
de banda estrecha (III) Con un modelo más exacto
del transformador
Rg
+ 1:n
Ld Cp1
R2
Cr Lm
vg
Z1(j) 10·R2’
Z1(j)[]
Sin Cr
Comportamiento R2’ Con Cr
bastante independiente
de los “parásitos” del R2’/10
transformador
R2’/100
f1 10f1 100f1 1000f1
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras de
impedancias sin transformador (I)
Supongamos inicialmente
Rg impedancias resistivas en
el generador y la carga
+ RL
jXs
Calculamos Ze:
jXp Ze = jXs + jXp·RL/(jXp + RL) =

vg
jXs + jXp·RL·(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =
Ze [j(RL2·Xs + Xp2·Xs + RL2·Xp) + Xp2·RL]/(RL2 + Xp2)
Condición de Im[Ze] = 0 y Re[Ze] = Re a  o:
0 = RL2·Xs( o) + Xp2( o)·Xs( o) + RL2·Xp ( o) (1)
Re = Xp2( o)·RL/[RL2 + Xp2( o)] (2)
De (2) se obtiene:
Xp( o) = ± RL·[Re/(RL-Re)]1/2 (3)
Y de (1) y (3) se obtiene:
ATE-UO EC amp señ 25 -Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras
de impedancias sin transformador (II)
Rg Partimos de que para que

Re[Ze] = Re y Im[Ze] = 0:
+ RL
jXs Xp( o) = ± RL·[Re/(RL-Re)]1/2 (3)
-Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)
vg jXp También:
Ze = Re -Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)
Conclusiones: Xp( o) = -RL·Re/Xs( o) (5)
 De (1) 0 = RL2·Xs( o) + Xp2( o)·Xs( o) + RL2·Xp( o) se deduce que Xs y

Xp deben ser de distinto tipo (un condensador y una bobina)
 De (3) y (4) se deduce que en esta topología tiene que ser Re < RL
Posible realizaciones físicas:
Pasa bajos: Xs una bobina y Xp un condensador
Pasa altos: Xs un condensador y Xp una bobina
de impedancias sin transformador (III)
RL -Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)

jXs
Xp( o) = -RL·Re/Xs( o) (5)
Ze = Re Re < R L
jXp
Opción “pasa bajos”
Pasa bajos
Particularizamos:
L RL Xs( o) = L o y Xp( o) = -1/(C o)
Z e = Re Sustituimos en (4) (con “signo -”) y
C en (5):
L o = [Re·(RL-Re)]1/2
L o = [Re·(RL-Re)]1/2 1/(C o) = RL·Re/(L o)  L/C = RL·Re
L/C = RL·Re
Re < R L ATE-UO EC amp señ 27
de impedancias sin transformador (IV)
jXs RL -Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)
Ze = Re Xp( o) = -RL·Re/Xs( o) (5)

jXp Re < R L
Opción “pasa altos”
Pasa altos C
RL Particularizamos:
Xs( o) = -1/(C o) y Xp( o) = L o
Ze = Re
L Sustituimos en (4) (con “signo +”)
y en (5):
1/(C o) = [Re·(RL-Re)]1/2
C o = [Re·(RL-Re)]-1/2 L o = RL·Re·C o  L/C = RL·Re
L/C = RL·Re
Re < R L ATE-UO EC amp señ 28
de impedancias sin transformador (V)
¿Se puede conseguir que se adapten impedancias con Re > RL?
Para explicarlo, un poco de “Teoría de Circuitos”

1º Teorema de Reciprocidad
a c a c
+ Red +
Red
i2 i2
pasiva pasiva
v1 v1
b d b d
Si excitamos en tensión entre “a-b” y medimos la corriente de

corto entre “c-d”, el resultado es mismo que si excitamos en
tensión entre “c-d” y medimos la corriente de corto entre “a-b”

2º Teorema de Reciprocidad para cuadripolos no
disipativos, cargados con una resistencia y con
impedancia de entrada resistiva igual a la del generador
Rg a c RL
Balance de potencias:
+ Red
pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2·RL
pab pasiva no iL
Por tanto:
disipativa
vg (iL ef)2 = (vg ef)2/(4Rg·RL)
b d
Rg
Balance de potencias:
Rg a c RL pcd = (iL ef)2·Rg
Red + Sustituyendo el valor
de iL ef:
iL pasiva no pcd
disipativa pcd = (vg ef)2/(4RL)
vg Para que esto ocurra:
b d
Zcd Zcd = RL
Conclusión
Para cuadripolos no disipativos, cargados con una
resistencia y con impedancia de entrada resistiva
a c
 Si se cumple:
Red
pasiva no R2
disipativa
Zab = R1 b d
 Entonces:
a c
Red
R1 pasiva no
disipativa
b d Zcd = R2
de impedancias sin transformador (VI)
-Xs( o) = ± [R1·(R2-R1)]1/2 Xp( o) = -R2·R1/Xs( o) R1 < R 2
a c a c
jXs R2 R1 jXs
Zab = R1 Zcd = R2
jXp jXp
b R1 = R e d b R1 = R L d
R2 = R L R2 = R e
Dibujando de nuevo:
Rg
+ -Xs( o) = ± [RL·(Re-RL)]1/2
jXs RL
Xp( o) = -Re·RL/Xs( o)
vg jXp RL < Re
Ze = Re ATE-UO EC amp señ 32
de impedancias sin transformador (VII)
-Xs( o) = ± [RL·(Re-RL)]1/2 (4’)

jXs Xp( o) = -Re·RL/Xs( o) (5’)
RL RL < R e
jXp
Ze = Re Opción “pasa bajos”
Pasa bajos
Particularizamos:
L Xs( o) = L o y Xp( o) = -1/(C o)
Ze = Re Sustituimos en (4’) (con “signo -”) y
C RL en (5’):
L o = [RL·(Re-RL)]1/2
L o = [RL·(Re-RL)]1/2 1/(C o) = Re·RL/(L o)  L/C = Re·RL
L/C = Re·RL
RL < R e ATE-UO EC amp señ 33
de impedancias sin transformador (VIII)
-Xs( o) = ± [RL·(Re-RL)]1/2 (4’)

jXs Xp( o) = -Re·RL/Xs( o) (5’)
RL RL < R e
jXp
Ze = Re Opción “pasa altos”
Pasa altos
Particularizamos:
C Xs( o) = -1/(C o) y Xp( o) = L o
Ze = Re Sustituimos en (4’) (con “signo +”)

L RL y en (5’):
1/(C o) = [RL·(Re-RL)]1/2
C o = [RL·(Re-RL)]-1/2 L o = Re·RL·C o  L/C = Re·RL
L/C = Re·RL
RL < R e ATE-UO EC amp señ 34
Resumen
C
L RL RL
Z e = Re Ze = Re
C L
L o = [Re·(RL-Re)]1/2 C o = [Re·(RL-Re)]-1/2
L/C = RL·Re Re < R L L/C = RL·Re Re < RL
L C
Ze = Re C RL Ze = Re RL
L
L o = [RL·(Re-RL)]1/2 C o = [RL·(Re-RL)]-1/2
L/C = Re·RL RL < R e L/C = Re·RL RL < Re
Circuito simbólico que sintetiza los cuatro casos
jXs
a c
R1 jXp R2
b d
-Xs( o) = ± [R1·(R2-R1)]1/2
Xp( o) = -R2·R1/Xs( o)
R1 < R2
Dos circuitos simbólicos para sintetizar los cuatro casos
L
a c
L o = [R1·(R2-R1)]1/2
R1 R2 L/C = R1·R2
C R1 < R2
b d
a C c
C o = [R1·(R2-R1)]-1/2
R1 R2 L/C = R1·R2
L
R1 < R2
b d
Ejemplo de adaptación de impedancias en un amplificador
200 
L = 1,38H 200 
L = 1,38H
+ +
+ + 50 
ve’ vs’ vs
C= 50  C=
vg 50·ve’ -
138pF - 138pF
200  Ze 200  Ze’ = Ze
Frecuencia de operación: 10 MHz Ze[]
300
Re[Ze]
Cambio de Ze con la
frecuencia de operación 0
Im[Ze]
-200
6 10 14
f[MHz]
Comportamiento de la adaptación de
impedancias con el cambio de frecuencia
Ze[]
300
L Re[Ze], RL= 100
200
Z e = Re C RL Re[Ze],
RL= 20
Frecuencia de diseño: 10 MHz 0

Im[Ze], RL= 100
Caso A: Im[Ze], RL= 20

-200
Re = 200 RL = 100  6 10 14
f[MHz]
L = 1,6 H C = 80 pF
Conclusión: cuanto mayor es la
Caso B: diferencia de impedancias, más
Re = 200 RL = 20  crítico es el margen de frecuencia
L = 0,95 H C = 239 pF de adaptación. Lo mismo ocurre en
las otras redes
Comportamiento con generadores y cargas
con impedancia no resistivas
Se pueden usar estas redes si las componentes reactivas de
las impedancias se pueden “integrar” en la red de adaptación
de impedancias
jXs
Zg Rg jXg jXp ZL
jXp’ jXL
+ jXs’
vg RL
 Xs y Xp son los valores calculados por las fórmulas anteriores

 Xs’ y Xp’ son los valores a colocar
 Xs = Xs’ + Xg Xp = Xp’·XL/(Xp’ + XL)  Xp’ = Xp·XL/(XL - Xp)
 No siempre es posible hacer esto ATE-UO EC amp señ 40
Ejemplo de uso con impedancias no resistivas
L = 0,32 H
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 H
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz
C = 298 pF CL = 100 pF
Ejemplo de uso imposible con la red propuesta
L = 0,32 H
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 H
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz
C = - 102 pF CL = 500 pF
No es posible con esta red ATE-UO EC amp señ 42

Red alternativa a usar en este caso (I)
L = 0,32 H  jXs = j20 
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz
C = 398 pF  jXp = -j40 
L = 0,32 H  jXs = j20 
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz j155,9 
CL = 500 pF  jXL = -j31,8 
Xp’ = Xp·XL/(XL - Xp) = 155,9 

Red alternativa a usar en este caso (II)
0,32 H
Re = 20 
RL = 40 
fo = 10 MHz j155,9  CL =
500 pF
Maneras de conseguir la reactancia inductiva necesaria a 10 MHz:

 Una bobina
 Un circuito LC paralelo (infinitos casos posibles)
 Un circuito LC serie (infinitos casos posibles)
LP = 0,64 H CP = 295,8 pF
LP = 1,27 H CP = 96,8 pF
LP = 2,12 H CP = 17,3 pF
LP CP
2,48 H
En los tres casos se consigue
adaptación, pero su respuesta
ATE-UO EC amp señ 44 en frecuencia será distinta
Una nueva red de adaptación de impedancias
L = 0,32 H  jXs = j20 
Re = 20 
LP RL = 40 
fo = 10 MHz
CP
jXp = -j40  Ze[]

Definimos el Q del circuito: 40 Re[Ze],
Q =RL/( o·Lp) Q=1
Re[Ze], Q=0,1
Q=1 LP = 0,64 H CP = 795,8 pF
Q = 0,5 LP = 1,27 H CP = 596,8 pF Im[Ze], Q=1
Q = 0,1 LP = 6,37 H CP = 437,7 pF
0
Q = 0,01 LP = 63,7 H CP = 401,9 pF
Im[Ze], Q=0,1
Hay adaptación, pero su respuesta
-20
en frecuencia es distinta 6 14
10
ATE-UO EC amp señ 45 f[MHz]
Ejemplos de otras redes de adaptación de impedancias
(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)
Red básica
L C
a c a c
R1 R1
L R2
C R2
b d b d
L o = [R1·(R2-R1)]1/2 C o = [R1·(R2-R1)]-1/2
L/C = R1·R2 R1 < R2 L/C = R1·R2 R1 < R2
(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (II)
Otras redes (I)

(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (III)
Otras redes (II)

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un
circuito sintonizado (I)
+ Vcc
1:n +
C
ve2
Re2 -
real
C1 D
G
+
CS S
ve1
- RS

circuito sintonizado (II)
Rs1
1:n
+ +
ve2
vs1o C Re2 -
L ideal
Etapa 1 Etapa 2
Rs1 +
ve2’ Re2’
is1cc C L -
Re2’ = Re2/n2
ve2’ = ve2/n
circuito sintonizado (III)
Rs1 +
ve2’ Re2’ +
is1cc C L -
ve2’
is1cc - R C L
R = Re2’·Rs1/(Re2’ + Rs1)
Calculamos la transferencia ve2’/is1cc:
ve2’/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs 2]
Análisis senoidal permanente (s = j):
ve2’/is1cc = ZLCR(j) = jL /(1 - LC 2 + jL/R) = R/[1 + jR·(LC 2 - 1)/(L)]
Nos fijamos en el término (LC 2 - 1)/(L) yllamamos  o = 1/(LC)1/2:
(LC 2 - 1)/(L = [(LC)1/2 + 1]·[(LC)1/2 - 1]/(L) =
(/ o + 1)·(/ o - 1)/(L) ≈ 2·(/ o - 1)/(L o) = 2( -  o)/(L o2)
circuito sintonizado (IV)
+
ve2’
is1cc - R C L
R = Re2’·Rs1/(Re2’ + Rs1)
Por tanto:
ZLCR(j) ≈ R/[1 + jR·2( -  o)/(L o2)]
Para calcular las frecuencias de corte establecemos las condiciones
en las que ZLCR(j) cae 3dB con relación ZLCR(j o):
ZLCR(j c) = ZLCR(j o)/21/2  c =  o ± L o2/(2R) =  o ±  o/(2Q),
siendo Q = R/(L o). Por tanto:
 cs =  o +  o/(2Q),  ci =  o -  o/(2Q) y  =  cs -  ci =  o/Q

f= fo/Q (con la aproximación admitida)
Estudio del ancho de banda de amplificadores con
un circuito sintonizado (V)
ZLCR
R
R/ 2
ZLCR
Q=5 R C L
Q=10
Q=20  o = 2·fo
0
 o = 1/(LC)1/2
90
Q=10 Q = R/(L o)
ZLCR[º]
0 f≈ fo/Q
Q=20 Q=5
-90
0,6·fo fo f 1,4·fo ATE-UO EC amp señ 53
circuito sintonizado (VI) Valoración de la aproximación:
(/ o + 1)·(/ o - 1)/(L) ≈ 2( -  o)/(L o2)
ZLCR
R
Q=5
R/ 2
aprox.
aprox.
0
ZLCR[º]
90
aprox. Q=5
aprox.
-90
0,6·fo fo f 1,4·fo
Amplificadores con dos circuitos sintonizados
¡Ojo! Hay que evitar que + Vcc

se acoplen por campo
magnético disperso 1:n2 +
C2
M ve2
Re2 -
real
Rg D
G
1:n1 + S
+
ve1
C1 -
vg RS CS
real

Formas de evitar que exista acoplamiento entre circuitos
sintonizados
 Bobinas ajustables con blindaje
 Bobinas y transformadores toroidales
 Transformadores de RF
Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (I)
Coilcraft Coilcraft
Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (II)
Toko
Toko
Toko
Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (III)
Toko
Toko
Toko
Bobinas y transformadores toroidales
Toko
Toko Coilcraft
Toko
Transformadores de RF
Coilcraft Mini circuit

Comportamiento de amplificadores con dos circuitos
sintonizados (I) + Vcc
1:n2 +
C2
ve2
Re2 -
real
Rg D
G
1:n1 + S
+
ve1
C1 -
vg RS CS
real
+ L1 + L2
C1 C2
ve1 ve2’
igcc/n1 - R1 gFET·ve1 - R2
igcc = vg/Rg ve2’ = ve2/n2

Comportamiento de amplificadores con dos
circuitos sintonizados (II)
+ L1 + L2
C1 C2
ve1 ve2’
igcc/n1 - R1 gFET·ve1 - R2
Ecuaciones:
igcc = vg/Rg
ve2 = ve2’·n2
ve1·n1/igcc = ZLCR1(j) = R1/[1 + jR1·(L1C1 2 - 1)/(L1)]
ve2’/(gFET·ve1) = ZLCR2(j) = R2/[1 + jR2·(L2C2 2 - 1)/(L2)]
Por tanto:
ve2/vg = ZLCR1(j)·ZLCR2(j)·[gFET·n2/(Rg·n1)] = k·FLCR(j), siendo:
FLCR(j) = ZLCR1(j)·ZLCR2(j)/(R1·R2)
Comportamiento de amplificadores con
dos circuitos sintonizados (III)
Llamamos:
 o1 = 1/(L1C1)1/2, Q1 = R1/(L1 o1),  o2 = 1/(L2C2)1/2 y Q2 = R2/(L2 o2)
Posibilidades:
 Misma sintonía   o1 =  o2
 Sintonía escalonada   o1   o2
Caso de misma sintonía FLCR(j)

1
Q=5
1/ 2
 Aumenta la atenuación de 1 Etapa
frecuencias indeseadas
 Disminuye el ancho de
2 Etapas
banda
0
0,6·fo fo f 1,4·fo
Comportamiento de amplificadores con dos
circuitos sintonizados (IV)
Caso de sintonía escalonada
Ejemplo: fo1 =0,909· fo y fo2 =1,11· fo
FLCR(j)
1
 Aumenta la atenuación de Q=5
frecuencias indeseadas 1/ 2
 Se puede conseguir una 1 Etapa
respuesta bastante plana en
la banda deseada
 Menor ganancia 2 Etapas
0
0,6·fo fo f 1,4·fo

Determinación del ancho de banda en
amplificadores con varios circuitos sintonizados a
la misma frecuencia y con el mismo Q (I)
vg Etapa Etapa Etapa Etapa

vs
1 2 3 4
L1 C 1 R 1 L 2 C2 R 2 L3 C3 R3 L4 C4 R4
Usamos las expresiones aproximadas:
ZLCR(j) ≈ R/[1 + jR·2( -  o)/(L o2)] f≈ fo/Q
FLCR(j) = [ZLCR(j)/R]n = 1/[1 + jR·2( -  o)/(L o2)]n
Condición de caída de 3dB a  c:
FLCR(j c) = FLCR(j o)/21/2 21/2= [1 + [R·2( c -  o)/(L o2)]2]n/2 
[21/n– 1]1/2= ± R·2( c -  o)/(L o2); llamamos k(n) = [21/n– 1]1/2
Entonces:  c =  o ± k(n)·L o2/(2R) =  o ± k(n)· o/(2Q)  f= k(n)·fo/Q
Como f= k(n)·fo/Q y k(n) < 1, disminuye el ancho de banda
Determinación del ancho de banda en
amplificadores con varios circuitos sintonizados a
la misma frecuencia y con el mismo Q (II)
 o = 2·fo  o = 1/(LC)1/2 Q = R/(L o) f≈ [21/n– 1]1/2·fo/Q
FLCR(j)[dB]
0
Q=5
1 Etapa
-20
-40 2 Etapas
-60 4 Etapas
0,1·fo fo f 10·fo

Estudio de dos etapas con sintonía escalonada y
con el mismo Q (I)
Ejemplos de posibles diseños:
Frecuencia de corte superior de una etapa coincidente con la
inferior de la otra
fo1 = fo/[1 + 1/(2Q)]
fo2 = fo/[1 - 1/(2Q)] FLCR(j)
fo1 fo2
1
1/ 2
1 Etapa
2 Etapas
0
fo·(1-3/Q) fo fo·(1+3/Q)
f
con el mismo Q (II)
Mismo ejemplo anterior, en escala logarítmica
0
-3
 Aumenta la atenuación
Q=5
de frecuencias
-20 indeseadas
 Se puede conseguir
1 Etapa una respuesta bastante
-40
plana en la banda
deseada
2 Etapas
-60  Menor ganancia
0,1·fo fo f 10·fo

con el mismo Q (III)
Otros ejemplos de posibles diseños:
fo1 = fo/[1 + 1/(m·Q)] Caso anterior: m = 2
Resonancias más alejadas: m < 2
fo2 = fo/[1 - 1/(m·Q)]
Resonancias más cercana: m > 2
FLCR(j)
fo1 fo2
1
m = 1,5
1/ 2
1 Etapa
2 Etapas
0
fo·(1-3/Q) fo fo·(1+3/Q)
f
Estudio de dos etapas con sintonía escalonada y con el
mismo Q (IV) Influencia de m, en escala logarítmica
0 -3 dB
m = 1,5 Q=5
-20
1 Etapa
m=1
-40
2 Etapas, m = 2
-60
0,1·fo fo f 10·fo
 Con menores valores de m, menor ganancia y mayor ancho de banda
Estudio de varias etapas con sintonía
escalonada y con el mismo Q (I)
Ejemplos de posibles diseños con cuatro etapas:
Opción A:
fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]
0
Q=5 Opc. A fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)]
Opc. B
1 Etapa Opción B:
-20
fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]
C fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)]
-40 fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)]
2 Etapas
fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)]
-60 4 Etapas Opción C:
0,1·fo fo f 10·fo fo2= fo/[1 + 1/(2Q)]
fo3= fo/[1 - 1/(2Q)]
fo1 = fo2·[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)]
ATE-UO EC amp señ 71 fo4 = fo3·[1 + 1/(2Q)]/[1 - 1/(2Q)]
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (I)
Rg C2
1:n1 1:n2 +
+ C1 C1
ve1
L L Re1 -
vg
real real
Rg’ = R C2
+ C1 +
C1
ve1’
vg’ L L -
Re1’ = R
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (II)
Rg’ = R C2
+ C1 +
C1 Llamamos:
ve1’
L L  o = 2fo
vg’ -
Re1’ = R  o = 1/(LC1)1/2
FLCR(j)[dB] C2 = C1/k
0 Q = R/(L o)
Q=5
FLCR(j) = ve1’/vg’
-20
k=1 ¡Ojo! fo no es la
frecuencia central
-40
2
5
k = 20 10
-60
0,1·fo fo f 10·fo ATE-UO EC amp señ 73
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (III)
Rg’ = R C2
+ C1 +
C1
ve1’
vg’ L L -
Re1’ = R
FLCR(j)
1
Q=5
¿Dónde salen los dos

k=2 k=5
picos de resonancia y
10 cuándo sale sólo uno?
k=1
k = 20
0
0,6·fo fo f 1,4·fo
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (IV)
Z2
+ C2 +
C1 C1
v ve1’
- R L R -
igcc’ L
Z1 Z1
Ecuaciones: v/igcc’ = [Z1·(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) y ve1’/v = Z1/(Z1 + Z2)
Por tanto: ve1’/igcc’ = Z12/(2Z1 + Z2)
Máximos posibles:
 Si Z1 es muy grande  resonancia paralelo de Z1   o1 = 1/(LC1)1/2
 Si 2Z1 + Z2 es muy pequeña  resonancia serie de 2Z1 y Z2
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (V)
Z2
C2
+ C1 C1
+ Resonancia serie de 2Z1 y Z2:
v ve1’
- R L R -
2Ls/(1 + Ls/R + LC1s2) + 1/C2s = 0
igcc’ L
Z1 Z1
Efectuamos un análisis senoidal y suponemos R muy grande:
2L o2/(1 - LC1 o22) - jC2 o2 ≈ 0   o2 ≈ 1/[L·(C1 + 2C2)]1/2

Por tanto:
 o1 ≈  o2·(1 + 2C2/C1)1/2   o1 ≈  o2·(1 + 2/k)1/2
Hay dos picos cuando, aproximadamente:
 o1 -  o2 >  o1/(2Q) +  o2/(2Q)  k < (2Q-1)2/4Q ≈ Q (si Q es grande)
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (I)
Acoplamiento no ideal
Rg
+ C1 +
C1
ve1
Re1 -
vg 1:n2
1:n1
Acoplamiento Acoplamiento
ideal ideal
Rg’ = R
+
+ Ld1 Ld2 ≈ Ld1
ve1’
vg’ C Lm C -
Re1’ = R
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (II)
Acoplamiento capacitivo Z1 Z1
+ C1 +
C2 C1
v Z2 ve1’
- R L R -
igcc’ L
Acoplamiento inductivo
Z1 Z1
+
Ld Ld
ve1’
R C Lm C R -
igcc’
Z2
Se estudia de modo
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (III)
Z1 Z1
+
Ld Ld
ve1’
R C Lm C R -
igcc’
Z2
Ecuación final : ve1’/igcc’ = Z2·R2/[Z1·(2Z2 + Z1)·(1 + RCs)2]
Si suponemos R muy grande: ve1’/igcc’ = Z2/[Z1·(2Z2 + Z1)·(Cs)2]
Máximos posibles:
 Si Z1 es muy pequeña  resonancia de serie Z1   o1 ≈ 1/(LdC)1/2
 Si 2Z2 + Z1 es muy pequeña  resonancia serie de 2Z2 y Z1 
 o2 ≈ 1/[(2Lm +Ld)C]1/2 y si llamamos k = Ld/Lm   o2 ≈ 1/[Ld·(2/k + 1)C]1/2
Por tanto:  o1 ≈  o2·(1 + 2/k)1/2 y hay dos picos cuando,
aproximadamente: k < (2Q-1)2/4Q ≈ Q (si Q es grande) ATE-UO EC amp señ 79
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (IV)
Rg’ = R
+
+ Ld1 Ld2 ˜ Ld1
ve1’
vg’ C Lm C -
Re1’ = R
0 Hemos llamado:
Q=5  o = 2fo
k=1
-20  o = 1/(LdC)1/2
Lm = Ld/k
2 Q = R/(Ld o)
-40
5
FLCR(j) = ve1’/vg’
10
-60 k = 20
0,1·fo fo f 10·fo ATE-UO EC amp señ 80
Modelado de los dispositivos activos: parámetros de
admitancias (I)
Zg ie is
+ + +
ve vs
vg - y11 y12·vs y21·ve y22 - ZL
Dispositivo activo
Ecuaciones:
ie = y11·ve + y12·vs ie ie
y11  y12 
is = y21·ve + y22·vs ve vs 0
vs ve  0
Valores:
is is
y21  y22 
ve vs 0
vs ve 0
admitancias (II)
ie is
+ + +
ve vs
ve - y11 y12·vs y21·ve y22 -
Significado de cada parámetro:
ie
y11   Admitancia de entrada con salida en corto
ve v s 0
is
y21   Admitancia de transferencia directa con salida
ve vs 0
en corto
admitancias (III)
ie is
+ + +
ve vs
- y11 y12·vs y21·ve y22 - vs
ie
y12   Admitancia de transferencia inversa con
vs ve  0 entrada en corto
is
y22   Admitancia de salida con entrada en corto
vs ve 0

admitancias (IV)
ie is
+ +
ve vs
- y11 y12·vs y21·ve y22 -
Otra nomenclatura posible:

y11 = Admitancia de entrada con salida en corto = yi
y12 = Admitancia de transferencia inversa con entrada en corto = yr
y21 = Admitancia de transferencia directa con salida en corto = yf
y22 = Admitancia de salida con entrada en corto = yo
admitancias (V)
ie is
+ +
ve vs
- y11 y12·vs y21·ve y22 -
División en parte real e imaginaria:

y11 = g11 + j·b11 o bien yi = gi + j·bi
y12 = g12 + j·b12 o bien yr = gr + j·br
y21 = g21 + j·b21 o bien yf = gf + j·bf
y22 = g22 + j·b22 o bien yo = go + j·bo
admitancias (VI) En función de la configuración:
ig id
G D
yis = gis + j·bis
+ +
yrs = grs + j·brs
vgs vds
yfs = gfs + j·bfs
- yis yrs·vds yfs·vgs yos -
yos = gos + j·bos
S
is id
S D
yig = gig + j·big
+ +
yrg = grg + j·brg
vsg vdg
yfg = gfg + j·bfg
- yig yrg·vdg yfg·vsg yog -
yog = gog + j·bog
G
ig id
G S
yid = gid + j·bid
+ +
yrd = grd + j·brd
vgd vsd
yfd = gfd + j·bfd
- yid yrd·vsd yfd·vgd yod -
yod = god + j·bod
D ATE-UO EC amp señ 86
Tipos de dispositivos activos (I)
Montajes con un único transistor:
 Base o puerta común  mayor ancho de banda, sin ganancia de
corriente
 Emisor o fuente común  menor ancho de banda, mayor
ganancia de potencia
 Colector o drenador común  ancho de banda intermedia, sin
ganancia de tensión
Montajes con varios transistores:
 Cascodo: emisor (o fuente) común + base (o puerta) común 
buen ancho de banda, buena ganancia de potencia
 Etapa diferencial: ganancia regulable por una tensión de control

Propiedades de las configuraciones:
puerta (o base) común
S D
+ * +
 Baja impedancia de entrada
 Alta impedancia de salida
ve vs
 Media-alta ganancia de tensión
- -
G  Ganancia de corriente baja (< 1)
Respuesta en frecuencia:
Capacidades parásitas en entrada y en salida  sin “efecto Miller”
(no hay capacidad entrada-salida que sea equivalente a una nueva
capacidad de entrada muy aumentada al ir multiplicada por la
ganancia de tensión)  gran ancho de banda

fuente (o emisor) común
 Alta impedancia de entrada (FETs) o

D + media impedancia de entrada
G
+ *S -
vs (bipolares)
 Alta impedancia de salida
ve
 Ganancia de tensión alta (con cargas
-
altas)
 Ganancia de corriente alta
Una capacidad parásita en la entrada y otra entre entrada y salida
 hay “efecto Miller” (la capacidad entrada-salida es equivalente a
una nueva capacidad de entrada, muy aumentada al ir multiplicada
por la ganancia de tensión)  pequeño ancho de banda
drenador (o colector) común
 Alta impedancia de entrada

S +
G vs  Baja impedancia de salida
ve
+ *D -  Ganancia de tensión baja (< 1)
 Ganancia de corriente alta
-
Una capacidad parásita en la entrada y otra entre entrada y salida,
pero la ganancia de tensión es menor que 1  hay “efecto Miller”,
pero poco significativo al ser la ganancia de tensión menor que 1
 gran ancho de banda

Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (I)
Circuito equivalente del J309 50  G 2 pF D

+
G 2 pF D + +
RL
vGS gm·vGS vs
+ vg -
4 pF
gm = 0,02 -1
-
vGS gm·vGS Fuente común S
4 pF
-
gm = 0,02 -1 gm = 0,02 -1 gm·vGS
D
S
50  S
RL +
vGS + 4 pF 2 pF
+ - vs
50  G vg - + G -
+ 2 pF 4 pF S vGS
+
vg gm·vGS RL Puerta común
vs
D
gm = 0,02 -1 -
Drenador común
Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (II)
Circuito equivalente del J309

G 2 pF D
+
vGS gm·vGS vs/vg[dB]
4 pF 20
-
Fuente común RL = 200 
gm = 0,02 -1
S Puerta común
0 Drenador común
¡Ojo! En este caso particular el

-20
drenador común tiene mayor
ancho de banda que el puerta
común. Esto no siempre ocurre
en transistores bipolares. -40
1 10 102 103 104
f[MHz]
El montaje “cascodo” (I)
Fuente común + Puerta común
S D
G
D * +
vs
+ *S G
-
ve
-
Zegc ≈ 1/gm
(pequeña)
 Alta impedancia de entrada
 Baja impedancia de entrada
 Alta ganancia de corriente
 Baja ganancia de corriente
 Baja ganancia de tensión (por Zegc baja)  Alta ganancia de tensión
 Buena respuesta en frecuencia (por baja  Buena respuesta en frecuencia
ganancia de tensión)
Cascodo: Altas ganancias de tensión y

corriente y buena respuesta en frecuencia
El montaje “cascodo” (II)
50 
* +
+ +
* -
vs RL
vg ve
-
Zebc pequeña
vs/vg[dB]
40
Cascodo
B 2 pF C
+ 20
Emisor común
vBE gm·vBE
rBE 4 pF
-
0 Base común
gm = 0,3 -1
rBE >> 50  E
Modelo de
-20
transistor usado
RL = 200 
-40
1 10 102 103 104
ATE-UO EC amp señ 94 f[MHz]
Etapa diferencial como amplificador de RF (I)
+ VCC Ganancia en BF (transparencias
ATE-UO EC mez 50-52):
vs ≈ -0,5RiOvd/VT
RL RL Es decir:
vs vs/vd ≈ -0,5RiO/VT
+ -
Por tanto, la ganancia se puede
controlar mediante el valor de io 
+ Es fácil realizar físcamente el
vd Control Automático de Ganancia
- (CAG o AGC)
iO iO
iO
- VCC
- VCC - VCC
Etapa diferencial como amplificador de RF (II)
Conexión diferencial de la tensión de entrada
+ VCC
RL RL
vs
+ -
Rg/2
+
vg/2
+
iO
Rg/2 CAG
vg/2
- VCC
Etapa diferencial como amplificador de RF (III)
Estudio de la respuesta en frecuencia (I)
Rg/2 B
rB’B
CB’C C vs C CB’C
rB’B
B Rg/2
B’ B’
+ -
+ +
CB’E CB’E
+
vg/2 vB’E vB’E vg/2
- rB’E gm·vB’E
RL RL gm·vB’E rB’E - +
E E
rB’B + VCC
B B’ CB’C C
+
CB’E RL RL
vB’E
vs
- rB’E gm·vB’E + -
Rg/2
E +
vg/2
+
iO
Rg/2 CAG
vg/2
- VCC
Etapa diferencial como amplificador de RF (IV)
Estudio de la respuesta en frecuencia (II)
Dada la simetría del circuito, los emisores están a tensión

constante en alterna (por tanto, conectados a masa)
ig ig
Rg/2 B
rB’B
rB’B
B Rg/2
B’ B’
+ -
+ +
CB’E CB’E
+
vg/2 vB’E vB’E vg/2
- rB’E gm·vB’E
RL RL gm·vB’E rB’E - +
E ie ie E
rB’B
B B’ CB’C C
ic = 0
+
CB’E
vB’E
- rB’E gm·vB’E
E

Etapa diferencial como amplificador de RF (V)
Estudio de la respuesta en frecuencia (III)
Rg/2 B
rB’B
rB’B
B Rg/2
B’ B’
+ -
+ +
CB’E + - CB’E
+
vg/2 vB’E vs/2 vB’E vg/2
- RL vs/2 +
rB’E gm·vB’E - + RL gm·vB’E rB’E -
E E
Rg/2 B
rB’B
CB’C C
B’
+ +
CB’E +
vg/2 vB’E vs/2
- rB’E gm·vB’E
RL
-
E
La respuesta en frecuencia es
como la de un emisor común
Etapa diferencial como amplificador de RF (VI)
Otra conexión de la tensión de entrada
+ VCC
RL RL
vs
+ -
Rg 
+
vg
La respuesta en frecuencia
iO
CAG es propia de un colector
común seguido de un base
común  menor ganancia,
- VCC
pero mayor ancho de banda
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con
etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicación de Intersil) (I)
Colector común + base común

con etapa diferencial
Circuito integrado CA3028
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con
etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicación de Intersil) (II)
Circuito integrado Cascodo realizado con etapa diferencial. El

CA3028 CAG se realiza actuando en la polarización
del transistor en emisor común

Parámetros de admitancia del CA3028
(obtenidos de una nota de aplicación de Intersil) (I)

Parámetros de admitancia del CA3028
(obtenidos de una nota de aplicación de Intersil) (II)

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores
de FI con el circuito integrado MC1350
(obtenidos de una nota de aplicación de Motorola) (I)
Amplificador de FI para
receptor de TV
Circuito integrado MC1350
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores
de FI con el circuito integrado MC1350
(obtenidos de una nota de aplicación de Motorola) (II)
Amplificador de FI para
receptor de radio comercial

Parámetros de admitancia del MC1350
(obtenidos de una nota de aplicación de Motorola) (I)
Variación de la ganancia
con la tensión de CAG

Parámetros de admitancia del MC1350
(obtenidos de una nota de aplicación de Motorola) (II)

Parámetros de admitancia de los JFET
J309 y J310
(obtenidos de una nota de aplicación de Fairchild)

Información sobre el ruido
(figura o cifra de ruido y tensión de ruido)
JFETs J309 y J310
Transistor bipolar BFY90
CA3028
MC1350

Ejemplos de esquemas reales de
Cascodo amplificadores de RF con JFETs
(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)
Circuito doblemente
sintonizado Circuito doblemente
sintonizado
Mezclador
Oscilador y separador

Mezclador
Ejemplos de esquemas
reales de amplificadores de
RF con JFETs (obtenidos del
Circuito
doblemente ARRL Handbook 2001) (II)
sintonizado
JFET en puerta
común
Amplificador
de CAG

Amplificadores de Sennal

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Electrónica de Comunicaciones

ATE-UO EC amp señ 01

Potencia de entrada: pe = (ie ef)2·Re[Ze]

Ojo: No valora la adaptación de

Potencia de entrada: pe = (ve ef)2·Re[Ye]

Re[ZL] = Re[Zg]  RL = Rg Pgd = (ig ef)2·RL = (ig ef)2·Rg =

Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg]

Valora la adaptación de impedancias

Valora la adaptación de impedancias entre generador

AV = vs/ve = 20·75/(300+75) = 4 = 20·log(4) [dB] = 12,04 dB

pe = (ve ef)2/50 ps = 75·[20·ve ef/(300+75)]2

ped = (vg ef)2/(4·75) psd = (20·ve ef)2/(4·300) ve = vg·50/(50+75)

Gp = ps/pe = 10,67 = 10·log(10,67) [dB] = 10,28 dB

Gpd = psd/ped = 16 = 10·log(16) [dB] = 12,04 dB

Gpt = ps/ped = 10,24 = 10·log(10,24) [dB] = 10,10 dB

Amplificador de señal de RF ATE-UO EC amp señ 08

AV = vs/ve = 10·(75/300)1/2·(50/75)1/2 = 4,08 = 20·log(4,08) [dB] = 12,21 dB

pe = ped = (vg ef)2/(4·75) ps = psd = (20·ve’ ef)2/(4·300) ve’ = (50/75)1/2·0,5·vg

Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10·log(16,67) [dB] = 12,21 dB

Con adaptación: Gpt = 156,25 = 21,93 dB

En la entrada: e = (Ze – Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedancia de referencia)

En la salida: s = (Zs – Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedancia de referencia)

Relación de Ondas Estacionarias (ROE, SWR):

En la entrada: ROEe = (1 +  e)/(1 -  e)

En la salida: ROEs = (1 +  s)/(1 -  s)

Pérdidas de potencia por desadaptación PL:

En la entrada: PLe = -10·log[1 - (Ze – Zg*)/(Ze + Zg) 2]

En la salida: PLs = -10·log[1 - (Zs – ZL*)/(Zs + ZL) 2]

ATE-UO EC amp señ 12

 e = (Ze – Zo)/(Ze + Zo) = 0/250 = 0

 s = (Zs – Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6

ROEe = (1 +  e)/(1 -  e) = 1

ROEs = (1 +  s)/(1 -  s) = 4

PLe = -10·log[1 - (Ze – Zg*)/(Ze + Zg) 2] = 1,94 dB

PLs = -10·log[1 - (Zs – ZL*)/(Zs + ZL) 2] = 1,94 dB

Teoría del transformador ideal (I)

+ im 1:n + Calculamos i1/v1 = Y1:

v1 R2 Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lm·s)

Z1(s) = R2’·Lm·s/(R2’ + Lm·s)

Hay un cero en cero y un

Z1(s) = Ld·s + R2’·Lm·s/(R2’ + Lm·s) 1,4R2’

ATE-UO EC amp señ 18 0,1fC fC 10fC

Z1(s), Y1(s) Cp2 Cp3

Por diseño: Rg = R2’ R2’ /10

ATE-UO EC amp señ 20

Margen de uso R2’

Z1(j) R2’ = R2/n2

Si la admitancia de entrada es parcialmente capacitiva,

Y1(j) =1/R2 + j·C2

ATE-UO EC amp señ 23

jXp Ze = jXs + jXp·RL/(jXp + RL) =

Rg Partimos de que para que

Conclusiones: Xp( o) = -RL·Re/Xs( o) (5)

 De (1) 0 = RL2·Xs( o) + Xp2( o)·Xs( o) + RL2·Xp( o) se deduce que Xs y

RL -Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)

jXs RL -Xs( o) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)

Ze = Re Xp( o) = -RL·Re/Xs( o) (5)

Para explicarlo, un poco de “Teoría de Circuitos”

Si excitamos en tensión entre “a-b” y medimos la corriente de

ATE-UO EC amp señ 29

-Xs( o) = ± [RL·(Re-RL)]1/2 (4’)

-Xs( o) = ± [RL·(Re-RL)]1/2 (4’)

Ze = Re Sustituimos en (4’) (con “signo +”)

Frecuencia de diseño: 10 MHz 0